JP2002079461A - ポリッシング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スクラッチの原因となるトップリングやドレ
ッサーに付着した研磨屑や砥液を容易かつ確実に除去
し、研磨対象物の研磨品質を高めることができるポリッ
シング装置を提供する。 【解決手段】 研磨面を有する研磨テーブル１１と、研
磨テーブル１１の研磨面に半導体ウェハＷを押圧するト
ップリング２３と、研磨テーブル１１の研磨面の目立て
を行なうドレッサー３３と、トップリング２３及びドレ
ッサー３３を洗浄する洗浄装置１４，１８とを備えたポ
リッシング装置において、トップリング２３の表面及び
ドレッサー３３の表面をフッ素樹脂で被覆した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、研磨対象物を研磨
するポリッシング装置に係り、特に、表面に薄膜が形成
された半導体ウェハ等の研磨対象物を平坦かつ鏡面状に
研磨するポリッシング装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に線幅が０．５μｍ以下の光リソグラ
フィの場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像
面の平坦度を必要とする。このような半導体ウェハの表
面を平坦化する一手段として、化学機械研磨（ＣＭＰ）
を行うポリッシング装置が知られている。

【０００３】この種のポリッシング装置は、図１３に示
すように、上面に研磨布（研磨パッド）３００を貼付し
て研磨面を構成する研磨テーブル３０２と、研磨対象物
である半導体ウェハ等の基板Ｗをその被研磨面を研磨テ
ーブル３０２に向けて保持するトップリング３０４とを
備えている。このようなポリッシング装置を用いて半導
体ウェハＷの研磨処理を行う場合には、研磨テーブル３
０２とトップリング３０４とをそれぞれ自転させ、研磨
テーブル３０２の上方に設置された砥液ノズル３０６よ
り砥液を供給しつつ、トップリング３０４により半導体
ウェハＷを一定の圧力で研磨テーブル３０２の研磨布３
００に押圧する。砥液ノズル３０６から供給される砥液
は、例えばアルカリ溶液にシリカ等の微粒子からなる砥
粒を懸濁したものを用い、アルカリによる化学的研磨作
用と、砥粒による機械的研磨作用との複合作用である化
学的・機械的研磨によって半導体ウェハＷが平坦かつ鏡
面状に研磨される。

【０００４】研磨処理後のトップリング及び半導体ウェ
ハは砥液や研磨屑が付着して汚れているが、このような
砥液や研磨屑をそのままにしておくと、次に研磨を行な
う半導体ウェハを汚してしまったり、砥液や研磨屑が固
まって乾燥し大きな粒となったりして、半導体ウェハに
大きなダメージ（スクラッチ）を与える原因となる。し
たがって、研磨処理後のトップリング及び半導体ウェハ
を洗浄し、これらに付着した砥液や研磨屑を除去する必
要がある。このような研磨後のトップリング及び半導体
ウェハに付着した砥液や研磨屑を除去するために、従来
から、研磨後及び研磨前の半導体ウェハを受け渡しする
ためのプッシャーに洗浄装置を設け、研磨後のトップリ
ング及び半導体ウェハの洗浄が行なわれている。

【０００５】図１４には、トップリング及び半導体ウェ
ハの洗浄装置を備えた従来のプッシャーを示す。図１４
に示すプッシャー３１０においては、プッシャー３１０
の周囲に設けられたポリッシャーパン３１２に３種類の
洗浄ノズル、即ち、トップリング下面洗浄ノズル３２
０、ウェハ上面洗浄ノズル３２１、ウェハ下面洗浄ノズ
ル３２２を取り付けている。トップリング下面洗浄ノズ
ル３２０は、トップリング３０４のやや下方に配置され
ており、トップリング３０４の下面に向けて斜め上方に
洗浄液（純水・薬液・イオン水やオゾン水等）を噴射す
る。ウェハ上面洗浄ノズル３２１は、トップリング下面
洗浄ノズル３２０の下方に配置され、半導体ウェハの受
け渡しを行なうステージ３１４に載置された半導体ウェ
ハＷの上面に向けて斜め下方に洗浄液を噴射する。ウェ
ハ下面洗浄ノズル３２２は、ステージ３１４に載置され
た半導体ウェハＷのやや下方に配置され、該半導体ウェ
ハＷの下面に向けて斜め上方に洗浄液を噴射する。研磨
処理後にトップリング３０４からプッシャー３１０のス
テージ３１４に半導体ウェハＷを渡したときに、これら
の洗浄ノズル３２０〜３２２からそれぞれ洗浄液を噴射
することにより、研磨後のトップリング３０４の下面及
び半導体ウェハＷの上下面が洗浄される。

【０００６】ところで、ポリッシング装置を用いて研磨
作業を継続すると研磨布３００の研磨面の研磨力が低下
するが、この研磨力を回復させるために、従来から図１
３に示すようにドレッサー３０８を設け、このドレッサ
ー３０８によって、研磨する半導体ウェハＷの交換時な
どに研磨布３００の目立て（ドレッシング）が行われて
いる。このドレッシング処理においては、ドレッサー３
０８のドレッシング面を研磨テーブル３０２の研磨布３
００に押圧しつつ、これらを自転させることで、研磨面
に付着した砥液や切削屑を除去すると共に、研磨面の平
坦化及び目立てが行なわれている。

【０００７】ドレッシング処理後のドレッサー３０８
は、研磨処理後のトップリングと同様に、砥液や研磨屑
が付着して汚れているが、このような砥液や研磨屑が次
のドレッシング処理までに乾燥して固着すると、これが
次のドレッシング処理中に研磨布３００上に落下して、
研磨布３００に対して押圧される半導体ウェハＷに大き
なダメージ（スクラッチ）を与える原因となる。したが
って、ドレッシング処理後のドレッサーを洗浄し、ドレ
ッサーに付着した砥液や研磨屑を除去する必要があり、
従来からドレッシング処理後のドレッサーを洗浄するド
レッサー洗浄装置がドレッサーの待機位置に設けられ、
ドレッシング処理後のドレッサーの洗浄が行なわれてい
る。

