KR20210145141A - 개별 구성 요소의 조립을 위한 동적 해제 테이프 - Google Patents
개별 구성 요소의 조립을 위한 동적 해제 테이프 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210145141A KR20210145141A KR1020217029246A KR20217029246A KR20210145141A KR 20210145141 A KR20210145141 A KR 20210145141A KR 1020217029246 A KR1020217029246 A KR 1020217029246A KR 20217029246 A KR20217029246 A KR 20217029246A KR 20210145141 A KR20210145141 A KR 20210145141A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dynamic release
- layer
- component
- release tape
- tape
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 173
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 334
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 102
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 57
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 57
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 27
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 27
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 25
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 40
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
- B32B43/006—Delaminating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2310/00—Treatment by energy or chemical effects
- B32B2310/08—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
- B32B2310/0806—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
- H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68363—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
- Y10T156/1153—Temperature change for delamination [e.g., heating during delaminating, etc.]
- Y10T156/1158—Electromagnetic radiation applied to work for delamination [e.g., microwave, uv, ir, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/19—Delaminating means
- Y10T156/1961—Severing delaminating means [e.g., chisel, etc.]
Abstract
방법은 구성 요소 이송 시스템의 지지 고정구 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계를 포함하며, 개별 구성 요소 조립체는 가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프 및 동적 해제 테이프에 부착된 개별 구성 요소를 포함한다. 방법은 동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 동적 해제 구조체에 광을 조사하는 단계를 포함한다.
Description
우선권 주장
본 출원은 2019 년 5 월 6 일에 출원된 미국 특허 출원 제 62/843,904 호 및 2019 년 2 월 15 일에 출원된 미국 특허 출원 제 62/806,154 호의 우선권을 주장하며, 이들 출원의 내용이 전체적으로 여기에 참조로서 인용된다.
본 설명은 개괄적으로, 기판 상으로의 개별 구성 요소의 조립에 관한 것이다.
일 양태에서, 방법은 구성 요소 이송 시스템의 지지 고정구 상에, 가요성 지지 층과 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프 및 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 포함하는, 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계 및 동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 동적 해제 구조체를 조사(照射)하는 단계를 포함하며, 개별 구성 요소 조립체가 지지 고정구 상에 위치된 경우 가요성 지지 층의 적어도 일부가 독립형이다.
실시예는 다음의 특징 중 하나 이상을 가질 수 있다.
지지 고정구 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 지지 고정구의 프레임 상에 개별 구성 요소 조립체의 웨이퍼 링을 장착하는 단계를 포함한다.
방법은 개별 구성 요소를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계를 포함한다. 개별 구성 요소를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계는 동적 해제 구조체의 구성 요소 접착 층에 개별 구성 요소를 접착하는 단계를 포함한다. 개별 구성 요소를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계는 개별 구성 요소를 다이싱 테이프로부터 동적 해제 테이프로 이송하는 단계를 포함한다.
방법은 웨이퍼를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계를 포함한다. 웨이퍼를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계는 웨이퍼를 동적 해제 구조체의 구성 요소 접착 층에 접착하는 단계를 포함한다. 방법은 개별 구성 요소를 형성하기 위해 접착 웨이퍼를 다이싱하는 단계를 포함한다. 투명 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 개별 구성 요소를 포함하는 동적 해제 테이프를 지지 고정구의 지지 플레이트에 부착하는 단계를 포함한다. 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 흡입력을 인가함으로써 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 유지하는 단계를 포함한다.
동적 해제 구조체를 조사하는 단계는 구성 요소 이송 시스템의 광원으로부터의 광을 동적 해제 구조체에 조사하는 단계를 포함한다.
일 양태에서, 방법은 구성 요소 이송 시스템의 지지 고정구 상에, 가요성 지지 층과 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프 및 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 포함하는, 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계로서, 지지 고정구의 지지 플레이트 상에 직접 동적 해제 테이프의 가요성 지지 층을 위치시키는 단계를 포함하는 지지 고정구 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계 및 동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 동적 해제 구조체를 조사하는 단계를 포함한다.
실시예는 다음의 특징 중 하나 이상을 가질 수 있다.
지지 고정구 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 지지 고정구의 프레임 상에 개별 구성 요소 조립체의 웨이퍼 링을 장착하는 단계를 포함한다.
방법은 동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 지지 플레이트를 통해 동적 해제 구조체를 조사하는 단계를 포함한다. 방법은 개별 구성 요소가 지지 플레이트와 표적 기판 사이에 위치되도록 구성 요소 이송 시스템을 배향시키는 단계를 포함한다.
지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 강성의 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계를 포함한다.
지지 고정구 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 가요성 지지 층을 지지 플레이트에 직접 부착하는 단계를 포함한다.
지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 흡입력을 인가함으로써 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 유지하는 단계를 포함한다.
지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 지지 플레이트에 걸쳐 동적 해제 테이프를 신장시키는 단계를 포함한다.
방법은 개별 구성 요소를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계를 포함한다. 개별 구성 요소를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계는 동적 해제 구조체의 구성 요소 접착 층에 개별 구성 요소를 접착하는 단계를 포함한다. 개별 구성 요소를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계는 개별 구성 요소를 다이싱 테이프로부터 동적 해제 테이프로 이송하는 단계를 포함한다.
방법은 웨이퍼를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계를 포함한다. 웨이퍼를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계는 웨이퍼를 동적 해제 구조체의 구성 요소 접착 층에 접착하는 단계를 포함한다. 방법은 개별 구성 요소를 형성하기 위해 접착 웨이퍼를 다이싱하는 단계를 포함한다. 투명 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 개별 구성 요소를 포함하는 동적 해제 테이프를 지지 고정구의 지지 플레이트에 부착하는 단계를 포함한다. 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 흡입력을 인가함으로써 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 유지하는 단계를 포함한다.
동적 해제 구조체를 조사하는 단계는 구성 요소 이송 시스템의 광원으로부터의 광을 동적 해제 구조체에 조사하는 단계를 포함한다.
일 양태에서, 개별 구성 요소 이송 시스템은 광원, 지지 프레임 및 지지 프레임 상에 위치되며 광원에 의해 방출된 광에 대해 투과성인 지지 플레이트를 포함하는 개별 구성 요소 지지 고정구, 및 광원과 지지 프레임 사이에 배치된 광학 요소를 포함한다.
실시예는 다음의 특징 중 하나 이상을 가질 수 있다.
시스템은 지지 플레이트에 대해 개별 구성 요소 조립체의 가요성 지지 층을 유지하기 위해 개별 구성 요소 지지 고정구의 공기 유동 채널에 흡입력을 인가하도록 구성된 흡입력 공급원을 포함한다.
시스템은 가요성 지지 층과 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프; 및 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 포함하는 개별 구성 요소 조립체를 포함하며, 동적 해제 테이프의 가요성 지지 층이 지지 플레이트 상에 직접 위치되며 개별 구성 요소 지지 고정구의 공기 유동 채널을 통한 흡입력에 의해 제자리에 유지된다. 공기 유동 채널이 지지 프레임의 두께를 통해 형성된다. 공기 유동 채널이 지지 플레이트의 두께를 통해 형성된다.
지지 플레이트의 상부 표면이 개별 구성 요소 지지 고정구 상에 유지된 동적 해제 테이프에 인장 응력을 도입하기에 충분한 양만큼 지지 프레임의 상부 표면으로부터 오정렬된다.
지지 플레이트가 유리 플레이트를 포함한다.
지지 플레이트가 유리 플레이트를 포함한다.
지지 플레이트가 강성이다.
광학 요소가 렌즈를 포함한다.
일 양태에서, 개별 구성 요소 이송 시스템은 광원; 개별 구성 요소 지지 고정구; 개별 구성 요소 지지 고정구 상에 배치된 개별 구성 요소 조립체로서, 가요성 지지 층과 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프; 및 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 포함하며, 개별 구성 요소 조립체가 개별 구성 요소 지지 고정구 상에 배치된 경우 동적 해제 테이프가 독립형 것인 개별 구성 요소 조립체; 및 광원과 개별 구성 요소 조립체 사이에 배치된 광학 요소를 포함한다.
실시예는 다음의 특징 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
개별 구성 요소 조립체가 개별 구성 요소 지지 고정구 상에 배치된 웨이퍼 링을 포함한다.
일 양태에서, 방법은 개별 구성 요소를 형성하기 위해 다이싱 테이프에 접착된 웨이퍼를 다이싱하는 단계; 가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 개별 구성 요소 조립체를 형성하기 위해 다이싱 테이프로부터 동적 해제 테이프로 개별 구성 요소를 이송하는 단계; 및 구성 요소 이송 시스템의 지지 플레이트 상에 직접 개별 구성 요소 조립체의 가요성 지지 층을 위치시키는 단계를 포함한다.
실시예는 다음의 특징 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
동적 해제 테이프로 개별 구성 요소를 이송하는 단계는 동적 해제 구조체의 구성 요소 접착 층에 개별 구성 요소를 접착하는 단계를 포함한다.
동적 해제 테이프의 동적 해제 구조체가 다수의 층을 포함한다. 동적 해제 구조체가 활성 층 구조체 및 구성 요소 접착 층을 포함하며, 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계는 구성 요소 접착 층에 웨이퍼를 접착하는 단계를 포함한다.
지지 플레이트 상에 직접 가요성 지지 층을 위치시키는 단계는 가요성 지지 층을 지지 플레이트에 직접 부착하는 단계를 포함한다.
지지 플레이트 상에 직접 가요성 지지 층을 위치시키는 단계는 흡입력을 인가함으로써 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 유지하는 단계를 포함한다.
지지 플레이트 상에 직접 가요성 지지 층을 위치시키는 단계는 지지 플레이트에 걸쳐 동적 해제 테이프를 신장시키는 단계를 포함한다.
방법은 동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 지지 플레이트를 통해 개별 조립체의 동적 해제 구조체에 광을 조사하는 단계를 포함한다.
일 양태에서, 방법은 개별 구성 요소를 형성하기 위해 다이싱 테이프에 접착된 웨이퍼를 다이싱하는 단계; 가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 개별 구성 요소 조립체를 형성하기 위해 다이싱 테이프로부터 동적 해제 테이프로 개별 구성 요소를 이송하는 단계; 및 동적 해제 테이프의 적어도 일부가 독립형이도록 구성 요소 이송 시스템에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계를 포함한다.
실시예는 다음의 특징 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
방법은 동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 독립형 동적 해제 테이프를 조사하는 단계를 포함한다.
동적 해제 테이프의 동적 해제 구조체가 다수의 층을 포함한다. 동적 해제 구조체가 활성 층 구조체 및 구성 요소 접착 층을 포함하며, 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계는 구성 요소 접착 층에 웨이퍼를 접착하는 단계를 포함한다.
일 양태에서, 방법은 독립형 가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계; 및 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 형성하기 위해 접착 웨이퍼를 다이싱하는 단계를 포함한다.
실시예는 다음의 특징 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
웨이퍼를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계는 웨이퍼를 동적 해제 구조체의 구성 요소 접착 층에 접착하는 단계를 포함한다.
동적 해제 테이프의 동적 해제 구조체가 다수의 층을 포함한다. 동적 해제 구조체가 활성 층 구조체 및 구성 요소 접착 층을 포함하며, 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계는 구성 요소 접착 층에 웨이퍼를 접착하는 단계를 포함한다.
