JP6174059B2 - 極薄ウェハーの仮接合の方法及び装置 - Google Patents
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Description
[関連する同時係属出願の相互参照]
20 Device Wafer デバイスウェハー
30 Carrier キャリア
56 Mount to Frame フレームに取り付ける
57 YAG Laser release YAGレーザー剥離する
58 Mechanical lift 機械的に持ち上げる
59 Peel Adhesive 接着剤を剥がす
80a TEMORARY BOND PROCESS 仮接合プロセス
80b DEBOND PROCESS 剥離プロセス
82 Coat with UV curable adhesive UV硬化性接着剤でコーティングする
84 Flip Wafer ウェハーを反転する
86 Coat/bake with Laser absorbing Releaselayer レーザー吸収剥離層でコーティング/加熱乾燥する
87 UV cure adhesive 接着剤をUV硬化させる
Mechanical (optical) Alignment 機械的(光学的)位置合わせ
88 Temporary Bond 仮接合する
Processed Device Wafer 処理済みデバイスウェハー
Carrier キャリア
Thinned wafer supported by frame 薄化されたウェハーがフレームによって支持される
図1B
20 Si-Wafer シリコンウェハー
21 Release Layer 剥離層
23 Adhesive layer 接着層
30 Carrier キャリア
80c TEMORARY BOND PROCESS ANDDEBOND PROCESS 仮接合プロセス及び剥離プロセス
Preparation of silicon wafer シリコンウェハーの準備
Spin Coating スピンコーティング
Preparation of carrier キャリア準備
Bonding 接合する
Thinning 薄化する
Bonding and Thinning 接合及び薄化
TSV Processing TSV処理
Lamination to dicing tape or permanentbonding ダイシングテープに張り合わせる又は永久接合
De-bonding 剥離する
図2
Process Basics プロセス基本要素
Place LTHC carrier on top chuck 上側チャック上にLTHCキャリアを配置する
Apply holding pins 保持ピンを適用する
Place adhesive wafer on bottom chuck 下側チャック上に接着ウェハーを配置する
Robot align ロボット位置合わせ
Vacuum pump down 真空まで空気を抜く
Top chuck moves down, sliding on holdingpins 上側チャックを下方に移動し、保持ピン上を摺動する
Apply force 力を加える
Unload stack スタックを取り出す
UV cure adhesive 接着剤をUV硬化させる
図3
Laser レーザー
図6A
20 Device Wafer デバイスウェハー
23a Adhesive Wet 接着剤濡れ
Adhesive, Cured 接着剤硬化済み
23b Wet adhesive 濡れ接着剤
30 Carrier Wafer キャリアウェハー
61 Bump coverage Exampleバンプ被覆例
62 Bump height Example バンプ高例
64 Cured layer 1 Example硬化済み層1例
65 2nd coatthickness Example 第2のコーティング厚例
310 Coat 1 コーティング1
320 Coat 2 コーティング2
330 Reflow/Cure &Cool 1 リフロー/硬化及び冷却1
340 LF Load LF装填
412 LF Upper Chuck LF上側チャック
414 LF Lower Chuck LF下側チャック
図6B
20 Device Wafer デバイスウェハー
23a Adhesive, Cured 接着剤、硬化済み
23b Wet adhesive 濡れ接着剤
30 Carrier Wafer キャリアウェハー
310 Carrier Wafer キャリアウェハー
350 Low Force Join 低力結合
360 Cure/Cool 2 硬化/冷却2
412 LF Upper Chuck LF上側チャック
414 LF Lower Chuck LF下側チャック
416 Hot Plate ホットプレート
図7
Thickness 厚み
図8
402、404、408 CoatingChamber コーティングチャンバー
410 Bonder ボンダー
406 Adhesive CuringChamber 接着剤硬化チャンバー
Claims (25)
- 2つのウェハー表面を仮接合する方法であって、
互いに反対に面する第1のウェハー表面及び第2のウェハー表面を有する第1のウェハーを配設することと、
互いに反対に面する第1のウェハー表面及び第2のウェハー表面を有する第2のウェハーを配設することと、
前記第1のウェハーの前記第1の表面上に第1の接着層を塗布することと、
前記第1の接着層を硬化させることであって、それにより、硬化済みの第1の接着層を作製することと、
