JPH09171977A - 基板の分割方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板をフルカットする際に生じる端面へのチ
ッピングを防止すること。 【解決手段】 本発明の基板の分割方法は、基板１の表
面１ａに分割用保護テープ３を貼り付ける工程と、分割
用保護テープ３の上から基板１の分割ラインに沿って断
面視略Ｖ型の切り溝５を形成する工程と、断面視略Ｖ型
の切り溝５に沿って基板１をフルカットする工程とから
成るものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、所定の基板を分割
ラインに沿って的確に分割する基板の分割方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子が形成されたシリコン
基板や化合物半導体基板、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ
Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やカラーフィルタが形成され
た石英ガラス基板やほうけい酸ガラス基板、またＣＣＤ
エリアセンサー／ＣＣＤリニアセンサー等のパッケージ
に使用するシールガラスを形成するためのほうけい酸ガ
ラス基板など、基板を分割ラインに沿ってダイシング分
割する際、その基板の表面に保護テープを貼り付けてそ
の上からダイシングブレードによるフルカットダイシン
グを行い、切断屑等が素子に付着しないような保護を施
している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、保護テ
ープの上からフルカットダイシングを行って基板を分割
する方法では、切断屑等が素子に付着するのは防止でき
るものの、分割後の基板（チップ状部品）の端面にチッ
ピングが存在し、割れや欠け等による製品歩留り低下お
よび品質への悪影響を及ぼしている。また、ＣＣＤエリ
アセンサー／ＣＣＤリニアセンサー等のパッケージに使
用するシールガラスでは、分割した後の部材端面にＣ面
取りや糸面取りを行っており、その加工の手間がかかり
コストアップを招いている。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成された基板の分割方法である。す
なわち、本発明の基板の分割方法は、基板の表面に保護
テープを貼り付ける工程と、この保護テープの上から基
板の分割ラインに沿って断面視略Ｖ型の切り溝を形成す
る工程と、断面視略Ｖ型の切り溝に沿って基板をフルカ
ットする工程とから成るものである。

【０００５】また、基板の素子が形成されている面側に
一の保護テープを貼り付ける工程と、一の保護テープを
介して基板に所定の押圧力を加え基板の素子が形成され
ていない面側を研磨する工程と、一の保護テープを剥が
した後、基板の素子が形成されている面側に他の保護テ
ープを貼り付ける工程と、他の保護テープの上から基板
の分割ラインに沿って断面視略Ｖ型の切り溝を形成する
工程と、断面視略Ｖ型の切り溝に沿って基板をフルカッ
トする工程とから成る基板の分割方法でもある。

【０００６】このような分割方法では、基板の表面に保
護テープが貼り付けてあることで、分割の際に発生する
切断屑が基板の表面に付着しなくなるとともに、予め基
板の分割ラインに沿って断面視略Ｖ型の切り溝を形成
し、その切り溝に沿ってフルカットを行っていることか
ら、切り口部分でのテーパによってフルカットブレード
の切削抵抗が軽減され、切断後の基板端面へのチッピン
グ発生を抑制できることになる。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の基板の分割方法
における実施の形態を図に基づいて説明する。図１〜図
２は、本発明の基板の分割方法における第１実施形態を
説明する模式断面図である。第１実施形態は、主として
液晶表示装置におけるＴＦＴ素子が形成された基板の分
割に関するものである。

【０００８】先ず、図１（ａ）に示すように、ＴＦＴ素
子１０が形成された石英ガラス（例えば、８インチ径、
０．８ｍｍ厚）から成る基板１の表面１ａの所定領域に
ポリイミドから成る配向膜２を塗布し、ラビング処理を
行った後に所定の洗浄を行っておく。そしてこの基板１
の配向膜２上に分割用保護テープ３を貼り付ける。

【０００９】この分割用保護テープ３は、例えば、剥が
した際の糊残りの無い紫外線照射硬化型テープが良く、
その接着力は、例えば１００〜２００ｇ／２５ｍｍ程度
が適当である。また、後の工程でのダイシングを行う場
合の基板アライメントの容易性を考慮して透明性ベース
フィルムを用いることが必要である。

