JP2004066376A

JP2004066376A - 半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射装置およびその方法

Info

Publication number: JP2004066376A
Application number: JP2002227603A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Kawazu; 河津　知之; Tetsuo Okuyama; 奥山　哲雄; Kunihiro Saida; 斎田　国広; Shiro Murai; 村井　史朗
Original assignee: Nippei Toyama Corp
Current assignee: Nippei Toyama Corp
Priority date: 2002-08-05
Filing date: 2002-08-05
Publication date: 2004-03-04

Abstract

【課題】半導体ウエーハ研削盤において、クーラント４２により、研削面１１を洗浄冷却しても、鏡面仕上げを進める砥石３０の化学的作用が、クーラント４２で弱められないように、砥石３０および砥石３０に接触する研削面１１を基本的には乾いた状態で維持できるクーラント噴射装置およびその方法を提供する。
【解決手段】砥石３０の砥石面３１を、クーラント４２で濡らすことがないように、砥石３０より外側部分に位置する半導体ウエーハ１０の研削面１１に対し、砥石３０の外周から所定の間隔Ｇを確保するように噴射ノズル４４からクーラント４２を噴射する。このために、クーラント液種、噴射角度Ａ、噴射位置Ｂ，Ｄ，Ｈ、噴射中心軸Ｘからの拡散角度Ｓ，Ｔ、噴射圧力および噴射速度を選択可能な前記噴射ノズル４４および液送部４を備えた。
【選択図】　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエーハ研削盤、特に半導体ウエーハを精密研削加工して鏡面仕上げする半導体ウエーハ研削盤において、研削加工に伴って発生する削り屑等を半導体ウエーハの周辺、特に研削加工面およびロータリーテーブルの平坦面から除去して清浄維持し、かつ摩擦熱が蓄積して過熱しないように冷却する洗浄冷却媒体となるクーラントを研削面に噴射する装置およびその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３（ａ）は、従来の半導体ウエーハ研削盤のクーラント供給装置の要部を示す斜視図であり、図３（ｂ）は半導体ウエーハ研削盤の要部の縦断面略図である。
図３に示すように、半導体ウエーハ研削盤にクーラント供給装置が付設されている。図示する前工程でシリコン単結晶の円柱を薄い円盤状にスライスした半導体ウエーハ１０が、ロータリーテーブル２０上に載置され、真空吸着により保持され、矢印Ｊ方向に毎分約１０回転で回転している。
【０００３】
ロータリーテーブル２０の回転軸Ｚ１から、回転半径の長さくらい離れた位置に平行に配設された別の回転軸Ｚ２に軸支されたホルダ３２に取付けられたカップ状の砥石３０が、ロータリーテーブル２０上の半導体ウエーハ１０に対して、互いの面を部分的に面接触させるため、部分的に砥石３０が覆い被さるような位置関係に配設されている。
【０００４】
そして、半導体ウエーハ１０の研削面１１の一部に、砥石３０の下側の砥石面３１が、その一部を摺接し、図示せぬモータに軸直結されるか、または前記モータからベルト等のドライブシフトを介して矢印Ｋ方向に回転する。
【０００５】
また、研削面１１と砥石面３１を適宜に摺接させるため、また半導体ウエーハ１０がロータリーテーブル２０上で研削工程の進捗に合わせて間欠的に載置・吸着・保持・離脱されるように、ロータリーテーブル２０と砥石３０の少なくとも何れか一方は、その軸方向に昇降可能な昇降機構（図示せず）がある。
【０００６】
すなわちロータリーテーブル２０のテーブル面と砥石面３１の間隔を大きく広げて、前記テーブル面と砥石面３１の間に、半導体ウエーハ１０を挿入するようにセットしてから、隙間を閉じて所定の押し圧を静かに加えながら研削加工する。なお、ロータリーテーブル２０と砥石３０のそれぞれの回転制御も適宜になされる。
【０００７】