前記第2のウェハーの前記第1の表面上に第2の接着層を塗布することと、
上側チャックアセンブリと、該上側チャックアセンブリの下方に、かつ向かい合って配置される下側チャックアセンブリとを備えるボンダーモジュールを配設することと、
前記第1のウェハーを前記ボンダーモジュールに挿入し、前記第1のウェハーの、前記硬化済みの第1の接着層を有する前記第1の表面が下向きになるように前記第1のウェハーを前記上側チャックアセンブリによって保持することと、
前記第2のウェハーを前記ボンダーモジュールに挿入し、前記第2の接着層が上向きになりかつ前記第1の接着層と向かい合うように前記第2のウェハーを前記下側チャックアセンブリ上に配置することと、
前記下側チャックアセンブリを上方に移動し、濡れている前記第2の接着層を前記硬化済みの第1の接着層と接触させることと、
前記第2の接着層を硬化させることであって、それにより、前記第1のウェハーと前記第2のウェハーとの間に仮接合を形成することと、
を含む、2つのウェハー表面を仮接合する方法。 - ホットプレートを前記第2のウェハーの前記第2の表面と接触させることによって、前記第2の接着層を硬化させる、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の接着層及び前記第2の接着層を紫外線(UV)、熱、圧力、触媒、化学物質又は時間によって誘発される硬化プロセスのうちの少なくとも1つによって硬化させる、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の接着層はスピンコーティングによって前記第1のウェハーの前記第1の表面に塗布される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の接着層はシリコーンエラストマーを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の接着層及び前記第2の接着層の前記硬化は、80℃〜160℃の範囲内の硬化温度及び1分〜15分の範囲内の硬化時間において行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記上側チャックアセンブリ及び前記下側チャックアセンブリはそれぞれ低力上側チャック及び低力下側チャックを備えており、前記ボンダーモジュールを最初に排気し、その後、パージングによって、前記ボンダーモジュールを大気圧まで昇圧することによって、前記第2の接着層を前記硬化済みの第1の接着層と接触させる、請求項1に記載の方法。
- 前記仮接合された前記第1のウェハー及び前記第2のウェハーを硬化させることを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記仮接合された前記第1のウェハー及び前記第2のウェハーの前記硬化は、120℃〜220℃の範囲内の硬化温度及び1分〜15分の範囲内の硬化時間において行われる、請求項8に記載の方法。
- 前記第1のウェハーの前記第2の表面を薄化し、その後、前記薄化済みの第1のウェハーを前記第2のウェハーから剥離することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の接着層は110マイクロメートル未満の厚みを有し、前記第2の接着層は30マイクロメートル未満の厚みを有する、請求項1に記載の方法。
- 2つのウェハー表面を仮接合する装置であって、
第1のウェハーの第1の表面上に第1の接着層を塗布するように構成される第1のコーティングチャンバーと、
第2のウェハーの第1の表面上に第2の接着層を塗布するように構成される第2のコーティングチャンバーと、
前記第1のウェハーの前記第1の接着層を硬化させるように構成される硬化チャンバーと、
上側チャックアセンブリと、該上側チャックアセンブリの下方に、かつ向かい合って配置される下側チャックアセンブリとを備えるボンダーモジュールと、
を備え、
前記上側チャックアセンブリは、前記第1のウェハーの、前記硬化済みの第1の接着層を有する前記第1の表面が下向きになるように前記第1のウェハーを保持するように構成され、
前記下側チャックアセンブリは、前記第2の接着層が上向きであり、かつ前記硬化済みの第1の接着層と向かい合うように前記第2のウェハーを保持するように構成され、
前記下側チャックアセンブリは、上方に移動し、それにより、濡れている前記第2の接着層を前記硬化済みの第1の接着層と接触させるように構成され、
前記硬化チャンバーは、前記第2の接着層を硬化させるように更に構成され、それにより、前記第1のウェハーと前記第2のウェハーとの間に仮接合を形成する、
2つのウェハー表面を仮接合する装置。 - 前記硬化チャンバーは、ホットプレートを前記第2のウェハーの第2の表面と接触させることによって、前記第2の接着層を硬化させるように構成される、請求項12に記載の装置。
- 前記硬化チャンバーは、前記第1の接着層及び前記第2の接着層を紫外線(UV)、熱、圧力、触媒、化学物質又は時間によって誘発される硬化プロセスのうちの少なくとも1つによって硬化させるように構成される、請求項12に記載の装置。
- 前記上側チャックアセンブリ及び前記下側チャックアセンブリはそれぞれ低力上側チャック及び低力下側チャックを備えており、前記ボンダーモジュールを最初に排気し、その後、パージングによって、前記ボンダーモジュールを大気圧まで昇圧することによって、前記第2の接着層を前記硬化済みの第1の接着層と接触させる、請求項12に記載の装置。
- 前記第1の接着層はスピンコーティングによって前記第1のウェハーの前記第1の表面に塗布される、請求項12に記載の装置。