【００１０】さらに、分割時に使用するダイシングブレ
ードの寿命を不要に短くすることを避けるため、その厚
さはなるべく薄い方が良く、例えば、透明性ベースフィ
ルムが４０μｍ厚、紫外線照射硬化型の接着剤層が１０
μｍ厚の合計５０μｍ厚程度にしておく。また、分割用
保護テープ３は、熱収縮型を使用しても良い。熱収縮型
の場合には、赤外線ランプ等で７０℃以上の加熱によっ
て熱収縮し自己剥離するものを使用する。

【００１１】次に、図１（ｂ）に示すように、基板１の
裏面１ｂ側に支持テープ４を貼り付ける。支持テープ４
は基板１をダイシング装置（図示せず）に保持しておく
ためのものであり、例えば紫外線照射硬化型テープを使
用する。この支持テープ４の厚さとしては、ベースフィ
ルム８０μｍ厚、紫外線照射硬化型の接着剤層が１０μ
ｍ厚の合計９０μｍ厚程度のものを用いる。なお、支持
テープ４は分割用保護テープ３と異なり、特に透明性を
備えていなくてもよい。

【００１２】次いで、図１（ｃ）に示すように、配向膜
２上の分割用保護テープ３の上からガラス用Ｖカットブ
レード５０を用いて、基板１の分割ライン（図示せず）
に沿って断面視略Ｖ型の切り溝５を形成する。この際、
ガラス用Ｖカットブレード５０の先端角度を９０度程度
にして切り溝５の角度αが９０度程度となるようにして
おく。また、角度αが９０度で分割ラインの幅が例えば
２００μｍの場合には、切り溝５の幅が分割ラインの幅
を越えないよう切り込み深さｄを１００〜１５０ｎｍ程
度にしておく。

【００１３】なお、ガラス用Ｖカットブレード５０によ
る切り溝の形成の際に生じる基板１や分割用保護テープ
３からの切断屑は、分割用保護テープ３があることから
基板１の表面に付着することはない。

【００１４】次に、図２（ａ）に示すように、基板１に
形成した断面視略Ｖ型の切り溝５に沿ってガラス用フル
カットブレード６０を用いてフルカットを行う。このフ
ルカットを行う場合には、ガラス用フルカットブレード
６０の刃先が切り溝５のテーパに当たってから基板１内
部へ入り込む状態となるため、ガラス用フルカットブレ
ード６０の切削抵抗を大幅に軽減できる。これにより、
切断後の基板端面へチッピング発生を抑制できるように
なる。

【００１５】また、フルカットを行う場合には、ガラス
用フルカットブレード６０を支持テープ４の１／３〜１
／２程度（３０〜５０μｍ程度）切り込むようにして、
基板１を完全に切断する。フルカットを行った後は、例
えば２００ｍＪ／ｃｍ² 程度の紫外線光を分割用保護テ
ープ３および支持テープ４に照射して、各テープを硬化
させ接着力を低下させておく。

【００１６】そして、図２（ｂ）に示すように、基板分
割によって形成されたＴＦＴ基板１１を取り出すため、
支持テープ４の下側から突き上げピン７０によって所望
のＴＦＴ基板１１を突き上げ、真空吸引によるコレット
８０で支持テープ４から剥離する。この際、ＴＦＴ基板
１１の表面には分割用保護テープ３が付いているため、
コレット８０の端面が真空吸引のために接触しても、Ｔ
ＦＴ素子１０や配向膜２にダメージを与えることがな
い。

【００１７】ＴＦＴ基板１１をコレット８０によって取
り出した後は、分割用保護テープ３を剥離する。この剥
離の方法としては、以下の２つがある。

【００１８】…分割用保護テープ３として熱収縮紫外
線照射硬化型テープを用いた場合には、紫外線照射によ
って硬化を行った後、７０〜１００℃に加熱してベース
フィルムを熱収縮させて自己剥離させ、空気を吹き付け
ることで吸引除去する。この際、７０〜１００℃の熱風
を吹き付けて熱収縮と吸引除去とを同時に行うようにし
てもよい。

