KR101455408B1 - 레이저 가공방법 - Google Patents

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다케시 사카모토
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하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
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Abstract

절단예정라인(5)에 따라서, 절단의 기점(起点)이 되는 6열의 용융처리영역(131, 132)을 실리콘웨이퍼(11)의 내부에 형성하지만, 가공대상물(1)의 이면(21)에 가장 가까운 용융처리영역(131)을 형성할 때에 절단예정라인(5)에 따라서 약화(弱化)영역(18)을 이면(21)에 형성한다. 이와 같이, 용융처리영역(131, 132)이 실리콘웨이퍼(11)의 내부에 형성되기 위해, 용융처리영역(131, 132)으로부터 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 게다가, 소정의 깊이를 가지는 약화영역(18)이 절단예정라인(5)에 따라서 가공대상물(1)의 이면(21)에 형성되기 때문에, 비교적 작은 외력으로 절단예정라인(5)에 따라서 가공대상물(1)을 절단하는 것이 가능하게 된다.

Description

레이저 가공방법{LASER PROCESSING METHOD}
본 발명은 반도체기판을 구비하는 판상(板狀)의 가공대상물을 절단예정라인에 따라서 절단하기 위한 레이저 가공방법에 관한 것이다.
종래의 레이저 가공방법으로서, 판상의 가공대상물의 한쪽의 면을 레이저광 입사면으로 하여 가공대상물에 레이저광을 조사하는 것에 의해, 가공대상물의 절단예정라인에 따라서, 가공대상물의 두께방향으로 늘어 서도록 절단의 기점(起点)이 되는 복수열의 개질(改質)영역을 가공대상물의 내부에 형성하는 방법으로서, 복수열의 개질영역 중 가공대상물의 다른 쪽의 면에 가장 가까운 개질영역을 그 다른 쪽의 면에 노출시키도록 형성하는 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
특허문헌1 : 일본국 특개2005-123329호 공보
<발명이 해결하고자 하는 과제>
상술한 바와 같은 레이저 가공방법에 의하면, 가공대상물의 다른 쪽의 면이 금속막의 면인 경우에 있어서도, 비교적 작은 외력으로 절단예정라인에 따라서 가공대상물을 절단하는 것이 가능하게 된다.
그렇지만, 상술한 바와 같은 레이저 가공방법에 있어서는 복수열의 개질영역 중 가공대상물의 다른 쪽의 면에 가장 가까운 개질영역이 다른 쪽의 면에 노출하고 있기 때문에, 그 개질영역으로부터 파티클이 발생할 우려가 있다.
그래서, 본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 게다가, 비교적 작은 외력으로 절단예정라인에 따라서 가공대상물을 절단하는 것을 가능하게 하는 레이저 가공방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
<과제를 해결하기 위한 수단>
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 관한 레이저 가공방법은 반도체기판을 구비하는 판상의 가공대상물의 한쪽의 면을 레이저광 입사면으로 하여 가공대상물에 레이저광을 조사하는 것에 의해, 가공대상물의 절단예정라인에 따라서, 가공대상물의 두께방향으로 늘어 서도록 절단의 기점이 되는 복수열의 개질영역을 반도체기판의 내부에 형성하는 레이저 가공방법으로서, 복수열의 개질영역 중 가공대상물의 다른 쪽의 면에 가장 가까운 개질영역을 형성함과 동시에, 절단예정라인에 따라서, 소정의 깊이를 가지는 약화(弱化)영역을 다른 쪽의 면에 형성하는 공정과, 복수열의 개질영역 중 다른 쪽의 면에 가장 가까운 개질영역 이외의 개질영역을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 레이저 가공방법에서는, 절단예정라인에 따라서, 가공대상물의 두께방향으로 늘어 서도록 절단의 기점이 되는 복수열의 개질영역을 반도체기판의 내부에 형성하지만, 가공대상물의 다른 쪽의 면에 가장 가까운 개질영역을 형성할 때에 절단예정라인에 따라서, 소정의 깊이를 가지는 약화영역을 다른 쪽의 면에 형성한다. 이와 같이, 각 개질영역이 반도체기판의 내부에 형성되기 때문에, 개질영역으로부터 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 게다가, 소정의 깊이를 가지는 약화영역이 절단예정라인에 따라서 가공대상물의 다른 쪽의 면에 형성되기 때문에, 비교적 작은 외력으로 절단예정라인에 따라서 가공대상물을 절단하는 것이 가능하게 된다.
또한, 각 개질영역은 가공대상물에 레이저광을 조사하는 것에 의해, 가공대상물의 내부에 있어서 다광자흡수 그 외의 광흡수를 일으키게 하는 것으로 형성된다. 또, 복수열의 개질영역 중 가공대상물의 다른 쪽의 면에 가장 가까운 개질영역 및 약화영역을 형성하는 공정과, 복수열의 개질영역 중 가공대상물의 다른 쪽의 면에 가장 가까운 개질영역 이외의 개질영역을 형성하는 공정은 순서가 없다.
본 발명에 관한 레이저 가공방법에 있어서는, 다른 쪽의 면은 가공대상물이 구비하는 금속막의 면인 경우가 있다. 이 경우에 있어서도, 소정의 깊이를 가지는 약화영역이 절단예정라인에 따라서 금속막의 면에 형성되기 때문에, 비교적 작은 외력으로 절단예정라인에 따라서 가공대상물을 절단하는 것이 가능하게 된다.
본 발명에 관한 레이저 가공방법에 있어서는, 다른 쪽의 면에 가장 가까운 개질영역과 약화영역은 서로 이간(離間)하도록 형성되는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 가공대상물의 다른 쪽의 면에 가장 가까운 개질영역이 다른 쪽의 면으로부터 소정의 거리만큼 안쪽에 형성되게 되기 때문에, 개질영역으로부터 파티클이 발생하는 것을 보다 한층 확실히 방지할 수 있다.
본 발명에 관한 레이저 가공방법에 있어서는, 약화영역은 절단예정라인에 따라서 점선모양으로 형성되는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 가공대상물에 외력을 작용시켰을 때에 약화영역에 응력이 집중하기 쉬워지기 때문에, 보다 한층 작은 외력으로 절단예정라인에 따라서 가공대상물을 절단하는 것이 가능하게 된다.
본 발명에 관한 레이저 가공방법은 복수열의 개질영역 및 약화영역을 절단의 기점으로 하여, 절단예정라인에 따라서 가공대상물을 절단하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 가공대상물을 절단예정라인에 따라서 정밀도 좋게 절단할 수 있다.
