JP2002154846A - ガラス基板の加工方法 - Google Patents
ガラス基板の加工方法Info
- Publication number
- JP2002154846A JP2002154846A JP2000350424A JP2000350424A JP2002154846A JP 2002154846 A JP2002154846 A JP 2002154846A JP 2000350424 A JP2000350424 A JP 2000350424A JP 2000350424 A JP2000350424 A JP 2000350424A JP 2002154846 A JP2002154846 A JP 2002154846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- groove
- glass
- laser
- shaped groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/0025—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by a laser beam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
- B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】光学素子の保持部材として用いられるＶ状溝を
有する基板は温度変動による光学素子の光軸ずれを防止
するため、熱膨張係数を任意に選定できることが望まし
い。しかし従来のＶ状溝は結晶材料の異方性エッチング
により作製されているため、使用できる材料が限定され
ていた。 【解決手段】本発明においては、ガラス基板１の表面７
へレーザ光２を照射することによりＶ状溝６を形成す
る。その際、ガラス基板１の外側上方にレーザ光２を集
光させ、その集光点４とガラス基板１の表面７との距離
を変化させることによってＶ状溝の両側面のなす角度を
変化させることができる。この角度の範囲は、３０度か
ら１２０度である。また本発明で用いるレーザ光は、パ
ルス光であり、そのパルス幅は１０ピコ秒以下であるこ
とが望ましい。
有する基板は温度変動による光学素子の光軸ずれを防止
するため、熱膨張係数を任意に選定できることが望まし
い。しかし従来のＶ状溝は結晶材料の異方性エッチング
により作製されているため、使用できる材料が限定され
ていた。 【解決手段】本発明においては、ガラス基板１の表面７
へレーザ光２を照射することによりＶ状溝６を形成す
る。その際、ガラス基板１の外側上方にレーザ光２を集
光させ、その集光点４とガラス基板１の表面７との距離
を変化させることによってＶ状溝の両側面のなす角度を
変化させることができる。この角度の範囲は、３０度か
ら１２０度である。また本発明で用いるレーザ光は、パ
ルス光であり、そのパルス幅は１０ピコ秒以下であるこ
とが望ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基板表面に
溝状凹部を形成するガラス基板の加工方法に関し、とく
にレーザアブレーションによってガラス基板表面にＶ状
溝を形成する方法に関する。
溝状凹部を形成するガラス基板の加工方法に関し、とく
にレーザアブレーションによってガラス基板表面にＶ状
溝を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板上に作製された溝状凹部は、光ファ
イバ、ロッドレンズ等の光学素子の保持部材や、回折格
子等の光学素子として利用されている。基板上に作製さ
れた溝を光ファイバ等の保持部材として使用する場合、
溝の長手方向に対して垂直な断面がＶ字型をなしている
ことが重要である。溝断面がＵ状や矩形状である場合に
は、光ファイバ等を溝内に収容した際、その保持が線で
はなく面で行われるために、光ファイバ等の直径に対し
て溝断面の寸法が高精度で一致している必要がある。こ
の寸法にばらつきがある場合、光ファイバ等は確実に固
定されず、溝中を移動してしまう。光ファイバ等の保持
は他の光学素子との光軸合わせを目的に行われるので、
このような移動は問題を生じる。それに対してＶ状溝の
場合は、溝断面が直線でかつ傾いているので光ファイバ
ー等はそれぞれの壁面において線で保持され、溝中を移
動する恐れはない。
イバ、ロッドレンズ等の光学素子の保持部材や、回折格
子等の光学素子として利用されている。基板上に作製さ
れた溝を光ファイバ等の保持部材として使用する場合、
溝の長手方向に対して垂直な断面がＶ字型をなしている
ことが重要である。溝断面がＵ状や矩形状である場合に
は、光ファイバ等を溝内に収容した際、その保持が線で
はなく面で行われるために、光ファイバ等の直径に対し
て溝断面の寸法が高精度で一致している必要がある。こ
の寸法にばらつきがある場合、光ファイバ等は確実に固
定されず、溝中を移動してしまう。光ファイバ等の保持
は他の光学素子との光軸合わせを目的に行われるので、
このような移動は問題を生じる。それに対してＶ状溝の
場合は、溝断面が直線でかつ傾いているので光ファイバ
ー等はそれぞれの壁面において線で保持され、溝中を移
動する恐れはない。
【０００３】上記の目的で使用されるＶ状溝の多くは化
学エッチングによって作製されている。シリコン等の結
晶性基板では、その結晶方向によってエッチング速度が
異なる。たとえば単結晶シリコンをアルカリ性エッチン
グ液でエッチングすると、（１００）面、（１１０）面
のエッチング速度が（１１１）面のエッチング速度より
速いため、（１１１）結晶面のみで構成される形状が形
成できる（例えば、「ＬＳＩハンドブック」電子通信学
会編 オーム社、参照）。
学エッチングによって作製されている。シリコン等の結
晶性基板では、その結晶方向によってエッチング速度が
異なる。たとえば単結晶シリコンをアルカリ性エッチン
グ液でエッチングすると、（１００）面、（１１０）面
のエッチング速度が（１１１）面のエッチング速度より
速いため、（１１１）結晶面のみで構成される形状が形
成できる（例えば、「ＬＳＩハンドブック」電子通信学
会編 オーム社、参照）。
【０００４】このようなエッチング方法は異方性エッチ
ングと呼ばれる。シリコンの結晶面異方性エッチングに
は、ＫＯＨ、Ｎ2Ｈ4（ヒドラジン）、ＮＨ2（ＣＨ2）2
ＮＨ2（エチレンジアミン）、ＮＨ4ＯＨ（アンモニア
水）等のアルカリ溶液が使用される。アルカリ溶液中の
ＯＨ-イオンによってＳｉはＳｉＯ2（ＯＨ）2 -として除
去される。しばしば、ＣＨ3・ＣＨＯＨ・ＣＨ3やＣ6Ｈ4
（ＯＨ）2（ピロカテコール）などのアルコールが緩衝
剤として用いられるが、これはＯＨ-イオンがＳｉ表面
に吸着するのを防ぎ、エッチング速度を制御しやすいよ
うに減少させるとともに、面方位依存性を変化させるも
のと考えられている。
ングと呼ばれる。シリコンの結晶面異方性エッチングに
は、ＫＯＨ、Ｎ2Ｈ4（ヒドラジン）、ＮＨ2（ＣＨ2）2
ＮＨ2（エチレンジアミン）、ＮＨ4ＯＨ（アンモニア
水）等のアルカリ溶液が使用される。アルカリ溶液中の
ＯＨ-イオンによってＳｉはＳｉＯ2（ＯＨ）2 -として除
去される。しばしば、ＣＨ3・ＣＨＯＨ・ＣＨ3やＣ6Ｈ4
（ＯＨ）2（ピロカテコール）などのアルコールが緩衝
剤として用いられるが、これはＯＨ-イオンがＳｉ表面
に吸着するのを防ぎ、エッチング速度を制御しやすいよ
うに減少させるとともに、面方位依存性を変化させるも
のと考えられている。
【０００５】Ｓｉ（１００）ウエハ表面に一定幅をもつ
ストライプ状パターンの開口をもつホトレジスト等のマ
スクを設け、上記のエッチング液によりエッチングを行
うと、Ｖ状溝が形成される。そのＶ状溝両側面のなす角
度は５４．７度を保ってエッチングが進み、マスクパタ
ーン幅で決まる深さで反応はほぼ停止する。異方性エッ
チングによると、結晶学的に決まった形状が形成できる
ため、従来の方法に比べ高精度な加工が可能となる。こ
の方法は、パターン幅を変化させることでどのような大
きさのＶ状溝も作製可能であること、エッチングプロセ
スであるので同時に多量の生産が可能なため、同じ形状
を多く作製する場合にはコストが安い利点がある。
ストライプ状パターンの開口をもつホトレジスト等のマ
スクを設け、上記のエッチング液によりエッチングを行
うと、Ｖ状溝が形成される。そのＶ状溝両側面のなす角
度は５４．７度を保ってエッチングが進み、マスクパタ
ーン幅で決まる深さで反応はほぼ停止する。異方性エッ
チングによると、結晶学的に決まった形状が形成できる
ため、従来の方法に比べ高精度な加工が可能となる。こ