【００１９】なお、この分割用保護テープ３として使用
した熱収縮紫外線照射硬化型テープでは、粘着剤がアク
リル系ポリマーで構成されていることから紫外線の照射
による硬化で耐熱性が向上しており、１００℃程度の加
熱でも糊残りが発生しないことを利用して、７０〜１０
０℃の加熱によって熱収縮させ自己剥離させるようにし
ている。

【００２０】…分割用保護テープ３として汎用紫外線
照射硬化型テープを用いた場合は、紫外線照射による硬
化を行った後、剥離用テープ等で貼り付けて剥離を行
う。

【００２１】分割用保護テープ３の剥離を行った後は、
コモン剤（図示せず）の塗布等の液晶表示装置の組み立
て工程へと進んでいく。これにより、基板分割の際の切
断屑をＴＦＴ素子に付着させずにしかも分割後のＴＦＴ
基板１１端面へのチッピング発生も抑制でき、製品信頼
性の高いＴＦＴ基板１１を作製できるようになる。

【００２２】次に、図３〜図４の模式断面図に基づいて
本発明の基板の分割方法における第２実施形態を説明す
る。第２実施形態は、主として液晶表示装置におけるカ
ラーフィルタが形成された基板の分割に関するものであ
る。

【００２３】先ず、図３（ａ）に示すように、カラーフ
ィルタ２０が形成されたほうけい酸ガラス（例えば、１
５０ｍｍ□、１．１ｍｍ厚）から成る基板１の表面１ａ
に研磨用保護テープ３’を貼り付ける。この研磨用保護
テープ３’としては、例えば、剥がした際の糊残りの無
い紫外線照射硬化型テープが良い。

【００２４】そして、この研磨用保護テープ３’を介し
て基板１に所定の押圧力を加え、基板１の裏面１ｂを光
学研磨する。この光学研磨によって基板１の裏面１ｂに
あるカラーフィルタ形成時の傷や汚れを除去する。光学
研磨を行った後は、研磨用保護テープ３’に２００ｍＪ
／ｃｍ² 程度の紫外線光を照射して硬化を行い、剥離す
る。なお、必要に応じて所定の洗浄を行ってもよい。

【００２５】次いで、図３（ｂ）に示すように、カラー
フィルタ２０の所定領域上にポリイミドから成る配向膜
２を塗布し、ラビング処理を行った後に所定の洗浄を行
い、その後、配向膜２上に分割用保護テープ３を貼り付
ける。

【００２６】分割用保護テープ３は、第１実施形態と同
様に、例えば、剥がした際の糊残りの無い紫外線照射硬
化型テープが良く、その接着力は、例えば１００〜２０
０ｇ／２５ｍｍ程度が適当である。また、後の工程での
ダイシングを行う場合の基板アライメントの容易性を考
慮して透明性ベースフィルムを用いることが必要であ
る。

【００２７】さらに、分割時に使用するダイシングブレ
ードの寿命を不要に短くすることを避けるため、その厚
さはなるべく薄い方が良く、例えば、透明性ベースフィ
ルムが４０μｍ厚、紫外線照射硬化型の接着剤層が１０
μｍ厚の合計５０μｍ厚程度にしておく。また、分割用
保護テープ３は、熱収縮型を使用しても良い。熱収縮型
の場合には、赤外線ランプ等で７０℃以上の加熱によっ
て熱収縮し自己剥離するものを使用する。

【００２８】また、分割用保護テープ３を貼り付けた後
は、基板１の裏面１ｂ側に支持テープ４を貼り付ける。
支持テープ４も第１実施形態と同様な、例えば紫外線照
射硬化型テープを使用する。

【００２９】この状態で、図３（ｃ）に示すように、分
割用保護テープ３の上からガラス用Ｖカットブレード５
０を用いて、基板１の分割ライン（図示せず）に沿って
断面視略Ｖ型の切り溝５を形成する。この際、ガラス用
Ｖカットブレード５０の先端角度を９０度程度にして切
り溝５の角度αが９０度程度となるようにしておく。ま
た、切り込み深さｄも第１実施形態と同様、切り溝５の
幅が分割ラインの幅を越えないよう１００〜１５０ｎｍ
程度にしておく。