본 발명에 관한 레이저 가공방법에 있어서는 복수열의 개질영역은 용융처리영역을 포함한 경우가 있다.
<발명의 효과>
본 발명에 의하면, 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 게다가, 비교적 작은 외력으로 절단예정라인에 따라서 가공대상물을 절단하는 것이 가능하게 된다.
도 1은 본 실시형태에 관한 레이저 가공방법에 따른 레이저가공 중의 가공대상물의 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 가공대상물의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도이다.
도 3은 본 실시형태에 관한 레이저 가공방법에 따른 레이저가공 후의 가공대상물의 평면도이다.
도 4는 도 3에 나타내는 가공대상물의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 단면도이다.
도 5는 도 3에 나타내는 가공대상물의 Ⅴ-Ⅴ선에 따른 단면도이다.
도 6은 본 실시형태에 관한 레이저 가공방법에 의해 절단된 가공대상물의 평면도이다.
도 7은 본 실시형태에 관한 레이저 가공방법에 있어서의 피크파워밀도와 크랙스폿의 크기와의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 실시형태에 관한 레이저 가공방법의 제1 공정에 있어서의 가공대상물의 단면도이다.
도 9는 본 실시형태에 관한 레이저 가공방법의 제2 공정에 있어서의 가공대상물의 단면도이다.
도 10은 본 실시형태에 관한 레이저 가공방법의 제3 공정에 있어서의 가공대상물의 단면도이다.
도 11은 본 실시형태에 관한 레이저 가공방법의 제4 공정에 있어서의 가공대상물의 단면도이다.
도 12는 본 실시형태에 관한 레이저 가공방법에 의해 절단된 실리콘웨이퍼의 일부에 있어서의 단면의 사진을 나타낸 도이다.
도 13은 본 실시형태에 관한 레이저 가공방법에 있어서의 레이저광의 파장과 실리콘기판의 내부투과율과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 14는 본 실시형태의 레이저 가공방법의 대상이 되는 가공대상물의 평면도이다.
도 15는 도 14에 나타내는 XV-XV선에 따른 부분단면도이다.
도 16은 본 실시형태의 레이저 가공방법을 설명하기 위한 가공대상물의 부분단면도이다.
도 17은 본 실시형태의 레이저 가공방법을 설명하기 위한 가공대상물의 부분단면도이다.
도 18은 본 실시형태의 레이저 가공방법을 설명하기 위한 가공대상물의 부분단면도이다.
도 19는 본 실시형태의 레이저 가공방법을 설명하기 위한 가공대상물의 부분단면도이다.
도 20은 도 14에 나타내는 XX-XX선에 따른 부분단면도이다.
도 21은 본 실시형태의 레이저 가공방법의 원리를 설명하기 위한 도이다.
도 22는 도 14에 나타내는 XX-XX선에 따른 부분단면도이다.
<부호의 설명>
1 … 가공대상물, 3 … 표면(한쪽의 면), 5 … 절단예정라인, 11 … 실리콘웨이퍼(반도체기판), 131, 132 … 용융처리영역(개질영역), 17 … 금속막, 18 … 약화영역, 21 … 이면(다른 쪽의 면), L … 레이저광.
<발명을 실시하기 위한 바람직한 형태>
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 본 실시형태의 레이저 가공방법에서는 가공대상물의 내부에 개질영역을 형 성하기 위해서 다광자흡수라고 하는 현상을 이용한다. 그래서, 최초로 다광자흡수에 의해 개질영역을 형성하기 위한 레이저 가공방법에 대해 설명한다.
재료의 흡수의 밴드갭(EG)보다 광자의 에너지(hυ)가 작으면 광학적으로 투명하게 된다. 따라서, 재료에 흡수가 생기는 조건은 hυ > EG이다. 그러나, 광학적으로 투명하여도 레이저광의 강도를 매우 크게 하면 nhυ > EG의 조건(n = 2, 3, 4,…)으로 재료에 흡수가 생긴다. 이 현상을 다광자흡수라고 한다. 펄스파의 경우, 레이저광의 강도는 레이저광의 집광점의 피크파워밀도(W/㎠)로 정해지고, 예를 들면 피크파워밀도가 1 × 108(W/㎠) 이상의 조건에서 다광자흡수가 생긴다. 피크파워밀도는 (집광점에 있어서의 레이저광의 1펄스당 에너지) ÷ (레이저광의 빔스폿 단면적 × 펄스폭)에 의해 구해진다. 또, 연속파의 경우, 레이저광의 강도는 레이저광의 집광점의 전계강도(W/㎠)로 정해진다.
이와 같은 다광자흡수를 이용하는 본 실시형태에 관한 레이저 가공방법의 원리에 대해서, 도 1 ~ 도 6을 참조하여 설명한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼모양(판상)의 가공대상물(1)의 표면(3)에는 가공대상물(1)을 절단하기 위한 절단예정라인(5)이 있다. 절단예정라인(5)은 직선모양으로 연장된 가상선이다. 본 실시형태에 관한 레이저 가공방법에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 다광자흡수가 생기는 조건에서 가공대상물(1)의 내부에 집광점(P)을 맞추어 레이저광(L)을 조사하여 개질영역(7)을 형성한다. 또한, 집광점(P)은 레이저광(L)이 집광하는 개소이다. 또, 절단예정라인(5)은 직선모양으로 한정하지 않고 곡선모양으로 하여도 좋으며, 가상선으로 한정하지 않고 가공대상물(1)에 실제로 그은 선으로 하여도 좋다.
그리고, 레이저광(L)을 절단예정라인(5)에 따라서(즉, 도 1의 화살표 A방향으로) 상대적으로 이동시키는 것에 의해, 집광점(P)을 절단예정라인(5)에 따라서 이동시킨다. 이것에 의해, 도 3 ~ 도 5에 나타내는 바와 같이, 개질영역(7)이 절단예정라인(5)에 따라서 가공대상물(1)의 내부에 형성되고, 이 개질영역(7)이 절단기점영역(8)으로 된다. 여기서, 절단기점영역(8)이란 가공대상물(1)이 절단될 때에 절단(갈라짐)의 기점이 되는 영역을 의미한다. 이 절단기점영역(8)은 개질영역(7)이 연속적으로 형성되는 것으로 형성되는 경우도 있고, 개질영역(7)이 단속적으로 형성되는 것으로 형성되는 경우도 있다.