の方法は、パターン幅を変化させることでどのような大
きさのＶ状溝も作製可能であること、エッチングプロセ
スであるので同時に多量の生産が可能なため、同じ形状
を多く作製する場合にはコストが安い利点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、異方性
エッチングによる方法は基板として選択できる材料が単
結晶シリコン等の結晶性基板に限られ、またＶ字の角度
が結晶学的に一義的に決定されるため、調整ができな
い。これはつぎのような問題を生じる。
エッチングによる方法は基板として選択できる材料が単
結晶シリコン等の結晶性基板に限られ、またＶ字の角度
が結晶学的に一義的に決定されるため、調整ができな
い。これはつぎのような問題を生じる。
【０００７】光学装置に対する要求性能が高度化するに
つれ、光学系の温度による特性変動が問題となってく
る。これは温度が変化することによって光学系を構成す
る光学素子が膨張、収縮すること、屈折率が変化するこ
とによって光路長が変化することによる。そのため、光
学素子の光路長の温度変化を相殺するような特性を有す
る材料を保持部材として使用すれば、光学系全体として
の温度変化を低減することができる。
つれ、光学系の温度による特性変動が問題となってく
る。これは温度が変化することによって光学系を構成す
る光学素子が膨張、収縮すること、屈折率が変化するこ
とによって光路長が変化することによる。そのため、光
学素子の光路長の温度変化を相殺するような特性を有す
る材料を保持部材として使用すれば、光学系全体として
の温度変化を低減することができる。
【０００８】光学素子の光軸調整に使用される保持部材
の場合、温度による影響は膨張、収縮による光軸ずれで
あるので、この場合には温度変化に対して膨張、収縮が
小さい材料を使用すればよい。しかし例えばシリコンの
熱膨張係数は約２５×１０-7℃-1であり、上記のような
異方性エッチングに供される結晶材料から膨張、収縮の
小さい材料を選択することは困難である。これに対して
ガラスには例えば石英ガラス（５．５×１０-7℃-1）の
ように熱膨張係数の小さい材料が存在し、さらにいわゆ
るゼロ熱膨張ガラスと呼ばれる石英ガラスより熱膨張係
数が小さい材料も知られている。また、保持部材上の光
学素子が正の熱膨張係数を持つ場合は、保持部材に負の
熱膨張係数を持つガラスを選択することもできるので、
系全体の熱膨張を相殺することができる。以上のよう
に、光学素子の温度による特性の変化を抑制する保持部
材としては、結晶材料より非晶質であるガラス材料の方
が選択できる幅が広い。
の場合、温度による影響は膨張、収縮による光軸ずれで
あるので、この場合には温度変化に対して膨張、収縮が
小さい材料を使用すればよい。しかし例えばシリコンの
熱膨張係数は約２５×１０-7℃-1であり、上記のような
異方性エッチングに供される結晶材料から膨張、収縮の
小さい材料を選択することは困難である。これに対して
ガラスには例えば石英ガラス（５．５×１０-7℃-1）の
ように熱膨張係数の小さい材料が存在し、さらにいわゆ
るゼロ熱膨張ガラスと呼ばれる石英ガラスより熱膨張係
数が小さい材料も知られている。また、保持部材上の光
学素子が正の熱膨張係数を持つ場合は、保持部材に負の
熱膨張係数を持つガラスを選択することもできるので、
系全体の熱膨張を相殺することができる。以上のよう
に、光学素子の温度による特性の変化を抑制する保持部
材としては、結晶材料より非晶質であるガラス材料の方
が選択できる幅が広い。
【０００９】ガラス基板にＶ状溝を作製する方法として
は、ダイシングソーによる切削がある。この方法は、精
密に仕上げられた刃を高速に回転させて基板を切削する
もので、広い範囲の基板材料に適用可能であること、刃
先の変更でＶ字の角度、溝の幅、深さが任意に変更可能
であるという特徴を有する。
は、ダイシングソーによる切削がある。この方法は、精
密に仕上げられた刃を高速に回転させて基板を切削する
もので、広い範囲の基板材料に適用可能であること、刃
先の変更でＶ字の角度、溝の幅、深さが任意に変更可能
であるという特徴を有する。
【００１０】しかしながら、ダイシングソーによる切削
は、切削に使用される刃先の磨耗が大きいために一つの
刃先で作製できるＶ状溝の数が数本に限られる。このた
めコスト上問題がある。また数本切削するごとに刃先の
交換が必要なため、溝間隔を高い寸法精度に保つのが難
しい。さらに刃先を加工できる大きさが５０μｍ以上で
あるので、得られるＶ状溝の幅が５０μｍ以上に限定さ
れるといった問題がある。
は、切削に使用される刃先の磨耗が大きいために一つの
刃先で作製できるＶ状溝の数が数本に限られる。このた
めコスト上問題がある。また数本切削するごとに刃先の
交換が必要なため、溝間隔を高い寸法精度に保つのが難
しい。さらに刃先を加工できる大きさが５０μｍ以上で
あるので、得られるＶ状溝の幅が５０μｍ以上に限定さ
れるといった問題がある。
【００１１】本発明は、ガラス基板表面にＶ状溝を形成
する方法における上述のような問題点を解決することを
目的とする。さらに前記Ｖ状溝の両側面がなす角度を任
意に変更可能であることを特徴とするガラス基板の加工
方法を提供する。
する方法における上述のような問題点を解決することを
目的とする。さらに前記Ｖ状溝の両側面がなす角度を任
意に変更可能であることを特徴とするガラス基板の加工
方法を提供する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のガラス基板の加
工方法は、レーザ光照射によりガラス基板表面に凹部を
形成する方法である。本発明の方法においては、加工を
施すガラス基板表面上方よりレーザ光を照射し、このレ
ーザ光をガラス基板の上方外側に集光させる。さらにそ
の集光点のガラス基板表面からの距離を変化させる手段
を有する。またこの集光点を基板表面に平行に基板に対
して相対的に移動させることにより、溝状凹部が基板表
面に形成できる。このレーザ光は、パルス光であり、そ
のパルス幅が１０ピコ秒以下であることが望ましい。
工方法は、レーザ光照射によりガラス基板表面に凹部を
形成する方法である。本発明の方法においては、加工を
施すガラス基板表面上方よりレーザ光を照射し、このレ
ーザ光をガラス基板の上方外側に集光させる。さらにそ
の集光点のガラス基板表面からの距離を変化させる手段
を有する。またこの集光点を基板表面に平行に基板に対
して相対的に移動させることにより、溝状凹部が基板表
面に形成できる。このレーザ光は、パルス光であり、そ
のパルス幅が１０ピコ秒以下であることが望ましい。
【００１３】本発明のガラス基板の加工方法によりガラ
ス基板表面に形成されたＶ状溝は、その両側面のなす角
度が３０度から１２０度の間で変化できる。また、Ｖ状
溝が形成されたガラス基板は、溝がレーザ光によるアブ
レーションによって作製されるため、多くの溝を形成さ
せる場合においても連続的に加工できる。このため溝間
隔の精度を高くすることが容易であり、また連続加工が
可能である。
ス基板表面に形成されたＶ状溝は、その両側面のなす角
度が３０度から１２０度の間で変化できる。また、Ｖ状
溝が形成されたガラス基板は、溝がレーザ光によるアブ
レーションによって作製されるため、多くの溝を形成さ
せる場合においても連続的に加工できる。このため溝間
隔の精度を高くすることが容易であり、また連続加工が
可能である。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。本発明のガラス基板表面へのＶ状溝の加工方法
は、レーザ光をガラス表面に照射してアブレーションを
起こさせることを基本としている。形成されるＶ状溝６
の概形を図３に示す。レーザ光としては、アブレーショ
ンによって加工した溝の溝側面８および溝側面と基板表
面とのエッジ９を滑らかにするためにはパルス幅が短い
レーザが望ましい。レーザ光が連続光、またはパルス幅
が長い場合には、レーザ光照射時に発生する熱の影響に
よってアブレーション加工した溝部のエッジ９および周
辺が変形するため、良好な加工ができない。例えばパル
ス幅１ナノ秒のパルスレーザによって加工を行った場合
は、溝のエッジ９部分にクラック、隆起（デブリ）が多
く発生して良好なＶ状溝形状が得られない。レーザのパ
ルス幅が短くなるほどレーザパルスの照射時に発生する
熱が瞬間的であるために周囲へ伝導することが少なくな
り、良好な側面８とエッジ９を有する加工溝６が得られ
る。よって、レーザ光のパルス幅は、望ましくは１０ピ
コ秒以下であり、さらに望ましくは１ピコ秒以下であ
る。パルス幅は短いほどよいが、レーザが安定に発振す
る最短パルス幅は１０フェムト秒程度以上である。