일 양태에서, 방법은 가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 부착하는 단계; 개별 구성 요소 조립체를 포함하는, 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 형성하기 위해 접착 웨이퍼를 다이싱하는 단계; 및 개별 구성 요소 조립체의 가요성 지지 층을 구성 요소 이송 시스템의 지지 플레이트 상에 직접 위치시키는 단계를 포함한다.
실시예는 다음의 특징 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
가요성 지지 층을 지지 플레이트 상에 직접 위치시키는 단계는 동적 해제 테이프의 가요성 지지 층을 지지 플레이트에 직접 부착하는 단계를 포함한다.
가요성 지지 층을 지지 플레이트 상에 직접 위치시키는 단계는 흡입력을 인가함으로써 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 유지하는 단계를 포함한다.
가요성 지지 층을 지지 플레이트 상에 위치시키는 단계는 지지 플레이트에 걸쳐 동적 해제 테이프를 신장시키는 단계를 포함한다.
방법은 동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 지지 플레이트를 통해 개별 조립체의 동적 해제 구조체에 광을 조사하는 단계를 포함한다.
동적 해제 테이프의 동적 해제 구조체가 다수의 층을 포함한다. 동적 해제 구조체가 활성 층 구조체 및 구성 요소 접착 층을 포함하며, 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계는 구성 요소 접착 층에 웨이퍼를 접착하는 단계를 포함한다.
일 양태에서, 방법은 가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계; 개별 구성 요소 조립체를 포함하는, 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 형성하기 위해 접착 웨이퍼를 다이싱하는 단계; 및 동적 해제 테이프의 적어도 일부가 독립형이도록 구성 요소 이송 시스템에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계를 포함한다.
실시예는 다음의 특징 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
방법은 동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 독립형 동적 해제 테이프를 조사하는 단계를 포함한다.
동적 해제 테이프의 동적 해제 구조체가 다수의 층을 포함한다. 동적 해제 구조체가 활성 층 구조체 및 구성 요소 접착 층을 포함하며, 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계는 구성 요소 접착 층에 웨이퍼를 접착하는 단계를 포함한다.
일 양태에서, 장치는 가요성 지지 층; 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프를 포함한다.
실시예는 다음의 특징 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
동적 해제 테이프가 동적 해제 테이프로부터의 개별 구성 요소의 레이저 이송을 가능하게 하기에 충분히 강성이다.
동적 해제 테이프가 동적 해제 테이프로부터의 개별 구성 요소의 레이저 이송 동안 실질적으로 평면형 구성을 유지하기에 충분히 강성이다. 가요성 지지 층이 중합체를 포함한다. 동적 해제 구조체가 다수의 층을 포함한다. 동적 해제 구조체가 가요성 지지 층 상에 배치되며 가요성 지지 층에 접착되도록 구성되며 광 조사에 응답하여 가스를 생성하도록 구성된 흡수 및 접착 층; 및 흡수 및 접착 층 상에 배치된 활성 층을 포함한다. 활성 층이 흡수 및 접착 층에 의한 가스의 생성에 기계적으로 응답하도록 구성된 블리스터 형성 층을 포함한다. 동적 해제 구조체가 가요성 지지 층 상에 배치되며 가요성 지지 층에 접착되도록 구성된 접착 층; 및 접착 층 상에 배치된 활성 층 구조체를 포함한다. 활성 층 구조체가 광 조사에 응답하여 가스를 생성하도록 구성되며 가스 생성에 기계적으로 응답하도록 구성된 흡수 및 블리스터 형성 층을 포함한다. 활성 층 구조체가 접착 층 상에 배치되며 광 조사에 응답하여 가스를 생성하도록 구성된 흡수 층 및 흡수 층에 의한 가스 생성에 기계적으로 응답하도록 구성된 블리스터 형성 층을 포함한다. 동적 해제 구조체의 층 중 하나가 구성 요소 접착 층을 포함한다. 구성 요소 접착 층의 접착력은 자극 인가에 응답성을 갖는다.
테이프가 신장 가능하다.
가요성 지지 층이 자외선 투과성이다.
장치는 동적 해제 구조에 접착된 개별 구성 요소를 포함한다. 개별 구성 요소가 발광 다이오드(LED)를 포함한다.
일 양태에서, 방법은 동적 해제 테이프를 형성하기 위해 가요성 지지 층 상에 동적 해제 구조체를 형성하는 단계를 포함한다.
실시예는 다음의 특징 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
동적 해제 구조체를 형성하는 단계는 가요성 지지 층 상에 다수의 층을 형성하는 단계를 포함한다. 동적 해제 구조체를 형성하는 단계는 가요성 지지 층 상에, 가요성 지지 층에 접착되도록 구성되며 광 조사에 응답하여 가스를 생성하도록 구성된 흡수 및 접착 층을 형성하는 단계; 및 흡수 및 접착 층 상에 활성 층을 형성하는 단계를 포함한다. 활성 층이 흡수 및 접착 층에 의한 가스 생성에 기계적으로 응답하도록 구성된 블리스터 형성 층을 포함한다. 동적 해제 구조체를 형성하는 단계는 가요성 지지 층 상에 가요성 지지 층에 접착되도록 구성된 접착 층을 형성하는 단계; 및 접착 층 상에 활성 층 구조체를 형성하는 단계를 포함한다. 활성 층 구조체가 광 조사에 응답하여 가스를 생성하도록 구성되며 가스 생성에 기계적으로 응답하도록 구성된 흡수 및 블리스터 형성 층을 포함한다. 활성 층 구조체를 형성하는 단계는 접착 층 상에, 광 조사에 응답하여 가스를 생성하도록 구성된 흡수 층을 형성하는 단계 및 흡수 층에 의한 가스 생성에 기계적으로 응답하도록 구성된 블리스터 형성 층을 형성하는 단계를 포함한다.
일 양태에서, 동적 해제 장치는 가요성 지지 층; 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체로서, 가요성 지지 층 상에 배치되며 가요성 지지 층에 접착되도록 구성된 접착 층 및 접착 층 상에 배치된 활성 층 구조체를 포함하는 동적 해제 지지 구조체를 포함한다.
실시예는 다음의 특징 중 하나 이상을 가질 수 있다.
활성 층 구조체가 광 조사에 응답하여 가스를 생성하도록 구성되며 가스 생성에 기계적으로 응답하도록 구성된 흡수 및 블리스터 형성 층을 포함한다.
활성 층 구조체가 접착 층 상에 배치되며 광 조사에 응답하여 가스를 생성하도록 구성된 흡수 층 및 흡수 층에 의한 가스 생성에 기계적으로 응답하도록 구성된 블리스터 형성 층을 포함한다.
동적 해제 구조체가 구성 요소 접착 층을 포함한다.
일 양태에서, 방법은 가요성 지지 층과 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프 및 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 포함하는 개별 구성 요소 조립체를 구성 요소 이송 시스템의 지지 고정구 상에 위치시키는 단계를 포함한다. 방법은 동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 동적 해제 구조체를 조사하는 단계를 포함한다.
일 양태에서, 개별 구성 요소 이송 시스템은 광원, 지지 프레임 및 지지 프레임 상에 위치되며 광원에 의해 방출된 광에 대해 투과성인 지지 플레이트를 포함하는 개별 구성 요소 지지 고정구, 및 광원과 지지 프레임 사이에 배치된 광학 요소를 포함한다.
일 양태에서, 개별 구성 요소 이송 시스템은 광원; 개별 구성 요소 지지 고정구; 및 개별 구성 요소 지지 고정구 상에 배치된 개별 구성 요소 조립체를 포함한다. 개별 구성 요소 조립체는 가요성 지지 층과 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프 및 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 포함한다. 개별 구성 요소 이송 시스템은 광원과 개별 구성 요소 조립체 사이에 배치된 광학 요소를 포함한다.
일 양태에서, 방법은 개별 구성 요소를 형성하기 위해 다이싱 테이프에 접착된 웨이퍼를 다이싱하는 단계; 및 가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 개별 구성 요소 조립체를 형성하기 위해 다이싱 테이프로부터 동적 해제 테이프로 개별 구성 요소를 이송하는 단계를 포함한다.
일 양태에서, 방법은 가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계; 및 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 형성하기 위해 접착 웨이퍼를 다이싱하는 단계를 포함한다.
일 양태에서, 장치는 가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프를 포함한다.
일 양태에서, 방법은 동적 해제 테이프를 형성하기 위해 가요성 지지 층 상에 동적 해제 구조체를 형성하는 단계를 포함한다. 일 양태에서, 동적 해제 장치는 지지 층; 및 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체로서, 지지 층 상에 배치되며 지지 층에 접착되도록 구성된 접착 층 및 접착 층 상에 배치된 활성 층 구조체를 포함하는 동적 해제 구조체를 포함한다.
도 1a 및 도 1b는 레이저 보조 이송 공정의 선도이다.
도 2a 및 도 2b는 지지 고정구를 갖는 동적 해제 테이프의 선도이다.
도 3은 지지 고정구를 갖는 동적 해제 테이프의 선도이다.
도 4 및 도 5는 개별 구성 요소의 레이저 보조 이송용 시스템의 선도이다.
도 6 및 도 7은 공정도이다.
도 8a 내지 도 8c는 지지 플레이트 상에 장착된 다층 동적 해제 테이프의 선도이다.
도 9a 내지 도 9c는 다층 동적 해제 구조체의 선도이다.
도 10은 지지 고정구를 갖는 동적 해제 테이프의 선도이다.
도 2a 및 도 2b는 지지 고정구를 갖는 동적 해제 테이프의 선도이다.
도 3은 지지 고정구를 갖는 동적 해제 테이프의 선도이다.
도 4 및 도 5는 개별 구성 요소의 레이저 보조 이송용 시스템의 선도이다.
도 6 및 도 7은 공정도이다.
도 8a 내지 도 8c는 지지 플레이트 상에 장착된 다층 동적 해제 테이프의 선도이다.
도 9a 내지 도 9c는 다층 동적 해제 구조체의 선도이다.
도 10은 지지 고정구를 갖는 동적 해제 테이프의 선도이다.
여기서, 구성 요소 이송 시스템의 지지 플레이트 상에 위치된 박형의 가요성 동적 해제 테이프로부터의 개별 구성 요소의 레이저 보조 이송에 대한 접근 방식이 설명된다. 동적 해제 테이프는 백킹(backing)과 같은 지지 층 상에 배치된 다층 동적 해제 구조체를 포함한다. 동적 해제 구조체의 각각의 층은 특별히 접착, 광학 특성 또는 기계적 특성과 같은 동적 해제 구조체의 하나 이상의 기능을 목표로 하도록 설계될 수 있다. 또한, 캐리어 기판 상에 배치되는 동적 해제 테이프로부터의 개별 구성 요소의 레이저 보조 이송이 설명된다.