본 실시형태에 관한 레이저 가공방법은 가공대상물(1)이 레이저광(L)을 흡수하는 것에 의해 가공대상물(1)을 발열시켜 개질영역(7)을 형성하는 것은 아니다. 가공대상물(1)에 레이저광(L)을 투과시켜 가공대상물(1)의 내부에 다광자흡수를 발생시켜 개질영역(7)을 형성하고 있다. 따라서, 가공대상물(1)의 표면(3)에서는 레이저광(L)이 거의 흡수되지 않기 때문에, 가공대상물(1)의 표면(3)이 용융하지 않는다.
가공대상물(1)의 내부에 절단기점영역(8)을 형성하면, 이 절단기점영역(8)을 기점으로 하여 갈라짐이 발생하기 쉬워지기 때문에, 도 6에 나타내는 바와 같이, 비교적 작은 힘으로 가공대상물(1)을 절단할 수 있다. 따라서, 가공대상물(1)의 표면(3)에 불필요한 갈라짐을 발생시키는 일 없이, 가공대상물(1)을 고정밀도로 절단하는 것이 가능하게 된다.
이 절단기점영역(8)을 기점으로 한 가공대상물(1)의 절단에는 다음의 2가지 방법을 생각할 수 있다. 하나는, 절단기점영역(8) 형성 후, 가공대상물(1)에 인위적인 힘이 인가되는 것에 의해, 절단기점영역(8)을 기점으로 하여 가공대상물(1)이 갈라져, 가공대상물(1)이 절단되는 경우이다. 이것은, 예를 들면 가공대상물(1)의 두께가 큰 경우의 절단이다. 인위적인 힘이 인가된다는 것은, 예를 들면, 가공대상물(1)의 절단기점영역(8)에 따라서 가공대상물(1)에 굽힘응력 전단응력을 가하거나, 가공대상물(1)에 온도차를 주는 것에 의해 열응력을 발생시키거나 하는 것이다. 다른 하나는, 절단기점영역(8)을 형성하는 것에 의해, 절단기점영역(8)을 기점으로 하여 가공대상물(1)의 단면방향(두께방향)을 향하여 자연히 갈라져, 결과적으로 가공대상물(1)이 절단되는 경우이다. 이것은, 예를 들면 가공대상물(1)의 두께가 작은 경우에는, 1열의 개질영역(7)에 의해 절단기점영역(8)이 형성되는 것으로 가능하게 되고, 가공대상물(1)의 두께가 큰 경우에는 두께방향으로 복수열 형성된 개질영역(7)에 의해 절단기점영역(8)이 형성되는 것으로 가능하게 된다. 또한, 이 자연히 갈라지는 경우도, 절단하는 개소에 있어서, 절단기점영역(8)이 형성되어 있지 않은 부위에 대응하는 부분의 표면(3) 위까지 갈라짐이 앞지르지 않으며, 절단기점영역(8)을 형성한 부위에 대응하는 부분만을 할단(割斷)할 수 있으므로, 할단제어를 잘 할 수 있다. 최근, 실리콘웨이퍼 등의 가공대상물(1)의 두께는 얇아지는 경향에 있으므로, 이와 같은 제어성이 좋은 할단방법은 대단히 유효하다.
그런데, 본 실시형태에 관한 레이저 가공방법에 있어서, 다광자흡수에 의해 형성되는 개질영역으로서는, 다음의 (1) ~ (3)의 경우가 있다.
(1) 개질영역이 1개 또는 복수의 크랙을 포함한 크랙영역인 경우
가공대상물(예를 들면 유리나 LiTaO3로 이루어진 압전재료)의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에 있어서의 전계강도가 1 × 108(W/㎠) 이상이고, 또한 펄스폭이 1㎲ 이하의 조건에서 레이저광을 조사한다. 이 펄스폭의 크기는 다광자흡수를 일으키게 하면서 가공대상물의 표면에 불필요한 데미지를 주지 않고 , 가공대상물의 내부에만 크랙영역을 형성할 수 있는 조건이다. 이것에 의해, 가공대상물의 내부에는 다광자흡수에 의한 광학적 손상이라는 현상이 발생한다. 이 광학적 손상에 의해 가공대상물의 내부에 열변형이 야기되고, 이것에 의해 가공대상물의 내부에 크랙영역이 형성되다. 전계강도의 상한치로서는, 예를 들면 1 × 1012(W/㎠)이다. 펄스폭은 예를 들면 1㎱ ~ 200㎱가 바람직하다. 또한, 다광자흡수에 의한 크랙영역의 형성은, 예를 들면, 제45회 레이저열가공 연구회 논문집(1998년.12월)의 제23 페이지 ~ 제28 페이지의 「고체레이저 고주파에 의한 유리기판의 내부 마킹」에 기재되어 있다.
본 발명자는, 전계강도와 크랙의 크기와의 관계를 실험에 의해 구했다. 실험 조건은 다음과 같다.
(A) 가공대상물 : 파이렉스(Pyrex)(등록상표) 유리(두께 700㎛)
(B) 레이저
광원 : 반도체 레이저 여기(勵起) Nd:YAG 레이저
파장 : 1064㎚
레이저광 스폿 단면적 : 3.14 × 10-8㎠
발진 형태 : Q스위치 펄스
반복 주파수 : 100㎑
펄스폭 : 30㎱
출력 : 출력 < 1mJ < 펄스
레이저광 품질 : TEM00
편광특성 : 직선편광
(C) 집광용 렌즈
레이저광 파장에 대한 투과율 : 60퍼센트
(D) 가공대상물이 실어 놓이는 재치대(載置臺)의 이동속도 : 100㎜/초
또한, 레이저광 품질이 TEM00란, 집광성이 높고 레이저광의 파장 정도까지 집광가능을 의미한다.
도 7은 상기 실험의 결과를 나타내는 그래프이다. 가로축은 피크파워밀도이며, 레이저광이 펄스 레이저광이므로, 전계강도는 피크파워밀도로 나타낸다. 세로축은 1펄스의 레이저광에 의해 가공대상물의 내부에 형성된 크랙부분(크랙스폿)의 크기를 나타내고 있다. 크랙스폿이 모여 크랙영역이 된다. 크랙스폿의 크기는 크랙스폿의 형상 중 최대 길이가 되는 부분의 크기이다. 그래프 중의 검은점으로 나타내는 데이터는 집광용 렌즈(C)의 배율이 100배, 개구수(NA)가 0.80인 경우이다. 한편, 그래프 중의 흰점으로 나타내는 데이터는 집광용 렌즈(C)의 배율이 50배, 개구 수(NA)가 0.55인 경우이다. 피크파워밀도가 1011(W/㎠) 정도로부터 가공대상물의 내부에 크랙스폿이 발생하고, 피크파워밀도가 커짐에 따라 크랙스폿도 커지는 것을 알 수 있다.
다음에, 크랙영역 형성에 의한 가공대상물의 절단의 메카니즘에 대해서, 도 8 ~ 도 11을 참조하여 설명한다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 다광자흡수가 생기는 조건에서 가공대상물(1)의 내부에 집광점(P)을 맞추어 레이저광(L)을 조사하여 절단예정라인에 따라서 내부에 크랙영역(9)을 형성한다. 크랙영역(9)은 1개 또는 복수의 크랙을 포함한 영역이다. 이와 같이 형성된 크랙영역(9)이 절단기점영역이 된다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 크랙영역(9)을 기점으로 하여(즉, 절단기점영역을 기점으로 하여) 크랙이 더욱 성장하고, 도 10에 나타내는 바와 같이, 크랙이 가공대상물(1)의 표면(3)과 이면(21)에 도달하며, 도 11에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)이 갈라지는 것에 의해 가공대상물(1)이 절단된다. 가공대상물(1)의 표면(3)과 이면(21)에 도달하는 크랙은 자연히 성장하는 경우도 있고, 가공대상물(1)에 힘이 인가되는 것으로 성장하는 경우도 있다.
(2) 개질영역이 용융처리영역인 경우
가공대상물(예를 들면 실리콘과 같은 반도체재료)의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에 있어서의 전계강도가 1 × 108(W/㎠) 이상이며, 또한 펄스폭이 1㎲ 이하의 조건에서 레이저광을 조사한다. 이것에 의해 가공대상물의 내부는 다광자흡수에 의해서 국소적으로 가열된다. 이 가열에 의해 가공대상물의 내부에 용융처리영 역이 형성된다. 용융처리영역은 일단 용융 후 재고체화한 영역이나, 확실히 용융 상태의 영역이나, 용융 상태로부터 재고체화하는 상태의 영역이며, 상변화한 영역이나 결정구조가 변화한 영역이라는 것도 할 수 있다. 또, 용융처리영역은 단결정구조, 바정질구조, 다결정구조에 있어서, 어느 구조가 다른 구조로 변화한 영역이라고도 할 수 있다. 즉, 예를 들면, 단결정구조로부터 바정질구조로 변화한 영역, 단결정구조로부터 다결정구조로 변화한 영역, 단결정구조로부터 바정질구조 및 다결정구조를 포함한 구조로 변화한 영역을 의미한다. 가공대상물이 실리콘 단결정구조인 경우, 용융처리영역은 예를 들면 비정질 실리콘구조이다. 전계강도의 상한치로서는, 예를 들면 1 × 1012(W/㎠)이다. 펄스폭은 예를 들면 1㎱ ~ 200㎱가 바람직하다.
본 발명자는 실리콘웨이퍼의 내부에서 용융처리영역이 형성되는 것을 실험에 의해 확인했다. 실험조건은 다음과 같다.
(A) 가공대상물 : 실리콘웨이퍼(두께 350㎛, 외경 4인치)
(B) 레이저
광원 : 반도체 레이저 여기 Nd:YAG 레이저
파장 : 1064nm
레이저광 스폿 단면적 : 3.14 × 108㎠
발진 형태 : Q스위치 펄스
반복 주파수 : 100㎑
펄스폭 : 30㎱
출력 : 20μJ/펄스
레이저광 품질 : TEM00
편광 특성 : 직선편광
(C) 집광용 렌즈
배율 : 50배
N.A. : 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 : 60퍼센트
(D) 가공대상물이 실어 놓이는 재치대의 이동 속도 : 100㎜/초
도 12는, 상기 조건에서의 레이저가공에 의해 절단된 실리콘웨이퍼의 일부에 있어서의 단면의 사진을 나타낸 도이다. 실리콘웨이퍼(11)의 내부에 용융처리영역(13)이 형성되어 있다. 또한, 상기 조건에 의해 형성된 용융처리영역(13)의 두께방향의 크기는 100㎛정도이다.
용융처리영역(13)이 다광자흡수에 의해 형성된 것을 설명한다. 도 13은 레이저광의 파장과 실리콘기판의 내부의 투과율과의 관계를 나타내는 그래프이다. 다만, 실리콘기판의 표면 측과 이면 측 각각의 반사성분을 제거하고, 내부만의 투과율을 나타내고 있다. 실리콘기판의 두께 t가 50㎛, 100㎛, 200㎛, 500㎛, 1000㎛의 각각에 대해 상기 관계를 나타냈다.
예를 들면, Nd:YAG 레이저의 파장인 1064㎚에 있어서, 실리콘기판의 두께가 500㎛이하인 경우, 실리콘기판의 내부에서는 레이저광이 80%이상 투과하는 것을 알 수 있다. 도 12에 나타내는 실리콘웨이퍼(11)의 두께는 350㎛이므로, 다광자흡수에 의한 용융처리영역(13)은 실리콘웨이퍼(11)의 중심 부근, 즉 표면으로부터 175㎛의 부분에 형성된다. 이 경우의 투과율은, 두께 200㎛의 실리콘웨이퍼를 참고로 하면, 90%이상이므로, 레이저광이 실리콘웨이퍼(11)의 내부에서 흡수되는 것은 거의 없으며, 대부분이 투과한다. 이것은 실리콘웨이퍼(11)의 내부에서 레이저광이 흡수되고, 용융처리영역(13)이 실리콘웨이퍼(11)의 내부에 형성(즉 레이저광에 의한 통상의 가열로 용융처리영역이 형성)된 것이 아니고, 용융처리영역(13)이 다광자흡수에 의해 형성된 것을 의미한다. 다광자흡수에 의한 용융처리영역의 형성은, 예를 들면, 용접학회 전국대회강연 개요 제66집(2000년 4월)의 제72페이지 ~ 제73페이지의 「피코초 펄스 레이저에 의한 실리콘의 가공특성평가」에 기재되어 있다.