【０００８】図１５に示すように、従来のドレッサー洗
浄装置は、洗浄液を貯留可能な容器３３０内にドレッサ
ー３０８の上面と下面に対してそれぞれ洗浄液を噴射す
る洗浄ノズル３３１，３３２を備えている。ドレッシン
グ処理後のドレッサー３０８が待機位置に戻ることによ
りドレッサー洗浄装置の容器３３０内に導入されたドレ
ッサー３０８は、容器３３０の底部に貯留された洗浄液
に浸漬され、粗洗浄が行なわれる。その後、洗浄ノズル
３３１，３３２が、それぞれ、ドレッサー３０８の上
面、下面に向けて洗浄液を噴射し、ドレッシング処理後
のドレッサーの上下面を洗浄する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、トップリン
グが半導体ウェハ等の研磨対象物を研磨布に押圧すると
きに研磨対象物のみが研磨布に押圧される場合には、研
磨対象物の周縁における研磨圧力が不均一になり、いわ
ゆる「縁だれ」を起こしてしまうことがある。このよう
な研磨対象物の「縁だれ」は、半導体ウェハの外周側に
位置する研磨布を押圧する押圧リングをトップリングに
取り付けることによって防止することができる。このよ
うな押圧リングとトップリングとの間には、トップリン
グの回転を押圧リングに伝達するためのキー等の手段が
設けられておらず、トップリングは研磨中に軸心周りに
回転するが、押圧リングは回転しないようになってい
る。

【００１０】押圧リングの取り付けられていないトップ
リングの場合には、上述のプッシャーのトップリング下
面洗浄ノズルから洗浄液を噴射するときにトップリング
を回転させれば、トップリングの下面及び側面の全周に
対して洗浄液を当てることができ、トップリングの全周
を洗浄することが可能である。しかしながら、押圧リン
グを取り付けたタイプのトップリングの場合には、上述
したように押圧リングが回転しないような構成であるた
め、押圧リングにトップリング下面ノズルからの洗浄液
が当たらない部分が生じ、この部分については洗浄され
ない。したがって、押圧リングを取り付けたタイプのト
ップリングの場合には、押圧リングを含めたトップリン
グの全周を十分に洗浄することができなかった。このた
め、押圧リングに付着した砥液や研磨屑が除去されない
ままとなり、これらの砥液や研磨屑が研磨布上に落下
し、スクラッチ発生の原因となっていた。

【００１１】また、ドレッサー洗浄装置における洗浄が
行なわれる前に、ドレッシング処理中にドレッサーに付
着した砥液や研磨屑が一旦乾燥して固着してしまうと、
上述のドレッサー洗浄装置の洗浄ノズルによる洗浄だけ
では、この固着した砥液等を除去することが困難であっ
た。

【００１２】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたもので、スクラッチの原因となるトップ
リングやドレッサーに付着した砥液や研磨屑を容易かつ
確実に除去し、研磨対象物の研磨品質を高めることがで
きるポリッシング装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】このような従来技術にお
ける問題点を解決するために、本発明は、研磨面を有す
る研磨テーブルと、該研磨テーブルの研磨面に研磨対象
物を押圧するトップリングと、該トップリングを洗浄す
る洗浄装置とを備えたポリッシング装置において、上記
トップリングの表面をフッ素樹脂で被覆したことを特徴
とする。また、上記研磨テーブルの研磨面の目立てを行
なうドレッサーと、該ドレッサーを洗浄する洗浄装置と
を備えたポリッシング装置の場合には、上記ドレッサー
の表面をフッ素樹脂で被覆したことを特徴とする。

【００１４】これにより、砥液や研磨屑が研磨中にトッ
プリングに付着しても、あるいは、ドレッシング処理中
にドレッサーに付着しても、砥液や研磨屑はトップリン
グ表面又はドレッサー表面のフッ素樹脂の撥水効果によ
って水滴状に弾かれるので、トップリング表面又はドレ
ッサーの表面に水をかけるだけでこれらの付着物を容易
に除去することが可能となる。

【００１５】また、上記洗浄装置内において上記トップ
リングあるいはドレッサーを回転させる回転機構と、上
記洗浄装置内におけるトップリングあるいはドレッサー
の表面に接触するブラシとを設けたことを特徴とする。
これにより、上述したフッ素樹脂の撥水効果と相俟っ
て、トップリング又はドレッサーに付着した砥液や研磨
屑を容易に払拭することができる。

【００１６】更に、本発明の他の態様は、研磨面を有す
る研磨テーブルと、研磨テーブルの研磨面に研磨対象物
を押圧するトップリングと、該トップリングを洗浄する
洗浄装置とを備え、上記トップリングに上記研磨対象物
の外周側に位置する研磨面を押圧する押圧リングを取り
付けたポリッシング装置において、上記トップリングの
押圧リングの表面をフッ素樹脂で被覆したことを特徴と
する。

【００１７】これにより、トップリングに取り付けられ
た押圧リングに砥液や研磨屑が付着しても、これらの砥
液や研磨屑は押圧リングの表面のフッ素樹脂の撥水効果
によって水滴状に弾かれるので、押圧リングの表面に水
を供給するだけでこれらの付着物を容易に除去すること
が可能となる。

【００１８】また、上記洗浄装置には、洗浄液を上記押
圧リングの表面に噴射する複数の洗浄ノズルを上記トッ
プリングの外周に沿って配設したことを特徴とする。こ
れにより、押圧リングが回転しないように構成されてい
る場合であっても、複数の洗浄ノズルからの洗浄液の噴
射によって、押圧リングを含めたトップリングの全周を
十分に洗浄することが可能となる。

【００１９】更に、上記押圧リングの下部に円周方向に
間隔をおいて複数のドレン穴を形成すると共に、上記洗
浄装置の洗浄ノズルを上記ドレン穴に対応する位置に配
置したことを特徴とする。これにより、スラリー上の研
磨砥液が流通するドレン穴についても、洗浄ノズルから
の洗浄液の噴射によって十分に洗浄することが可能とな
る。なお、このような洗浄装置は研磨対象物の受け渡し
を行なうプッシャーに設けられることが好ましい。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るポリッシング
装置の一実施形態について図面を参照して詳細に説明す
る。図１は本実施形態に係るポリッシング装置を模式的
に示す平面図、図２は図１のポリッシング装置の外観を
示す斜視図である。

【００２１】図１及び図２に示すように、ポリッシング
装置には、全体が長方形をなす床上のスペースの一端側
に一対の研磨部１ａ，１ｂが左右に対向して配置され、
他端側にそれぞれ半導体ウェハ収納用カセット２ａ，２
ｂを載置する一対のロード・アンロードユニットが配置
されている。研磨部１ａ，１ｂとロード・アンロードユ
ニットとを結ぶ線上には、半導体ウェハを搬送する搬送
ロボット４ａ，４ｂが２台配置されて搬送ラインが形成
されている。この搬送ラインの両側には、それぞれ１台
の反転機５，６とこの反転機５，６を挟んで２台の洗浄
機７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂとが配置されている。