する。本発明のガラス基板表面へのＶ状溝の加工方法
は、レーザ光をガラス表面に照射してアブレーションを
起こさせることを基本としている。形成されるＶ状溝６
の概形を図３に示す。レーザ光としては、アブレーショ
ンによって加工した溝の溝側面８および溝側面と基板表
面とのエッジ９を滑らかにするためにはパルス幅が短い
レーザが望ましい。レーザ光が連続光、またはパルス幅
が長い場合には、レーザ光照射時に発生する熱の影響に
よってアブレーション加工した溝部のエッジ９および周
辺が変形するため、良好な加工ができない。例えばパル
ス幅１ナノ秒のパルスレーザによって加工を行った場合
は、溝のエッジ９部分にクラック、隆起（デブリ）が多
く発生して良好なＶ状溝形状が得られない。レーザのパ
ルス幅が短くなるほどレーザパルスの照射時に発生する
熱が瞬間的であるために周囲へ伝導することが少なくな
り、良好な側面８とエッジ９を有する加工溝６が得られ
る。よって、レーザ光のパルス幅は、望ましくは１０ピ
コ秒以下であり、さらに望ましくは１ピコ秒以下であ
る。パルス幅は短いほどよいが、レーザが安定に発振す
る最短パルス幅は１０フェムト秒程度以上である。
【００１５】レーザ光は、レンズ等の集光装置により集
光される。このとき、集光点がガラス材料の外部に位置
するように調整することでＶ状溝の形成ができる。レー
ザ光の集光点をガラス表面に位置させると、溝形状がＶ
字状にならず、溝の下部にクラックが入る等の問題が生
じる。レーザ光の集光点をガラス表面から移動させガラ
スの外部に位置させることで、クラックがなく、溝側面
エッジが滑らかなＶ状溝をガラス表面に形成することが
できる。
光される。このとき、集光点がガラス材料の外部に位置
するように調整することでＶ状溝の形成ができる。レー
ザ光の集光点をガラス表面に位置させると、溝形状がＶ
字状にならず、溝の下部にクラックが入る等の問題が生
じる。レーザ光の集光点をガラス表面から移動させガラ
スの外部に位置させることで、クラックがなく、溝側面
エッジが滑らかなＶ状溝をガラス表面に形成することが
できる。
【００１６】上記については以下のように推測される。
パルス幅の短いレーザは短いパルス時間にエネルギーが
集中しているため、大きなピークパワーを有している。
ピークパワーは、１パルス当りの出力エネルギー（Ｊ）
／パルス幅（秒）の比で表されるピーク出力（Ｗ）を照
射単位面積当りで表した値である。このパルス幅の短い
レーザを集光させることで、集光点のエネルギーは非常
に大きなものとなる。集光点のピークパワーが８×１０
11Ｗ／ｃｍ2以上となると、レーザビームが自己収束効
果を起こして集光点の後方（レーザの進む方向）のビー
ムの広がりが抑えられる（応用物理、６７巻、ｐ．105
1、1998年参照）。これによりビームの広がりがガラス
のＶ状溝を加工するのに適した分布となるため、集光点
の後方（レーザの進行方向）にガラス表面を位置させる
ことでガラス表面にＶ状溝を形成することができる。
パルス幅の短いレーザは短いパルス時間にエネルギーが
集中しているため、大きなピークパワーを有している。
ピークパワーは、１パルス当りの出力エネルギー（Ｊ）
／パルス幅（秒）の比で表されるピーク出力（Ｗ）を照
射単位面積当りで表した値である。このパルス幅の短い
レーザを集光させることで、集光点のエネルギーは非常
に大きなものとなる。集光点のピークパワーが８×１０
11Ｗ／ｃｍ2以上となると、レーザビームが自己収束効
果を起こして集光点の後方（レーザの進む方向）のビー
ムの広がりが抑えられる（応用物理、６７巻、ｐ．105
1、1998年参照）。これによりビームの広がりがガラス
のＶ状溝を加工するのに適した分布となるため、集光点
の後方（レーザの進行方向）にガラス表面を位置させる
ことでガラス表面にＶ状溝を形成することができる。
【００１７】集光点とアブレーション加工するガラスの
表面との距離は、レーザ光の強度、用いるレンズの倍率
および開口率（ＮＡ）、加工速度等の組み合わせで最適
になるように調整する。これらのパラメータが一定の場
合、集光点とガラス表面との距離を変化させることでＶ
状溝の溝幅をほぼ一定にしたままでＶ字のなす角度を任
意に変更することができる。しかしながら、集光点をガ
ラス表面に近付け過ぎると、作製した溝にクラックが生
成してしまう。集光点をガラス表面から離しすぎるとＶ
状溝の加工に必要なエネルギー分布ではなくなってＶ状
溝形状が得られなくなるという問題がある。このため、
集光点とガラス表面との距離を調整することによって得
られるＶ状溝のＶ字のなす角度は、３０度から１２０度
である。
表面との距離は、レーザ光の強度、用いるレンズの倍率
および開口率（ＮＡ）、加工速度等の組み合わせで最適
になるように調整する。これらのパラメータが一定の場
合、集光点とガラス表面との距離を変化させることでＶ
状溝の溝幅をほぼ一定にしたままでＶ字のなす角度を任
意に変更することができる。しかしながら、集光点をガ
ラス表面に近付け過ぎると、作製した溝にクラックが生
成してしまう。集光点をガラス表面から離しすぎるとＶ
状溝の加工に必要なエネルギー分布ではなくなってＶ状
溝形状が得られなくなるという問題がある。このため、
集光点とガラス表面との距離を調整することによって得
られるＶ状溝のＶ字のなす角度は、３０度から１２０度
である。
【００１８】レーザアブレーションによって得られるＶ
状溝の溝幅は、レーザ光の強度、用いるレンズの倍率お
よび開口率（ＮＡ）によって任意に変更することができ
る。しかしなから、集光点のピークパワーが小さくなり
すぎると、自己収束効果による集光点より後方のビーム
の広がり抑制効果が小さくなりすぎるため、アブレーシ
ョンによってガラス表面にＶ字形状の溝が作製できなく
なる。
状溝の溝幅は、レーザ光の強度、用いるレンズの倍率お
よび開口率（ＮＡ）によって任意に変更することができ
る。しかしなから、集光点のピークパワーが小さくなり
すぎると、自己収束効果による集光点より後方のビーム
の広がり抑制効果が小さくなりすぎるため、アブレーシ
ョンによってガラス表面にＶ字形状の溝が作製できなく
なる。
【００１９】この集光点をガラス基板の表面に対して平
行に相対移動させることにより、ガラス表面にＶ状溝が
形成される。具体的には、レーザ光の集光点に対しガラ
ス基板を連続的に移動させ、あるいはガラス基板の外部
でレーザ光の集光点をガラス表面に対して平行に連続的
に移動させることにより、集光点を相対移動させる。
行に相対移動させることにより、ガラス表面にＶ状溝が
形成される。具体的には、レーザ光の集光点に対しガラ
ス基板を連続的に移動させ、あるいはガラス基板の外部
でレーザ光の集光点をガラス表面に対して平行に連続的
に移動させることにより、集光点を相対移動させる。
【００２０】上述のように、滑らかなＶ状溝の側面およ
びエッジを得るため、レーザ光のピークパワーを大きく
するためにはパルス幅の短いパルスレーザの使用が望ま
しい。レーザの発振周波数が低いほどピークパワーを大
きくすることが容易になるが、あまり遅いと滑らかな溝
形状とならないため、レーザパルスの繰り返し周波数は
１００Ｈｚ、望ましくは５００Ｈｚ以上とする。
びエッジを得るため、レーザ光のピークパワーを大きく
するためにはパルス幅の短いパルスレーザの使用が望ま
しい。レーザの発振周波数が低いほどピークパワーを大
きくすることが容易になるが、あまり遅いと滑らかな溝
形状とならないため、レーザパルスの繰り返し周波数は
１００Ｈｚ、望ましくは５００Ｈｚ以上とする。
【００２１】レーザ光強度の変化は、レーザの出力自体
を変化させてもよいが、その場合はレーザの発振が不安
定となるため、レーザ発振装置の外部で行うことが望ま
しい。外部でレーザ光を変化させることは、レーザ光の
光路の途中に強度を変化させるための装置を設置するこ
とによって達成できる。強度を変化させるための具体的
な装置にはＮＤフィルタ、グランレーザプリズム等があ
る。
を変化させてもよいが、その場合はレーザの発振が不安
定となるため、レーザ発振装置の外部で行うことが望ま
しい。外部でレーザ光を変化させることは、レーザ光の
光路の途中に強度を変化させるための装置を設置するこ
とによって達成できる。強度を変化させるための具体的
な装置にはＮＤフィルタ、グランレーザプリズム等があ
る。
【００２２】以下に実施例をあげて本発明をより具体的
に説明するが、本発明はその主旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。例えば、レーザ光
の照射位置を基板面内で移動させずに、円錐孔状の凹部
を形成することもできる。また集光点と基板を相対移動
させるとともに、集光点と基板表面の距離も変化させれ