도 1a 및 도 1b에는 강성 또는 가요성 기판 상으로의 개별 구성 요소(102)의 높은 처리량의, 저비용 무접촉 조립을 위한 레이저 보조 이송 공정이 도시되어 있다. 개별 구성 요소라는 용어는 일반적으로, 예를 들어, 제품 또는 전자 장치의 일부가 될 임의의 유닛, 예를 들어, 전자, 전기 기계, 광전지, 광전자 또는 광전자 구성 요소, 모듈 또는 시스템, 예를 들어, 반도체 재료로 이루어진 부분에 형성된 회로를 갖는 임의의 반도체 재료를 의미한다. 일부 예에서, 개별 구성 요소가 발광 다이오드(LED)일 수 있다. 개별 구성 요소는 최대 두께가 50 ㎛ 이하, 40 ㎛ 이하, 30 ㎛ 이하, 25 ㎛ 이하, 20 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이하, 또는 5 ㎛ 이하인 초박형일 수 있다. 개별 구성 요소가 최대 길이 또는 폭 치수가 일 측면당 300 ㎛, 일 측면당 100 ㎛, 일 측면당 50 ㎛, 일 측면당 20 ㎛ 또는 일 측면당 5 ㎛ 이하인 초소형일 수 있다. 개별 구성 요소가 초박형 및 초소형일 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 개별 구성 요소(102)의 레이저 보조 이송을 위한 구성 요소 이송 시스템의 지지 고정구(100)의 일부를 보여준다. 지지 고정구(100)는 레이저 보조 이송 공정을 위해 가요성 개별 구성 요소 조립체(108)를 제 위치에 유지한다. 지지 고정구(아래에서 더 상세히 설명됨)는 프레임(도시하지 않음; 아래에서 더 상세히 설명됨) 상에 장착된 강성 지지 플레이트(106)를 포함할 수 있다. 프레임은 강성 지지 플레이트(106)에 안정성을 제공한다. 일부 예에서, 프레임이, 예를 들어, 정렬 목적으로 조작될 수 있다. 개별 구성 요소 조립체(108)는 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이 흡입력, 인장 응력에 의해 또는 다른 방식으로 지지 플레이트(106)에 부착될 수 있다. 지지 플레이트(106) 상의 개별 구성 요소 조립체(108)의 위치 설정은 비영구적이므로, 예를 들어, 지지 플레이트(106)를 손상시키지 않고 레이저 보조 이송 공정이 완료된 후 개별 구성 요소 조립체(108)가 지지 플레이트(106)로부터 제거될 수 있다. 지지 플레이트(106) 상의 개별 구성 요소 조립체(108)의 비영구적인 부착에 의해 지지 플레이트(106)가 다수의 개별 구성 요소 조립체(108)를 포함하는 다수의 이송 공정에 이용 가능하다.
개별 구성 요소 조립체(108)는 웨이퍼 링(도시하지 않음) 상에 장착된 동적 해제 테이프(110)를 포함하며, 개별 구성 요소(102)가 동적 해제 테이프(110)에 부착된다. 여기서는 단일 개별 구성 요소(102)만을 보여주지만, 다수의 개별 구성 요소(102)가 또한 동적 해제 테이프(110)에 부착되어 구성 요소 이송 시스템에 의해 이송될 수 있다. 동적 해제 테이프(예를 들어, 테이프(110))는 가요성 지지 층(112) 및 가요성 지지 층(112) 상에 배치된 동적 해제 구조체(114)를 포함하는 테이프이다. 테이프는 하나 이상의 층으로 구성된 박형의 가요성 재료이다. 가요성 지지 층(112)이 지지 고정구(100)의 지지 플레이트(106)와 접촉하며, 개별 구성 요소(102)가 동적 해제 구조체(114)에 부착된다. 동적 해제 구조체(114)가 아래에서 더 상세히 논의되는 바와 같이 2 개, 3 개, 4 개 또는 4 개를 초과하는 층을 구비한 구조체와 같은 다층 구조체일 수 있다.
또한 도 1b를 참조하면, 레이저 보조 이송 공정에서, 지지 플레이트(106)의 배면에 광, 예를 들어, 레이저 빔과 같은 방사선(116)이 조사된다. 지지 플레이트(106) 및 동적 해제 테이프(110)의 가요성 지지 층(112)이 모두 방사선(116)의 파장(예를 들어, 레이저 에너지)에 대해 투과성이다. 주어진 파장에 대해 투과성인 요소는 주어진 파장의 적어도 일부 방사선이 통과하는 요소이다. 방사선(116)은 지지 플레이트(106) 및 동적 해제 테이프(110)의 가요성 지지 층(112)을 통과하여 동적 해제 구조체(114)의 영역에 입사되어, 방사선(116)이 입사되는 영역(이를 조사 영역이라고 함)에서 동적 해제 구조체(114)의 일부 두께의 절제가 야기된다. 절제는 팽창되는 제한된 가스를 생성하여, 동적 해제 구조체(114)에 응력을 생성한다. 응력에 의해 동적 해제 구조체(114)의 재료 중 적어도 일부가 변형되어, 블리스터(118)를 형성한다. 블리스터(118)는 개별 구성 요소(102) 상에 기계적 힘을 가한다. 블리스터(118)에 의해 가해진 기계적 힘이 개별 구성 요소(102)와 동적 해제 구조체(114) 사이의 접착을 극복하기에 충분하면, 블리스터(118)에 의해 가해지는 기계적 힘(중력과 함께)이 표적 기판(130)으로의 이송을 위해 개별 구성 요소를 지지 플레이트(106)로부터 멀어지도록(예를 들어, 하향 방향으로) 밀어낸다.
표적 기판(130)이 개별 구성 요소(102)에 매우 근접하여, 예를 들어, 약 5 ㎛ 내지 약 300 ㎛의 거리에 위치될 수 있다. 테이프 기반 개별 구성 요소 조립체(108)를 지지하기 위해 강성 지지 플레이트(106)를 사용하는 것은, 예를 들어, 테이프(110)의 처짐 또는 다른 구조적 변동을 방지함으로써 개별 구성 요소 조립체(108)의 개별 구성 요소(102)와 표적 기판(130) 사이의 일관성 있는 분리를 유지하는 것을 돕는다. 일부 예에서, 지지 플레이트(106)가 고도의 표면 평탄도를 갖출 수 있다. 예를 들어, 지지 플레이트(106)가 고정밀도로 기계 가공될 수 있다.
일부 레이저 보조 이송 공정에서는, 개별 구성 요소가 동적 해제 구조체에 의해 강성의 투명한 캐리어 기판에 부착된다. 개별 구성 요소가 부착된 캐리어 기판이 개별 구성 요소의 레이저 보조 이송을 위한 구성 요소 이송 시스템에 제공된다. 강성의 투명한 지지 플레이트가 구성 요소 이송 시스템 자체에 통합된 여기에 설명된 구성 요소 이송 시스템에 의해, 개별 구성 요소가 강성의 캐리어 기판이 아닌 테이프로부터 이송될 수 있어, 단부 간 개별 구성 요소 이송 공정의 비용(예를 들어, 재료, 제조, 운송 등의 비용)이 감소될 수 있다. 예를 들어, 강성의 캐리어 기판이 동적 해제 테이프보다 훨씬 더 비쌀 수 있다. 또한, 동적 해제 테이프가 일회용이므로, 강성의 캐리어 기판을 보수할 필요가 없으며 이와 관련한 비용이 들지 않는다.
일부 예에서, 개별 구성 요소 이송 공정에 사용되는 동적 해제 테이프는 독립형 테이프이다. 독립형 테이프는 강성 기판에 부착되지 않은 테이프이다. 일부 예에서, 독립형 테이프가 개별 구성 요소 이송 공정의 하나 이상의 단계에서 강성 기판 상에 위치될 수는 있지만 부착되지는 않을 수 있다. 예를 들어, 개별 구성 요소를 테이프에 부착하는 동안, 구성 요소 이송 시스템으로의 도입 동안, 또는 개별 구성 요소의 레이저 보조 이송 동안 독립형 테이프가 강성 기판에 위치될 수 있다.
일부 예에서, 개별 구성 요소 이송 공정에 사용되는 동적 해제 테이프가 독립형 테이프가 아니라, 대신에 테이프에 개별 구성 요소를 부착하는 동안, 구성 요소 이송 시스템으로의 도입 동안 및 개별 구성 요소의 레이저 보조 이송 동안 강성 기판에 부착된다.
레이저 보조 이송 공정에 대한 추가 설명은 미국 특허 공개 공보 제 US 2014/0238592 호에서 찾을 수 있으며, 그 내용이 전체적으로 참조로서 여기에 인용된다.
도 2a 및 도 2b는 레이저 보조 이송 공정을 위해 개별 구성 요소 조립체(208)를 위치시키기 위한 지지 플레이트(206)를 포함하는 예시적인 지지 고정구(200)의 절개도를 보여준다. 지지 플레이트(206)는 레이저 이송 공정에 사용되는 방사선, 예를 들어, 자외선(UV) 광의 파장에 투과성을 갖는 강성 플레이트이다. 예를 들어, 지지 플레이트(206)가 유리 플레이트, 석영 플레이트, 또는 다른 재료의 플레이트일 수 있다. 지지 플레이트(206)가 지지 고정구의 프레임(220) 상에 장착된다. 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같은 일부 예에서, 프레임(220)은 방사선이 지지 플레이트(206)에 도달할 수 있도록 하는 개구(221)를 구비한다. 일부 예에서는, 프레임(220)이 개구를 가지지 않을 수 있으며, 방사선이 프레임(220)을 통해 투과되도록 방사선의 파장에 투과성일 수 있다.
개별 구성 요소 조립체(208)는 웨이퍼 링(222) 상에 장착된 독립형 동적 해제 테이프(210)를 포함하며, 개별 구성 요소(102)가 동적 해제 테이프(210)에 부착된다. 예를 들어, 동적 해제 테이프(210)가 웨이퍼 링(222) 상에서 신장될 수 있다. 도 2a 및 도 2b의 예에서, 동적 해제 테이프(210)는 가요성 지지 층(212)을 포함하며, 가요성 지지 층(212) 상에 다층 동적 해제 구조체(214)가 배치된다. 예시적인 다층 동적 해제 구조체(214)는 접착, 방사선 흡수 및 블리스터 형성 기능을 갖는 다수의 하위 층(224a, 224b) 및 개별 구성 요소(102)에 부착되는 구성 요소 접착 층(226)을 포함한다. 다층 동적 해제 구조체(214)가 아래에서 더 상세히 논의된다.
구체적으로 도 2b를 참조하면, 구성 요소 이송 시스템의 지지 플레이트(206) 상에 개별 구성 요소 조립체(208)를 위치시키기 위해, 웨이퍼 링(222)이 프레임(220)과 접촉되며, 동적 해제 테이프(210)의 가요성 지지 층(212)의 배면이 지지 플레이트(206)와 접촉된다. 이와 같이 위치되면, 웨이퍼 링(222)의 상부 표면(223)이 지지 플레이트(206)의 상부 표면(207)과 실질적으로 수평을 이루어(예를 들어, 정렬되어), 동적 해제 테이프(210)가 그 전체 측방향 범위에 걸쳐 실질적으로 평평하다.
지지 플레이트(206)에 대해 동적 해제 테이프(210)를 유지하기 위해, 예를 들어, 구성 요소 이송 시스템의 흡입력에 의해 공기 유동 채널(228)을 통해 흡입력이 인가된다. 예를 들어, 공기 유동 채널(228)이 구성 요소 이송 시스템(도시된 바와 같음)의 프레임(220)의 두께를 통해 또는 지지 플레이트(206)의 두께를 통해 또는 둘 모두를 통해 획정될 수 있다. 흡입력을 인가하면, 예를 들어, 동적 해제 구조체(214)가 실질적으로 평평하도록 지지 플레이트(206)에 대해 동적 해제 테이프(210)가 단단히 당겨진다.