【００３０】次に、図４（ａ）に示すように、基板１に
形成した断面視略Ｖ型の切り溝５に沿ってガラス用フル
カットブレード６０を用いてフルカットを行う。この
際、第１実施形態と同様に、ガラス用フルカットブレー
ド６０の刃先が切り溝５のテーパに当たってから基板１
内部へ入り込む状態となるため、ガラス用フルカットブ
レード６０の切削抵抗を大幅に軽減でき、切断後の基板
端面へチッピング発生を抑制できるようになる。

【００３１】フルカットを行った後は、例えば２００ｍ
Ｊ／ｃｍ² 程度の紫外線光を分割用保護テープ３および
支持テープ４に照射して、各テープを硬化させ接着力を
低下させる。

【００３２】そして、図４（ｂ）に示すように、基板分
割によって形成されたカラーフィルタ基板２１を取り出
すため、支持テープ４の下側から突き上げピン７０によ
って所望のカラーフィルタ基板２１を突き上げ、真空吸
引によるコレット８０で支持テープ４から剥離する。こ
の際、カラーフィルタ基板２１の表面に分割用保護テー
プ３が付いているため、コレット８０の端面が接触して
もカラーフィルタ２０や配向膜２にダメージを与えるこ
とがない。

【００３３】カラーフィルタ基板２１をコレット８０に
よって取り出した後は、分割用保護テープ３を剥離す
る。この剥離の方法としては、ＴＦＴ基板１１（図２
（ｂ）参照）の場合と同様な以下の２つがある。

【００３４】…分割用保護テープ３として熱収縮紫外
線照射硬化型テープを用いた場合には、紫外線照射によ
って硬化を行った後、７０〜１００℃に加熱してベース
フィルムを熱収縮させて自己剥離させ、空気を吹き付け
ることで吸引除去する。この際、７０〜１００℃の熱風
を吹き付けて熱収縮と吸引除去とを同時に行うようにし
てもよい。

【００３５】なお、この分割用保護テープ３として使用
した熱収縮紫外線照射硬化型テープでは、粘着剤がアク
リル系ポリマーで構成されていることから紫外線の照射
による硬化で耐熱性が向上しており、１００℃程度の加
熱でも糊残りが発生しないことを利用して、７０〜１０
０℃の加熱によって熱収縮させ自己剥離させるようにし
ている。

【００３６】…分割用保護テープ３として汎用紫外線
照射硬化型テープを用いた場合は、紫外線照射による硬
化を行った後、剥離用テープ等で貼り付けて剥離を行
う。

【００３７】分割用保護テープ３を剥離した後は、図示
しないシール剤（例えば、紫外線照射＋加熱硬化型のシ
ーラー）の塗布を行い、第１実施形態で説明したＴＦＴ
基板１１（図２（ｂ）参照）との重ね合わせを行って、
順次液晶表示装置の組み立てを進めていく。これによ
り、基板分割の際の切断屑をカラーフィルタに付着させ
ずに、しかも分割後のカラーフィルタ基板２１端面への
チッピング発生も抑制できることになる。

【００３８】つまり、第１実施形態で説明した基板の分
割方法により製造したＴＦＴ基板１１（図２（ｂ）参
照）と、第２実施形態で説明した基板の分割方法により
製造したカラーフィルタ基板２１とを用いることで、信
頼性の高い液晶表示装置を製造できることになる。

【００３９】次に、図５〜図６の模式断面図に基づいて
本発明の基板の分割方法における第３実施形態を説明す
る。第３実施形態は、主としてシリコンや化合物半導体
等を用いた半導体素子（ＭＯＳ型トランジスタ、バイポ
ーラトランジスタ、レーザダイオード、ＣＣＤ等）が形
成された基板の分割に関するものである。

【００４０】先ず、図５（ａ）に示すように、所定の半
導体素子３０が形成されたシリコンや化合物半導体等か
ら成る基板１（例えば、５〜８インチ径、６２０〜７２
０μｍ厚）の表面１ａに分割用保護テープ３を貼り付け
る。

【００４１】分割用保護テープ３は、例えば、剥がした
際の糊残りの無い紫外線照射硬化型テープを使用する。
また、その接着力は、例えば１００〜２００ｇ／２５ｍ
ｍ程度が適当である。しかも、後の工程でのダイシング
を行う場合の基板アライメント容易性を考慮して透明性
ベースフィルムを用いる必要がある。

