JP2013126682A - レーザ加工方法 - Google Patents
レーザ加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013126682A JP2013126682A JP2012086788A JP2012086788A JP2013126682A JP 2013126682 A JP2013126682 A JP 2013126682A JP 2012086788 A JP2012086788 A JP 2012086788A JP 2012086788 A JP2012086788 A JP 2012086788A JP 2013126682 A JP2013126682 A JP 2013126682A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- modified region
- laser
- metal wiring
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
【解決手段】半導体基板と半導体基板上に積層され金属配線を含む積層部とを具備する加工対象物に対しレーザ光を照射することにより、切断の起点となる改質領域を切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に形成する。まず、加工対象物の裏面からレーザ光を照射することにより、加工対象物の内部における表面側の位置に第1改質領域を形成する。続いて、加工対象物の裏面からレーザ光を照射することにより、加工対象物の内部における第1改質領域よりも裏面側の位置に第2改質領域を形成する。このとき、レーザ光のパルス幅は、250ns〜400nsとする。
【選択図】図19
Description
パルス幅:150ns 必要エネルギー量:1.25μJ 比率:1
パルス幅:250ns 必要エネルギー量:1.5μJ 比率:1.2
パルス幅:350ns 必要エネルギー量:2μJ 比率:1.6
パルス幅:500ns 必要エネルギー量:2.5μJ 比率:2
パルス幅:250ns、第1改質領域7aの表面3からの距離:20μm〜40μm
パルス幅:300ns、第1改質領域7aの表面3からの距離:28μm〜40μm
パルス幅:350ns、第1改質領域7aの表面3からの距離:28μm〜48μm
パルス幅:400ns、第1改質領域7aの表面3からの距離:36μm〜48μm
パルスピッチ:2.25μm、金属配線4bの損傷箇所:14箇所
パルスピッチ:3.75μm、金属配線4bの損傷箇所:17箇所
パルスピッチ:5.25μm、金属配線4bの損傷箇所:15箇所
但し、パルス幅500ns、出力15μJ、表面3から第1改質領域7aまでの距離20μm
パルス幅:500ns、収差補正:有り、金属配線4bの損傷箇所:17箇所
パルス幅:500ns、収差補正:無し、金属配線4bの損傷箇所:12箇所
パルス幅:150ns、収差補正:有り、金属配線4bの損傷箇所:0箇所
パルス幅:150ns、収差補正:無し、金属配線4bの損傷箇所:0箇所
Claims (5)
- 半導体基板と前記半導体基板上に積層され金属配線を含む積層部とを具備する加工対象物に対しレーザ光を照射することにより、切断の起点となる改質領域を切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に形成するレーザ加工方法であって、
前記加工対象物において前記積層部側の表面とは反対側の裏面から前記レーザ光を照射することにより、前記加工対象物の内部における前記表面側の位置に第1改質領域を形成する第1改質領域形成工程と、
前記加工対象物の前記裏面から前記レーザ光を照射することにより、前記加工対象物の内部における前記第1改質領域よりも前記裏面側の位置に第2改質領域を形成する第2改質領域形成工程と、を含み、
前記レーザ光のパルス幅は、250ns〜400nsであることを特徴とするレーザ加工方法。 - 前記レーザ光は、1080nm〜1200nmの波長を有することを特徴とする請求項1記載のレーザ加工方法。
- 前記加工対象物の厚さは、150μm〜350μmであることを特徴とする請求項1又は2記載のレーザ加工方法。
- 前記第1改質領域の形成位置は、
前記レーザ光の前記パルス幅が250nsの場合、前記表面からの距離が20μm〜40μmの位置とされ、
前記レーザ光の前記パルス幅が300nsの場合、前記表面からの距離が28μm〜40μmの位置とされ、
前記レーザ光の前記パルス幅が350nsの場合、前記表面からの距離が28μm〜48μmの位置とされ、
前記レーザ光の前記パルス幅が400nsの場合、前記表面からの距離が36μm〜48μmの位置とされることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項記載のレーザ加工方法。 - 前記表面に沿う方向において前記切断予定ラインと前記金属配線との距離は、25μm以内であることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項記載のレーザ加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012086788A JP2013126682A (ja) | 2011-11-18 | 2012-04-05 | レーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011253142 | 2011-11-18 | ||
JP2011253142 | 2011-11-18 | ||
JP2012086788A JP2013126682A (ja) | 2011-11-18 | 2012-04-05 | レーザ加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013126682A true JP2013126682A (ja) | 2013-06-27 |
Family
ID=48777518
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012086789A Active JP6039217B2 (ja) | 2011-11-18 | 2012-04-05 | レーザ加工方法 |
JP2012086788A Pending JP2013126682A (ja) | 2011-11-18 | 2012-04-05 | レーザ加工方法 |
JP2012086787A Active JP5930811B2 (ja) | 2011-11-18 | 2012-04-05 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012086789A Active JP6039217B2 (ja) | 2011-11-18 | 2012-04-05 | レーザ加工方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012086787A Active JP5930811B2 (ja) | 2011-11-18 | 2012-04-05 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP6039217B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016187014A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
JP7441683B2 (ja) | 2020-03-10 | 2024-03-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150034613A1 (en) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | System for performing laser filamentation within transparent materials |
JP6353683B2 (ja) * | 2014-04-04 | 2018-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
KR20150130835A (ko) * | 2014-05-14 | 2015-11-24 | 주식회사 이오테크닉스 | 금속층이 형성된 반도체 웨이퍼를 절단하는 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치 |
JP6154364B2 (ja) * | 2014-10-28 | 2017-06-28 | 株式会社フジクラ | ファイバレーザ装置 |
JP2017037912A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 株式会社ディスコ | 検査用ウエーハおよび検査用ウエーハの使用方法 |
JP2017059688A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハ |
JP6542630B2 (ja) | 2015-09-29 | 2019-07-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP6689646B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2020-04-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP6640005B2 (ja) * | 2016-04-12 | 2020-02-05 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP7032050B2 (ja) * | 2017-03-14 | 2022-03-08 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
KR102410598B1 (ko) * | 2018-03-06 | 2022-06-20 | 엘에스엠트론 주식회사 | 자동화변속기의 클러치 제어 방법 |