도 10을 참조하면, 일부 예에서는, 지지 고정구(150)가 프레임(170)을 포함하지만, 지지 플레이트(예를 들어, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같은 지지 플레이트(206))는 포함하지 않는다. 개별 구성 요소 조립체(208)의 웨이퍼 링(222)이 지지 고정구(150)의 프레임(170) 상에 장착되며, 그렇지 않으면 동적 해제 테이프(210)가 레이저 보조 이송 공정을 위해 독립 상태로 유지된다. 동적 해제 테이프(210)가 레이저 보조 이송 공정 기간 동안 실질적으로 평면형의 구성을 유지하기에 충분히 강성인 것과 같이 충분한 강성을 갖추면, 독립형 동적 해제 테이프(210)로부터의 직접적인 레이저 보조 이송이 수행될 수 있다. 예를 들어, 개별 구성 요소 조립체(208)가 프레임(170) 상에 장착된 경우 테이프(210)의 평면에 수직인 방향(z)에서의 동적 해제 테이프(210)의 최대 편차가 임계량보다 더 작도록, 예를 들어, 20 ㎛ 미만, 10 ㎛ 미만, 또는 5 ㎛ 미만이도록 동적 해제 테이프(210)가 충분히 강성일 수 있다.
도 3은 레이저 보조 이송 공정을 위해 개별 구성 요소 조립체(208)를 위치시키기 위한 지지 플레이트(306)를 포함하는 예시적인 지지 고정구(300)의 절개도를 보여준다. 지지 플레이트(306)는 레이저 이송 공정에 사용되는 방사선, 예를 들어, UV 광의 파장에 투과성을 갖는 강성 플레이트이다. 지지 플레이트(306)가 지지 고정구(300)의 프레임(320) 상에 장착된다. 프레임(320)은 방사선이 지지 플레이트(306)에 도달할 수 있도록 하는 개구(321)를 구비한다. 일부 예에서, 방사선이 프레임(320)을 통해 투과되도록 프레임(320)이 방사선의 파장에 투과성일 수 있다.
도 3의 예에서, 개별 구성 요소 조립체(208)가 지지 고정구(300) 상에 위치된 경우, 웨이퍼 링(222)의 상부 표면(223)이 지지 플레이트(306)의 상부 표면(307)보다 아래 높이에 있다(예를 들어, 오정렬된다). 예를 들어, 개별 구성 요소 조립체(208)가 지지 플레이트 상에 위치된 경우 지지 플레이트(306)와 웨이퍼 링(222)이 여전히 오정렬이 상태에 있도록 지지 고정구(300)의 프레임(320)이 지지 플레이트(306)의 상부 표면으로부터 일정량 오정렬될 수 있다. 이러한 오정렬로 인해 지지 플레이트(306)에 대해 동적 해제 테이프(210)를 유지하는 인장 응력이 동적 해제 테이프(210)에 가해져, 예를 들어, 동적 해제 구조체(214)가 실질적으로 평평하다. 인장 응력의 양 및 이에 따라 동적 해제 테이프(210)를 지지 플레이트(306)에 대해 유지하는 힘은 웨이퍼 링(222)의 상부 표면(223)과 지지 플레이트(306)의 상부 표면(307) 사이의 높이차를 변경함으로써 제어될 수 있다.
일부 예에서, 예를 들어, 자기력, 정전기, 기계적 고정을 포함한 접근법이나 다른 접근법을 사용함으로써, 구성 요소 이송 시스템의 지지 플레이트 상에 동적 해제 테이프(210)를 위치시키기 위해 다른 접근법이 사용될 수 있다.
도 4는 구성 요소 이송 시스템(450)의 일 예를 보여준다. 구성 요소 이송 시스템(450)은 프레임(420) 상에 장착된 지지 플레이트(406)를 구비한 지지 고정구(400)를 포함한다. 지지 고정구(400)는 개별 구성 요소 조립체(408)가 지지 플레이트(406) 상에 유지되도록 위치된다. 개별 구성 요소 조립체(408)는 개별 구성 요소(102)가 부착된 동적 해제 테이프(410)를 포함하며, 동적 해제 테이프(410)가 웨이퍼 링(422) 상에 장착되며, 예를 들어, 웨이퍼 링(422) 상에서 신장된다. 예를 들어, 웨이퍼 링(422)이 프레임(420) 상에 위치되며, 신장된 동적 해제 테이프(410)가 지지 플레이트(406)에 대해 유지된다. 개별 구성 요소 조립체(408)에 광원(452), 예를 들어, 레이저로부터의 방사선(예를 들어, UV 광과 같은 광)이 조사될 수 있다. 광원(452)으로부터의 광은 광원(452)과 지지 플레이트(406)의 사이에 배치된 렌즈와 같은 광학 요소(454)에 의해 조작되며, 예를 들어, 집속될 수 있다. 프레임(420)이 광원(452)으로부터의 방사선이 지지 플레이트(406)에 도달할 수 있도록 하는 개구(421)를 구비한다. 기판 홀더(432)에 의해 개별 구성 요소가 레이저 보조 이송 공정에 의해 이송되는 표적 기판(430)이 유지된다.
일부 예에서, 지지 고정구(400)가 흡입력 인가에 의해 지지 플레이트(406)에 대해 별개의 구성 요소 조립체를 유지하도록 구성되는 경우, 구성 요소 이송 시스템(450)이 지지 플레이트(406) 또는 프레임(420)의 하나 이상의 공기 유동 채널(도시하지 않음)에 유체 유동적으로 연결(예를 들어, 튜브(도시하지 않음)에 의해)되는 흡입력 공급원(434)을 포함할 수 있다.
도 5는 광원(552) 및 광학 요소(554)를 구비한 구성 요소 이송 시스템(550)의 일 예를 보여준다. 구성 요소 이송 시스템(550)은 프레임(520)을 포함하는 지지 고정구(500)를 포함한다. 프레임(520)에는 지지 플레이트가 장착되어 있지 않다. 개별 구성 요소 조립체(508)가 프레임(520) 상에 유지되며, 개별 구성 요소 조립체(508)가 웨이퍼 링(522)에 장착된 동적 해제 테이프(510)를 포함한다. 이 구성에서, 개별 구성 요소 조립체(508)의 웨이퍼 링(522)이 프레임(520) 상에 위치되며, 동적 해제 테이프(510)는 레이저 보조 이송 공정 동안 독립형 테이프(강성 기판 또는 지지 플레이트에 의해 지지되지 않는 테이프를 의미함)이다. 개별 구성 요소(102)가 기판 홀더(532)에 의해 유지된 표적 기판(530) 상으로 이송된다.
일부 예에서, 구성 요소 이송 시스템(450, 550)이 다수의 개별 구성 요소의 병렬 이송을 위해 구성될 수 있거나, 전체 내용이 참조로서 여기에 인용된 2018 년 4 월 25 일에 출원된 WO2018/231344에 더 상세히 설명된 바와 같이 단일 구성 요소 이송 모드 및 다수의 구성 요소 이송 모드를 갖도록 구성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 일부 예에서, 개별 구성 요소(602)가 다이싱 공정 후에 동적 해제 테이프(610)로 이송될 수 있다. 하나 이상의 전자 구성 요소(예를 들어, 집적 회로)를 포함하는 웨이퍼(630)가 다이싱 테이프(632)에 부착되며(650), 예를 들어, 웨이퍼 다이싱을 위한 표준 웨이퍼 처리 기술을 사용하여 개별 구성 요소(602)를 형성하도록 다이싱된다(652). 예를 들어, 다이싱 테이프(632)가 웨이퍼 링 상에 장착될 수 있다. 일부 예에서, 다이싱 공정이 다이싱 테이프를 측방향으로 신장시켜, 예를 들어, 다이싱 테이프(632)를 웨이퍼 링 상으로 확장함으로써 개별 구성 요소(602)를 분리하는 단계를 포함할 수 있다.
개별 구성 요소(602)가 동적 해제 테이프(610) 상으로 이송되며(654), 다이싱 테이프(632)가 제거되어(656), 개별 구성 요소(602)가 동적 해제 테이프(610)에 부착된 상태로 남게 된다. 예를 들어, 개별 구성 요소(602)가 동적 해제 테이프(610)의 구성 요소 접착 층에 부착될 수 있다(아래에서 논의됨). 개별 구성 요소(602)가 부착된 동적 해제 테이프(610)가 표적 기판 상으로의 개별 구성 요소(602)의 레이저 보조 이송을 위한 구성 요소 이송 시스템의 투명한 강성의 지지 플레이트(606)에 부착된다(658). 예를 들어, 동적 해제 테이프(610)의 가요성 지지 층이, 예를 들어, 흡입력, 인장 응력에 의해 또는 다른 방식으로 지지 플레이트에 부착된다.
도 7을 참조하면, 일부 예에서, 개별 구성 요소(702)가 동적 해제 테이프(710) 상에서 직접 다이싱될 수 있다. 하나 이상의 반도체 다이(예를 들어, 집적 회로)를 포함하는 웨이퍼(730)가 동적 해제 테이프(710), 예를 들어, 동적 해제 테이프(710)의 구성 요소 접착 층에 접착된다(750). 접착된 웨이퍼(730)가, 예를 들어, 웨이퍼 다이싱을 위한 표준 웨이퍼 처리 기술을 사용하여 개별 구성 요소(702)를 형성하도록 다이싱된다(752). 예를 들어, 동적 해제 테이프(710)가 웨이퍼 링 상에 장착될 수 있다. 일부 예에서, 동적 해제 층 테이프(710)가 신장 가능하며, 다이싱 공정이, 예를 들어, 웨이퍼 링 상의 동적 해제 테이프를 확장함으로써 개별 구성 요소(702)를 분리하기 위해 동적 해제 층 테이프(710)를 측방향으로 신장시키는 단계를 포함할 수 있다.
개별 구성 요소(702)가 부착된 동적 해제 층 테이프(710)가 표적 기판 상으로의 개별 구성 요소(702)의 레이저 보조 이송을 위한 구성 요소 이송 시스템의 투명한 강성의 지지 플레이트(706)에 부착된다(754). 예를 들어, 동적 해제 테이프(710)의 가요성 지지 층이, 예를 들어, 흡입력, 인장 응력에 의해 또는 다른 방식으로 지지 플레이트에 부착된다.
도 7의 공정에는, 다이싱 테이프로부터 동적 해제 층 테이프로 다이싱된 개별 구성 요소(702)를 이송하는 단계가 포함되지 않아, 도 7의 공정이 능률적이고 효율적으로 된다.
도 8a 내지 도 8c를 참조하면, 동적 해제 층 테이프(800, 820, 840)는 가요성 지지 층(812) 및 가요성 지지 층(812) 상에 배치된 다층 동적 해제 구조체(814, 834, 854)를 각각 구비한 다층 테이프일 수 있다. 개별 구성 요소(802)가 각각의 다층 동적 해제 구조체(814, 834, 854)의 일부를 형성하는 구성 요소 접착 층(808)에 의해 동적 해제 구조체(814, 834, 854)에 접착될 수 있다. 다층 동적 해제 구조체(814, 834, 854)는 다양한 조성 및 기능을 갖는 다양한 개수의 층으로 형성될 수 있다. 도 8a 내지 도 8c에 도시된 바와 같이, 동적 해제 층 테이프(800, 820, 840)는 레이저 보조 이송 공정에 사용되는 방사선에 투과성인 구성 요소 이송 시스템의 지지 플레이트(806)와 같은 강성 지지체 상에 위치될 수 있다. 일부 예에서, 동적 해제 층 테이프(800, 820, 840)가 웨이퍼 링에 부착되거나, 달리 사용되는 바와 같이 다른 환경에서 사용될 수 있다.