【００４２】さらに、分割時に使用するダイシングブレ
ードの寿命を不要に短くすることを避けるため、その厚
さはなるべく薄い方が良く、例えば、透明性ベースフィ
ルムが４０μｍ厚、紫外線照射硬化型の接着剤層が１０
μｍ厚の合計５０μｍ厚程度にしておく。また、分割用
保護テープ３は、熱収縮型を使用しても良い。熱収縮型
の場合には、赤外線ランプ等で７０℃以上の加熱によっ
て熱収縮し自己剥離するものを使用する。

【００４３】この分割用保護テープ３を貼り付けた状態
で、基板１の裏面１ｂに対するバックグラインド（以
下、単にＢＧＲという。）を行う。ＢＧＲは、＃２００
０番程度の砥粒を用い、エッチングレスで仕上げる。こ
のＢＧＲにより、基板１の厚さを約４００μｍにする。

【００４４】次いで、図５（ｂ）に示すように、基板１
の裏面１ｂ側に支持テープ４を貼り付ける。支持テープ
４は基板１をダイシング装置（図示せず）に保持してお
くためのものであり、例えば紫外線照射硬化型テープを
使用する。この支持テープ４の厚さとしては、ベースフ
ィルム８０μｍ厚、紫外線照射硬化型の接着剤層が１０
μｍ厚の合計９０μｍ厚程度のものを用いる。なお、支
持テープ４は分割用保護テープ３と異なり、特に透明性
を備えていなくてもよい。

【００４５】次に、図５（ｃ）に示すように、基板１の
分割用保護テープ３の上からＳｉ／化合物半導体用Ｖカ
ットブレード５０’を用いて、基板１の分割ライン（図
示せず）に沿って断面視略Ｖ型の切り溝５を形成する。

【００４６】この際、Ｓｉ／化合物半導体用Ｖカットブ
レード５０’の先端角度を４５〜６０度程度にして切り
溝５の角度βが４５〜６０度程度となるようにしてお
く。第１実施形態および第２実施形態の場合と比べて角
度βが小さいのは、ＴＦＴ基板やカラーフィルタ基板に
比べて半導体チップを製造する場合の方が分割ラインが
狭いためである。このため、角度βが４５〜６０度で分
割ラインの幅が例えば８０〜１００μｍの場合には、切
り溝５が分割ラインを越えないよう切り込み深さｄを５
０〜６０ｎｍ程度にしておく。

【００４７】次に、図６（ａ）に示すように、基板１に
形成した断面視略Ｖ型の切り溝５に沿ってＳｉ／化合物
半導体用フルカットブレード６０’を用いてフルカット
を行う。このフルカットを行う場合には、Ｓｉ／化合物
半導体用フルカットブレード６０’の刃先が切り溝５の
テーパに当たってから基板１内部へ入り込む状態となる
ため、Ｓｉ／化合物半導体用フルカットブレード６０’
の切削抵抗を大幅に軽減できる。これにより、切断後の
基板端面へチッピング発生を抑制できるようになる。

【００４８】その後、分割用保護テープ３および支持テ
ープ４に２００ｍＪ／ｃｍ² 程度の紫外線光を照射して
硬化を行い、接着力を低下させておく。

【００４９】そして、図６（ｂ）に示すように、基板分
割によって形成された半導体チップ３１を取り出すた
め、支持テープ４の下側から突き上げピン７０によって
所望の半導体チップ３１を突き上げ、真空吸引によるコ
レット８０で支持テープ４から剥離する。この際、半導
体チップ３１の表面には分割用保護テープ３が付いてい
るため、コレット８０の端面が真空吸引のために接触し
ても、半導体素子３０にダメージを与えることがない。

【００５０】このような基板１の分割方法により、基板
分割の際の切断屑を半導体素子３０に付着させずに、し
かも分割後の半導体チップ３１端面へのチッピング発生
も抑制でき、製品の信頼性を向上させることが可能とな
る。

【００５１】なお、半導体チップ３１をコレット８０に
よって取り出した後は、この半導体チップ３１を図示し
ないパッケージやリードフレームのダイパッド上にペー
スト剤を介してダイボンドし、そのペーストキュアを行
う。