ば、位置によって両側面のなす角が変化した溝形状を形
成することもできる。
に説明するが、本発明はその主旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。例えば、レーザ光
の照射位置を基板面内で移動させずに、円錐孔状の凹部
を形成することもできる。また集光点と基板を相対移動
させるとともに、集光点と基板表面の距離も変化させれ
ば、位置によって両側面のなす角が変化した溝形状を形
成することもできる。
【００２３】
【実施例１】表１に示す組成を有し、０℃から３００℃
までの平均熱膨張係数が８９．２×１０-7℃-1である２
０mm×３０mm×２mmの板状のガラス基板に、図１に示す
ようにパルスレーザ光２をレンズ３で集光して照射し
た。パルスレーザ光２としては、アルゴンレーザ励起の
チタン・サファイア（Ｔｉ：Ａｌ2Ｏ3）レーザ（図示し
ない）から発振されたパルス幅１００フェムト秒、繰り
返し周波数１ｋＨｚ、波長８００nm、平均出力９５０ｍ
Ｗのレーザ光を使用した。ＮＤフィルターを透過させて
強度５００mWに調整したレーザ光を、開口率（ＮＡ）が
０．３の１０倍対物レンズ３で集光し、レーザ光２の焦
点位置４が基板１の表面７の外部上方１５０μｍに位置
するように調整し、基板１を１００μｍ／ｓの速度で矢
印５の方向に移動させながらＶ状溝６を作製した。
までの平均熱膨張係数が８９．２×１０-7℃-1である２
０mm×３０mm×２mmの板状のガラス基板に、図１に示す
ようにパルスレーザ光２をレンズ３で集光して照射し
た。パルスレーザ光２としては、アルゴンレーザ励起の
チタン・サファイア（Ｔｉ：Ａｌ2Ｏ3）レーザ（図示し
ない）から発振されたパルス幅１００フェムト秒、繰り
返し周波数１ｋＨｚ、波長８００nm、平均出力９５０ｍ
Ｗのレーザ光を使用した。ＮＤフィルターを透過させて
強度５００mWに調整したレーザ光を、開口率（ＮＡ）が
０．３の１０倍対物レンズ３で集光し、レーザ光２の焦
点位置４が基板１の表面７の外部上方１５０μｍに位置
するように調整し、基板１を１００μｍ／ｓの速度で矢
印５の方向に移動させながらＶ状溝６を作製した。
【００２４】上記方法で作製したＶ状溝の走査電子顕微
鏡写真を図２に示す。図３に示すＶ状溝各部の寸法の測
定結果は溝幅Ｗが５１μｍ、溝の深さｄが３２μｍ、Ｖ
状溝側面８のなす角度θは７７度であった。
鏡写真を図２に示す。図３に示すＶ状溝各部の寸法の測
定結果は溝幅Ｗが５１μｍ、溝の深さｄが３２μｍ、Ｖ
状溝側面８のなす角度θは７７度であった。
【００２５】
【実施例２】実施例１と同様の基板材料、レーザ光源を
用い、レーザーの焦点位置のみ基板１の表面７の外部上
方１２５μｍに位置するように変更してＶ状溝を作製し
た。形成されたＶ状溝の形状を走査型電子顕微鏡で確認
したところ、溝幅Ｗ＝４９μｍ、深さｄ＝６７μｍ、Ｖ
状溝側面８のなす角度θは４０度であった。
用い、レーザーの焦点位置のみ基板１の表面７の外部上
方１２５μｍに位置するように変更してＶ状溝を作製し
た。形成されたＶ状溝の形状を走査型電子顕微鏡で確認
したところ、溝幅Ｗ＝４９μｍ、深さｄ＝６７μｍ、Ｖ
状溝側面８のなす角度θは４０度であった。
【００２６】
【実施例３】実施例１と同様の基板材料、レーザ光源を
用い、レーザーの焦点位置のみ基板１の表面７の外部上
方１７５μｍに位置するように変更してＶ状溝を作製し
た。形成されたＶ状溝の形状を走査型電子顕微鏡で確認
したところ、溝幅Ｗ＝５３μｍ、深さｄ＝１９μｍ、Ｖ
状溝側面８のなす角度θは１１０度であった。
用い、レーザーの焦点位置のみ基板１の表面７の外部上
方１７５μｍに位置するように変更してＶ状溝を作製し
た。形成されたＶ状溝の形状を走査型電子顕微鏡で確認
したところ、溝幅Ｗ＝５３μｍ、深さｄ＝１９μｍ、Ｖ
状溝側面８のなす角度θは１１０度であった。
【００２７】
【実施例４】表１に示すように実施例１〜３とは異なる
組成を有し、−５０℃から１２５℃までの平均熱膨張係
数が−４．１×１０−７℃-1である２０mm×３０mm×２
mmの板状の基板に、図１に示すようにパルスレーザ光２
をレンズ３で集光して照射した。パルスレーザ光２とし
ては、実施例１と同様にアルゴンレーザ励起のＴｉ：Ａ
ｌ2Ｏ3レーザから発振されたパルス幅１００フェムト
秒、繰り返し周波数１ｋＨｚ、波長８００nm、平均出力
９５０ｍＷのレーザ光を使用した。ＮＤフィルタを透過
させて強度７４０ｍＷに調整したレーザ光を、ＮＡ＝
０．１３の４倍対物レンズ３で集光し、レーザ光２の焦
点位置４が基板１の表面７の外部上方４５０μｍに位置
するように調整し、基板１を１００μｍ／ｓの速度で矢
印５の方向に移動させながらＶ状溝６を作製した。
組成を有し、−５０℃から１２５℃までの平均熱膨張係
数が−４．１×１０−７℃-1である２０mm×３０mm×２
mmの板状の基板に、図１に示すようにパルスレーザ光２
をレンズ３で集光して照射した。パルスレーザ光２とし
ては、実施例１と同様にアルゴンレーザ励起のＴｉ：Ａ
ｌ2Ｏ3レーザから発振されたパルス幅１００フェムト
秒、繰り返し周波数１ｋＨｚ、波長８００nm、平均出力
９５０ｍＷのレーザ光を使用した。ＮＤフィルタを透過
させて強度７４０ｍＷに調整したレーザ光を、ＮＡ＝
０．１３の４倍対物レンズ３で集光し、レーザ光２の焦
点位置４が基板１の表面７の外部上方４５０μｍに位置
するように調整し、基板１を１００μｍ／ｓの速度で矢
印５の方向に移動させながらＶ状溝６を作製した。
【００２８】上記方法で作製したＶ状溝の形状を走査型
電子顕微鏡で確認したところ、溝幅Ｗ＝８７μｍ、深さ
ｄ＝５８μｍ、Ｖ状溝側面８のなす角度θは７４度であ
った。
電子顕微鏡で確認したところ、溝幅Ｗ＝８７μｍ、深さ
ｄ＝５８μｍ、Ｖ状溝側面８のなす角度θは７４度であ
った。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パルス幅の短いパルスレーザ光をガラスの外部に集光さ
せ、その集光点の後方（レーザ光の進行方向）にガラス
表面を位置させてアブレーションを起こさせることでガ
ラス基板表面にＶ状溝が作製でき、その焦点位置とガラ
ス表面との距離を変化させることによってＶ状溝両側面
のなす角度を変更し得る。レーザを用いた加工であるた
め、連続的にＶ状溝を作製でき、多くの溝を作製する場
合において、溝間隔の精度を高くすることが容易であ
る。
パルス幅の短いパルスレーザ光をガラスの外部に集光さ
せ、その集光点の後方（レーザ光の進行方向）にガラス
表面を位置させてアブレーションを起こさせることでガ
ラス基板表面にＶ状溝が作製でき、その焦点位置とガラ
ス表面との距離を変化させることによってＶ状溝両側面
のなす角度を変更し得る。レーザを用いた加工であるた
め、連続的にＶ状溝を作製でき、多くの溝を作製する場
合において、溝間隔の精度を高くすることが容易であ
る。
【図１】本発明のガラス基板の加工方法を示す概略配置
図である。
図である。
【図２】実施例１によって作製したＶ状溝の走査型顕微
鏡写真である。
鏡写真である。
【図３】ガラス基板表面に作製したＶ状溝の概形を示す
斜視図である。
斜視図である。
１ ガラス基板 ２ パルスレーザー光 ３ 集光レンズ ４ 集光点 ５ ガラスの移動方向 ６ Ｖ状溝 ７ ガラス基板の表面 ８ Ｖ状溝側面 ９ Ｖ状溝エッジ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 浩二 大阪府池田市緑丘１丁目８番31号 工業技 術院大阪工業技術研究所内 (72)発明者 山口 淳 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 小山 正 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 Ｆターム(参考） 4E068 AD01 CA11 DB13 4G059 AA08 AB05 AC01
Claims (5)
- 【請求項１】レーザ光照射によりガラス基板表面に凹部
を形成するガラス基板の加工方法において、加工を施す
ガラス基板表面上方よりレーザ光を照射し、該レーザ光
を前記ガラス基板の上方外側に集光させることを特徴と
するガラス基板の加工方法。 - 【請求項２】前記レーザ光の集光点のガラス基板表面か
らの距離を変化させる手段を有することを特徴とする請
求項１に記載のガラス基板の加工方法。 - 【請求項３】前記レーザ光の集光点をガラス基板表面と
平行な方向に相対的に移動させる手段を有することを特
徴とする請求項１または２に記載のガラス基板の加工方
法。 - 【請求項４】前記レーザ光が、パルス光であり、そのパ
ルス幅が１０ピコ秒以下であることを特徴とする請求項