가요성 지지 층(812)은 레이저 보조 이송 공정에 사용되는 방사선에 투과성인, 예를 들어, UV 광에 투과성인 박형의 가요성 필름이다. 예를 들어, 가요성 지지 층(812)이 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 또는 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA)와 같은 중합체 필름일 수 있다. 가요성 지지 층(812)은 동적 해제 층 테이프(800, 820, 840)가 테이프를 파괴하지 않고 조작, 예를 들어, 말리거나, 구부리거나, 신장될 수 있도록 하기에 충분히 박형이며 가요성이다. 가요성 지지 층(812)이 존재함으로써 동적 해제 층 테이프(800, 820, 840)가, 예를 들어, 강성 기판에 부착되지 않고 취급될 수 있는 충분한 기계적 무결성을 갖는 독립형 테이프가 될 수 있다.
구체적으로 도 8a를 참조하면, 일부 예에서, 동적 해제 층 테이프(800)의 동적 해제 구조체(814)가 가요성 지지 층(812) 상에 배치된 흡수 및 접착 층(804) 및 흡수 및 접착 층(804) 상에 배치된 블리스터 형성 층(도 8a에 도시됨)과 같은 활성 층(805)을 구비한 3층 구조체일 수 있다. 구성 요소 접착 층(808)이 활성 층(805) 상에 배치된다.
흡수 및 접착 층(804)은 이중 기능(가요성 지지 층(812)에 대한 활성 층(805)의 결합 및 레이저 보조 이송 공정 동안 조사로 인한 에너지의 흡수)을 갖는다. 예를 들어, 흡수 및 접착 층(804)은, 예를 들어, 방사선이 테이프(800)에 접착된 개별 구성 요소에 도달하여 개별 구성 요소를 손상시킬 가능성을 방지하기 위해 흡수 및 접착 층(804)에 입사되는 에너지의 적어도 90%, 적어도 95%, 적어도 98%, 또는 적어도 99%를 흡수한다.
흡수 및 접착 층(804)에 의한 에너지 흡수에 의해 층이 절제되어 가스가 생성된다. 인접한 활성 층(805)이 생성 가스에 기계적으로 응답한다. 예를 들어, 도 8a에 도시된 바와 같이, 활성 층(805)이 가스 생성에 응답하여 블리스터가 형성되는(예를 들어, 도 1b에 도시된 바와 같음) 블리스터 형성 층일 수 있다.
도 8b를 참조하면, 일부 예에서, 동적 해제 층 테이프(820)의 동적 해제 구조체(834)가 가요성 지지 층(812) 상에 배치된 접착 층(824) 및 접착 층(824) 상에 배치된 흡수 및 블리스터 형성 층(도 8b에 도시된 바와 같음)과 같은 활성 층(826)을 갖는 3층 구조체일 수 있다. 구성 요소 접착 층(808)이 활성 층(826) 상에 배치된다.
접착 층(824)은 활성 층(826)을 가요성 지지 층(812)에 결합하기에 충분한 접착력을 나타낸다. 도 8b의 예에서, 활성 층(826)은 흡수 및 블리스터 형성 층이다. 활성 층(826)은 레이저 보조 이송 공정 동안 조사로 인한 에너지를 흡수하여, 활성 층(826)에서의 블리스터 형성과 같은 기계적 응답을 유도하는 가스를 생성한다. 예를 들어, 활성 층(826)은 입사 에너지의 적어도 90%, 적어도 95%, 적어도 98%, 또는 적어도 99%를 흡수할 수 있다.
도 8c를 참조하면, 일부 예에서, 동적 해제 층 테이프(840)의 동적 해제 구조체(854)가 가요성 지지 층(812) 상에 배치된 접착 층(844) 및 접착 층(844) 상에 배치된 활성 층 구조체(846)를 갖는 4층 구조체일 수 있다. 구성 요소 접착 층(808)이 활성 층 구조체(846) 상에 배치된다.
접착 층(844)은 활성 층 구조체(846)를 가요성 지지 층(812)에 결합하기에 충분한 접착력을 나타낸다. 활성 층 구조체(846)는 2 개의 층, 즉, 흡수 층(848) 및 블리스터 형성 층(850)을 포함한다. 흡수 층(848)은 레이저 보조 이송 공정 동안 조사로 인한 에너지를 흡수하여, 가스를 생성한다. 예를 들어, 흡수 층(848)은 입사 에너지의 적어도 90%, 적어도 95%, 적어도 98%, 또는 적어도 99%를 흡수할 수 있다. 가스 생성은 블리스터 형성 층(850)에서 블리스터 형성과 같은 기계적 응답을 유도한다.
동적 해제 구조체(예를 들어, 동적 해제 구조체(814, 834, 854))는 다수의 기능, 예를 들어, 가요성 지지 층에 대한 접착, 층 간의 내부 접착, 입사 방사선의 흡수 및 기계적 응답(예를 들어, 블리스터 형성)을 갖는다. 동적 해제 구조체(814, 834, 854)의 다층 특성에 의해 각각의 층이 이러한 기능 중 하나 이상을 달성하도록 특별히 설계되는 것이 허용될 수 있다.
도 8a의 예에서, 흡수 및 접착 층(804)은 지지 층(812)에 접착되어 입사 방사선을 흡수하며, 활성 층(805)에서의 블리스터 형성을 야기하기에 충분한 양의 가스를 생성하도록 설계될 수 있다. 일부 예에서는, 흡수 및 접착 층(804)이 내부 접착을 촉진하도록, 예를 들어, 인접 위치의 개별 구성 요소, 예를 들어, 이송을 위한 개별 구성 요소에 영향을 미칠 가능성이 있는 큰 직경의 블리스터를 초래할 수 있는 블리스터의 박리를 적어도 부분적으로 회피하기 위해 충분한 접착력으로 활성 층(805)에 접착되도록 설계될 수 있다. 흡수 및 접착 층(804)의 설계에서는, 층의 광학 및 접착 특성이 설계의 초점이 될 수 있는 반면, 강도 또는 탄성율과 같은 층의 기계적 특성은 설계에 있어 부차적인 요인일 수 있다. 반대로, 활성 층(805)의 두께 및 조성이, 예를 들어, 원하는 블리스터 형성 반응을 달성하기 위해 기계적 특성에 중점을 두고 설계될 수 있는 반면, 층의 광학 및 접착 특성은 부차적일 수 있다. 일부 예에서는, 활성 층(805)이 목표 크기의 블리스터 형성을 허용하며 파열되지 않는 기계적 특성을 갖추며, 흡수 및 접착 층(804)에 의해 생성된 임의의 가스가 동적 해제 구조체(814)로부터 탈출하는 것을 방지하도록 설계될 수 있다. 예를 들어, 목표 블리스터 크기는 높이-대-직경의 비율이 약 1일 수 있으며 기부 직경이 조사 빔(예를 들어, 레이저 빔)의 직경의 약 3배보다 크지 않을 수 있다. 특정 예에서, 활성 층(805)은 약 2 ㎛ 내지 약 5 ㎛의 두께를 갖는 중합체 필름, 예를 들어, PET 또는 폴리이미드로 이루어진 필름일 수 있다.
또한, 도 8a의 동적 해제 구조체(814)에서, 활성 층(805) 자체는 에너지를 흡수하지 않으므로 부분적으로 절제되지 않는다. 오히려, 인접한 흡수 및 접착 층(804)에서 절제가 발생한다. 활성 층(805)에서 절제가 발생하지 않기 때문에, 활성 층(805)의 두께는 블리스터 위치로 이송된 레이저 에너지의 양에 의해 영향을 받지 않으며, 이것은 활성 층(805)이 조사에 의해 얇아지지 않는다는 것을 의미한다. 절제와 블리스터 형성을 2 개의 별개 층으로 분리하면 더 큰 펄스 에너지를 사용하여 더 큰 블리스터를 생성할 수 있다.
일부 예에서, 개별 구성 요소(802)가 다이싱 테이프(도 6에서와 같이) 또는 다른 공급원 기판으로부터 동적 해제 층 테이프로 이송될 때 또는 웨이퍼가 동적 해제 층 테이프에서 직접 다이싱되어 개별 구성 요소(802)를 형성할 때, 구성 요소 접착 층(808)은 개별 구성 요소(802)를 그 공급원 기판에 유지하는 힘보다 큰 접착 강도를 갖도록 설계될 수 있다. 일부 예에서는, 구성 요소 접착 층(808)과 개별 구성 요소(802) 사이의 상대적으로 낮은 접착력이 레이저 보조 이송 공정 동안 높은 정밀도에 기여할 수 있다. 구성 요소 접착 층(808)은 레이저 보조 이송 공정 이전에 동적 해제 층 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 유지하기에 충분하면서도 가능한 한 낮은 접착 강도를 갖도록 설계될 수 있다. 일부 예에서는, 높은 접착 강도와 낮은 접착 강도를 모두 갖는 구성 요소 접착 층(808)의 이러한 모순되는 기준을 충족시키기 위해, 구성 요소 접착 층(808)이 자외선이나 열과 같은 자극의 인가에 의해 조정될 수 있는 접착 강도를 갖도록 설계될 수 있다. 구성 요소 접착 층(808)의 초기 강한 접착력은 개별 구성 요소(802)의 공급원 기판으로부터 동적 해제 층 테이프로의 신뢰성 있는 이송을 용이하게 할 수 있다. 구성 요소 접착 층(808)의 초기 접착력은 또한, 개별 구성 요소를 형성하기 위해 다이싱 공정 동안 웨이퍼를 지지할 수 있다. 레이저 보조 이송 공정 전에, 자극이 인가되어, 구성 요소 접착 층(808)과 개별 구성 요소(802) 사이의 접착력을 이송 동안 정확한 구성 요소 배치에 기여할 수 있는 수준으로 감소시킬 수 있다.
도 9a 내지 도 9c를 참조하면, 일부 예에서, 다층 동적 해제 구조체(914, 934, 954)가 유리 캐리어 기판과 같은 강성 캐리어 기판(910)에 적용될 수 있다. 개별 구성 요소(902)가 동적 해제 구조체(914, 934, 954)에 의해 강성 캐리어 기판(910)에 접착되어 개별 구성 요소 조립체(900, 920, 940)를 형성할 수 있다. 개별 구성 요소(902)는 강성 캐리어 기판(910)으로부터 직접 레이저 보조 이송 공정에 의해 표적 기판 상으로 이송될 수 있다.
동적 해제 구조체는 단독 테이프로서 제공되어, 예를 들어, 롤 코팅 또는 다른 테이프 적용 방식에 의해 테이프로서 캐리어 기판(910) 상에 적용될 수 있다. 일부 예에서, 동적 해제 구조체가 캐리어 기판 상에 스핀 코팅될 수 있다. 캐리어 기판 상에 테이프 형태의 동적 해제 구조체를 적용하면 스핀 코팅보다 비용 절감, 노동 집약적 처리, 더 효율적인 적용 등의 이점이 있다.
강성 캐리어 기판(910)에 적용하기 위해 테이프 형태로 제공되는 동적 해제 구조체(914, 934, 954)는 도 8a 내지 도 8c와 관련하여 전술한 바와 같은 다층 구조체일 수 있다.
구체적으로 도 9a를 참조하면, 일부 예에서, 동적 해제 구조체(914)는 강성 캐리어 기판(910)에 접착되는 흡수 및 접착 층(904)을 갖는 3층 구조체일 수 있다. 블리스터 형성 층(도 9a에 도시된 바와 같은)과 같은 활성 층(906)이 흡수 및 접착 층(904) 상에 배치된다. 구성 요소 접착 층(908)이 활성 층(906) 상에 배치된다.