【００２２】２つの研磨部１ａ，１ｂは、基本的に同一
の仕様の装置が搬送ラインに対称に配置されており、そ
れぞれ、上面に研磨布１０が貼付された研磨テーブル１
１と、研磨対象物である半導体ウェハＷを真空吸着によ
り保持し、これを研磨テーブル１１に押圧して研磨する
トップリング装置１２と、研磨テーブル１１上の研磨布
１０の目立て（ドレッシング）を行なうドレッシング装
置１３とを備えている。また、研磨部１ａ，１ｂには、
それぞれの搬送ライン側に、半導体ウェハＷをトップリ
ング装置１２との間で授受するプッシャー１４が設けら
れている。

【００２３】搬送ロボット４ａ，４ｂは、水平面内で屈
折自在な関節アームを有しており、それぞれ上下に２つ
の把持部をドライフィンガーとウェットフィンガーとし
て使い分けている。本実施形態では２台のロボットが使
用されるので、基本的に第１ロボット４ａは反転機５，
６よりカセット２ａ，２ｂ側の領域を、第２ロボット４
ｂは反転機５，６より研磨部１ａ，１ｂ側の領域を受け
持つ。

【００２４】反転機５，６は半導体ウェハＷの上下を反
転させるもので、搬送ロボット４ａ，４ｂのハンドが到
達可能な位置に配置されている。本実施形態では、２つ
の反転機５，６をドライ基板を扱うものと、ウエット基
板を扱うものとに使い分けている。

【００２５】各洗浄機７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂの形式は
任意であるが、例えば、研磨部１ａ，１ｂ側はスポンジ
付きのローラで半導体ウェハの表裏両面を拭う形式の洗
浄機７ａ，７ｂであり、カセット２ａ，２ｂ側は半導体
ウェハのエッジを把持して水平面内で回転させながら洗
浄液を供給する形式の洗浄機８ａ，８ｂである。後者
は、遠心脱水して乾燥させる乾燥機としての機能をも備
える。洗浄機７ａ，７ｂにおいて、半導体ウェハの１次
洗浄を行うことができ、洗浄機８ａ，８ｂにおいて１次
洗浄後の半導体ウェハの２次洗浄を行うことができる。

【００２６】図３は図１及び図２に示す研磨部１ａ又は
１ｂの要部を示す縦断面図である。図３に示すように、
研磨テーブル１１の研磨布１０の表面は研磨対象物であ
る半導体ウェハＷと摺接する研磨面を構成している。研
磨テーブル１１は、テーブル軸１１ａを介してその下方
に配置されるモータ（図示せず）に連結されており、研
磨テーブル１１は、図３の矢印Ｃで示すようにそのテー
ブル軸１１ａ周りに回転可能になっている。

【００２７】研磨テーブル１１の上方には砥液供給ノズ
ル１５及び水供給ノズル１６が配置されており、砥液供
給ノズル１５からは研磨砥液が、水供給ノズル１６から
はドレッシングに使用するドレッシング液（例えば、
水）が、それぞれ研磨テーブル１１に貼付された研磨布
１０上に供給される。また、これら砥液と水を回収する
枠体１７が研磨テーブル１１の周囲に設けられており、
この枠体の下部に樋１７ａが形成されている。

【００２８】トップリング装置１２は、図３に示すよう
に、回転可能な支軸２０と、支軸２０の上端に連結され
る揺動アーム２１と、揺動アーム２１の自由端から垂下
するトップリングシャフト２２と、トップリングシャフ
ト２２の下端に連結される略円盤状のトップリング２３
とから構成されている。トップリング２３は、支軸２０
の回転による揺動アーム２１の揺動と共に水平方向に移
動し、図１の矢印Ａで示すように、プッシャー１４と研
磨布１０上の研磨位置との間での往復運動が可能となっ
ている。また、トップリング２３は、トップリングシャ
フト２２を介して揺動アーム２１の内部に設けられた図
示しないモータ（回転機構）及び昇降シリンダに連結さ
れており、これにより、図３の矢印Ｄ，Ｅに示すように
昇降可能かつトップリングシャフト２２周りに回転可能
となっている。また、研磨対象である半導体ウェハＷ
は、トップリング２３の下端面に真空等によって吸着、
保持されている。これらの機構により、トップリング２
３は自転しながら、その下面に保持した半導体ウェハＷ
を研磨布１０に対して任意の圧力で押圧することができ
る。

【００２９】ドレッシング装置１３は、研磨を行って劣
化した研磨布１０の表面を再生するもので、研磨テーブ
ル１１の中心に対してトップリング装置１２とは反対側
に配置されている。ドレッシング装置１３は、上記トッ
プリング装置１２と同様に、回転可能な支軸３０と、支
軸３０の上端に連結される揺動アーム３１と、揺動アー
ム３１の自由端から垂下するドレッサーシャフト３２
と、ドレッサーシャフト３２の下端に連結される略円盤
状のドレッサー３３とから構成されている。ドレッサー
３３は、支軸３０の回転による揺動アーム３１の揺動と
共に水平方向に移動し、図１の矢印Ｂで示すように、研
磨布１０上のドレッシング位置と研磨テーブル１１の外
側の待機位置との間で往復運動が可能となっている。ま
た、ドレッサー３３は、ドレッサーシャフト３２を介し
て揺動アーム３１の内部に設けられた図示しないモータ
（回転機構）及び昇降シリンダに連結されており、これ
により、図３の矢印Ｆ，Ｇに示すように昇降可能かつド
レッサーシャフト３２周りに回転可能となっている。

【００３０】ドレッサー３３の下面には、研磨布１０に
摺接して研磨布１０のドレッシングを行うためのドレッ
シング部材３４が取り付けられている。このドレッシン
グ部材３４としては、例えばダイヤモンド砥粒を円板に
電着したダイヤモンドペレットを用いることができ、本
実施形態では、複数のダイヤモンドペレットがドレッサ
ーの下面の円周方向に所定の間隔で取り付けられてい
る。ドレッサー３３は、このドレッシング部材３４を研
磨布１０に対して任意の圧力で押圧し、自転することで
研磨面をドレッシング（目立て）することができる。

【００３１】また、ドレッサー３３の外表面は、全周に
亘って３０〜４０μｍのフッ素樹脂、例えば四フッ化エ
チレン・パーフロロアルキルビニルエーテル共重合体樹
脂（ＰＦＡ）の被膜によって被覆（コーティング）され
ている。本実施形態では、ドレッサー３３の基材である
ステンレスとの接合性を考慮して、２種類のＰＦＡ系樹
脂をそれぞれプライマーコート（下地）、トップコート
（上塗り）としている。