JP6876098B2 (ja) * | 2019-06-13 | 2021-05-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP7421951B2 (ja) | 2020-02-26 | 2024-01-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2023006695A (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 |
JP7251599B1 (ja) | 2021-11-11 | 2023-04-04 | 王子ホールディングス株式会社 | 包装箱 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005057257A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-03-03 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法、レーザ加工装置、及び加工生産物 |
JP2005252126A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2005268752A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Canon Inc | レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ |
JP2006068816A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-03-16 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法及び半導体装置 |
JP2006128577A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体チップの製造方法及びそれに使用されるダイボンドダイシングテープ |
JP2006179790A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Canon Inc | レーザ割断方法および該方法により割断可能な被割断部材 |
WO2010090111A1 (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP2011152562A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工システム |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4606741B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2011-01-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP2004268103A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP4856931B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2012-01-18 | キヤノン株式会社 | レーザ割断方法およびレーザ割断装置 |
WO2010116917A1 (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
KR20120073249A (ko) * | 2009-08-28 | 2012-07-04 | 코닝 인코포레이티드 | 화학적으로 강화된 유리 기판으로부터 제품을 레이저 절단하기 위한 방법 |
-
2012
- 2012-04-05 JP JP2012086789A patent/JP6039217B2/ja active Active
- 2012-04-05 JP JP2012086788A patent/JP2013126682A/ja active Pending
- 2012-04-05 JP JP2012086787A patent/JP5930811B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005057257A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-03-03 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法、レーザ加工装置、及び加工生産物 |
JP2005268752A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Canon Inc | レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ |
JP2005252126A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2006068816A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-03-16 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法及び半導体装置 |
JP2006128577A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体チップの製造方法及びそれに使用されるダイボンドダイシングテープ |
JP2006179790A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Canon Inc | レーザ割断方法および該方法により割断可能な被割断部材 |
WO2010090111A1 (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP2011152562A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工システム |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016187014A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
US11219966B1 (en) | 2018-12-29 | 2022-01-11 | Wolfspeed, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11826846B2 (en) | 2018-12-29 | 2023-11-28 | Wolfspeed, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11901181B2 (en) | 2018-12-29 | 2024-02-13 | Wolfspeed, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
US11911842B2 (en) | 2018-12-29 | 2024-02-27 | Wolfspeed, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
US11034056B2 (en) | 2019-05-17 | 2021-06-15 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
US11654596B2 (en) | 2019-05-17 | 2023-05-23 | Wolfspeed, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
JP7441683B2 (ja) | 2020-03-10 | 2024-03-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013128088A (ja) | 2013-06-27 |
JP2013126683A (ja) | 2013-06-27 |
JP6039217B2 (ja) | 2016-12-07 |
JP5930811B2 (ja) | 2016-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6039217B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
KR102380747B1 (ko) | 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 | |
US8865568B2 (en) | Workpiece cutting method | |
TWI638697B (zh) | Laser processing device and laser processing method | |
KR102442329B1 (ko) | 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 | |
JP5840215B2 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP5905274B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JPWO2014156688A1 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
KR20120112775A (ko) | 레이저 가공방법 | |
KR102128416B1 (ko) | 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 | |
TW201446384A (zh) | 雷射加工裝置及雷射加工方法 | |
JP6715632B2 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
WO2013039006A1 (ja) | レーザ加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160509 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161228 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170606 |