흡수 및 접착 층(904)은 이중 기능(강성 캐리어 기판(910)에 대한 활성 층(906)의 결합 및 레이저 보조 이송 공정 동안 조사로 인한 에너지의 흡수)을 갖는다. 흡수 및 접착 층(904)에 의한 에너지 흡수에 의해 층이 절제되어 가스가 생성된다. 생성된 가스가 인접한 활성 층(906)에서의 기계적 응답을 유도한다. 예를 들어, 도 9a에 도시된 바와 같이, 활성 층(906)는 가스 발생에 응답하여 블리스터를 형성하여 개별 구성 요소(902)의 이송을 초래하는 블리스터 형성 층일 수 있다.
도 9b를 참조하면, 일부 예에서, 동적 해제 구조체(934)는 강성 캐리어 기판(910)에 접착되는 접착 층(924) 및 접착 층(924) 상에 배치되는 흡수 및 블리스터 형성 층(도 9b에 도시된 바와 같음)과 같은 활성 층(926)을 갖는 3층 구조체일 수 있다. 구성 요소 접착 층(908)이 활성 층(926) 상에 배치된다. 접착 층(924)은 캐리어 기판(910)에 접착하기에 충분한 접착력을 나타낸다. 도 9b의 예에서, 활성 층(926)은 레이저 보조 이송 공정 동안 조사로 인한 에너지를 흡수하여, 활성 층(926)에서 블리스터 형성과 같은 기계적 응답을 유도하는 가스를 생성하는 흡수 및 블리스터 형성 층이다.
도 9c를 참조하면, 일부 예에서, 동적 해제 구조체(954)는 강성 캐리어 기판(910)에 접착된 접착 층(944) 및 접착 층(944) 상에 배치된 활성 층 구조체(946)를 갖는 4층 구조체일 수 있다. 구성 요소 접착 층(908)이 활성 층 구조체(946) 상에 배치된다. 활성 층 구조체(946)는 2 개의 층, 즉, 흡수 층(948) 및 블리스터 형성 층(950)을 포함한다. 흡수 층(948)은 레이저 보조 이송 공정 동안 조사로 인한 에너지를 흡수하여, 가스를 생성한다. 가스 생성은 블리스터 형성 층(950)에서 블리스터 형성과 같은 기계적 응답을 유도한다.
다층 동적 해제 구조체의 개별 층은 도 8a 내지 도 8c와 관련하여 전술한 바와 같이 원하는 기능을 달성하도록 설계될 수 있다. 예를 들어, 캐리어 기판(910)에 접착되는 접착 층(904, 924, 954)은 레이저 이송 공정 완료 후의 용이한 제거를 허용하여 캐리어 기판의 보수를 용이하게 하기에 충분히 낮은 캐리어 기판에 대한 접착력을 갖도록 설계될 수 있다.
다수의 실시예가 설명되었다. 그럼에도 불구하고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 수정이 이루어질 수도 있음을 이해할 것이다. 예를 들어, 전술한 단계 중 일부는 순서가 독립적일 수도 있으며, 따라서, 설명된 바와 상이한 순서로 수행될 수 있다.
기타 구현이 또한 다음의 청구범위의 범위 내에 있다.
Claims (98)
- 방법으로서,
구성 요소 이송 시스템의 지지 고정구 상에, 가요성 지지 층과 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프 및 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 포함하는, 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계; 및
동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 동적 해제 구조체를 조사(照射)하는 단계
를 포함하며, 개별 구성 요소 조립체가 지지 고정구 상에 위치된 경우, 가요성 지지 층의 적어도 일부가 독립형 것인 방법. - 제 1 항에 있어서,
지지 고정구 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 지지 고정구의 프레임 상에 개별 구성 요소 조립체의 웨이퍼 링을 장착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
개별 구성 요소를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계를 포함하는 방법. - 제 3 항에 있어서,
개별 구성 요소를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계는 개별 구성 요소를 동적 해제 구조체의 구성 요소 접착 층에 접착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
개별 구성 요소를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계는 개별 구성 요소를 다이싱 테이프로부터 동적 해제 테이프로 이송하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
웨이퍼를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계를 포함하는 방법. - 제 6 항에 있어서,
웨이퍼를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계는 웨이퍼를 동적 해제 구조체의 구성 요소 접착 층에 접착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
개별 구성 요소를 형성하기 위해 접착 웨이퍼를 다이싱하는 단계를 포함하는 방법. - 제 8 항에 있어서,
투명 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 개별 구성 요소를 포함하는 동적 해제 테이프를 지지 고정구의 지지 플레이트에 부착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 흡입력을 인가함으로써 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 유지하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
동적 해제 구조체를 조사하는 단계는 구성 요소 이송 시스템의 광원으로부터의 광을 동적 해제 구조체에 조사하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 방법으로서,
구성 요소 이송 시스템의 지지 고정구 상에, 가요성 지지 층과 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프 및 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 포함하는, 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계로서, 지지 고정구의 지지 플레이트 상에 직접 동적 해제 테이프의 가요성 지지 층을 위치시키는 단계를 포함하는, 지지 고정구 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계; 및
동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 동적 해제 구조체를 조사하는 단계
를 포함하는 방법. - 제 12 항에 있어서,
지지 고정구 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 지지 고정구의 프레임 상에 개별 구성 요소 조립체의 웨이퍼 링을 장착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 지지 플레이트를 통해 동적 해제 구조체를 조사하는 단계를 포함하는 방법. - 제 14 항에 있어서,
개별 구성 요소가 지지 플레이트와 표적 기판 사이에 위치되도록 구성 요소 이송 시스템을 배향시키는 단계를 포함하는 방법. - 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 강성의 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 12 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
지지 고정구 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 가요성 지지 층을 지지 플레이트에 직접 부착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 흡입력을 인가함으로써 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 유지하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 12 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 지지 플레이트에 걸쳐 동적 해제 테이프를 신장시키는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 12 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
개별 구성 요소를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계를 포함하는 방법. - 제 20 항에 있어서,
개별 구성 요소를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계는 개별 구성 요소를 동적 해제 구조체의 구성 요소 접착 층에 접착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 20 항 또는 제 21 항에 있어서,
개별 구성 요소를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계는 개별 구성 요소를 다이싱 테이프로부터 동적 해제 테이프로 이송하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 12 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
웨이퍼를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계를 포함하는 방법. - 제 23 항에 있어서,
웨이퍼를 동적 해제 테이프에 접착하는 단계는 웨이퍼를 동적 해제 구조체의 구성 요소 접착 층에 접착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 23 항 또는 제 24 항에 있어서,
개별 구성 요소를 형성하기 위해 접착 웨이퍼를 다이싱하는 단계를 포함하는 방법. - 제 25 항에 있어서,
투명 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 개별 구성 요소를 포함하는 동적 해제 테이프를 지지 고정구의 지지 플레이트에 부착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 25 항 또는 제 26 항에 있어서,
지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계는 흡입력을 인가함으로써 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 유지하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 12 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
동적 해제 구조체를 조사하는 단계는 구성 요소 이송 시스템의 광원으로부터의 광을 동적 해제 구조체에 조사하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 개별 구성 요소 이송 시스템으로서,
광원;
지지 프레임 및 지지 프레임 상에 위치되며 광원에 의해 방출된 광에 대해 투과성인 지지 플레이트를 포함하는 개별 구성 요소 지지 고정구: 및
광원과 지지 프레임 사이에 배치된 광학 요소
를 포함하는 개별 구성 요소 이송 시스템. - 제 29 항에 있어서,
지지 플레이트에 대해 개별 구성 요소 조립체의 가요성 지지 층을 유지하기 위해 개별 구성 요소 지지 고정구의 공기 유동 채널에 흡입력을 인가하도록 구성된 흡입력 공급원을 포함하며, 개별 구성 요소 조립체는
가요성 지지 층과 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프; 및
동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소
를 포함하는 것인 개별 구성 요소 이송 시스템. - 제 29 항 또는 제 30 항에 있어서,
가요성 지지 층과 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프; 및 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 포함하는 개별 구성 요소 조립체를 포함하며,
동적 해제 테이프의 가요성 지지 층이 지지 플레이트 상에 직접 위치되며 개별 구성 요소 지지 고정구의 공기 유동 채널을 통한 흡입력에 의해 제자리에 유지되는 것인 개별 구성 요소 이송 시스템. - 제 30 항 또는 제 31 항에 있어서,
공기 유동 채널이 지지 프레임의 두께를 관통하여 형성되는 것인 개별 구성 요소 이송 시스템. - 제 30 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서,
공기 유동 채널이 지지 플레이트의 두께를 관통하여 형성되는 것인 개별 구성 요소 이송 시스템. - 제 29 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 있어서,
지지 플레이트의 상부 표면이, 개별 구성 요소 지지 고정구 상에 유지된 동적 해제 테이프에 인장 응력을 도입하기에 충분한 양만큼 지지 프레임의 상부 표면으로부터 오정렬되는 것인 개별 구성 요소 이송 시스템. - 제 29 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,
지지 플레이트가 유리 플레이트를 포함하는 것인 개별 구성 요소 이송 시스템. - 제 29 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,
지지 플레이트가 석영 플레이트를 포함하는 것인 개별 구성 요소 이송 시스템. - 제 29 항 내지 제 36 항 중 어느 한 항에 있어서,
지지 플레이트가 강성인 것인 개별 구성 요소 이송 시스템. - 제 29 항 내지 제 37 항 중 어느 한 항에 있어서,
광학 요소가 렌즈를 포함하는 것인 개별 구성 요소 이송 시스템. - 개별 구성 요소 이송 시스템으로서,
광원;
개별 구성 요소 지지 고정구;
개별 구성 요소 지지 고정구 상에 배치된 개별 구성 요소 조립체로서, 가요성 지지 층과 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프; 및 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 포함하며, 개별 구성 요소 조립체가 개별 구성 요소 지지 고정구 상에 배치된 경우 동적 해제 테이프가 독립형 것인 개별 구성 요소 조립체; 및
광원과 개별 구성 요소 조립체 사이에 배치된 광학 요소
를 포함하는 개별 구성 요소 이송 시스템. - 제 39 항에 있어서,
개별 구성 요소 조립체가 개별 구성 요소 지지 고정구 상에 배치된 웨이퍼 링을 포함하는 것인 개별 구성 요소 이송 시스템. - 방법으로서,
개별 구성 요소를 형성하기 위해 다이싱 테이프에 접착된 웨이퍼를 다이싱하는 단계;
가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 개별 구성 요소 조립체를 형성하기 위해 다이싱 테이프로부터 동적 해제 테이프로 개별 구성 요소를 이송하는 단계; 및
구성 요소 이송 시스템의 지지 플레이트 상에 직접 개별 구성 요소 조립체의 가요성 지지 층을 위치시키는 단계