【００３２】このような研磨部１ａ，１ｂにおいて、半
導体ウェハＷの研磨処理を行なう場合には、トップリン
グ２３及び研磨テーブル１１をそれぞれ独立に自転させ
つつ、トップリング２３に保持された半導体ウェハＷと
研磨テーブル１１とを相対運動させて、トップリング２
３の下面に保持された半導体ウェハＷを研磨テーブル１
１上の研磨布１０に押圧する。このとき、同時に砥液供
給ノズル１５から研磨布１０の上面に砥液を供給する。
この砥液として、例えばアルカリ溶液に微粒子からなる
砥粒を懸濁したものが用いられ、アルカリによる化学的
研磨作用と、砥粒による機械的研磨作用との複合作用と
によって半導体ウェハＷが研磨される。研磨に使用され
た砥液は、研磨テーブル１１の回転による遠心力を受け
て研磨テーブル１１の外方に飛散し、枠体１７の下部の
樋１７ａにより回収される。

【００３３】所定の研磨量だけ半導体ウェハＷを研磨し
た時点で研磨処理が終了するが、この研磨作業の終了時
点では、研磨によって研磨布１０の特性が変化し、次に
行なう研磨の研磨性能が低下しているので、ドレッシン
グ装置１３により研磨布１０のドレッシングを行なう。
ドレッシングは、ドレッサー３３及び研磨テーブル１１
をそれぞれ独立に自転させつつ、ドレッサー３３に保持
されたドレッシング部材３４を所定の圧力下で研磨布１
０に当接させる。このとき、ドレッシング部材３４が研
磨布１０に接触するのと同時又は接触する前に、水供給
ノズル１６から研磨布１０の上面に水を供給し、研磨布
１０に残留している使用済みの砥液を洗い流す。また同
時に、ドレッシング部材３４と研磨布１０との摺接によ
り発生する摩擦熱を研磨布１０に供給される水により冷
却する。この水は研磨テーブル１１の回転による遠心力
を受けて研磨テーブル１１の外方に飛散し、枠体１７の
下部の樋１７ａにより回収される。

【００３４】ドレッシング終了後のドレッサー３３は、
揺動アーム３１の駆動により待機位置に戻され、この待
機位置に設置されたドレッサー洗浄装置１８（図１参
照）によって洗浄される。このドレッサー洗浄装置１８
の詳細については後述する。

【００３５】次に、トップリング２３について、図４乃
至図８を参照してより詳細に説明する。図４は図３に示
すトップリング２３の縦断面図、図５は図４のＶ−Ｖ線
矢視図、図６は図５のＶＩ−ＶＩ線断面図である。

【００３６】図４及び図５に示すように、トップリング
２３は、トップリング本体２３Ａと、トップリング本体
２３Ａの外周部にボルト４０によって着脱可能に固定さ
れたリテーナリング２３Ｂとから構成される。このトッ
プリング本体２３Ａの下面とリテーナリング２３Ｂによ
って半導体ウェハＷを収容する凹部２３ａが形成されて
おり、この凹部２３ａに弾性マット４１が貼着されてい
る。そして、トップリング本体２３Ａの下面に半導体ウ
ェハＷの上面を保持し、リテーナリング２３Ｂによって
半導体ウェハＷの外周部を保持するようになっている。

【００３７】トップリング本体２３Ａには凹球面４２ａ
を有した取付フランジ４２が固定されており、トップリ
ングシャフト２２の下端には、凹球面４４ａを有した駆
動軸フランジ４４が固定されている。これらの両凹球面
４２ａ，４４ａ間には、球ベアリング４６が介装されて
いる。

【００３８】トップリング本体２３Ａと取付フランジ４
２との間には空間４８が形成されており、この空間４８
に真空、加圧空気、水等の液体が供給できるようになっ
ている。そして、トップリング本体２３Ａには、空間４
８と連通して下面に開口する多数の連通孔４９が設けら
れており、同様に弾性マット４１にも上記連通孔４９に
対向した位置に貫通孔が設けられている。これらの構成
により、半導体ウェハＷの上面を真空によって吸着し、
また、半導体ウェハＷの上面に液体又は加圧空気を供給
可能となっている。

【００３９】トップリング本体２３Ａ及びリテーナリン
グ２３Ｂの周囲には押圧リング５０が上下動可能に設け
られている。この押圧リング５０は、図４に示すよう
に、最下位置にあってアルミナセラミックからなる第１
押圧リング部材５０ａと、第１押圧リング部材５０ａの
上方にあるステンレス鋼からなる第２、第３押圧リング
部材５０ｂ，５０ｃとから構成されている。

【００４０】第２及び第３押圧リング部材５０ｂ，５０
ｃは、ボルト（図示せず）によって相互に接続されてお
り、第１押圧リング部材５０ａは第２押圧リング部材５
０ｂに接着等によって固定されている。第１押圧リング
部材５０ａの下端部は、研磨布１０を押圧する押圧面５
０ｆになっており、この押圧面５０ｆが半導体ウェハＷ
の外周側を押圧することにより上述した縁だれが防止さ
れる。

【００４１】図３に示すように、揺動アーム２１には押
圧リング用エアシリンダ２４が固定されており、この押
圧リング用エアシリンダ２４は、トップリング２３の円
周上に複数個（例えば３個）配設されている。図４に示
すように、押圧リング用エアシリンダ２４のシャフト２
４ａの下端部は、押圧リング５０の第３押圧リング部材
５０ｃに係合している。

【００４２】リテーナリング２３Ｂはステンレス鋼等の
金属からなり、リテーナリング２３Ｂの外周部には、下
部に半径方向内方に傾斜したテーパ面２３Ｂｔが形成さ
れ、その下部側は上部側より薄肉に形成されている。一
方、押圧リング５０の内周部には、リテーナリング２３
Ｂのテーパ面２３Ｂｔに対応した位置に半径方向内方に
傾斜したテーパ面５０ｔが形成され、押圧リング５０の
押圧面５０ｆをトップリング２３に保持された半導体ウ
ェハＷの周縁部に可能な限り近づけるようにしている。

【００４３】このようなリテーナリング２３Ｂ及び押圧
リング５０の構成により、押圧リング５０の押圧面５０
ｆの内周縁と半導体ウェハＷの周縁部との離間距離を短
くすることができるため、押圧リング５０は半導体ウェ
ハＷの周縁部近傍の研磨布１０を押圧することができ、
上述した縁だれが有効に防止される。