- 前記第1の接着層はシリコーンエラストマーを含む、請求項12に記載の装置。
- 前記第1の接着層及び前記第2の接着層の前記硬化は、80℃〜160℃の範囲内の硬化温度及び1分〜15分の範囲内の硬化時間において行われる、請求項12に記載の装置。
- 前記硬化チャンバーは、前記仮接合された前記第1のウェハー及び前記第2のウェハーを硬化させるように更に構成される、請求項12に記載の装置。
- 前記仮接合された前記第1のウェハー及び前記第2のウェハーの前記硬化は、120℃〜220℃の範囲内の硬化温度及び1分〜15分の範囲内の硬化時間において行われる、請求項19に記載の装置。
- 前記第1の接着層は110マイクロメートル未満の厚みを有し、前記第2の接着層は30マイクロメートル未満の厚みを有する、請求項12に記載の装置。
- 2つのウェハー表面を仮接合する方法であって、
互いに反対に面する第1のウェハー表面及び第2のウェハー表面を有する第1のウェハーを配設することと、
互いに反対に面する第1のウェハー表面及び第2のウェハー表面を有する第2のウェハーを配設することと、
前記第1のウェハーの前記第1の表面上に第1の接着層を塗布することと、
前記第1の接着層を硬化させることであって、それにより、硬化済みの第1の接着層を作製することと、
前記硬化済みの第1の接着層上に第2の接着層を塗布することと、
上側チャックアセンブリと、該上側チャックアセンブリの下方に、かつ向かい合って配置される下側チャックアセンブリとを備えるボンダーモジュールを配設することと、
前記第1のウェハーを前記ボンダーモジュールに挿入し、前記第1のウェハーの、前記硬化済みの第1の接着層及び第2の接着層を有する前記第1の表面が下向きになるように、前記第1のウェハーを前記上側チャックアセンブリによって保持することと、
前記第2のウェハーを前記ボンダーモジュールに挿入し、前記第2のウェハーの前記第1の表面が上向きになり、かつ前記第2の接着層と向かい合うように、前記第2のウェハーを前記下側チャックアセンブリ上に配置することと、
前記下側チャックアセンブリを上方に移動し、前記第2のウェハーの前記第1の表面を濡れている前記第2の接着層と接触させることと、
前記第2の接着層を硬化させることであって、それにより、前記第1のウェハーと前記第2のウェハーとの間に仮接合を形成することと、
を含む、2つのウェハー表面を仮接合する方法。 - 2つのウェハー表面を仮接合する方法であって、
互いに反対に面する第1のウェハー表面及び第2のウェハー表面を有する第1のウェハーを配設することと、
互いに反対に面する第1のウェハー表面及び第2のウェハー表面を有する第2のウェハーを配設することと、
前記第1のウェハーの前記第1の表面上に第1の接着層を塗布することと、
前記第1の接着層を硬化させることであって、それにより、硬化済みの第1の接着層を作製することと、
前記第2のウェハーの前記第1の表面上に第2の接着層を塗布することと、
上側チャックアセンブリと、該上側チャックアセンブリの下方に、かつ向かい合って配置される下側チャックアセンブリとを備えるボンダーモジュールを配設することと、
前記第1のウェハーを前記ボンダーモジュールに挿入し、前記第1のウェハーの、前記硬化済みの第1の接着層を有する前記第1の表面が上向きになるように、前記第1のウェハーを前記下側チャックアセンブリ上に配置することと、
前記第2のウェハーを前記ボンダーモジュールに挿入し、前記第2の接着層が下向きになり、かつ前記第1の接着層と向かい合うように、前記第2のウェハーを前記上側チャックアセンブリによって保持することと、
前記下側チャックアセンブリを上方に移動し、前記第1の接着層を濡れている前記第2の接着層と接触させることと、
前記第2の接着層を硬化させることであって、それにより、前記第1のウェハーと前記第2のウェハーとの間に仮接合を形成することと、
を含む、2つのウェハー表面を仮接合する方法。 - 2つのウェハー表面を仮接合する方法であって、
互いに反対に面する第1のウェハー表面及び第2のウェハー表面を有する第1のウェハーを配設することと、
互いに反対に面する第1のウェハー表面及び第2のウェハー表面を有する第2のウェハーを配設することと、
前記第1のウェハーの前記第1の表面上に第1の接着層を塗布することと、
前記第1の接着層を硬化させることであって、それにより、硬化済みの第1の接着層を作製することと、
前記第2のウェハーの前記第1の表面上に第2の接着層を塗布することと、
濡れている前記第2の接着層を前記硬化済みの第1の接着層と接触させることと、
前記第2の接着層を硬化させることであって、それにより、前記第1のウェハーと前記第2のウェハーとの間に仮接合を形成することと、
を含む、2つのウェハー表面を仮接合する方法。 - 上側チャックアセンブリと、該上側チャックアセンブリの下方に、かつ向かい合って配置される下側チャックアセンブリとを備えるボンダーモジュールを配設することと、
前記第1のウェハーを前記ボンダーモジュールに挿入し、前記第1のウェハーの、前記硬化済みの第1の接着層を有する前記第1の表面が下向きになるように、前記第1のウェハーを前記上側チャックアセンブリによって保持することと、
前記第2のウェハーを前記ボンダーモジュールに挿入し、前記第2の接着層が上向きになり、かつ前記第1の接着層と向かい合うように前記第2のウェハーを前記下側チャックアセンブリ上に配置することと、
前記第2の接着層を前記硬化済みの第1の接着層と接触させるように前記下側チャックアセンブリを上方に移動することと、
を更に含む、請求項24に記載の方法。
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