このとき、液送部４０から液送管４１を介し、少量のクーラント４２が、研削面１１と砥石面３１に向かって供給される。このクーラント４２によって砥石３０の砥石面３１を湿潤させながら、研削面１１の研削が行われる。
従来、研削面１１を鏡面仕上げする場合、研削加工後にポリッシングやエッチングを行っていた。しかし、ポリッシングやエッチングはコストがかかり、環境への負担が大きいという欠点があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
近年の、半導体大容量メモリー、ＩＣカード、半導体大容量メモリを備えた高速処理可能なパソコン等に内蔵される超小型ＩＣになる３０〜５０μｍの極薄の半導体ウエーハ１０を研削加工する半導体ウエーハ研削盤には、品質管理上、塵埃の付着を防止し、研削面１１を清浄に維持して適温に維持することが必須の要件である。この要件は半導体ウエーハ１０の極薄化が進む程に高度で厳密な管理を要求される。
【０００９】
特に、鏡面仕上げにおいては、従来からあるポリッシングやエッチングの代替加工法として、例えばシリカ等の軟質砥粒を固定砥粒とした化学的作用のある砥石が開発され、砥石による鏡面仕上げ加工が試みられている。
これは、軟質砥粒と被加工物との接触点に生ずるメカノケミカル現象（すなわち加えられた機械エネルギーにより誘起される化学反応）を利用して、極微小単位の表面研磨を行うものである。
【００１０】
このような化学的作用のある砥石を用いて研削する場合、研削加工に伴って発生する微細な削り屑や、脱落した砥粒が直接ウエーハに吸着されること、融着が生じること、あるいは、空中に飛散し、空中から降りてくる塵埃がウエーハに付着することがありえる。これらを除去して清浄に保つ機能と、摩擦熱を除去する冷却機能を兼ね備えた洗浄冷却媒体として優れた物性を有する水または油等をクーラント４２に用いて、砥石３０および研削面１１を洗い流しながら研削加工する方法もあるが、水で流せば砥石面３１は当然に濡れる。
【００１１】
このように、砥石３０に直接クーラント４２がかかったり、濡れた研削面１１が砥石３０に接触すると、砥石面３１が当然に濡れ、湿潤した砥石面３１が適温から下がり過ぎて、メカノケミカル現象が阻害され、鏡面仕上げの効果が弱められる。これを防止するには、砥石３０および砥石３０に接触する半導体ウエーハ１０の研削面１１を基本的に乾いた状態で維持することが望まれる。すなわち、メカノケミカル現象の維持には、該当部分を乾いた状態に保つことが必要であり、クーラント４２で洗浄冷却することに対して二律背反するという問題があった。
【００１２】
そこで、本発明は、洗浄冷却媒体として優れたクーラント４２を用いて、研削面１１を清浄に保ちながら冷却し、しかも、砥石３０による鏡面仕上げの効果が低減されないように、砥石３０および砥石３０に接触する研削面１１を基本的に乾いた状態で維持する半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射装置およびその方法を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明は、半導体ウエーハ（１０）を保持するロータリーテーブル（２０）と、前記ロータリーテーブル（２０）に保持された半導体ウエーハ（１０）の研削面（１１）に対面して回転自在に軸支された砥石（３０）と、を備えた半導体ウエーハ研削盤において、前記半導体ウエーハ（１０）を清浄維持し前記研削面（１１）を冷却するクーラント（４２）を噴射する噴射ノズル（４４）と、前記噴射ノズル（４４）に前記クーラント（４２）を供給する液送部（４）を備えたクーラント噴射装置であって、前記噴射ノズル（４４）は、前記砥石（３０）より外側部分に位置する前記研削面（１１）に対し前記砥石（３０）の外周から所定の間隔（Ｇ）を確保するように前記クーラント（４２）を噴射するようにしたクーラント噴射装置およびその方法を用いた。
【００１４】
そして、前記砥石（３０）として化学的作用のある砥石、特にシリカを砥粒とした砥石を備えたクーラント噴射装置およびその方法を用いた。
【００１５】
さらに、前記噴射ノズル（４４）は前記研削面（１１）で前記クーラント（４２）が撥水されるようにクーラント（４２）を噴射するように、クーラント液種、噴射角度（Ａ）、噴射位置（Ｂ），（Ｄ），（Ｈ）、噴射中心軸（Ｘ）からの拡散角度（Ｓ），（Ｔ）、噴射圧力および噴射速度を選択可能な前記噴射ノズル（４４）および前記液送部（４）を備えたクーラント噴射装置およびその方法を用いた。