【００４４】トップリング２３の取付フランジ４２の外
周部にはラジアルベアリングからなる回転支持ベアリン
グ５２を介してベアリング受けリング５４が設けられて
おり、ベアリング受けリング５４と押圧リング５０との
間には上下移動支持ベアリング５６が介装されている。
押圧リング５０は、これら回転支持ベアリング５２及び
上下移動支持ベアリング５６によって支持されている。
上下移動支持ベアリング５６は、図４及び図５に示すよ
うに、円周上に３カ所設置されており、各上下移動支持
ベアリング５６は押圧リング５０に固定されたベアリン
グ転動面５６Ｒを有した板状部材５６ａと、２行２列の
４個の短円柱状ロ−ラ５６ｂと、ローラ５６ｂを収容す
るベアリングケース５６ｃとからなっている。ベアリン
グケース５６ｃはベアリング受けリング５４に固定され
ており、ベアリング受けリング５４にはベアリング押さ
え５４ａが固定されている。また、押圧リング５０の上
端部には押圧リングストッパ５８が固定され、また取付
フランジ４２の上端部にはカバー５９が固定されてい
る。

【００４５】また、図４に示すように、回転支持ベアリ
ング５２と上下移動支持ベアリング５６とを囲むよう
に、３つのラビリンス６０，６１，６２が形成されてい
る。即ち、ベアリング押さえ５４ａ、押圧リングストッ
パ５８、及びカバー５９との間にはラビリンス６０が形
成され、ベアリング受けリング５４と取付フランジ４２
との間にはラビリンス６１が形成され、押圧リング５０
の第３押圧リング部材５０ｃとリテーナリング２３Ｂと
の間にはラビリンス６２が形成されている。このように
複数のラビリンス構造を設けることによって、上述した
ベアリング部に対して異物、例えば、水、研磨液等の液
体や研磨屑等の固体物などが侵入することを防止してい
る。

【００４６】ここで、トップリング２３と押圧リング５
０との間には、トップリング２３の回転を押圧リング５
０に伝達するためのキー等の手段が設けられていない。
したがって、研磨中にトップリング２３はトップリング
シャフト８の軸心まわりに回転するが、押圧リング５０
は自身の軸線に対して回転しないように構成されてい
る。即ち、トップリング２３と押圧リング５０との相対
回転は回転支持ベアリング５２により支持され、押圧リ
ング５０のトップリング２３に対する上下動は上下移動
支持ベアリング５６で支持される。

【００４７】図６に示すように、取付フランジ４２とト
ップリング２３Ａとを固定するボルト８１の内側には、
真空や加圧空気を供給するための空間４８をシールする
Ｏリング８０が設けられている。また、第３押圧リング
部材５０ｃの上部には、洗浄水供給管８２が固定されて
おり、その洗浄水供給管８２の下端に洗浄水吐出口８３
が形成されている。第１押圧リング部材５０ａを保持す
る第２押圧リング部材５０ｂの上端に環状流路８４が形
成されており、この環状流路８４は、円周方向に所定間
隔をおいて設けられた複数の連通路８５を介して第２押
圧リング部材５０ｂの内周面に連通している。

【００４８】図７は図４に示す第２押圧リング部材５０
ｂの平面図、図８は図７に示す第２押圧リング部材５０
ｂの縦断面図である。図７及び図８に示すように、第２
押圧リング部材５０ｂの下部には、円周方向に間隔をお
いて複数のドレン穴８６が形成されている。本実施形態
では、図７に示すように、６つのドレン穴８６が６０度
毎の角度で第２押圧リング部材５０ｂに形成されてい
る。また、第２押圧リング部材５０ｂの内周面は内方に
凹んでおり、リテーナリング２３Ｂと押圧リング５０と
の間に比較的広い空間８８が形成されている。更に、第
２押圧リング部材５０ｂの内外周面及びドレン穴８６の
内周面は上述のドレッサー３３の表面と同様にＰＦＡ系
樹脂などのフッ素樹脂によってコーティング８９がなさ
れている。

【００４９】半導体ウェハの研磨中には、スラリー状の
研磨砥液がリテーナリング２３Ｂと押圧リング５０との
間に入るが、上述した第２押圧リング部材５０ｂの構成
により空間８８の部分からドレン穴８６を介してスラリ
ー状の研磨砥液を押圧リング５０の外部に流出させるこ
とができる。したがって、リテーナリング２３Ｂの上部
へのスラリー状の研磨砥液の侵入を防ぐことができる。
ドレン穴の穴径が大きい方がこの効果が大きいことが確
認されているため、本実施形態のドレン穴の穴径は３ｍ
ｍ〜６ｍｍとされている。特に、本実施形態において
は、第２押圧リング部材５０ｂの内周面が内方に凹んで
いることによって、研磨砥液が上部に侵入しにくい構造
としている。

【００５０】一方、洗浄水供給管８２から適宜洗浄水を
供給することにより、洗浄水は洗浄水吐出口８３、環状
流路８４及び連通路８５を通ってリテーナリング２３Ｂ
と押圧リング５０との間の空間８８に流入する。その
後、洗浄水はリテーナリング２３Ｂと押圧リング５０と
の間隙９１から流出する流路とドレン穴８６を通って押
圧リング５０の外部に流出する系路とをとり、これによ
りリテーナリング２３Ｂと押圧リング５０とが洗浄され
る。なお、第２押圧リング部材５０ｂと第３押圧リング
部材５０ｃとの外周側の接続部には間隙９０が形成され
ており、環状流路８４内の洗浄水は間隙９０を通って押
圧リング５０の外周面を流れるため、押圧リング５０の
外周面が洗浄される。また、押圧リング５０の第２押圧
リング部材５０ｂの内外面にフッ素樹脂コーティング８
９が施されているため、スラリー状の研磨砥液が付着し
にくく、また、たとえ付着したとしても洗浄水の供給に
よって研磨砥液を容易に除去することができる。

【００５１】次に、研磨部１ａ又は１ｂのプッシャー１
４について図９及び図１０を参照して詳細に説明する。
図９は図１の研磨部１ａにおけるプッシャー１４を模式
的に示す平面図、図１０は図９のプッシャー１４を模式
的に示す縦断面図であり、図１０においては、半導体ウ
ェハＷが下降したステージ１０１上に載置されている状
態が示されている。

【００５２】図１０に示すように、プッシャー１４は、
受け渡しをする半導体ウェハＷが載置されるステージ１
０１と、ステージ１０１の下方に配置される駆動部１０
２とを備えている。ステージ１０１は駆動部１０２内か
ら突出するロッド１０２ａによって上下動自在に支持さ
れている。