【００５２】分割用保護テープ３として熱収縮紫外線照
射硬化型テープを用いた場合には、ダイボンド後のペー
ストキュア前にランプ加熱によって熱収縮し自己剥離さ
せるとともに、自己剥離した状態の分割用保護テープ３
へ空気を吹き付けながら吸引除去する。また、熱収縮型
でない分割用保護テープ３の場合には、１００℃程度で
硬化するペースト剤を用いてペーストキュアした後に、
剥離用テープを貼り付けて分割用保護テープ３を剥離除
去する。

【００５３】なお、この分割用保護テープ３として使用
した熱収縮紫外線照射硬化型テープでは、粘着剤がアク
リル系ポリマーで構成されていることから紫外線の照射
による硬化で耐熱性が向上しており、１００℃程度の加
熱でも糊残りが発生しないことを利用して、７０〜１０
０℃の加熱によって熱収縮させ自己剥離させるようにし
ている。

【００５４】これにより、基板１のＢＧＲから分割、さ
らに分割後の半導体チップ３１のピックアップからダイ
ボンドまで半導体素子３０を分割用保護テープ３にて保
護することが可能となる。

【００５５】次に、図７〜図９の模式断面図に基づいて
本発明の基板の分割方法における第４実施形態を説明す
る。第４実施形態は、主としてＣＣＤエリアセンサー／
ＣＣＤリニアセンサー等のパッケージに使用するシール
ガラスを形成する際の基板分割に関するものである。

【００５６】先ず、図７（ａ）に示すように、所定のガ
ラスから成る基板１（例えば、８インチ□、０．８ｍｍ
厚）の表面１ａに分割用保護テープ３を貼り付ける。Ｃ
ＣＤエリアセンサーのシールガラスを形成する場合に
は、基板１として合成石英ガラス基板や放射線照射防止
対策から不純物を排除したほうけい酸ガラス基板を使用
し、ＣＣＤリニアセンサーのシールガラスを形成する場
合には、基板１として青板ガラス基板やほうけい酸ガラ
ス基板を使用する。

【００５７】また、分割用保護テープ３は、先の実施形
態と同様に、剥がした際の糊残りの無い紫外線照射硬化
型テープが良く、その接着力は、例えば１００〜２００
ｇ／２５ｍｍ程度が適当である。また後の工程でのダイ
シングを行う場合の基板アライメント容易性を考慮して
透明性ベースフィルムを用いることが必要である。

【００５８】さらに、分割時に使用するダイシングブレ
ードの寿命を不要に短くすることを避けるため、その厚
さはなるべく薄い方が良く、例えば、透明性ベースフィ
ルムが４０μｍ厚、紫外線照射硬化型の接着剤層が１０
μｍ厚の合計５０μｍ厚程度にしておく。

【００５９】次に、図７（ｂ）に示すように、基板１の
裏面１ｂ側に支持テープ４を貼り付ける。支持テープ４
は基板１をダイシング装置（図示せず）に保持しておく
ためのものであり、例えば紫外線照射硬化型テープを使
用する。この支持テープ４の厚さとしては、ベースフィ
ルム８０μｍ厚、紫外線照射硬化型の接着剤層が１０μ
ｍ厚の合計９０μｍ厚程度のものを用いる。なお、支持
テープ４は分割用保護テープ３と異なり、特に透明性を
備えていなくてもよい。

【００６０】次いで、図７（ｃ）に示すように、基板１
の表面１ａの分割用保護テープ３の上からガラス用Ｖカ
ットブレード５０を用いて、基板１の分割ライン（図示
せず）に沿って断面視略Ｖ型の切り溝５を形成する。こ
の際、ガラス用Ｖカットブレード５０の先端角度を９０
度程度にして切り溝５の角度αが９０度程度となるよう
にしておく。また角度αが９０度で分割ラインの幅が例
えば２００μｍの場合には、切り溝５が分割ラインを越
えないよう切り込み深さｄを１００〜１５０ｎｍ程度に
しておく。

【００６１】なお、ガラス用Ｖカットブレード５０によ
る切り溝の形成の際に生じる基板１や分割用保護テープ
３からの切断屑は、分割用保護テープ３があることから
基板１の表面に付着することはない。