또한, 실리콘웨이퍼는 용융처리영역에 의해서 형성되는 절단기점영역을 기점으로 하여 단면방향을 향하여 갈라짐을 발생시키고, 그 갈라짐이 실리콘웨이퍼의 표면과 이면과에 도달하는 것에 의해, 결과적으로 절단된다. 실리콘웨이퍼의 표면과 이면에 도달하는 이 갈라짐은 자연히 성장하는 경우도 있고, 실리콘웨이퍼에 힘이 인가되는 것에 의해 성장하는 경우도 있다. 그리고, 절단기점영역으로부터 실리콘웨이퍼의 표면과 이면에 갈라짐이 자연히 성장하는 경우에는 절단기점영역을 형성하는 용융처리영역이 용융하고 있는 상태로부터 갈라짐이 성장하는 경우와, 절단기점영역을 형성하는 용융처리영역이 용융하고 있는 상태로부터 재고체화할 때에 갈라짐이 성장하는 경우와의 모두 있다. 다만, 어느 쪽의 경우도 용융처리영역은 실리콘웨이퍼의 내부에만 형성되고, 절단 후의 절단면에는 도 12와 같이 내부에만 용융처리영역이 형성되어 있다. 이와 같이, 가공대상물의 내부에 용융처리영역에 의해서 절단기점영역을 형성하면, 할단시, 절단기점영역 라인으로부터 어긋난 불필요한 갈라짐이 생기기 어렵기 때문에, 할단제어가 용이하게 된다. 덧붙여서, 용융처리영역의 형성은 다광자흡수가 원인인 경우뿐만 아니라, 다른 흡수작용이 원인인 경우도 있다.
(3) 개질영역이 굴절률 변화영역인 경우
가공대상물(예를 들면 유리)의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에 있어서의 전계강도가 1 × 108(W/㎠) 이상이고, 또한 펄스폭이 1㎱이하인 조건에서 레이저광을 조사한다. 펄스폭을 지극히 짧게 하여, 다광자흡수를 가공대상물의 내부에 일으키게 하면, 다광자흡수에 의한 에너지가 열에너지에 바뀌지 않고, 가공대상물의 내부에는 이온가수변화, 결정화 또는 분극배향 등의 영속적인 구조변화가 야기되어 굴절률 변화영역이 형성된다. 전계강도의 상한치로서는, 예를 들면 1 × 1012(W/㎠)이다. 펄스폭은 예를 들면 1㎱이하가 바람직하고, 1ps이하가 더욱 바람직하다. 다광자흡수에 의한 굴절률 변화영역의 형성은, 예를 들면, 제42회 레이저열가공 연구회 논문집(1997년.11월)의 제105페이지 ~ 제111페이지의 「펨토초 레이저 조사에 의한 유리 내부에의 광야기구조 형성」에 기재되어 있다.
이상, 다광자흡수에 의해 형성되는 개질영역으로서 (1) ~ (3)의 경우를 설명했지만, 웨이퍼모양의 가공대상물의 결정구조나 그 벽개성 등을 고려하여 절단기점 영역을 다음과 같이 형성하면, 그 절단기점영역을 기점으로 하여 보다 한층 작은 힘으로, 게다가 정밀도 좋게 가공대상물을 절단하는 것이 가능하게 된다.
즉, 실리콘 등의 다이아몬드 구조의 단결정 반도체로 이루어진 기판의 경우는 (111)면(제1 경개면)이나 (110)면(제2 경개면)에 따른 방향으로 절단기점영역을 형성하는 것이 바람직하다. 또, GaAs 등의 섬아연광형 구조의 Ⅲ-V족 화합물 반도체로 이루어진 기판의 경우는, (110)면에 따른 방향으로 절단기점영역을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 사파이어(Al2O3) 등의 육방정계의 결정구조를 가지는 기판의 경우는, (0001)면(C면)을 주면으로서 (1120)면(A면) 혹은 (1100)면(M면)에 따른 방향으로 절단기점영역을 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상술한 절단기점영역을 형성해야 하는 방향(예를 들면, 단결정 실리콘기판에 있어서의 (111)면에 따른 방향) 혹은 절단기점영역을 형성해야 하는 방향에 직교하는 방향에 따라서 기판에 오리엔테이션 플랫을 형성하면, 그 오리엔테이션 플랫을 기준으로 하는 것으로, 절단기점영역을 형성해야 하는 방향에 따른 절단기점영역을 용이하고 또한 정확하게 기판에 형성하는 것이 가능하게 된다.
다음에, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 설명한다.
도 14 및 도 15에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)은 이른바 MEMS 웨이퍼이고, 두께 300㎛의 실리콘웨이퍼(반도체기판)(11)와, 복수의 기능소자(15)를 포함해 실리콘웨이퍼(11)의 표면에 형성된 기능소자층(16)과, 실리콘웨이퍼(11)의 이면에 형성된 금속막(17)을 구비하고 있다. 기능소자(15)는, 예를 들면, 기계요소부 품, 센서, 액츄에이터, 전자회로 등이며, 실리콘웨이퍼(11)의 오리엔테이션 플랫(6)에 평행한 방향 및 수직인 방향으로 매트릭스 모양으로 다수 형성되어 있다. 금속막(17)은 금속으로 이루어지고, 그 두께는 3㎛이다.
이상과 같이 구성된 가공대상물(1)을 이하와 같이 하여 기능소자(15) 마다 절단한다. 우선, 도 16에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 이면(다른 쪽의 면)(21), 즉 금속막(17)의 이면에 익스팬드 테이프(23)를 부착한다. 그리고, 기능소자층(16)을 위쪽으로 하여 가공대상물(1)을 레이저가공 장치의 재치대(도시하지 않음) 위에 고정한다.
이어서, 도 17에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 표면(한쪽의 면)(3), 즉 기능소자층(16)의 표면을 레이저광 입사면으로 하여, 실리콘웨이퍼(11)의 표면으로부터 295㎛의 위치(실리콘웨이퍼(11)의 내부)에 집광점(P)을 맞추어 레이저광(L)을 조사하고, 재치대의 이동에 의해서, 서로 이웃이 되는 기능소자(15, 15) 사이를 통과하도록 격자모양으로 설정된 절단예정라인(5)(도 14의 파선 참조)에 따라 집광점(P)을 스캔한다.
이것에 의해, 실리콘웨이퍼(11)의 내부에 있어서의 이면(21) 근방에 용융처리영역(131)을 절단예정라인(5)에 따라서 형성함과 동시에, 금속막(17)에 이면(21)으로부터 소정의 깊이를 가지는 약화영역(18)을 절단예정라인(5)에 따라서 형성한다. 또한, 이 경우의 레이저광의 조사조건은, 펄스폭 150㎱, 에너지 15μJ이다. 또, 상술한 「실리콘웨이퍼(11)의 표면으로부터 295㎛의 위치」는 구면수차(球面收 差) 등을 고려하지 않는 이론상의 「집광점(P)을 맞추는 위치」를 의미하고 있다.
또한, 도 18에 나타내는 바와 같이, 가공대상물(1)의 표면(3)을 레이저광 입사면으로 하여 실리콘웨이퍼(11)의 내부에 집광점(P)을 맞추어 레이저광(L)을 조사하고, 재치대의 이동에 의해서, 서로 이웃이 되는 기능소자(15, 15) 사이를 통과하도록 격자모양으로 설정된 절단예정라인(5)에 따라 집광점(P)을 스캔한다.
이 절단예정라인(5)에 따른 집광점(P)의 스캔을 1개의 절단예정라인(5)에 대해서 5회 실시하지만, 실리콘웨이퍼(11)의 표면과 집광점(P)을 맞추는 위치와의 거리를 각 회마다 바꾸는 것으로, 용융처리영역(131)과 실리콘웨이퍼(11)의 표면과의 사이에 5열의 용융처리영역(132)을 절단예정라인(5)에 따라서 형성한다. 또한, 1개의 절단예정라인(5)에 대해서 실리콘웨이퍼(11)의 내부에 형성되는 용융처리영역(132)의 열 수는 실리콘웨이퍼(11)의 두께 등에 따라 변화하는 것이며, 5열로 한정되지 않는다. 또, 용융처리영역(131, 132)에는 크랙이 혼재하는 경우도 있다.
이어서, 도 19에 나타내는 바와 같이, 익스팬드 테이프(23)를 확장시켜, 용융처리영역(131, 132) 및 약화영역(18)을 절단의 기점으로 하여 절단예정라인(5)에 따라서 가공대상물(1)을 절단한다. 이 때, 익스팬드 테이프(23)가 확장되게 하기 위해, 절단되는 것으로 얻어진 복수의 반도체칩(25)이 서로 이간하게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 상술한 레이저 가공방법에서는 각 절단예정라인(5)에 따라서 가공대상물의 두께방향으로 늘어선 6열의 용융처리영역(131, 132)을 형성 하지만, 가공대상물(1)의 이면(21)에 가장 가까운 용융처리영역(131)을 형성할 때에, 이면(21)에 소정의 깊이를 가지는 약화영역(18)을 절단예정라인(5)에 따라서 형성하고 있다. 이 때, 가공대상물(1)의 이면(21)은 금속막(17)의 이면이지만, 이 경우에 있어서도 소정의 깊이를 가지는 약화영역(18)이 절단예정라인(5)에 따라서 금속막(17)에 형성되어 있기 때문에, 비교적 작은 외력으로, 절단예정라인(5)에 따라서 가공대상물(1)을 정밀도 좋게 절단하는 것이 가능하게 된다.
또, 도 20에 나타내는 바와 같이, 1펄스의 레이저광(L)의 조사에 의해 형성된 용융처리영역(131)과 약화영역(18)은 서로 이간한 상태로 가공대상물(1)의 두께방향에 있어서 대향하고 있다. 이것에 의해, 가공대상물(1)의 이면(21)에 가장 가까운 용융처리영역(131)이 이면(21)으로부터 소정의 거리만큼 안쪽에 형성되게 된다. 그 때문에, 용융처리영역(132)은 물론, 용융처리영역(131)로부터도 파티클이 발생하는 것을 확실히 방지할 수 있다.
또한, 도 20에 나타내는 바와 같이, 펄스 발진된 레이저광(L)의 조사에 의해 형성된 약화영역(18)은 절단예정라인(5)에 따라서 점선상태로 되어 있다. 이것에 의해, 가공대상물(1)에 대해 익스팬드 테이프(23)에 의해서 외력을 작용시켰을 때에 약화영역(18)에 응력이 집중하기 쉬워진다. 그 때문에, 보다 한층 작은 외력으로 절단예정라인(5)에 따라서 가공대상물(1)을 절단하는 것이 가능하게 된다.
여기서, 실리콘웨이퍼(11)의 내부에 용융처리영역(131)이 형성됨과 동시에, 가공대상물(1)의 이면(21)에 약화영역(18)이 형성되는 원리에 대해 설명한다. 실리콘웨이퍼(11)의 내부에 있어서의 이면(21) 근방에 집광점(P)을 맞추어 레이저광(L)을 조사하면, 도 21에 나타내는 바와 같이, 구면수차의 영향으로 중심광선과 주위광선과의 집광도가 열화하고, 각 광선이 일점에 집광하지 않으며, 각 광선, 특히 주위광선의 집광개소가 광축방향으로 어긋난다. 즉, 금속막(17)의 내부(도 21에 있어서, 금속막(17)의 표면(17a)의 아래쪽)에도 일부의 광선이 집광하게 된다. 이것에 의해, 가공대상물(1)의 이면(21), 즉 금속막(17)의 이면에 소정의 깊이를 가지는 약화영역(18)이 형성되게 된다. 또한, 약화영역(18)의 형성에 기여하는 일부의 광선의 집광점에 있어서의 에너지는 작기 때문에, 익스팬드 테이프(23)가 용융 등의 데미지를 받는 것은 거의 없다.
본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 상기 실시형태에서는, 1펄스의 레이저광(L)의 조사에 의해 형성된 용융처리영역(131)과 약화영역(18)이 서로 이간한 상태로 가공대상물(1)의 두께방향에 있어서 대향하고 있었지만, 도 22에 나타내는 바와 같이, 1펄스의 레이저광(L)의 조사에 의해 형성된 용융처리영역(131)과 약화영역(18)이 서로 접촉하고, 혹은 연속한 상태로 하여도 좋다. 이 경우에도, 가공대상물(1)에 있어서 절단예정라인(5)에 따른 부분에 있어서의 이면(21) 측의 단부에는 즐치상(櫛齒狀)의 미개질영역이 잔존하기 때문에, 가공대상물(1)에 외력을 작용시켰을 때에 용융처리영역(131) 및 약화영역(18)에 응력이 집중하기 쉬워져, 작은 외력으로 절단예정라 인(5)에 따라서 가공대상물(1)을 절단하는 것이 가능하게 된다. 또한, 이 경우의 레이저광의 조사조건은 펄스폭 150㎱, 에너지 15μJ이다.
또, 상기 실시형태에서는 가공대상물(1)의 이면(21)을 금속막(17)의 이면으로 하였으나, 가공대상물(1)이 금속막(17)을 구비하지 않고, 예를 들면, 가공대상물(1)의 이면(21)을 실리콘웨이퍼(11)의 이면으로 하여도 좋다. 그리고, 기능소자(15)는, 예를 들면, 결정성장에 의해 형성된 반도체 동작층, 포토 다이오드 등의 수광소자, 레이저 다이오드 등의 발광소자 혹은 회로로서 형성된 회로소자 등으로 하여도 좋다.
또, 상기 실시형태에서는 가공대상물(1)의 표면(3)을 레이저광 입사면으로 하였으나, 가공대상물(1)의 이면(21)을 레이저광 입사면으로 하여도 좋다. 가공대상물(1)의 이면(21)을 레이저광 입사면으로 하는 경우에는 일례로서 다음과 같이 가공대상물(1)을 복수의 반도체칩(25)에 절단한다. 즉, 기능소자층(16)의 표면에 보호테이프를 부착하고, 보호테이프에 의해 기능소자층(16)을 보호한 상태로 레이저가공장치의 재치대에 가공대상물(1)을 유지한 보호테이프를 고정한다. 그리고, 가공대상물(1)의 이면(21)을 레이저광 입사면으로 하여 실리콘웨이퍼(11)의 내부에 집광점(P)을 맞추어 레이저광(L)을 조사하는 것에 의해, 절단예정라인(5)에 따라서 용융처리영역(131, 132) 및 약화영역(18)을 형성한다. 이어서, 재치대에 고정된 보호테이프를 가공대상물(1)과 함께 이격시킨다. 그리고, 가공대상물(1)의 이면(21)에 익스팬드 테이프(23)를 부착하여, 기능소자층(16)의 표면으로부터 보호테이프를 벗긴 후, 익스팬드 테이프(23)를 확장시켜, 용융처리영역(131, 132) 및 약화영역(18)을 절단의 기점으로 하여 가공대상물(1)을 절단예정라인(5)에 따라 절단함과 동시에, 절단되는 것으로 얻어진 복수의 반도체칩(25)을 서로 이간시킨다.
또, 상기 실시형태에서는 실리콘웨이퍼(11)의 내부에 용융처리영역(131, 132)을 형성하였으나, 유리나 압전재료 등, 다른 재료로 이루어진 웨이퍼의 내부에 크랙영역이나 굴절률 변화영역 등 다른 개질영역을 형성하여도 좋다.
본 발명에 의하면, 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 게다가, 비교적 작은 외력으로 절단예정라인에 따라서 가공대상물을 절단하는 것이 가능하게 된다.

Claims (7)

  1. 반도체기판을 구비하는 판상(板狀)의 가공대상물의 절단예정라인에 따라서, 상기 가공대상물의 두께방향으로 늘어서도록 절단의 기점(起点)이 되는 복수열의 개질(改質)영역을 상기 반도체기판의 내부에 형성하는 레이저 가공방법으로서,
    상기 가공대상물의 한쪽의 면을 레이저광 입사면으로 하여, 상기 반도체기판의 내부에 집광점을 이론상 맞추어, 상기 가공대상물에 레이저광을 조사함으로써, 복수열의 상기 개질영역 중 상기 가공대상물의 다른 쪽의 면에 가장 가까운 개질영역을 형성함과 동시에, 상기 절단예정라인에 따라서, 소정의 깊이를 가지는 약화(弱化)영역을 상기 다른 쪽의 면에 형성하는 공정과,
    상기 한쪽의 면을 레이저광 입사면으로 하여, 상기 반도체기판의 내부에 집광점을 맞추어, 상기 가공대상물에 상기 레이저광을 조사함으로써, 복수열의 상기 개질영역 중 상기 다른 쪽의 면에 가장 가까운 상기 개질영역 이외의 개질영역을 형성하는 공정을 포함하고,
    상기 약화영역은 상기 반도체기판의 내부에 집광점을 이론상 맞추어 펄스 발진된 상기 레이저광의 일부의 광선이 상기 레이저광의 광축방향으로 어긋나 집광함으로써, 상기 절단예정라인에 따라서 점선모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 다른 쪽의 면은 상기 가공대상물이 구비하는 금속막의 면인 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 다른 쪽의 면에 가장 가까운 상기 개질영역과 상기 약화영역은 서로 이간(離間)하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 다른 쪽의 면에 가장 가까운 상기 개질영역과 상기 약화영역은 서로 이간(離間)하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  5. 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,
    복수열의 상기 개질영역 및 상기 약화영역을 절단의 기점으로 하여, 상기 절단예정라인에 따라서 상기 가공대상물을 절단하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  6. 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,
    복수열의 상기 개질영역은 용융처리영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
  7. 청구항 5에 있어서,
    복수열의 상기 개질영역은 용융처리영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법.
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Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
TWI326626B (en) * 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
DE60335538D1 (de) 2002-03-12 2011-02-10 Hamamatsu Photonics Kk Verfahren zum schneiden eines bearbeiteten objekts
ATE362653T1 (de) * 2002-03-12 2007-06-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
FR2852250B1 (fr) * 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
DE60315515T2 (de) * 2003-03-12 2007-12-13 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Laserstrahlbearbeitungsverfahren
EP2269765B1 (en) * 2003-07-18 2014-10-15 Hamamatsu Photonics K.K. Cut semiconductor chip
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
ATE556807T1 (de) 2004-03-30 2012-05-15 Hamamatsu Photonics Kk Laserverarbeitungsverfahren
CN101434010B (zh) * 2004-08-06 2011-04-13 浜松光子学株式会社 激光加工方法及半导体装置
JP4762653B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) * 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP4835927B2 (ja) * 2006-06-28 2011-12-14 アイシン精機株式会社 硬脆材料板体の分割加工方法
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP1875983B1 (en) 2006-07-03 2013-09-11 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
JP5145673B2 (ja) * 2006-08-30 2013-02-20 住友電気工業株式会社 レーザ加工方法およびレーザ加工装置
US8188404B2 (en) * 2006-09-19 2012-05-29 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8735770B2 (en) * 2006-10-04 2014-05-27 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method for forming a modified region in an object
JP5336054B2 (ja) * 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241527B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5632751B2 (ja) 2009-02-09 2014-11-26 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
CN102317030B (zh) 2009-04-07 2014-08-20 浜松光子学株式会社 激光加工装置以及激光加工方法
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5476063B2 (ja) 2009-07-28 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US8932510B2 (en) 2009-08-28 2015-01-13 Corning Incorporated Methods for laser cutting glass substrates
US8946590B2 (en) 2009-11-30 2015-02-03 Corning Incorporated Methods for laser scribing and separating glass substrates
US20120234807A1 (en) * 2009-12-07 2012-09-20 J.P. Sercel Associates Inc. Laser scribing with extended depth affectation into a workplace
US20130256286A1 (en) * 2009-12-07 2013-10-03 Ipg Microsystems Llc Laser processing using an astigmatic elongated beam spot and using ultrashort pulses and/or longer wavelengths
JP5479924B2 (ja) * 2010-01-27 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
DE102010009015A1 (de) * 2010-02-24 2011-08-25 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips
KR101149594B1 (ko) * 2010-06-01 2012-05-29 한국과학기술원 펨토초 펄스 레이저 응용 ｐｚｔ 소자를 이용한 가공면 절단 방법
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
JP5480169B2 (ja) * 2011-01-13 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US10773420B2 (en) * 2011-11-10 2020-09-15 LatticeGear, LLC Device and method for cleaving a substrate
JP6044919B2 (ja) * 2012-02-01 2016-12-14 信越ポリマー株式会社 基板加工方法
JP5995045B2 (ja) * 2012-02-06 2016-09-21 信越ポリマー株式会社 基板加工方法及び基板加工装置
US9938180B2 (en) * 2012-06-05 2018-04-10 Corning Incorporated Methods of cutting glass using a laser
JP5646550B2 (ja) * 2012-06-15 2014-12-24 三星ダイヤモンド工業株式会社 被加工物の加工方法、被加工物の分割方法およびレーザー加工装置
JP5646549B2 (ja) * 2012-06-15 2014-12-24 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置
US9610653B2 (en) 2012-09-21 2017-04-04 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of workpieces and articles produced thereby
CN103433624B (zh) * 2013-08-29 2016-07-13 武汉帝尔激光科技有限公司 一种陶瓷基板的激光切割加工方法及系统
TWI614914B (zh) 2014-07-11 2018-02-11 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
CN105322057B (zh) * 2014-07-25 2020-03-20 晶元光电股份有限公司 发光元件及其制造方法
DE102015008037A1 (de) * 2015-06-23 2016-12-29 Siltectra Gmbh Verfahren zum Führen eines Risses im Randbereich eines Spendersubstrats
JP6755705B2 (ja) * 2016-05-09 2020-09-16 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6202694B2 (ja) * 2016-08-10 2017-09-27 国立大学法人埼玉大学 基板加工方法及び基板加工装置
JP6202696B2 (ja) * 2016-08-30 2017-09-27 国立大学法人埼玉大学 単結晶基板製造方法
JP6202695B2 (ja) * 2016-08-30 2017-09-27 国立大学法人埼玉大学 単結晶基板製造方法
DE102016118268A1 (de) * 2016-09-27 2018-03-29 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bearbeiten eines einkristallinen Substrats und mikromechanische Struktur
DE102017106854A1 (de) * 2017-03-30 2018-10-04 Infineon Technologies Ag Trägeranordnung und Verfahren für die Bearbeitung eines Trägers
USD884660S1 (en) 2017-09-27 2020-05-19 Hamamatsu Photonics K.K. Light-receiving device
JP1608528S (ko) 2017-09-27 2018-07-09
US10589445B1 (en) * 2018-10-29 2020-03-17 Semivation, LLC Method of cleaving a single crystal substrate parallel to its active planar surface and method of using the cleaved daughter substrate
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006068816A (ja) * 2004-08-06 2006-03-16 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及び半導体装置
JP2006140355A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及び半導体チップ

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
ATE362653T1 (de) 2002-03-12 2007-06-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
DE60335538D1 (de) 2002-03-12 2011-02-10 Hamamatsu Photonics Kk Verfahren zum schneiden eines bearbeiteten objekts
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
KR101119262B1 (ko) 2002-12-05 2012-03-16 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치
JP2004188422A (ja) 2002-12-06 2004-07-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
DE60315515T2 (de) 2003-03-12 2007-12-13 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Laserstrahlbearbeitungsverfahren
JP2004343008A (ja) * 2003-05-19 2004-12-02 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ光線を利用した被加工物分割方法
JP2005019667A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ光線を利用した半導体ウエーハの分割方法
EP2269765B1 (en) 2003-07-18 2014-10-15 Hamamatsu Photonics K.K. Cut semiconductor chip
JP4703983B2 (ja) * 2003-07-18 2011-06-15 浜松ホトニクス株式会社 切断方法
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005086175A (ja) 2003-09-11 2005-03-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子
JP2005109322A (ja) * 2003-10-01 2005-04-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd レーザーダイシング装置
JP2005123329A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法
JP4160597B2 (ja) 2004-01-07 2008-10-01 浜松ホトニクス株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP4601965B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2005268752A (ja) * 2004-02-19 2005-09-29 Canon Inc レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ
JP4536407B2 (ja) 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
JP4829781B2 (ja) 2004-03-30 2011-12-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
ATE556807T1 (de) 2004-03-30 2012-05-15 Hamamatsu Photonics Kk Laserverarbeitungsverfahren
JP4634089B2 (ja) 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4754801B2 (ja) 2004-10-13 2011-08-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4781661B2 (ja) 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2006150385A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Canon Inc レーザ割断方法
JP4262204B2 (ja) * 2005-01-28 2009-05-13 イル， チャン ジ デンタルフロスケース
JP4198123B2 (ja) 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4838531B2 (ja) 2005-04-27 2011-12-14 サイバーレーザー株式会社 板状体切断方法並びにレーザ加工装置
JP4776994B2 (ja) 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4749799B2 (ja) * 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762653B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US20070111480A1 (en) * 2005-11-16 2007-05-17 Denso Corporation Wafer product and processing method therefor
JP4237745B2 (ja) 2005-11-18 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4907965B2 (ja) 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
EP1875983B1 (en) 2006-07-03 2013-09-11 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8188404B2 (en) * 2006-09-19 2012-05-29 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
JP5101073B2 (ja) 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4964554B2 (ja) 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5132911B2 (ja) 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8735770B2 (en) 2006-10-04 2014-05-27 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method for forming a modified region in an object
JP5336054B2 (ja) 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5225639B2 (ja) 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5342772B2 (ja) 2007-10-12 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5054496B2 (ja) 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5134928B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006068816A (ja) * 2004-08-06 2006-03-16 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及び半導体装置
JP2006140355A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及び半導体チップ

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