【００５３】図９及び図１０に示すように、プッシャー
１４には、複数の洗浄ノズルがトップリング２３の外周
に沿って配設されている。即ち、プッシャー１４のステ
ージ１０１を囲む一方のポリッシャーパン１０３には、
トップリング下面洗浄ノズル１１０と３つの押圧リング
洗浄ノズル１１１，１１２，１１３とが設けられてお
り、他方には１つの押圧リング洗浄ノズル１１４が設け
られている。また、押圧リング洗浄ノズル１１４に対向
する隔壁１０４にも押圧リング洗浄ノズル１１５が設け
られており、更に、押圧リング洗浄ノズル１１１〜１１
３に対向する隔壁１０５には、押圧リング洗浄ノズル１
１６，１１７とウェハ上面洗浄ノズル１１８とが設けら
れている。そして、ステージ１０１の下部側方には、ウ
ェハ下面洗浄ノズル１１９が設けられている。これらの
洗浄ノズル１１０〜１１９からは、それぞれ洗浄液Ｌ
（純水・薬液・イオン水やオゾン水等）が噴射される。
なお、プッシャー１４には、これらの洗浄ノズル１１０
〜１１９に洗浄液Ｌを圧送する洗浄液供給手段と、プッ
シャー１４の動作を制御する制御手段とが設けられてい
る（いずれも図示せず）。

【００５４】トップリング下面洗浄ノズル１１０及び押
圧リング洗浄ノズル１１１〜１１５，１１７は、トップ
リング２３のやや下方に配置されており、押圧リング洗
浄ノズル１１６は、トップリング２３のやや上方に配置
されている。ウェハ上面洗浄ノズル１１８は下降したス
テージ１０１のやや上方に配置され、このウェハ上面洗
浄ノズル１１８の下方に押圧リング洗浄ノズル１１７が
配置されている。

【００５５】図１０に示すように、トップリング下面洗
浄ノズル１１０は、トップリングの下面に向けて斜め上
方に洗浄液Ｌを噴射し、トップリング２３の下面の洗浄
を行なう。また、ウェハ上面洗浄ノズル１１８は、ステ
ージ１０１に載置された半導体ウェハＷの上面に向けて
斜め下方に洗浄液Ｌを噴射し、半導体ウェハＷの上面の
洗浄を行なう。また、ウェハ下面洗浄ノズル１１９は、
この半導体ウェハＷの下面に向けて斜め上方に洗浄液Ｌ
を噴射し、半導体ウェハＷの下面の洗浄を行なう。

【００５６】押圧リング洗浄ノズル１１１〜１１７は、
それぞれ押圧リング５０に向けて洗浄液Ｌを噴射し、押
圧リング５０の洗浄を行なう。これらの押圧リング洗浄
ノズル１１１〜１１７は、図９に示すように、押圧リン
グ５０に形成されたドレン穴８６に対応する位置に配置
されており、これらのドレン穴８６が洗浄液Ｌによって
洗浄されるようになっている。上述したように、ドレン
穴８６にはスラリー上の研磨砥液が流通するが、上述の
ような配置とすることにより、この研磨砥液が流通し研
磨砥液が付着しやすいドレン穴８６についても、押圧リ
ング洗浄ノズル１１１〜１１７からの洗浄液の噴射によ
って十分に洗浄することができる。

【００５７】次に、本実施形態におけるプッシャー１４
の動作について説明する。研磨処理終了後の半導体ウェ
ハＷを真空吸着によって保持するトップリング２３がプ
ッシャー１４のステージ１０１の真上に移動すると、プ
ッシャー１４の駆動部１０２が駆動されてステージ１０
１が上昇してトップリング２３に接近し、この状態でト
ップリング２３による半導体ウェハＷの真空吸着が解除
されて半導体ウェハＷがステージ１０１上に渡される。

【００５８】そして、駆動部１０２を駆動してステージ
１０１を図１０に示す位置にまで下降させて、この状態
で各洗浄ノズル１１０〜１１９により洗浄液Ｌを同時に
噴射する。これによって、半導体ウェハＷの上下面とト
ップリング２３の下面と押圧リングの全周面が同時に洗
浄できる。即ち、ウェハ上面洗浄ノズル１１８からの洗
浄液Ｌによって、ステージ１０１に載置された半導体ウ
ェハＷの上面を洗浄し、ウェハ下面洗浄ノズル１１９か
らの洗浄液Ｌによって、該半導体ウェハＷの下面、即ち
研磨面を洗浄する。更に、トップリング下面洗浄ノズル
１１０からの洗浄液Ｌによって、トップリング２３の下
面、即ち半導体ウェハ吸着面を洗浄し、押圧リング洗浄
ノズル１１１〜１１７からの洗浄液Ｌによって、押圧リ
ング５０の側面及び底面、特に、押圧リング５０に形成
されたドレン穴８６内の洗浄を行なう。これにより、こ
れら各面に付着している砥液や研磨屑などが除去され
る。上述したように、押圧リング５０の側面及び押圧リ
ング５０のドレン穴８６の内面はフッ素樹脂によりコー
ティングされているので、その撥水作用により、押圧リ
ング洗浄ノズル１１１〜１１７から洗浄液Ｌを噴射する
だけでこれらの面に付着した砥液等を簡単に除去するこ
とが可能である。

【００５９】なお、各洗浄ノズル１１０〜１１９による
洗浄液Ｌの噴射は同時に開始されるが、ウェハ上面洗浄
ノズル１１８及びウェハ下面洗浄ノズル１１９の噴射時
間の方が、押圧リング洗浄ノズル１１１〜１１７及びト
ップリング下面洗浄ノズル１１０の噴射時間よりも長く
なるように設定されている。したがって、押圧リング洗
浄ノズル１１１〜１１７及びトップリング下面洗浄ノズ
ル１１０からの洗浄液Ｌの噴射によって押圧リング洗浄
又はトップリング２３の下面から半導体ウェハＷの上に
砥液などの付着物が落ちたとしても、半導体ウェハＷが
より長く洗浄されることとなるので、半導体ウェハＷに
残留物が残らない。

【００６０】このようにして洗浄された半導体ウェハＷ
は、図１に示す搬送ロボット４ｂに渡され、プッシャー
１４のステージ１０１には、搬送ロボット４ｂによって
次に研磨する半導体ウェハＷが載置される。