를 포함하는 방법. - 제 41 항에 있어서,
동적 해제 테이프로 개별 구성 요소를 이송하는 단계는 개별 구성 요소를 동적 해제 구조체의 구성 요소 접착 층에 접착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 41 항 또는 제 42 항에 있어서,
동적 해제 테이프의 동적 해제 구조체가 다수의 층을 포함하는 것인 방법. - 제 43 항에 있어서,
동적 해제 구조체가 활성 층 구조체 및 구성 요소 접착 층을 포함하며, 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계는 구성 요소 접착 층에 웨이퍼를 접착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 41 항 내지 제 44 항 중 어느 한 항에 있어서,
지지 플레이트 상에 직접 가요성 지지 층을 위치시키는 단계는 가요성 지지 층을 지지 플레이트에 직접 부착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 41 항 내지 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서,
지지 플레이트 상에 직접 가요성 지지 층을 위치시키는 단계는 흡입력을 인가함으로써 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 유지하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 41 항 내지 제 46 항 중 어느 한 항에 있어서,
지지 플레이트 상에 직접 가요성 지지 층을 위치시키는 단계는 지지 플레이트에 걸쳐 동적 해제 테이프를 신장시키는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 41 항 내지 제 47 항 중 어느 한 항에 있어서,
동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 지지 플레이트를 통해 개별 조립체의 동적 해제 구조체에 광을 조사하는 단계를 포함하는 방법. - 방법으로서,
개별 구성 요소를 형성하기 위해 다이싱 테이프에 접착된 웨이퍼를 다이싱하는 단계;
가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 개별 구성 요소 조립체를 형성하기 위해 다이싱 테이프로부터 동적 해제 테이프로 개별 구성 요소를 이송하는 단계; 및
동적 해제 테이프의 적어도 일부가 독립형이 되도록 구성 요소 이송 시스템에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계
를 포함하는 방법. - 제 49 항에 있어서,
동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 독립형 동적 해제 테이프를 조사하는 단계를 포함하는 방법. - 제 49 항 또는 제 50 항에 있어서,
동적 해제 테이프의 동적 해제 구조체가 다수의 층을 포함하는 것인 방법. - 제 51 항에 있어서,
동적 해제 구조체가 활성 층 구조체 및 구성 요소 접착 층을 포함하며, 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계는 구성 요소 접착 층에 웨이퍼를 접착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 방법으로서,
독립형 가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계; 및
동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 형성하기 위해 접착 웨이퍼를 다이싱하는 단계
를 포함하는 방법. - 제 53 항에 있어서,
동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계는 웨이퍼를 동적 해제 구조체의 구성 요소 접착 층에 접착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 53 항 또는 제 54 항에 있어서,
동적 해제 테이프의 동적 해제 구조체가 다수의 층을 포함하는 것인 방법. - 제 55 항에 있어서,
동적 해제 구조체가 활성 층 구조체 및 구성 요소 접착 층을 포함하며, 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계는 구성 요소 접착 층에 웨이퍼를 접착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 방법으로서,
가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 부착하는 단계;
개별 구성 요소 조립체를 포함하는, 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 형성하기 위해 접착 웨이퍼를 다이싱하는 단계; 및
개별 구성 요소 조립체의 가요성 지지 층을 구성 요소 이송 시스템의 지지 플레이트 상에 직접 위치시키는 단계
를 포함하는 방법. - 제 57 항에 있어서,
가요성 지지 층을 지지 플레이트 상에 직접 위치시키는 단계는 동적 해제 테이프의 가요성 지지 층을 지지 플레이트에 직접 부착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 57 항 또는 제 58 항에 있어서,
가요성 지지 층을 지지 플레이트 상에 직접 위치시키는 단계는 흡입력을 인가함으로써 지지 플레이트 상에 개별 구성 요소 조립체를 유지하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 57 항 내지 제 59 항 중 어느 한 항에 있어서,
가요성 지지 층을 지지 플레이트 상에 위치시키는 단계는 지지 플레이트에 걸쳐 동적 해제 테이프를 신장시키는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 57 항 내지 제 70 항 중 어느 한 항에 있어서,
동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 지지 플레이트를 통해 개별 조립체의 동적 해제 구조체를 조사하는 단계를 포함하는 방법. - 제 57 항 내지 제 61 항 중 어느 한 항에 있어서,
동적 해제 테이프의 동적 해제 구조체가 다수의 층을 포함하는 것인 방법. - 제 62 항에 있어서,
동적 해제 구조체가 활성 층 구조체 및 구성 요소 접착 층을 포함하며, 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계는 구성 요소 접착 층에 웨이퍼를 접착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 방법으로서,
가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계;
개별 구성 요소 조립체를 포함하는, 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 형성하기 위해 접착 웨이퍼를 다이싱하는 단계; 및
동적 해제 테이프의 적어도 일부가 독립형이 되도록 구성 요소 이송 시스템에 개별 구성 요소 조립체를 위치시키는 단계
를 포함하는 방법. - 제 64 항에 있어서,
동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 독립형 동적 해제 테이프를 조사하는 단계를 포함하는 방법. - 제 64 항 또는 제 65 항에 있어서,
동적 해제 테이프의 동적 해제 구조체가 다수의 층을 포함하는 것인 방법. - 제 66 항에 있어서,
동적 해제 구조체가 활성 층 구조체 및 구성 요소 접착 층을 포함하며, 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계는 구성 요소 접착 층에 웨이퍼를 접착하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프를 포함하는 장치.
- 제 68 항에 있어서,
동적 해제 테이프가 동적 해제 테이프로부터의 개별 구성 요소의 레이저 이송을 가능하게 하기에 충분히 강성인 것인 장치. - 제 68 항 또는 제 69 항에 있어서,
동적 해제 테이프가 동적 해제 테이프로부터의 개별 구성 요소의 레이저 이송 동안 실질적으로 평면형 구성을 유지하기에 충분히 강성인 것인 장치. - 제 68 항에 있어서,
가요성 지지 층이 중합체를 포함하는 것인 장치. - 제 68 항 내지 제 71 항 중 어느 한 항에 있어서,
동적 해제 구조체가 다수의 층을 포함하는 것인 장치. - 제 72 항에 있어서, 동적 해제 구조체는,
가요성 지지 층 상에 배치되며, 가요성 지지 층에 접착되도록 구성되며 광 조사에 응답하여 가스를 생성하도록 구성된 흡수 및 접착 층; 및
흡수 및 접착 층 상에 배치된 활성 층
을 포함하는 것인 장치. - 제 73 항에 있어서,
활성 층이 흡수 및 접착 층에 의한 가스의 생성에 기계적으로 응답하도록 구성된 블리스터 형성 층을 포함하는 것인 장치. - 제 72 항 내지 제 74 항 중 어느 한 항에 있어서, 동적 해제 구조체는
가요성 지지 층 상에 배치되며, 가요성 지지 층에 접착되도록 구성된 접착 층; 및
접착 층 상에 배치된 활성 층 구조체
를 포함하는 것인 장치. - 제 75 항에 있어서,
활성 층 구조체는, 광 조사에 응답하여 가스를 생성하도록 구성되며 가스 생성에 기계적으로 응답하도록 구성된 흡수 및 블리스터 형성 층을 포함하는 것인 장치. - 제 75 항에 있어서,
활성 층 구조체는,
접착 층 상에 배치되며, 광 조사에 응답하여 가스를 생성하도록 구성된 흡수 층; 및
흡수 층에 의한 가스 생성에 기계적으로 응답하도록 구성된 블리스터 형성 층
을 포함하는 것인 장치. - 제 72 항 내지 제 77 항 중 어느 한 항에 있어서,
동적 해제 구조체의 층 중 하나가 구성 요소 접착 층을 포함하는 것인 장치. - 제 72 항 내지 제 77 항 중 어느 한 항에 있어서,
구성 요소 접착 층의 접착력이 자극 인가에 응답성을 갖는 것인 장치. - 제 68 항 내지 제 79 항 중 어느 한 항에 있어서,
테이프가 신장 가능한 것인 장치. - 제 68 항 내지 제 80 항 중 어느 한 항에 있어서,
가요성 지지 층이 자외선 투과성인 것인 장치. - 제 68 항 내지 제 81 항 중 어느 한 항에 있어서,
동적 해제 구조체에 접착된 개별 구성 요소를 포함하는 장치. - 제 82 항에 있어서,
개별 구성 요소가 발광 다이오드(LED)를 포함하는 것인 장치. - 방법으로서,
동적 해제 테이프를 형성하기 위해 가요성 지지 층 상에 동적 해제 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 방법. - 제 84 항에 있어서,
동적 해제 구조체를 형성하는 단계는 가요성 지지 층 상에 다수의 층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 방법. - 제 85 항에 있어서,
동적 해제 구조체를 형성하는 단계는
가요성 지지 층 상에, 가요성 지지 층에 접착되도록 구성되며 광 조사에 응답하여 가스를 생성하도록 구성된, 흡수 및 접착 층을 형성하는 단계; 및
흡수 및 접착 층 상에 활성 층을 형성하는 단계
를 포함하는 것인 방법. - 제 86 항에 있어서,
활성 층이 흡수 및 접착 층에 의한 가스 생성에 기계적으로 응답하도록 구성된 블리스터 형성 층을 포함하는 것인 방법. - 제 85 항에 있어서,
동적 해제 구조체를 형성하는 단계는
가요성 지지 층 상에, 가요성 지지 층에 접착되도록 구성된, 접착 층을 형성하는 단계; 및
접착 층 상에 활성 층 구조체를 형성하는 단계
를 포함하는 것인 방법. - 제 88 항에 있어서,
활성 층 구조체가 광 조사에 응답하여 가스를 생성하도록 구성되며 가스 생성에 기계적으로 응답하도록 구성된 흡수 및 블리스터 형성 층을 포함하는 것인 방법. - 제 85 항에 있어서,
활성 층 구조체를 형성하는 단계는
접착 층 상에 광 조사에 응답하여 가스를 생성하도록 구성된 흡수 층을 형성하는 단계; 및
흡수 층 상에, 흡수 층에 의한 가스 생성에 기계적으로 응답하도록 구성된, 블리스터 형성 층을 형성하는 단계
를 포함하는 것인 방법. - 동적 해제 장치로서,
가요성 지지 층; 및
가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체로서, 가요성 지지 층 상에 배치되며, 가요성 지지 층에 접착되도록 구성된 접착 층 및 접착 층 상에 배치된 활성 층 구조체를 포함하는 동적 해제 지지 구조체
를 포함하는 동적 해제 장치. - 제 91 항에 있어서,
활성 층 구조체가, 광 조사에 응답하여 가스를 생성하도록 구성되며 가스 생성에 기계적으로 응답하도록 구성된 흡수 및 블리스터 형성 층을 포함하는 것인 동적 해제 장치. - 제 91 항에 있어서,
활성 층 구조체는,
접착 층 상에 배치되며, 광 조사에 응답하여 가스를 생성하도록 구성된 흡수 층; 및
흡수 층에 의한 가스 생성에 기계적으로 응답하도록 구성된 블리스터 형성 층
을 포함하는 것인 동적 해제 장치. - 제 91 항 내지 제 93 항 중 어느 한 항에 있어서,
동적 해제 구조체가 구성 요소 접착 층을 포함하는 것인 동적 해제 장치. - 방법으로서,
가요성 지지 층과 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프 및 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 포함하는 개별 구성 요소 조립체를 구성 요소 이송 시스템의 지지 고정구 상에 위치시키는 단계; 및
동적 해제 테이프로부터 개별 구성 요소를 해제하기 위해 동적 해제 구조체를 조사하는 단계
를 포함하는 방법. - 구성 요소 이송 시스템로서,
광원;
개별 구성 요소 지지 고정구;
개별 구성 요소 지지 고정구 상에 배치된 개별 구성 요소 조립체로서, 가요성 지지 층과 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프 및 동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 포함하는 개별 구성 요소 조립체; 및
광원과 개별 구성 요소 조립체 사이에 배치된 광학 요소
를 포함하는 개별 구성 요소 이송 시스템. - 방법으로서,
개별 구성 요소를 형성하기 위해 다이싱 테이프에 접착된 웨이퍼를 다이싱하는 단계; 및
가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 개별 구성 요소 조립체를 형성하기 위해 다이싱 테이프로부터 동적 해제 테이프로 개별 구성 요소를 이송하는 단계
를 포함하는 방법. - 방법으로서,
가요성 지지 층 및 가요성 지지 층 상에 배치된 동적 해제 구조체를 포함하는 동적 해제 테이프에 웨이퍼를 접착하는 단계; 및
동적 해제 테이프에 접착된 개별 구성 요소를 형성하기 위해 접착 웨이퍼를 다이싱하는 단계
를 포함하는 방법.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201962806154P | 2019-02-15 | 2019-02-15 | |
US62/806,154 | 2019-02-15 | ||
US201962843904P | 2019-05-06 | 2019-05-06 | |
US62/843,904 | 2019-05-06 | ||
PCT/US2020/018262 WO2020168174A1 (en) | 2019-02-15 | 2020-02-14 | Dynamic release tapes for assembly of discrete components |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210145141A true KR20210145141A (ko) | 2021-12-01 |