【作用】
【００１６】
このように、前記半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射装置およびその方法により、前記噴射ノズル（４４）によるクーラント噴射装置を前記砥石（３０）から離間させ、前記砥石（３０）を濡らさないようにするとともに、前記半導体ウエーハ（１０）の前記研削面（１１）を濡らさないで済むようなクーラント液種の洗浄冷却媒体となるクーラント（４２）を噴射ノズルから噴出するようにした。
従って、前記砥石面（３１）を加工中、適温に保ち、前記砥石（３０）による鏡面仕上げの効果を最高の状態で維持できるようにした。
【００１７】
また、前記研削面（１１）、例えば予め別工程により３００番以上に研削加工された半導体ウエーハ（１０）の研削面（１１）は、本発明の若干の研削により、撥水性が高まっている上に、はじき易い液玉になるような液面張力を有するクーラント液種、噴射角度（Ａ）、噴射位置（Ｂ），（Ｄ），（Ｇ），（Ｈ）、噴射中心軸からの拡散角度（Ｓ），（Ｔ）、噴射圧力および噴射速度を所定範囲内に設定すれば、撥水性を維持できる。
【００１８】
そうすると、半導体ウエーハ（１０）の研削面（１１）は基本的に乾いた状態を維持し、前記砥石面（３１）を濡らさないので、砥石（３０）のメカノケミカル現象による鏡面仕上げの効果がクーラント（４２）で弱められることによる害が避けられる。
【００１９】
なお、前記砥石（３０）として化学的作用のある砥石、特にシリカを砥粒とした砥石を用いることにより、前記メカノケミカル現象による鏡面仕上げの効果を、より一層確実にできる。しかも、軟質砥粒のため、表面に傷をつけることもない。
【００２０】
また、洗浄冷却機能の面では噴射ノズル（４４）から噴射された霧状または噴射後に霧状になった、あるいは霧状にならないクーラント（４２）が、前記研削面（１１）を清浄維持し冷却する機能も阻害しない。すなわち研削加工に伴って発生する切粉等の削り屑（６）は霧状のクーラント（４２）で捕捉され、汚れたクーラント（４２）は噴射の勢いで吹き飛ばされる。このとき、霧状のクーラント（４２）が蒸発する際に周囲の気化熱を奪うので、冷却効果も発揮できる。
【００２１】
ここで、前記クーラント（４２）に純水を用いたので、純水の物性により、微細な削り屑（６）を吸着する霧水の洗浄効果が高く、水が蒸発する際に奪う気化熱が大きいので冷却効果が高い。
【００２２】
また、前記クーラント（４２）の噴射ノズル（４４）に並行して空気を吹き付けるブロア管（５０）を備え、前記クーラント（４２）の噴射に空気の吹き付けを併用したので、乾いた状態を維持する条件を設定し難い場合、例えば、鏡面仕上げの程度が最終段階より手前で、前記研削面（１１）に傷の多い場合も、前記研削面（１１）を濡らそうとするクーラント（４２）を、送風により吹き飛ばし、基本的に乾いた状態を容易に維持できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図面に沿って、本発明による一実施例について説明する。
図１は本発明の実施の一形態を示す半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射装置の要部を示す斜視図である。図１に示すように、半導体ウエーハ１０は、ロータリーテーブル２０上に載置され、真空吸着により保持され、矢印Ｊ方向に毎分約１０回転で回転している。
【００２４】
半導体ウエーハ１０の研削面１１の一部にシリカを砥粒とした化学的作用のある砥石３０が、その砥石面３１の一部を摺接し、最終完成段階に近づいた半導体ウエーハ１０の研削面１１を、メカノケミカル現象等の化学的作用を伴う砥石３０での研削により、高品位の鏡面に仕上げる。
【００２５】
液送部４は、クーラント４２を液圧ポンプ４３で所定の圧力に加圧し、液送管４１を経て噴射ノズル４４から、研削加工中の研削面１１で、砥石３０より外周部分に対し、砥石３０の外周から所定の間隔をおいた位置に、クーラント４２を矢印４６方向に噴射する。そして、クーラント４２は砥石３０に直接かかることなく、砥石３０から離れた研削面１１に対して、半導体ウエーハ１０の研削加工に伴って発生する削り屑６の他、空中から降りてくる塵埃等を半導体ウエーハ１０の表面および周辺から除去し、かつ蓄積する摩擦熱を冷却して半導体ウエーハ１０の鏡面の品質劣化を防止する。
【００２６】
クーラント４２は、洗浄冷却媒体として機能し、汚濁して、半導体ウエーハ研削盤の底部パン４５に流れ落ちて溜まる。
そして、図示しないフィルタ等で汚濁物質を除去して純水に再生してから、半導体ウエーハ研削盤の内外で循環再生利用される。クーラント４２の循環系は閉ループでも開ループでも良い。
【００２７】
ここでは、例えば＃３２５の粗砥石、＃１０００の中仕上げ砥石、＃２００００の上仕上げ砥石等による物理的研削を経た後の鏡面仕上げの段階のみに関する説明をする。最終完成段階に近づいた半導体ウエーハ１０の研削面１１は、メカノケミカル現象を伴う砥石の化学的作用により、高品位の鏡面に仕上げる。
【００２８】
また、研削加工に伴って発生する削り屑６の他、空中から降りてくる塵埃を除去して清浄に保つ洗浄機能と、摩擦熱を冷却する冷却機能を兼ね備えた洗浄冷却媒体として優れた物性を有する純水をクーラント４２に用いて、研削面１１を洗い流しながら研削加工する。
【００２９】
このとき、クーラント４２により研削面１１が濡れた状態で砥石３０に接触した場合、砥石３０の砥石面３１もクーラント４２で湿潤して低温化することになり、前記化学的作用が進まなくなるような害を生じる。これを避けられるように、半導体ウエーハ１０の研削面１１を基本的に乾いた状態に維持することが望ましい。
【００３０】
図２（ａ）は図１に示したクーラント噴射装置の要部正面図であり、砥石３０等は省略している。図２（ｂ）は図１に示したクーラント噴射装置の要部平面図である。
【００３１】
図２に示すように、φ２００ｍｍのウエーハに対して、研削面１１に対する噴射ノズル４４の設定位置と角度に関しては、寸法Ｄが１５０ｍｍ、寸法Ｈが２５ｍｍ、寸法Ｂが１２ｍｍ、寸法Ｇが５ｍｍ、角度Ａは１５度に設定されている。
【００３２】
また、クーラント４２のクーラントは純水であり、噴射ノズル４４の噴霧液粒あるいは噴射後の霧状液端の大きさは直径３００μｍ、噴射中心軸Ｘからの拡散角度として角度Ｓは１５度、角度Ｔは１５度に、噴射圧力を１．６ＭＰａとし、噴量は０．３リットル／分に設定されている。この設定により、クーラント４２は研削面１１を撥水して濡らすことがなく、削り屑６と摩擦熱を除去できる。
【００３３】
つまり、砥石３０にクーラント４２を噴射しない。そして、研削面１１のうち砥石３０の外周から、はみ出した部分にだけクーラント４２を勢い良く噴射することにより、クーラント４２の水玉が撥水して、鏡面上を転がり落ちる際に、削り屑６と摩擦熱をいっしょに除去する。
【００３４】
こうすることで、砥石３０にメカノケミカル現象による、化学反応を起こすのに十分な温度を維持しながら、研削面１１の洗浄冷却も効率良くできる。
【００３５】
このように、クーラント４２のクーラント液種、噴射角度、噴射中心軸から拡散角度、噴射圧力および噴射速度を所定範囲内に設定すれば、予め別工程により３００番以上に研削加工された半導体ウエーハ１０の研削面１１は、撥水性が高まっているので、確実に撥水性を維持できる。
【００３６】
そうすると、半導体ウエーハ１０の研削面１１は基本的に乾いた状態を維持し、鏡面仕上げを進める砥石３０の化学的作用による鏡面仕上げの効果がクーラント４２で弱められない。具体的にはクーラント４２で洗い流されると化学的作用が阻害されて、研磨レートが０．０５μｍ／ｍｉｎに低下するところを、クーラント４２によって研削面１１を濡らさずにメカノケミカル現象による、化学反応を起こすのに十分な温度を維持することで、研磨レートを０．１５μｍ／ｍｉｎに確保し、かつスクラッチは０．１個／ｃｍ^２以下の高品位に鏡面仕上げができる。
【００３７】
なお、クーラント４２の噴射ノズル４４に並行して、矢印５１方向に空気を吹き付けるブロア管５０を備え、クーラント４２の噴射に空気の吹き付けを併用したので、乾いた状態を維持する条件を設定し難い場合、例えば、鏡面仕上げの程度が最終段階より手前で、研削面１１に傷が多い場合も、研削面１１を濡らそうとするクーラント４２を、送風により吹き飛ばすことにより、研削面１１の乾いた状態を容易に維持できる。
【００３８】
従って、化学的作用が阻害されることはない。しかも、噴射ノズル４４から噴射されたクーラント４２が、研削面１１を清浄維持し冷却する機能も阻害されない。すなわち、研削加工に伴って発生する切粉等の削り屑６はクーラント４２で捕捉され、汚れたクーラント４２は噴射の勢いで吹き飛ばされる。また、クーラント４２がウエーハ上を通過する際に、伝熱によりウエーハの熱を奪う。または、クーラント４２が蒸発する際に周囲の気化熱を奪うので、冷却効果も発揮できる。
【００３９】
このように、本発明の半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射装置およびその方法によれば、洗浄冷却媒体として優れたクーラント液種のクーラント４２を用いて、研削面１１を清浄に保ちながら冷却し、しかも、鏡面仕上げを進める砥石３０の化学的作用による鏡面仕上げの効果がクーラント４２で阻害されないように、砥石３０に接触する研削面１１は基本的に乾いた状態を維持できる。
【００４０】
なお、本発明は、その技術思想の範囲内で種々の改良が可能であり、前述した実施の一形態の他にも多様な実施形態が考えられる。それらにおいて、鏡面仕上げを進める砥石３０の化学的作用による鏡面仕上げの効果がクーラント４２で弱められないように、砥石３０を直接濡らさず、また、砥石３０に接触する研削面１１を基本的に乾いた状態で維持するため、研削面１１が濡れないようにクーラント４２をはじき飛ばすようにした場合は、全て本願発明に属することは当然である。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように構成したので、本発明によれば、砥石にクーラントをかけず、さらに半導体ウエーハの研削面を基本的に乾いた状態で維持し、鏡面仕上げを進める砥石の化学的作用による鏡面仕上げの効果がクーラントで弱められることもなく、化学的作用が阻害されずに済む。しかも、噴射ノズルから噴射されたクーラントにより、前記研削面を清浄維持し冷却する機能も阻害されない。
【００４２】
すなわち研削加工に伴って発生する切粉等の削り屑は、クーラントで捕捉され、汚れたクーラントは噴射の勢いで吹き飛ばされる。また、クーラントの伝熱、あるいはクーラントが蒸発する際に周囲の気化熱を奪うので、冷却効果も発揮できる。
【００４３】
また、純水の物性により、微細な削り屑を吸着する洗浄効果が高く、水が蒸発する際に奪う気化熱が大きいので冷却効果が高い。
【００４４】
さらに、前記クーラントの噴射に空気の吹きつけを併用したので、基本的に乾いた状態を維持する条件を設定し難い場合でも、例えば、鏡面仕上げの程度が最終段階より手前で、前記研削面に傷が多い場合も、前記研削面を濡らそうとするクーラントを、送風により吹き飛ばし、基本的に乾いた状態を容易に維持できる。
【００４５】
なお、化学的作用のある砥石、特にシリカを砥粒とした砥石を用いることにより、前記メカノケミカル現象による鏡面仕上げの効果を、より一層確実にできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態を示す半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射装置の要部を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は図１に示したクーラント噴射装置の要部正面図であり、同図（ｂ）は図１に示したクーラント噴射装置の要部平面図である。
【図３】（ａ）従来の半導体ウエーハ研削盤のクーラント供給装置の要部を示す斜視図であり、同図（ｂ）は半導体ウエーハ研削盤の要部の縦断面略図である。
【符号の説明】
４，４０液送部
６　削り屑
１０　半導体ウエーハ
１１　研削面
２０　ロータリーテーブル
３０　砥石
３１　砥石面
３２　ホルダ
４１　液送管
４２　クーラント
４３　液圧ポンプ
４４　噴射ノズル
４５　底部パン
５０　ブロア管
５１，４６，Ｊ，Ｋ　矢印
Ａ，Ｓ，Ｔ　角度
Ｂ，Ｄ，Ｇ，Ｈ　噴射位置
Ｘ　噴射中心軸

Claims

半導体ウエーハ（１０）を保持するロータリーテーブル（２０）と、
前記ロータリーテーブル（２０）に保持された半導体ウエーハ（１０）の研削面（１１）に対面して回転自在に軸支された砥石（３０）と、を備えた半導体ウエーハ研削盤において、
前記半導体ウエーハ（１０）を清浄維持し前記研削面（１１）を冷却するクーラント（４２）を噴射する噴射ノズル（４４）と、
前記噴射ノズル（４４）に前記クーラント（４２）を供給する液送部（４）を備えたクーラント噴射装置であって、