１ないし３に記載のガラス基板の加工方法。 - 【請求項５】請求項１ないし４に記載のガラス基板の加
工方法によりガラス基板表面に形成されたＶ状溝であっ
て、その両側面のなす角度が３０度から１２０度である
ことを特徴とするＶ状溝。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000350424A JP4512786B2 (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | ガラス基板の加工方法 |
| US09/987,031 US7007512B2 (en) | 2000-11-17 | 2001-11-13 | Method for machining glass substrate |
| SG200107145A SG102644A1 (en) | 2000-11-17 | 2001-11-15 | Method for machining glass substrate |
| DE10156343A DE10156343A1 (de) | 2000-11-17 | 2001-11-16 | Verfahren zur Bearbeitung eines Glassubstrats |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000350424A JP4512786B2 (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | ガラス基板の加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002154846A true JP2002154846A (ja) | 2002-05-28 |
| JP4512786B2 JP4512786B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=18823650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000350424A Expired - Lifetime JP4512786B2 (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | ガラス基板の加工方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7007512B2 (ja) |
| JP (1) | JP4512786B2 (ja) |
| DE (1) | DE10156343A1 (ja) |
| SG (1) | SG102644A1 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004087390A1 (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-14 | Fujitsu Limited | 脆性材料のレーザ割断方法 |
| JP2005252245A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-09-15 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー |
| JP2006114786A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Laser System:Kk | レーザ加工方法 |
| JP2006297458A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Hikari Physics Kenkyusho:Kk | バイト加工方法及び該バイトを用いた加工装置 |
| JP2009544145A (ja) * | 2006-05-25 | 2009-12-10 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 短パルスを使用する赤外線レーザによるウェハスクライビング |
| JP2011138061A (ja) * | 2009-12-29 | 2011-07-14 | Sony Corp | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
| JP2014501686A (ja) * | 2010-11-30 | 2014-01-23 | コーニング インコーポレイテッド | ガラスに孔の高密度アレイを形成する方法 |
| US10756003B2 (en) | 2016-06-29 | 2020-08-25 | Corning Incorporated | Inorganic wafer having through-holes attached to semiconductor wafer |
| US11062986B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-07-13 | Corning Incorporated | Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same |
| US11078112B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-08-03 | Corning Incorporated | Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same |
| US11114309B2 (en) | 2016-06-01 | 2021-09-07 | Corning Incorporated | Articles and methods of forming vias in substrates |
| US11554984B2 (en) | 2018-02-22 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness |
| US11774233B2 (en) | 2016-06-29 | 2023-10-03 | Corning Incorporated | Method and system for measuring geometric parameters of through holes |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7994450B2 (en) * | 2002-01-07 | 2011-08-09 | International Business Machines Corporation | Debris minimization and improved spatial resolution in pulsed laser ablation of materials |
| CA2424442C (en) * | 2003-03-31 | 2011-09-20 | Institut National D'optique | Method for engraving materials using laser etched v-grooves |
| US20060246279A1 (en) * | 2003-04-25 | 2006-11-02 | Masakatsu Urairi | Method of producing laser-processed product and adhesive sheet, for laser processing used therefor |
| JP4873863B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2012-02-08 | 日東電工株式会社 | レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用粘着シート |
| JP4854061B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2012-01-11 | 日東電工株式会社 | レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用保護シート |
| JP5055734B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2012-10-24 | カシオ計算機株式会社 | 燃料電池用燃料改質器 |