Family
ID=72045444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217029246A KR20210145141A (ko) | 2019-02-15 | 2020-02-14 | 개별 구성 요소의 조립을 위한 동적 해제 테이프 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20220130694A1 (ko) |
EP (1) | EP3924999A4 (ko) |
JP (1) | JP2022521498A (ko) |
KR (1) | KR20210145141A (ko) |
CN (1) | CN113924639A (ko) |
TW (1) | TW202039261A (ko) |
WO (1) | WO2020168174A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220130694A1 (en) | 2019-02-15 | 2022-04-28 | Kulicke & Soffa Netherlands B.V. | Dynamic release tapes for assembly of discrete components |
KR20230084135A (ko) | 2020-09-22 | 2023-06-12 | 쿨리케 & 소파 네덜란드 비.브이. | 재사용 가능한 다이 캐치 재료, 재사용 가능한 다이 릴리즈 재료, 관련된 다이 전사 시스템, 및 이를 사용하는 방법 |
KR102436469B1 (ko) * | 2020-11-27 | 2022-08-26 | 주식회사 아큐레이저 | 반도체 소자의 전사 장치 및 전사 방법 |
US20230107245A1 (en) | 2021-10-01 | 2023-04-06 | Kulicke & Soffa Netherlands B.V. | Methods of transferring a die from a carrier to a receive substrate, and related systems and materials |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH062453B2 (ja) | 1990-02-02 | 1994-01-12 | 株式会社大和 | 自動車用マットの帯電防止構造 |
US7022546B2 (en) * | 2000-12-05 | 2006-04-04 | Analog Devices, Inc. | Method and device for protecting micro electromechanical systems structures during dicing of a wafer |
CN1264940C (zh) | 2001-08-10 | 2006-07-19 | 日东电工株式会社 | 切割用胶粘薄膜及切割方法 |
US7022588B2 (en) * | 2001-10-09 | 2006-04-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing an electronic component and electronic component obtained by means of said method |
TWI241674B (en) * | 2001-11-30 | 2005-10-11 | Disco Corp | Manufacturing method of semiconductor chip |
JP4137471B2 (ja) * | 2002-03-04 | 2008-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | ダイシング方法、集積回路チップの検査方法及び基板保持装置 |
GB0321918D0 (en) | 2003-09-19 | 2003-10-22 | Aoti Operating Co Inc | Focusing system and method |
KR100817049B1 (ko) * | 2005-08-09 | 2008-03-26 | 삼성전자주식회사 | 패키징을 위한 웨이퍼 칩의 제조 방법 |
WO2008006418A1 (de) | 2006-07-10 | 2008-01-17 | Schott Ag | Verfahren zur verpackung von bauelementen |
JP2009155625A (ja) | 2007-12-07 | 2009-07-16 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 保護膜、積層フィルム及びそれを用いた加工方法 |
JP5412214B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2014-02-12 | 日東電工株式会社 | 保護テープ剥離方法およびその装置 |
KR101019756B1 (ko) | 2009-12-24 | 2011-03-09 | 제일모직주식회사 | 비자외선형 다이접착필름 및 제조방법 |
RU2013106896A (ru) | 2010-07-16 | 2014-08-27 | Глюком А/С | Синтез новых производных сиалоолигосахаридов |
CN103597589B (zh) * | 2011-04-11 | 2017-02-15 | 北达科他州立大学研究基金会 | 分立元件的选择性激光辅助的转移 |
CN102896869B (zh) | 2011-07-25 | 2016-03-02 | 汉高股份有限公司 | 利用紫外辐照固化-氧化还原固化粘合剂体系粘结基底的方法 |
KR101860022B1 (ko) | 2011-09-21 | 2018-05-23 | 삼성전자 주식회사 | 사용자 단말에서 콜 수신자의 정보 제공 방법 및 장치 |
US9793152B2 (en) | 2012-07-03 | 2017-10-17 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Use of vacuum chucks to hold a wafer or wafer sub-stack |
JP5978246B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2016-08-24 | 日東電工株式会社 | ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、半導体装置の製造方法 |
KR20220075241A (ko) | 2014-08-05 | 2022-06-07 | 쿨리케 & 소파 네덜란드 비.브이. | 쉬운 조립을 위한 초소형 또는 초박형 개별 컴포넌트의 구성 |
JP6457223B2 (ja) * | 2014-09-16 | 2019-01-23 | 東芝メモリ株式会社 | 基板分離方法および半導体製造装置 |
US20160133486A1 (en) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | International Business Machines Corporation | Double Layer Release Temporary Bond and Debond Processes and Systems |
TWI783910B (zh) * | 2016-01-15 | 2022-11-21 | 荷蘭商庫力克及索發荷蘭公司 | 放置超小或超薄之離散組件 |
CN117393441A (zh) | 2016-04-29 | 2024-01-12 | 库利克和索夫工业公司 | 将电子组件连接至基板 |
US10672638B2 (en) * | 2017-01-27 | 2020-06-02 | International Business Machines Corporation | Picking up irregular semiconductor chips |
KR102160225B1 (ko) * | 2017-06-12 | 2020-09-28 | 유니카르타, 인크. | 개별 부품들의 기판 상으로의 병렬적 조립 |
US11201077B2 (en) | 2017-06-12 | 2021-12-14 | Kulicke & Soffa Netherlands B.V. | Parallel assembly of discrete components onto a substrate |
US10217637B1 (en) * | 2017-09-20 | 2019-02-26 | International Business Machines Corporation | Chip handling and electronic component integration |
US10170443B1 (en) * | 2017-11-28 | 2019-01-01 | International Business Machines Corporation | Debonding chips from wafer |
KR102516339B1 (ko) * | 2018-04-06 | 2023-03-31 | 삼성전자주식회사 | 광 조사기용 덮개 구조물과 이를 구비하는 광 조사장치 및 이를 이용한 다이 접착 방법 |
EP3598480B1 (en) * | 2018-07-18 | 2020-09-23 | Infineon Technologies AG | Device and method for debonding a structure from a main surface region of a carrier |
JP7035915B2 (ja) * | 2018-09-03 | 2022-03-15 | 信越化学工業株式会社 | 薄型ウエハの製造方法 |
JP7146352B2 (ja) * | 2018-12-10 | 2022-10-04 | 株式会社ディスコ | 試験装置 |
US20220130694A1 (en) | 2019-02-15 | 2022-04-28 | Kulicke & Soffa Netherlands B.V. | Dynamic release tapes for assembly of discrete components |
WO2020252161A1 (en) | 2019-06-11 | 2020-12-17 | Uniqarta, Inc. | Material for positional error compensation in assembly of discrete components |
KR20220116003A (ko) | 2019-12-17 | 2022-08-19 | 쿨리케 & 소파 네덜란드 비.브이. | 개별 구성 요소를 수용하기 위한 접착 테이프 |
KR20230084135A (ko) * | 2020-09-22 | 2023-06-12 | 쿨리케 & 소파 네덜란드 비.브이. | 재사용 가능한 다이 캐치 재료, 재사용 가능한 다이 릴리즈 재료, 관련된 다이 전사 시스템, 및 이를 사용하는 방법 |
-
2020
- 2020-02-14 US US17/430,553 patent/US20220130694A1/en active Pending
- 2020-02-14 CN CN202080028331.XA patent/CN113924639A/zh active Pending
- 2020-02-14 KR KR1020217029246A patent/KR20210145141A/ko active Search and Examination
- 2020-02-14 JP JP2021547805A patent/JP2022521498A/ja active Pending
- 2020-02-14 EP EP20755894.1A patent/EP3924999A4/en active Pending
- 2020-02-14 TW TW109104815A patent/TW202039261A/zh unknown
- 2020-02-14 WO PCT/US2020/018262 patent/WO2020168174A1/en unknown
-
2021
- 2021-08-12 US US17/400,803 patent/US20210375649A1/en active Pending
- 2021-08-12 US US17/400,793 patent/US11942354B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210375659A1 (en) | 2021-12-02 |
EP3924999A1 (en) | 2021-12-22 |
US11942354B2 (en) | 2024-03-26 |
JP2022521498A (ja) | 2022-04-08 |
CN113924639A (zh) | 2022-01-11 |
EP3924999A4 (en) | 2022-11-02 |
WO2020168174A1 (en) | 2020-08-20 |
US20220130694A1 (en) | 2022-04-28 |
US20210375649A1 (en) | 2021-12-02 |
TW202039261A (zh) | 2020-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20210145141A (ko) | 개별 구성 요소의 조립을 위한 동적 해제 테이프 | |
JP5801046B2 (ja) | 板状物の加工方法 | |
KR102535477B1 (ko) | 다이본드 다이싱 시트 | |
KR102004748B1 (ko) | 마이크로 led 전사 방법 | |
JP2019021808A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6900006B2 (ja) | チップ移載部材、チップ移載装置、およびチップ移載方法 | |
US20230017084A1 (en) | Adhesive tapes for receiving discrete components | |
US20160049325A1 (en) | Assembly for handling a semiconductor die and method of handling a semiconductor die | |
JP2008060393A (ja) | 板状物品のピックアップ装置 | |
JP2014165338A (ja) | レーザー加工方法 | |
US11615972B2 (en) | Reusable die catch materials, reusable die release materials, related die transfer systems, and methods of using the same | |
JP7073606B2 (ja) | 離間装置および離間方法 | |
KR102181999B1 (ko) | 확장 시트, 확장 시트의 제조 방법 및 확장 시트의 확장 방법 | |
JP7067904B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI755490B (zh) | 離間裝置及離間方法 | |
JP3222090U (ja) | ダイボンドダイシングシート | |
US20230030317A1 (en) | Wafer dividing method | |
JP2012182313A (ja) | チップ状部品のピックアップ方法 | |
JP7175570B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
CN116472603A (zh) | 可再利用的管芯捕捉材料、可再利用的管芯释放材料、相关的管芯转移系统及其使用方法 | |
JP6820099B2 (ja) | 離間装置および離間方法 | |
KR20240023396A (ko) | 마이크로구조화된 컴포넌트들을 제조하는 방법 및 시스템 | |
JP2020021915A (ja) | ピックアップ装置およびピックアップ方法 | |
JP2019179846A (ja) | 離間装置および離間方法 | |
JP2021077743A (ja) | ウェーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination |