JP4491036B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(a)ダイシングラインによって区画された複数の半導体チップ領域を有し、
シリコン基板と、
前記シリコン基板の表面に形成された複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタ上に形成されたシリコン酸化膜からなる第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成された多層配線層と、
前記多層配線層間に形成され、前記シリコン酸化膜より低誘電率を有する第2絶縁層であって、その一部が前記スクライブライン上に形成された第2絶縁膜とを含む、半導体ウエハを準備する工程と、
(b)円盤状を有し、前記円盤の円周部分を被加工面に接触させて切削加工を行なう第1ブレードであって、前記円周部分が、第1の幅を有する第1部分と、前記第1部分と一体に形成された第2部分であって、先端が前記第1の幅より小さい第2の幅を有するように、V字形状に加工された第2部分を有する第1ブレードと、
円盤状を有し、前記円盤の円周部分を被加工面に接触させて切削加工を行なう第2ブレードであって、前記円周部分が前記第1ブレードの前記第1の幅より小さく、前記第2の幅よりも大きい第3の幅を有する第2ブレードとを準備する工程と、
(c)前記ダイシングラインに沿って前記半導体ウエハを前記第1ブレードで切削する第1ダイシング工程であって、前記第1ブレードの前記第2部分で前記半導体ウエハを切削するとともに、前記第1ブレードの前記第1部分が、前記シリコン基板中に達するように前記半導体ウエハを切削し、前記ダイシングラインにおける前記シリコン基板中に、第1の溝を形成する第1ダイシング工程と、
(d)前記第1ダイシング工程後、前記ダイシングラインに沿って前記半導体ウエハを前記第2ブレードで切削する第2ダイシング工程であって、前記第1の溝の底面部を更に切削することによって、前記ダイシングラインにおける前記シリコン基板中に、前記第1の溝より深い第2の溝を形成する第2ダイシング工程とを有することを特徴とする。
本発明のその他の特徴は、以下において詳細に説明する。
本発明の半導体装置の製造方法について説明する。ここでは、シリコン基板上にトランジスタなどの素子、配線、絶縁膜を形成したウェハを、ダイシングにより半導体チップ状に切断する例について説明する。
本実施の形態では、実施の形態1で示したダイシング工程を行った後に、半導体チップの組み立てを行い、出荷に至るまでの工程について説明する。
Claims (12)
- (a)ダイシングラインによって区画された複数の半導体チップ領域を有し、
シリコン基板と、
前記シリコン基板の表面に形成された複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタ上に形成されたシリコン酸化膜からなる第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成された多層配線層と、
前記多層配線層間に形成され、前記シリコン酸化膜より低誘電率を有する第2絶縁層であって、その一部が前記スクライブライン上に形成された第2絶縁膜とを含む、半導体ウエハを準備する工程と、
(b)円盤状を有し、前記円盤の円周部分を被加工面に接触させて切削加工を行なう第1ブレードであって、前記円周部分が、第1の幅を有する第1部分と、前記第1部分と一体に形成された第2部分であって、先端が前記第1の幅より小さい第2の幅を有するように、V字形状に加工された第2部分を有する第1ブレードと、
円盤状を有し、前記円盤の円周部分を被加工面に接触させて切削加工を行なう第2ブレードであって、前記円周部分が前記第1ブレードの前記第1の幅より小さく、前記第2の幅よりも大きい第3の幅を有する第2ブレードとを準備する工程と、
(c)前記ダイシングラインに沿って前記半導体ウエハを前記第1ブレードで切削する第1ダイシング工程であって、前記第1ブレードの前記第2部分で前記半導体ウエハを切削するとともに、前記第1ブレードの前記第1部分が、前記シリコン基板中に達するように前記半導体ウエハを切削し、前記ダイシングラインにおける前記シリコン基板中に、第1の溝を形成する第1ダイシング工程と、
(d)前記第1ダイシング工程後、前記ダイシングラインに沿って前記半導体ウエハを前記第2ブレードで切削する第2ダイシング工程であって、前記第1の溝の底面部を更に切削することによって、前記ダイシングラインにおける前記シリコン基板中に、前記第1の溝より深い第2の溝を形成する第2ダイシング工程とを有する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1において、前記第2ダイシング工程により、前記半導体ウエハを複数の半導体チップに分割することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1において、前記第2絶縁層は、SiOC膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1において、前記第2絶縁層は、SiOF膜、SiLK膜、SiCN膜、メチル基を含有するSiO2膜、MSQ(Methyl Silses Quioxane)のいずれかであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1において、前記第1ブレードは、金属を結合材として砥粒を結合させたメタルボンドブレードであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項5において、前記第2ブレードは、金属を結合材として砥粒を結合させたメタルボンドブレードであり、前記第1ブレードの砥粒の粒度は、前記第2ブレードの砥粒の粒度より大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- (a)ダイシングラインによって区画された複数の半導体チップ領域を有し、
シリコン基板と、
前記シリコン基板の表面に形成された素子分離用溝と、
前記素子分離用溝によって区画された領域に形成された複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタ上に形成されたシリコン酸化膜からなる第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成された多層配線層と、
前記多層配線層間に形成され、前記シリコン酸化膜より低誘電率を有する第2絶縁層であって、その一部が前記スクライブライン上に形成された第2絶縁膜とを含む、半導体ウエハを準備する工程と、
(b)円盤状を有し、前記円盤の円周部分を被加工面に接触させて切削加工を行なう第1ブレードであって、前記円周部分が、第1の幅を有する第1部分と、前記第1部分と一体に形成された第2部分であって、先端が前記第1の幅より小さい第2の幅を有するように、V字形状に加工された第2部分を有する第1ブレードと、
円盤状を有し、前記円盤の円周部分を被加工面に接触させて切削加工を行なう第2ブレードであって、前記円周部分が前記第1ブレードの前記第1の幅より小さく、前記第2の幅よりも大きい第3の幅を有する第2ブレードとを準備する工程と、
(c)前記ダイシングラインに沿って前記半導体ウエハを前記第1ブレードで切削する第1ダイシング工程であって、前記第1ブレードの前記第2部分で前記半導体ウエハを切削するとともに、前記第1ブレードの前記第1部分が、前記素子分離用溝の底面部より深い位置に達するように、前記半導体ウエハを切削し、前記ダイシングラインにおける前記シリコン基板中に、第1の溝を形成する第1ダイシング工程と、
(d)前記第1ダイシング工程後、前記ダイシングラインに沿って前記半導体ウエハを前記第2ブレードで切削する第2ダイシング工程であって、前記第1の溝の底面部を更に切削することによって、前記ダイシングラインにおける前記シリコン基板中に、前記第1の溝より深い第2の溝を形成する第2ダイシング工程とを有する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7において、前記第2ダイシング工程により、前記半導体ウエハを複数の半導体チップに分割することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項7において、前記第2絶縁層は、SiOC膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項7において、前記第2絶縁層は、SiOF膜、SiLK膜、SiCN膜、メチル基を含有するSiO2膜、MSQ(Methyl Silses Quioxane)のいずれかであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項7において、前記第1ブレードは、金属を結合材として砥粒を結合させたメタルボンドブレードであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項11において、前記第2ブレードは、金属を結合材として砥粒を結合させたメタルボンドブレードであり、前記第1ブレードの砥粒の粒度は、前記第2ブレードの砥粒の粒度より大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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