前記噴射ノズル（４４）は、前記砥石（３０）より外側部分に位置する前記研削面（１１）に対し前記砥石（３０）の外周から所定の間隔（Ｇ）を確保するように前記クーラント（４２）を噴射することを特徴とする半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射装置。
前記砥石（３０）として化学的作用のある砥石を用いたことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射装置。
シリカを砥粒とした砥石を用いたことを特徴とする請求項２に記載の半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射装置。
前記噴射ノズル（４４）は前記研削面（１１）で前記クーラント（４２）が撥水されるようにクーラント（４２）を噴射することを特徴とする請求項２または請求項３の何れか１項に記載の半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射装置。
クーラント液種、噴射角度（Ａ）、噴射位置（Ｂ），（Ｄ），（Ｈ）、噴射中心軸（Ｘ）からの拡散角度（Ｓ），（Ｔ）、噴射圧力および噴射速度を選択可能な前記噴射ノズル（４４）および前記液送部（４）を備えたことを特徴とする請求項１〜請求項４の何れか１項に記載の半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射装置。
前記クーラントは純水であることを特徴とする請求項１〜請求項５の何れか１項に記載の半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射装置。
前記クーラント（４２）の噴射ノズル（４４）に並行して空気を吹き付けるブロア管（５０）を備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射装置。
半導体ウエーハ（１０）を保持するロータリーテーブル（２０）と、
前記ロータリーテーブル（２０）に保持された半導体ウエーハ（１０）の研削面（１１）に対面して回転自在に軸支された砥石（３０）と、を備えた半導体ウエーハ研削盤において、
前記半導体ウエーハ（１０）を研削加工する方法であって、
液送部（４）から加圧供給したクーラント（４２）を前記研削面（１１）または前記研削面（１１）の近傍に噴射ノズル（４４）から噴射するにあたり、
前記砥石（３０）より外側部分に位置する前記研削面（１１）に対し前記砥石（３０）の外周から所定の間隔（Ｇ）を確保するように前記クーラント（４２）を噴射することを特徴とする半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射方法。
前記砥石（３０）として化学的作用のある砥石を用いたことを特徴とする請求項８に記載の半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射方法。
シリカを砥粒とした砥石を用いたことを特徴とする請求項９に記載の半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射方法。
前記研削面（１１）で前記クーラント（４２）が撥水されるようにクーラント（４２）を噴射することを特徴とする請求項８〜請求項１０の何れか１項に記載の半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射方法。
前記研削面（１１）で前記クーラント（４２）が撥水され、かつ前記砥石（３０）の外周から所定の間隔（Ｇ）を確保するようにクーラント液種、噴射角度（Ａ）、噴射位置（Ｂ），（Ｄ），（Ｈ）、噴射中心軸（Ｘ）からの拡散角度（Ｓ），（Ｔ）、噴射圧力、噴射速度を設定したことを特徴とする請求項１１に記載の半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射方法。
前記クーラント（４２）に純水を用いることを特徴とする請求項８〜請求項１２の何れか１項に記載の半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射方法。
前記クーラント（４２）の噴射に空気の吹き付けを併用したことを特徴とする請求項８に記載の半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射方法。