【００６１】次に、研磨部１ａ又は１ｂのドレッサー洗
浄装置１８について図１１及び図１２を参照して詳細に
説明する。図１１は、研磨部１ａ又は１ｂのドレッサー
洗浄装置１８の縦断面図、図１２は、図１１に示すドレ
ッサー洗浄装置１８の外観を示す斜視図である。ドレッ
サー洗浄装置１８は、上述したように、ドレッサー３３
の待機位置に配置されており、図１１に示すように、洗
浄容器１２０と、該洗浄容器１２０を着脱自在に覆う直
方体状のカバー１２１とを備えている。このカバー１２
１の側壁１２１ａと天板１２１ｂには、図１２に示すよ
うに、ドレッサー３３とドレッサーシャフト３２の形状
に応じた開口１２１ｃが形成されており、揺動アーム３
１によって待機位置に移動されたドレッサー３３をドレ
ッサー洗浄装置１８の内部に導入可能としている。な
お、後述する洗浄液がドレッサー洗浄装置１８の外部に
飛散するのを防止するために、開口１２１ｃに可動式の
扉を設けてもよい。

【００６２】ドレッサー洗浄装置１８には、ドレッサー
３３の上面に洗浄液Ｌを噴射する上側洗浄ノズル１２２
と、ドレッサー３３の下面に洗浄液Ｌを噴射する下側洗
浄ノズル１２３とが設けられている。また、これらのノ
ズル１２２，１２３の反対側には、ドレッサー３３の上
面に水を供給する給水ノズル１２４とブラシ１２５が配
置されており、このブラシ１２５は、図１１に示すよう
に、ドレッサー洗浄装置１８内に導入されたドレッサー
３３の側面と接触可能に配置されている。

【００６３】洗浄容器１２０の底部には、傾斜した排出
流路１２０ａが設けられており、外部との間に設けられ
た開閉弁（図示せず）によって洗浄液Ｌの貯留又は排出
のいずれかを選択することができる。なお、ドレッサー
洗浄装置１８には、上記ノズル１２２，１２３，１２４
に洗浄液Ｌを圧送する洗浄液供給手段と、ドレッサー洗
浄装置１８の動作を制御する制御手段とが設けられてい
る（いずれも図示せず）。

【００６４】次に、本実施形態におけるドレッサー洗浄
装置１８の動作について説明する。ドレッシング処理が
終了した後、ドレッサー３３を上昇させ、揺動アーム３
１を旋回させてドレッサー３３を待機位置に移動させ
る。このとき、ドレッサー３３は、ドレッサー洗浄装置
１８のカバー１２１の側面の開口１２１ｃからドレッサ
ー洗浄装置１８内に導入される。

【００６５】ドレッサー洗浄装置１８では、ドレッサー
３３を下降させて、予め溜めておいた所定量の純水など
の洗浄液Ｌにドレッシング部材３４を浸漬させて粗洗浄
を行う。なお、このときに必要に応じてドレッサー３３
を回転あるいは上下動させてもよい。

【００６６】次に、ドレッサー３３を上昇させて洗浄液
溜まりから出し、図１１に示すように、洗浄ノズル１２
２，１２３から洗浄液Ｌを例えば１ｋｇｆ／ｃｍ^２程度
の圧力で噴射して洗浄を行う。なお、洗浄ノズル１２
２，１２３からの洗浄液Ｌの噴射量、圧力、時間、回数
等は適宜に設定する。この洗浄中はドレッサー３３を所
定の回転数で回転させる。このとき、給水ノズル１２４
からブラシ１２５に純水を供給し、ドレッサー３３の側
面に接触するブラシ１２５がドレッサー３３の回転によ
り側面に付着した研磨屑や砥液などの付着物を払拭す
る。なお、ドレッサー３３の回転による遠心力を利用し
て研磨屑等を含む洗浄液Ｌを飛散させることもできる。

【００６７】ここで、ドレッサー３３の表面は、上述し
たようにフッ素樹脂で被覆されており、ドレッシング工
程においてドレッサー３３に付着した砥液や研磨屑は、
ドレッサー３３表面のフッ素樹脂の撥水効果によって水
滴状に弾かれた状態となっている。したがって、ドレッ
サー洗浄装置１８においては、ドレッサー３３の表面に
水をかけるだけで容易に付着物を除去することが可能と
なる。また、上記上側ノズル１２２と下側ノズル１２３
とによりドレッサーの上面と下面の双方に対して洗浄液
Ｌが強力に噴射されるので、上記付着物を確実に除去す
ることができる。また、本実施形態のように、粗洗浄、
洗浄ノズル１２２，１２３によるシャワー洗浄、ブラシ
洗浄を組み合わせて行うことで、洗浄時間の短縮、洗浄
液の少量化、清浄度の向上等を図ることができ、研磨布
１０に対して高い清浄度のドレッシング部材３４を提供
して、研磨布１０を汚さずにドレッシングを行い、結果
的に品質の良い研磨を行うことができる。

【００６８】洗浄工程を終えたドレッサー３３は、トッ
プリング２３による研磨処理の終了後に揺動アーム３１
を旋回させてドレッシング位置に戻される。なお、洗浄
終了後、次回のドレッシング工程までに待機時間がある
場合には、砥液による汚染等を防ぐためにドレッサー３
３をドレッサー洗浄装置１８内に置く方が好ましい。こ
の場合、ドレッシング部材３４の乾燥を防止するために
洗浄ノズル１２２，１２３又は１２４から低流量で連続
的に又は間欠的に純水を供給するようにしてもよい。

【００６９】さてこれまで本発明の一実施形態について
説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、そ
の技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施
されてよいものであり、以下、これら異なる形態につい
て説明する。上述した実施形態においては、トップリン
グに押圧リングが取り付けられ、該押圧リングの表面が
フッ素樹脂で被覆されている場合について説明したが、
押圧リングが取り付けられていないトップリングについ
ても本発明を適用することができる。この場合には、上
述したドレッサーと同様に、トップリング２３の表面を
フッ素樹脂で被覆する。これにより、研磨中にトップリ
ングに付着した砥液や研磨屑はその表面のフッ素樹脂の
撥水効果によって水滴状に弾かれるので、トップリング
表面に水をかけるだけでこれらの付着物を容易に除去す
ることが可能となる。

【００７０】上記実施形態では、プッシャー１４におい
て、研磨後の半導体ウェハＷをステージ１０１に載置し
た後にトップリング２３及び半導体ウェハＷの洗浄処理
が行なわれることとしたが、半導体ウェハＷを直ぐにス
テージ１０１に載置せず、トップリング２３に保持した
ままトップリング下面洗浄ノズル１１０から洗浄液を噴
射し、半導体ウェハＷの下面、即ち研磨面を洗浄するこ
ととしてもよい。