| US20090013527A1 (en) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | International Business Machines Corporation | Collapsable connection mold repair method utilizing femtosecond laser pulse lengths |
| US9346130B2 (en) * | 2008-12-17 | 2016-05-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method for laser processing glass with a chamfered edge |
| US20100252959A1 (en) * | 2009-03-27 | 2010-10-07 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method for improved brittle materials processing |
| US8706288B2 (en) * | 2009-05-21 | 2014-04-22 | Electro Scientific Industries, Inc. | Apparatus and method for non-contact sensing of transparent articles |
| US8635887B2 (en) * | 2011-08-10 | 2014-01-28 | Corning Incorporated | Methods for separating glass substrate sheets by laser-formed grooves |
| JP2015511571A (ja) | 2012-02-28 | 2015-04-20 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 強化ガラスの分離のための方法及び装置並びにこれにより生成された製品 |
| US9828278B2 (en) | 2012-02-28 | 2017-11-28 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for separation of strengthened glass and articles produced thereby |
| US10357850B2 (en) | 2012-09-24 | 2019-07-23 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for machining a workpiece |
| US9359251B2 (en) | 2012-02-29 | 2016-06-07 | Corning Incorporated | Ion exchanged glasses via non-error function compressive stress profiles |
| KR20140131520A (ko) | 2012-02-29 | 2014-11-13 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 강화 유리를 기계가공하기 위한 방법과 장치, 및 이에 의해 제조된 물품 |
| US11079309B2 (en) | 2013-07-26 | 2021-08-03 | Corning Incorporated | Strengthened glass articles having improved survivability |
| US9517968B2 (en) | 2014-02-24 | 2016-12-13 | Corning Incorporated | Strengthened glass with deep depth of compression |
| TWI705889B (zh) | 2014-06-19 | 2020-10-01 | 美商康寧公司 | 無易碎應力分布曲線的玻璃 |
| KR20200130746A (ko) | 2014-10-08 | 2020-11-19 | 코닝 인코포레이티드 | 금속 산화물 농도 구배를 포함한 유리 및 유리 세라믹 |
| US10150698B2 (en) | 2014-10-31 | 2018-12-11 | Corning Incorporated | Strengthened glass with ultra deep depth of compression |
| EP4011843A3 (en) | 2014-11-04 | 2022-06-29 | Corning Incorporated | Deep non-frangible stress profiles and methods of making |
| US10579106B2 (en) | 2015-07-21 | 2020-03-03 | Corning Incorporated | Glass articles exhibiting improved fracture performance |
| US11613103B2 (en) | 2015-07-21 | 2023-03-28 | Corning Incorporated | Glass articles exhibiting improved fracture performance |
| DE202016008995U1 (de) | 2015-12-11 | 2021-04-20 | Corning Incorporated | Durch Fusion bildbare glasbasierte Artikel mit einem Metalloxidkonzentrationsgradienten |
| JP6902042B2 (ja) | 2016-04-08 | 2021-07-14 | コーニング インコーポレイテッド | ２つの領域を含む応力プロファイルを含むガラス系物品および製造方法 |
| KR20240033166A (ko) | 2016-04-08 | 2024-03-12 | 코닝 인코포레이티드 | 금속 산화물 농도 구배를 포함하는 유리-계 제품 |
| GB2546437B (en) * | 2017-04-13 | 2018-03-21 | Elfab Ltd | Improvements in or for burst members |
| WO2019226530A1 (en) * | 2018-05-22 | 2019-11-28 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for forming and polishing glass, glass-ceramic and ceramic preforms to form shaped plates for liquid lenses |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09253877A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-09-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エキシマレーザ加工方法及び加工された基板 |
| JPH09511688A (ja) * | 1994-04-08 | 1997-11-25 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティー オブ ミシガン | レーザー誘起破壊及び切断形状を制御する方法 |
| JPH1177342A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-03-23 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | レーザによる溝加工方法 |
| JP2000312985A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザを集束するための方法および装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3610871A (en) * | 1970-02-19 | 1971-10-05 | Western Electric Co | Initiation of a controlled fracture |