【００６２】その後、図８（ａ）に示すような切り溝５
に沿ったガラス用フルカットブレード６０によるフルカ
ットおよび、図８（ｂ）に示すような基板分割で形成さ
れたシールガラス４１の取り出し方法は先の実施形態と
同様である。

【００６３】すなわち、切り溝５に沿ったフルカットで
は、ガラス用フルカットブレード６０の切削抵抗を大幅
に軽減できるため、切断後の基板端面へチッピング発生
を抑制できる。また、フルカットを行った後は、例えば
２００ｍＪ／ｃｍ² 程度の紫外線光を分割用保護テープ
３および支持テープ４に照射して、各テープを硬化させ
接着力を低下させておく。

【００６４】この状態で、支持テープ４の下側から突き
上げピン７０によって所望のシールガラス４１を突き上
げ、真空吸引によるコレット８０で支持テープ４から剥
離する。この際、シールガラス４１の表面には分割用保
護テープ３が付いているため、コレット８０の端面が真
空吸引のために接触しても表面にごみや傷を付けること
はない。

【００６５】従来のシールガラスでは、基板１の分割を
行って個々のシールガラスを形成した後に、その端面に
Ｃ面取りや糸面取りを行っているが、本実施形態におけ
る分割方法によれば、フルカットを行う前に断面視略Ｖ
型の切り溝５を形成してために、フルカットによってシ
ールガラス４１を形成した段階でその端面には切り溝５
のテーパが残る状態となる。これが面取りと同じ役目を
果たすことから、別途シールガラス４１の端面にＣ面取
りや糸面取りを行う必要がなくなり、加工の手間を大幅
に省略することが可能となる。

【００６６】シールガラス４１をコレット８０によって
取り出した後は、図９（ａ）に示すように、所定の中空
パッケージ１００のウィンドフレーム１０１上にＡステ
ージ状の熱硬化型シール剤１０２を介してシールガラス
４１を載置し、加圧治具８１によって加圧する。その後
ホットプレート（図示せず）にセットして１００〜１２
０℃程度の加熱を１０〜２０分間行い、熱硬化型シール
剤１０２を硬化させる。

【００６７】また、Ａステージ状の熱硬化型シール剤１
０２を用いる代わりに図９（ｂ）に示すような紫外線照
射硬化型シール剤１０３を用いても良い。この場合に
は、パッケージ１００のウィンドフレーム１０１上に紫
外線照射硬化型シール剤１０３を介してシールガラス４
１を載置し、紫外線照射治具８２によって加圧する。こ
の紫外線照射治具８２は、光ファイバ（図示せず）を用
いて治具内に紫外線を通す構造のもので、例えば石英ガ
ラスから構成されている。

【００６８】このような紫外線照射治具８２を用いて例
えば３０００〜４０００ｍＪ／ｃｍ ² の紫外線を照射し
て、紫外線照射硬化型シール剤１０３を硬化させる。ま
た、周囲から紫外線を照射して紫外線照射硬化型シール
剤１０３を硬化させる場合には、金属製の加圧治具を使
用してもよい。さらに、紫外線照射硬化＋加熱硬化型シ
ール剤を使用してもよい。

【００６９】なお、本実施形態における基板の分割方法
では、シールガラス４１の上側端面にのみ切り溝５（図
７（ｃ）参照）に基づくテーパが形成され、下側端面は
そのままの形状（テーパなし）となっていることから、
テーパの形成されていない下面側をウィンドフレーム１
０１に当接させることでシール剤による接着面積を広く
でき、シールガラス４１の密着性と気密性とを向上でき
ることになる。

【００７０】そして、図９（ｃ）に示すように、シール
ガラス４１から分割用保護テープ３を剥離する。剥離を
行うには、分割用保護テープ３上に剥離用テープを被着
し、これを引き剥がすことで一緒に分割用保護テープ３
を剥離除去する。分割用保護テープ３を除去した後は、
シールガラスを介してＣＣＤエリアセンサー／ＣＣＤリ
ニアセンサーの特性測定を行うことが可能となる。

【００７１】これにより、基板１の分割からシールガラ
ス４１のピックアップ、ウィンドフレーム１０１への搭
載、シール剤硬化までの工程でシールガラス４１の表面
へのごみの付着、傷付およびシールガラス４１端面への
チッピング発生を防止できるようになる。

【００７２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板の分
割方法によれば次のような効果がある。すなわち、保護
テープ上からフルカットダイシングして基板を分割する
場合であっても、分割後の基板表面へのごみ付着、傷付
が発生せず、基板の端面にチッピングが発生しないた
め、製品歩留りや品質を大幅に向上することが可能とな
る。また、ＣＣＤエリアセンサー／ＣＣＤリニアセンサ
ー等のシールガラスを形成する場合には、シールガラス
の端面に別途Ｃ面取りや糸面取りを施す手間を省略で
き、製品のコストダウンを図ることが可能となる。

【００７３】また、基板分割によって半導体チップを形
成する場合には、その端面にテーパが設けられることか
ら、半導体チップをモールド樹脂にて一体封止した場合
に、そのモールド樹脂による半導体チップ端面のストレ
スを緩和でき、ストレスマイグレーションを低減して薄
型等のモールド樹脂におけるクラック発生を防止できる
ことになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態を説明する模式断面図
（その１）である。

【図２】本発明の第１実施形態を説明する模式断面図
（その２）である。

【図３】本発明の第２実施形態を説明する模式断面図
（その１）である。

【図４】本発明の第２実施形態を説明する模式断面図
（その２）である。

【図５】本発明の第３実施形態を説明する模式断面図
（その１）である。

【図６】本発明の第３実施形態を説明する模式断面図
（その２）である。

【図７】本発明の第４実施形態を説明する模式断面図
（その１）である。

【図８】本発明の第４実施形態を説明する模式断面図
（その２）である。

【図９】本発明の第４実施形態を説明する模式断面図
（その３）である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 配向膜 ３ 分割用保護テープ ３’ 研磨用
保護テープ ４ 支持テープ １０ ＴＦＴ
素子 １１ ＴＦＴ基板 ２０ カラー
フィルタ ２１ カラーフィルタ基板 ３０ 半導体
素子 ３１ 半導体チップ ４１ シール
ガラス ５０ ガラス用Ｖカットブレード ５０’ Ｓｉ／化合物半導体用Ｖカットブレード ６０ ガラス用フルカットブレード ６０’ Ｓｉ／化合物半導体用フルカットブレード ７０ 突き上げピン ８０ コレッ
ト

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の表面に保護テープを貼り付ける工
   程と、 前記保護テープの上から前記基板の分割ラインに沿って
   断面視略Ｖ型の切り溝を形成する工程と、 前記断面視略Ｖ型の切り溝に沿って前記基板をフルカッ
   トする工程とから成ることを特徴とする基板の分割方
   法。
2. 【請求項２】 基板の素子が形成されている面側に一の
   保護テープを貼り付ける工程と、 前記一の保護テープを介して前記基板に所定の押圧力を
   加え該基板の素子が形成されていない面側を研磨する工
   程と、 前記一の保護テープを剥がした後、前記基板の素子が形
   成されている面側に他の保護テープを貼り付ける工程
   と、 前記他の保護テープの上から前記基板の分割ラインに沿
   って断面視略Ｖ型の切り溝を形成する工程と、 前記断面視略Ｖ型の切り溝に沿って前記基板をフルカッ
   トする工程とから成ることを特徴とする基板の分割方
   法。
3. 【請求項３】 基板の素子が形成されている面側に一の
   保護テープを貼り付ける工程と、 前記一の保護テープを介して前記基板に所定の押圧力を
   加え該基板の素子が形成されていない面側を研磨する工
   程と、 前記一の保護テープを剥がした後、前記基板の素子が形
   成されている面側に所定の薄膜を形成する工程と、 前記薄膜上に他の保護テープを貼り付ける工程と、 前記他の保護テープの上から前記基板の分割ラインに沿
   って断面視略Ｖ型の切り溝を形成する工程と、 前記断面視略Ｖ型の切り溝に沿って前記基板をフルカッ
   トする工程とから成ることを特徴とする基板の分割方
   法。