【００７１】また、上述したドレン穴８６の形状、個
数、配置やプッシャ１４における洗浄ノズル１１０〜１
１９又はドレッサー洗浄装置１８における洗浄ノズル１
２２〜１２４の個数、配置などは図示のものに限られる
ものではない。

【００７２】

【発明の効果】上述したように本発明は、ポリッシング
装置におけるトップリング又はドレッサーの表面をフッ
素樹脂で被覆したことにより、砥液や研磨屑が研磨中に
トップリングに付着しても、あるいは、ドレッシング処
理中にドレッサーに付着しても、砥液や研磨屑はトップ
リング表面又はドレッサー表面のフッ素樹脂の撥水効果
によって水滴状に弾かれるので、トップリング表面又は
ドレッサーの表面に水をかけるだけでこれらの付着物を
容易に除去することが可能となる。これにより、洗浄時
間の短縮、洗浄液の少量化、清浄度の向上等を図ると共
に、研磨布に対して高い清浄度のトップリング又はドレ
ッサーを提供して、研磨対象物の研磨品質を高めること
ができる。

【００７３】また、トップリングに取り付けられる押圧
リングの表面に洗浄液を噴射する複数の洗浄ノズルをト
ップリングの外周に沿って配設したことにより、押圧リ
ングが回転しないように構成されている場合であって
も、複数の洗浄ノズルからの洗浄液の噴射によって、押
圧リングを含めたトップリングの全周を十分に洗浄する
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態におけるポリッシング装置
を模式的に示す平面図である。

【図２】図１のポリッシング装置の外観を示す斜視図で
ある。

【図３】図１及び図２の研磨部の要部を示す縦断面図で
ある。

【図４】図３に示すトップリングの縦断面図である。

【図５】図４のＶ−Ｖ線矢視図である。

【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線断面図である。

【図７】図４に示す第２押圧リング部材の平面図であ
る。

【図８】図７に示す第２押圧リング部材の縦断面図であ
る。

【図９】図１に示す研磨部のプッシャーを示す平面図で
ある。

【図１０】図９に示す研磨部のプッシャーを示す縦断面
図である。

【図１１】図１に示す研磨部のドレッサー洗浄装置を示
す縦断面図である。

【図１２】図１１に示す研磨部のドレッサー洗浄装置の
外観を示す斜視図である。

【図１３】従来のポリッシング装置を模式的に示す断面
図である。

【図１４】従来の洗浄装置を備えたプッシャーを示す縦
断面図である。

【図１５】従来のポリッシング装置におけるドレッサー
洗浄装置を示す縦断面図である。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ 研磨部 ２ａ，２ｂ 半導体ウェハ収納用カセット ４ａ，４ｂ 搬送ロボット ５， ６ 反転機 ７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂ 洗浄機 １０ 研磨布 １１ 研磨テーブル １１ａ テーブル軸 １２ トップリング装置 １３ ドレッシング装置 １４ プッシャー １５ 砥液供給ノズル １６ 水供給ノズル １７ 枠体 １７ａ 樋 １８ ドレッサー洗浄装置 ２０，３０ 支軸 ２１，３１ 揺動アーム ２２ トップリングシャフト ２３ トップリング ２３Ａ トップリング本体 ２３Ｂ リテーナリング ２４ エアシリンダ ３２ ドレッサーシャフト ３３ ドレッサー ３４ ドレッシング部材 ４１ 弾性マット ４２ 取付フランジ ４４ 駆動軸フランジ ４６ 球ベアリング ４９ 連通孔 ５０ 押圧リング ５６ 上下移動支持ベアリング ８２ 洗浄水供給管 ８６ ドレン穴 １０１ ステージ １０２ 駆動部 １０３ ポリッシャーパン １０４，１０５ 隔壁 １１０ トップリング下面洗浄ノズル １１１〜１１７ 押圧リング洗浄ノズル １１８ ウェハ上面洗浄ノズル １１９ ウェハ下面洗浄ノズル １２０ 洗浄容器 １２１ カバー １２２ 上側洗浄ノズル １２３ 下側洗浄ノズル １２４ 給水ノズル １２５ ブラシ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｍ ６２２Ｇ (72)発明者 岡村 聡 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 磯部 壮一 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 3C047 AA15 AA34 EE11 EE18 FF08 FF19 3C058 AA06 AA09 AA19 AB04 AC04 BA02 BA05 BC01 BC02 CB01 DA17

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 研磨面を有する研磨テーブルと、該研磨
   テーブルの研磨面に研磨対象物を押圧するトップリング
   と、該トップリングを洗浄する洗浄装置とを備えたポリ
   ッシング装置において、 上記トップリングの表面をフッ素樹脂で被覆したことを
   特徴とするポリッシング装置。
2. 【請求項２】 研磨面を有する研磨テーブルと、該研磨
   テーブルの研磨面に研磨対象物を押圧するトップリング
   と、上記研磨テーブルの研磨面の目立てを行なうドレッ
   サーと、該ドレッサーを洗浄する洗浄装置とを備えたポ
   リッシング装置において、 上記ドレッサーの表面をフッ素樹脂で被覆したことを特
   徴とするポリッシング装置。
3. 【請求項３】 上記洗浄装置内において上記ドレッサー
   を回転させる回転機構と、上記洗浄装置内におけるドレ
   ッサーの表面に接触するブラシとを設けたことを特徴と
   する請求項２に記載のポリッシング装置。
4. 【請求項４】 研磨面を有する研磨テーブルと、研磨テ
   ーブルの研磨面に研磨対象物を押圧するトップリング
   と、該トップリングを洗浄する洗浄装置とを備え、上記
   トップリングに上記研磨対象物の外周側に位置する研磨
   面を押圧する押圧リングを取り付けたポリッシング装置
   において、 上記押圧リングの表面をフッ素樹脂で被覆したことを特
   徴とするポリッシング装置。
5. 【請求項５】 上記洗浄装置には、洗浄液を上記押圧リ
   ングの表面に噴射する複数の洗浄ノズルを上記トップリ
   ングの外周に沿って配設したことを特徴とする請求項４
   に記載のポリッシング装置。
6. 【請求項６】 上記押圧リングの下部に円周方向に間隔
   をおいて複数のドレン穴を形成すると共に、上記洗浄装
   置の洗浄ノズルを上記ドレン穴に対応する位置に配置し
   たことを特徴とする請求項５に記載のポリッシング装
   置。