| US4637862A (en) * | 1985-12-16 | 1987-01-20 | General Motors Corporation | Wire-glass composite and method of making same |
| US6149988A (en) * | 1986-09-26 | 2000-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and system of laser processing |
| JP2712723B2 (ja) * | 1990-03-07 | 1998-02-16 | 松下電器産業株式会社 | レーザ切断方法 |
| JPH06201936A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ファイバアレイ及びその製造方法 |
| JPH0862445A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Hitachi Cable Ltd | 光導波路の製造方法 |
| DE69722673T2 (de) * | 1996-03-25 | 2004-02-05 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Laserherstellungsverfahren für Glassubstrate und so hergestellte Mikrolinsenmatrizen |
| JP3603977B2 (ja) * | 1996-09-06 | 2004-12-22 | 日本碍子株式会社 | 進行波形光変調器およびその製造方法 |
| JPH10291084A (ja) * | 1997-04-17 | 1998-11-04 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 脆性材料のレーザ加工方法及び装置 |
| JPH1167427A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-03-09 | Bridgestone Corp | ヒーター部品 |
| US5961852A (en) * | 1997-09-09 | 1999-10-05 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Laser scribe and break process |
| US6379777B1 (en) * | 1997-12-24 | 2002-04-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Die and production method thereof, glass substrate and production method thereof and method of forming pattern on the glass substrate |
| NO306040B1 (no) * | 1998-02-12 | 1999-09-06 | Noboe Electro As | Framgangsmåte for tilvirkning av glasselement, saerlig varmeelement, samt element tilvirket pa denne måten |
| JP2000117471A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-25 | Hitachi Cable Ltd | ガラスの加工方法及びその装置 |
| US6333485B1 (en) * | 1998-12-11 | 2001-12-25 | International Business Machines Corporation | Method for minimizing sample damage during the ablation of material using a focused ultrashort pulsed beam |
-
2000
- 2000-11-17 JP JP2000350424A patent/JP4512786B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-11-13 US US09/987,031 patent/US7007512B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-15 SG SG200107145A patent/SG102644A1/en unknown
- 2001-11-16 DE DE10156343A patent/DE10156343A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09511688A (ja) * | 1994-04-08 | 1997-11-25 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティー オブ ミシガン | レーザー誘起破壊及び切断形状を制御する方法 |
| JPH09253877A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-09-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エキシマレーザ加工方法及び加工された基板 |
| JPH1177342A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-03-23 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | レーザによる溝加工方法 |
| JP2000312985A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザを集束するための方法および装置 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004087390A1 (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-14 | Fujitsu Limited | 脆性材料のレーザ割断方法 |
| JP2005252245A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-09-15 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー |
| JP2006114786A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Laser System:Kk | レーザ加工方法 |
| JP4607537B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2011-01-05 | 株式会社レーザーシステム | レーザ加工方法 |
| JP2006297458A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Hikari Physics Kenkyusho:Kk | バイト加工方法及び該バイトを用いた加工装置 |
| JP2009544145A (ja) * | 2006-05-25 | 2009-12-10 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 短パルスを使用する赤外線レーザによるウェハスクライビング |
| JP2011138061A (ja) * | 2009-12-29 | 2011-07-14 | Sony Corp | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
| US9802855B2 (en) | 2010-11-30 | 2017-10-31 | Corning Incorporated | Methods of forming high-density arrays of holes in glass |
| JP2014501686A (ja) * | 2010-11-30 | 2014-01-23 | コーニング インコーポレイテッド | ガラスに孔の高密度アレイを形成する方法 |
| US11114309B2 (en) | 2016-06-01 | 2021-09-07 | Corning Incorporated | Articles and methods of forming vias in substrates |
| US10756003B2 (en) | 2016-06-29 | 2020-08-25 | Corning Incorporated | Inorganic wafer having through-holes attached to semiconductor wafer |
| US11774233B2 (en) | 2016-06-29 | 2023-10-03 | Corning Incorporated | Method and system for measuring geometric parameters of through holes |
| US11062986B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-07-13 | Corning Incorporated | Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same |
| US11078112B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-08-03 | Corning Incorporated | Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same |
| US11972993B2 (en) | 2017-05-25 | 2024-04-30 | Corning Incorporated | Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same |
| US11554984B2 (en) | 2018-02-22 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7007512B2 (en) | 2006-03-07 |
| JP4512786B2 (ja) | 2010-07-28 |
| US20020090493A1 (en) | 2002-07-11 |
| SG102644A1 (en) | 2004-03-26 |
| DE10156343A1 (de) | 2002-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002154846A (ja) | ガラス基板の加工方法 | |
| JP4754801B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
| JP4804911B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| KR101972466B1 (ko) | 취성 재료를 묘각하고 화학 식각하는 방법 및 시스템 | |
| JP5449665B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
| KR101428823B1 (ko) | 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치 | |
| KR101358672B1 (ko) | 극초단 펄스 레이저를 이용한 투명시편 절단방법 및 다이싱 장치 | |
| JP4478184B2 (ja) | レーザ割断方法およびレーザ加工装置 | |
| JP4732063B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
| JP5380986B2 (ja) | レーザスクライブ方法及びレーザスクライブ装置 | |
| WO2010116917A1 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
| JP4158481B2 (ja) | レーザー加工方法およびその装置、並びにその装置を用いた穴あけ加工方法 | |
| JP4835927B2 (ja) | 硬脆材料板体の分割加工方法 | |
| JP5133158B2 (ja) | 多重ビームレーザー装置 | |
| JP3292294B2 (ja) | レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置 | |
| KR101181719B1 (ko) | 펨토초 레이저에 의해 나노 보이드 어레이 형성을 통한 절단방법 | |
| JP5536319B2 (ja) | レーザスクライブ方法および装置 | |
| JP2005294325A (ja) | 基板製造方法及び基板製造装置 | |
| JP5117806B2 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
| Ashkenasi et al. | Machining of glass and quartz using nanosecond and picosecond laser pulses | |
| CN113825585A (zh) | 用于透明材料的激光加工的方法和装置 | |
| JP5188764B2 (ja) | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 | |
| JP3077462B2 (ja) | ガラスの切断方法 | |
| KR101164418B1 (ko) | 펨토초 펄스 레이저의 비선형 초점이동을 통한 절단방법 | |
| JP3818580B2 (ja) | レーザ加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20001206 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20001117 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20010115 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20010416 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20010618 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20010618 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20010921 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040213 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070820 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080602 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080602 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20090402 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20090402 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090402 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090827 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090901 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091023 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100406 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4512786 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |