WO2004087390A1

WO2004087390A1 - 脆性材料のレーザ割断方法

Info

Publication number: WO2004087390A1
Application number: PCT/JP2003/004100
Authority: WO
Inventors: Naohisa Matsushita
Original assignee: Fujitsu Limited
Priority date: 2003-03-31
Filing date: 2003-03-31
Publication date: 2004-10-14

Abstract

効率的な脆性材料の分割を可能とする脆性材料のレーザ割断方法及び装置であって、レーザ光の照射によって脆性材料を割断する際、脆性材料の表面に切欠き部を形成し、前記切欠き部を起点として前記脆性材料の表面上を分割方向にレーザ光で走査して前記脆性材料を割断する。

Description

脆性材料のレーザ割断方法技術分野

本発明は、半導体ゥハ等の脆性材料を分割する技術に関する。背景技術

従来、シリコンを代表とする半導体材料から M P U (Micro Processor Unit)、レーザダイオード、センサーデバイスや M E M S (Micro Electro Mechanical System) などを製造する際には、ウェハ状態の部材をダイシング装置でチップ状の個片に分割することが行われていた。

この分割方法としては、例えば、切削工具でウェハ平面上に切削溝を形成したのち、人間が力を加えて前記切削溝に沿って割る方法がある。しかし、この方法では、割る際に微妙な力加減が必要であり、熟練した人間が行わなければならず、機械による自動化が進まないという問題があった。更に、この方法では、切削溝の両側に欠け（チッビング）が生じることから、切削溝には少なくとも 5 Ο μπι 程度の幅が必要とされ、この切削溝の面積分だけ回路を形成可能な面積が少なくなってしまい、一枚のウェハから取れるチップ数が減少してしまうという問題もあった。また、 M EM Sの場合に、機械的振動で可動部が破損するという問題もめった。

また、分割したいライン上にレーザ光を照射してストレスを残存させ、その後割断用のレーザ光を照射して材料を割る方法（レーザ割断方法）が提案されている（特許文献 1参照）。

この特許文献では、どのような条件で割断を行うのかが開示されておらず、この記載に基づいて実施が可能であるかどうか分からないが、一般にレーザ光で熱ストレスを与える場合、レーザの熱によって影響を受けた範囲にストレスが蓄積され、この範囲のどこから割断するのかが予測できない。このため割断位置の変動を考慮してマージンを大きくとらなければならず、一枚のウェハから取れるチップ数が少なくなつてしまうという問題が考えられる。また、この他のレーザ割断方法としては、図 1 5に示すものがあった。このレ一ザ割断方法では、図 1 5 ( a ) 及びその拡大図（b ) に示したように、割断の準備工程として、割断の開始となるウェハの外周部に、微細な楔形の切欠き部 1 0 0を形成し、この切欠き部 1 0 0をスタートポイントとして分割したいライン 1 0 1上にレーザ光 Lを走査する。これにより、切欠き部 1 0 0の先端部分（鋭角部分）からレーザ光 Lの照射位置にかけて割断が生じ、レーザ光 Lの走査軌跡、即ち分割ライン 1 0 1通りにウェハが分割される（図 1 5 ( d ) ) 。

このレーザ分割方法によれば、ウェハ中のチップとして利用できる領域（有効領域）よりも外側のウェハ外周部に切削溝を形成するので、この切削面積（切削しろ）がチップの取数に影響することがない。そして、有効領域内では、割断によってウェハを分割しているので、切削と異なり切削しろが生じない、即ち分割のためのマージンを必要としない。更に、割断が、切欠き部 1 0 0の先端部分 1 0 0 aから始まり、レーザ走査方向に進むので、割断位置が明確であり、割断位置の変動を許容するためのマージンをとる必要がない。従って、チップの取数を減少させることがない。

しかしながら、この方法では、ウェハ外周部の表面部から裏面部（ウェハ板厚方向）に連続した微細な切欠き部を形成することが必要である。

このような切欠きを形成する方法としては、ダイヤモンド工具等で機械的に切削溝を形成する方法や、ゥハの径方向からレーザ光を照射するなどの方法があるが、何れの方法でも割断時とは異なった方向からの加工が必要となり、割断準備工程である切欠き形成工程と割断工程を完全に異なる設備で行うか、ウェハに対するレーザ照射方向を 9 0 ° 変化させるための複雑な機構が必要であった。また、このレーザ割断方法を用いて 1つの設備でゥハを個片化する場合、次のような手順となる。

( 1 ) ウェハの径方向からゥヱハ外周部に切欠きを形成する。

( 2 ) ウェハ板厚方向（ウェハ表面の法線方向）からレーザを照射してウェハをバー状態に分割する。

( 3 ) 分割したパーの側面部分に再度切欠き部を形成する。

( 4 ) ゥハ板厚方向からレーザを照射してバー状の部材を個片化する。 ( 5 ) 個片化した部材を取り除き、（1 ) 又は（3 ) から繰り返す。

このように、上記レーザ割段方法を用い、 1つの装置上でウェハを個片化する場合、一つのバー状部材を個片化したのち、この個片化した部材を取り除かないと次のバー状部材に切欠き部を形成できず、割断用レーザの照射と切欠き部の形成とを繰り返す間に必ず個片化部材の移動工程が必要となり、非効率であるという問題点があった。

特許文献 1

特開 2 0 0 1— 3 2 6 1 9 4号公報

本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。即ち、本発明は、脆性材料の割断起点となる切欠き部の形成と、この切欠き部を起点とする割断用レーザ光の走査を同一面に対して行うことにより、効率的な脆性材料の低振動での分割を可能とする技術の提供を目的とする。発明の開示

本発明の脆性材料のレーザ割断方法は、

レーザ光の照射によって脆性材料を割断する際、脆性材料の表面に切欠き部を形成するステップと、

前記切欠き部を起点として前記脆性材料の表面上を分割方向にレーザ光で走査して前記脆性材料を割断するステツプとを含む。

前記脆性材料のレーザ割断方法において、

前記切欠き部が、前記分割方向に長手の溝状に形成されていても良い。

前記脆性材料のレーザ割断方法において、

前記脆性材料の表面に集光させたレーザ光で前記切欠き部を形成し、前記脆性材料の表面と異なる位置に集光させたレーザ光で前記走査を行っても良い。

前記脆性材料のレーザ割断方法において、

前記脆性材料表面の位置が変動した場合に、前記レーザ光を集光させる位置が前記脆性材料表面に対して一定となるように制御を行っても良い。

前記脆性材料のレーザ割断方法において、

前記脆性材料にレーザ光を照射して前記切欠き部を形成する場合に、前記切欠き部を形成するレーザ光の幅と比べて前記分割方向に走査するレーザ光の幅を前記脆性材料の表面において広く設定しても良い。

前記脆性材料のレーザ割断方法において、

前記切欠き部を形成するレーザ光と、前記割断方向に走査するレーザ光とを同時に照射しても良い。

本発明の脆性材料のレーザ割断装置は、

レーザ光の照射によって脆性材料を割断するレーザ割断装置であって、レーザ光を射出する光源と、

前記レーザ光を前記脆性材料に導光し、走査させる光学系と、

前記脆性材料表面に切欠き部を形成する切欠き形成部と、

前記光学系を制御し、前記切欠き形成部で形成した切欠き部を起点として前記脆性材料の表面上を分割方向に前記レーザ光で走査させる制御部とを含む。また、本発明の脆性材料のレーザ割断装置は、

前記光学系を制御し、前記レーザ光を前記脆性材料表面に集光させて前記切欠部を形成したのち、前記レーザ光を前記脆性材料表面と異なる位置に集光させ、このレーザ光で前記切欠き部を起点として前記脆性材料の表面上を分割方向に走查させて前記脆性材料を割断する制御部とを含む。

前記脆性材料のレーザ割断装置において、

前記脆性材料表面の位置を検出する検出部を備え、

前記制御手段が、前記検出部の検出結果に基づき、前記レーザ光を集光させる位置を前記脆性材料表面に対して一定とするように前記光学系を制御しても良い前記脆性材料のレーザ割断装置において、

前記脆性材料にレーザ光を照射して前記切欠き部を形成する場合に、前記切欠き部を形成するレーザ光の幅と比べて前記分割方向に走查するレーザ光の幅を前記脆性材料の表面において広く設定しても良い

前記脆性材料のレーザ割断装置において、

前記脆性材料を割断するためのレーザ光を射出する第 1のレーザ射出部と、前記切欠き部を形成するためのレーザ光を射出する第 2のレ一ザ射出部とを備えても良い。

本発明において、以上の構成要素は可能な限り組み合わせることができる。図面の簡単な説明

図 1は、本実施形態のレーザ割断方法の説明図。

図 2は、本発明に係るレーザ割断装置の概略構成図。

図 3は、光学系の説明図。

図 4は、ジャストフォーカスでレーザ光 Lを照射した場合のウェハの X Z断面を示す図（図面代用写真）。

図 5は、デフォーカスでレーザ光 Lを照射した場合のウェハの X Z断面を示す図

。（図面代用写真）

図 6は、レーザ割断方法の説明図。

図 7は、レーザ割断方法の説明図。

図 8は、ウェハの個片化の説明図。

図 9は、変形例 1の説明図。

図 1 0は、変形例 2の説明図。

図 1 1は、変形例 3の説明図。

図 1 2は、変形例 4の説明図。

図 1 3は、変形例 4の説明図。

図 1 4は、変形例 5の説明図。

図 1 5は、従来のレーザ割断方法の説明図。発明を実施するための最良の形態

以下に図面を参照して、この発明の好適な実施の形態を説明する。 (実施の形態 1 )

図 1は、本実施形態のレーザ割断方法の説明図、図 2は、本発明に係るレーザ割断装置の概略構成図である。

本実施形態では、複数の回路が形成された半導体ウェハを図 2に示すレーザ割断装置 1で割断し、個々のチップとする場合を例に挙げて説明する。

図 2のレーザ割断装置 1は、レーザ光 Lを射出するレーザ発振器（光源に相当） 1 1と、該レーザ光 Lをウェハ表面に導光する光学系 1 2と、ウェハ Wを保持するウェハ保持機構 1 3と、該ウェハ保持機構 1 3を X Y方向に移動させる X Yテーブル 1 4とを備えている。またレーザ割断装置 1は、光学系 1 2を Z軸方向に移動させて、レーザ光 Lの集光位置を変化させる Z軸駆動機構 1 5と、光学系 1 2からウェハ表面までの距離を測定する測距センサ 2 1 a , 2 l bと、ゥヱハ表面のうねりに倣って光学系 1 2を Z軸方向に移動させる Z軸習い制御部 1 6 と、画像処理のためにウェハ Wを撮影する画像処理用カメラ 1 7と、該画像処理用カメラ 1 7で撮影した画像を処理し、列設された多数の回路を個別に分割するように割断方向を決定する画像処理部 1 8と、レーザ割断装置全体を制御してゥェハ Wの割断を行う全体制御部 1 9とを備えている。

本実施形態において、レーザ発振器 1 1は、波長 1 . 0 6 /z mの赤外線レーザ光 Lを射出する Y A Gレーザである。このレーザの種類や波長は、割断する脆性材料の種類や厚さ等に基づいて任意に設定できる。

光学系 1 2は、ミラー 1 2 a及び集光レンズ 1 2 bを有し、レーザ発振器 1 1 からのレーザ光をミラー 1 2 aでウェハ表面側へ反射し、該反射光を集光レンズ 1 2 bでウェハ表面或はその近傍に集光している。図 2 ~ 5は本実施形態におけるレーザ照射条件の例を示している。

図 2の如く、集光レンズ 1 2 bは、焦点距離が 5 O mmであり、平行光として入射するレーザ光 Lをその焦点位置に集光させる。図 3 ( a ) は、切欠き部作成時（初期亀裂加工時）の状態を示しており、集光レンズ 1 2 bからウェハ表面までの距離を焦点距離と同じ 5 O mmとしている。従ってレーザ光 Lはウェハ表面上に集光される（以下、この状態をジャストフォーカスと称する）。なお、このときウェハ表面上での照射スポット径は 2 0〜3 0 / mとなっている。図 4は、実際にこの条件でレーザ光 Lを照射した場合のウェハ Wの X Z断面を示している _c 同図に示すように、ウェハ W (図中の白色部分）表面のレーザ光照射位置（紙面上側）に V字状の溝が形成されているのが分かる。

また、図 3 ( b ) は、光走查時（割断加工時）の状態を示しており、デフォーカス量 D F、即ちウェハ表面から^点位置までの距離を 5 mmとしている。従つてレーザ光 Lは、焦点位置で集光されたのちに、発散した状態でウェハ表面に照射される（以下、この状態をデフォーカスと称する）。なお、このときウェハ表面上での照射スポット径は、約 1 0 0 0 μ mとなっている。図 5は、実際にこの条件でレーザ光 Lを照射した場合のウェハ Wの X Z断面を示している。同図に示すように、このデフォーカス状態での照射は、ジャストフォーカスでの照射に比ベてエネルギー密度が低く、レーザ照射位置に前述のように鋭角な溝は形成されない。この条件で図 3 ( c ) の如く切欠き部 1 0が形成された部分にレーザ光を照射すると、この部分が急速に熱せられて或はその後照射位置を移動させた際に急速に冷まされて切欠き部 1 0の鋭角部 1 0 aから割断 2 0が生じる。この割断は、レーザ光 Lの移動に従って進むため、レーザ光 Lを割断方向に移動させることでウェハ Wの割断を行うことができる。

〈レーザ割断方法〉

次に上記レーザ割断装置におけるレーザ割断方法を図 6〜図 8を用いて説明する。

図 6に示すように、レーザ割断装置 1,は、先ず、初期亀裂加工を開始し、不図示の搬送機構によりウェハ W (ワーク）をウェハ保持機構 1 3上に搬送し、ゥハ保持機構 1 3で保持する（ステップ 1、以下 S 1のように略記する）。

レーザ割断装置 1は、このウェハ Wを画像処理用カメラ 1 7で撮影し、この撮影した画像を画像処理部 1 8で処理し、列設された多数の回路を個別に分割するように加工ラインを決定する。そしてレーザ割断装置 1の全体制御部 1 9は、 X Yテーブル 1 4を駆動制御し、図 7 ( a ) に示すようにステップ 2で決定した加エライン位置 4 1の開始端が照射位置 L aに達するように位置決めする（S 2 ) 。次に、レーザ割断装置 1は、レーザ光 Lがウェハ表面に集光されるように、即ちジャストフォーカスとなるように光学系 1 2を Z軸方向に移動させて焦点調整を行う。このとき焦点の調整は、距離測定センサ（出射部） 2 l aからレーザ光 Lの照射位置 L aに向けて測定光を出射し、この照射位置 L aで反射した測定光を距離測定センサ（入射部） 21 bで受光して光学系 1 2から照射位置 L aまでの距離を測定し、この距離が所定値（本例では 5 Omm) となるように調整する (S 3) 。

このときレーザ割断装置 1の Z軸倣い制御部 16は、光学系 12から照射位置 L aまでの距離を記憶し（S 4) 、フォーカス軸（Z軸）倣い制御を開始する。即ち、ウェハ表面のうねりなどによって光学系 12から照射位置 L aまでの距離が変化した場合、 Z軸倣い制御部 16は、距離測定センサ 2 l a, 2 l bの測定結果に基づいて該光学系 12から照射位置 L aまでの距離が前記ステップ 4で記憶した距離と一致するように Z軸駆動機構 1 5を制御して光学系 12の駆動を行う。これにより安定したレーザ光 Lの照射が行えるようにしている（S 5) 。レーザ割断装置 1の全体制御部 19は、レーザ光 Lを照射させ、 XYテーブルを分割方向に約 200 // m移動させて図 7 (b) の如くウェブ Wに切欠き部 42 を形成する（S 6) 。

全ての加工ライン位置 41の開始端に切欠き部 42を形成し終えた場合には、フォーカス軸倣い制御を停止して初期亀裂加工を終了する（S 7) 。

次いで、割断加工を開始し、レーザ割断装置 1の全体制御部 1 9は、 XYテープル 14を駆動制御し、図 7 (c) に示すようにステップ 2で決定した加工ライン位置 41の開始端が照射位置 L aに達するように位置決めする（S 8) 。次に、レーザ割断装置 1は、デフォーカスとなるように光学系 12を Z軸方向に移動させて焦点調整を行う（S 9) 。

このときレーザ割断装置 1の Z軸倣い制御部 16は、光学系 12から照射位置 L aまでの距離を記憶し（S 10) 、フォーカス軸（Z軸）倣い制御を開始する (S 1 1) 。

そしてレーザ割断装置 1の全体制御部 1 9は、レーザ光 Lを照射させ、 XYテ一プルを分割方向に移動させてレーザ走査を行い（S 1 2) 、図 7 (d) の如くウェブ Wを割断する。

全ての加工ライン 41について割断し終えた場合には、フォーカス軸倣い制御を停止して割断加工を終了する（S 13) 。

これにより図 8 (a) に示したような円形のウェハ Wを図 8 (b) のようにパ一状の部材に割断している。

同様に、このバー状の部材について加工ライン 41を決定し、この加工ライン 41の開始端にジャストフォーカスでレーザ光 Lを照射して切欠き部 42を形成し、この切欠き部 42を起点として分割方向（加工ライン方向）にデフォーカスでレーザ光 Lを照射して割断を行うことで、図 8 (d) に示したように個片化する。

以上のように本実施形態によれば、一台のレーザ発振器 1 1を用いて、フォーカス制御のみでウェハの同一方向から微細な切欠き部 42の付与と割断加工を行うことが出来、シリコンを代表とする電子デバイス、センサーデバイスなどのゥハ状態の部材を効率良くチップ状の個片に分割することができる。

変形例 1〉

図 9は、本実施形態の変形例 1を示す図である。本変形例は、前述した構成において、加工ライン上の全てに切欠き部を形成した例である。なお、その他の構成は略同じであるので、同一の要素に同符号を付すなどして再度の説明を省略する。

全体制御部 9は、先ず、図 9 (a) 及ぴこの拡大図（b) のように、ジャストフォーカスで加工ライン上を全て走査し、格子状に切欠き部 42を作成する。そして全体制御部 9は、図 9 (c) の如くデフォーカスでこの切欠き部 42上を走査して個片化する（図 9 (d) ) 。

これにより、リチウムタンタレート（L i T a O₃) のウェハのように、劈開面の方向と異なる方向に分割する場合でも切欠き部 42の位置で確実に割断できる。

〈変形例 2 >

図 10は、本実施形態の変形例 2を示す図である。本変形例は、前述した構成において、全ての切欠き部を形成した後に分割を行う例である。なお、その他の構成は略同じであるので、同一の要素に同符号を付すなどして再度の説明を省略する。全体制御部 9は、先ず、図 1 0 ( a ) のように、パー状に分割するための加工ライン 4 1の開始端をジャストフォーカスで走査し、 X方向の切欠き部 4 2を作成すると共に、個片チップ化する位置の開始端に切欠き部 4 2を形成する。

そして全体制御部 9は、図 1 0 ( b ) の如く X方向の切欠き部 4 2を起点としてデフォーカスでこの加工ライン 4 1上を走査し、ウェハ Wをバー状に割断する。次に全体制御部 9は、図 1 0 ( c ) のようにウェハをそのままの状態で保持しつつ Y方向の切欠き部 4 2を起点としてデフォーカスでこの加工ライン 4 1上を走査して個片化する。

〈変形例 3 )

図 1 1は、本実施形態の変形例 3を示す図である。本変形例は、前述した構成のうち、光学系の構成を異ならせた例である。なお、その他の構成は略同じであるので、同一の要素に同符号を付すなどして再度の説明を省略する。

図 1 1に示すように本変形例の光学系 1 2は、前記ウェハ Wを割断するためのレーザ光 L 1を射出する割断加工用射出部（第 1のレーザ射出部に相当）と、前記切欠き部 4 2を形成するためのレーザ光 L 2を射出するスクライブ加工用射出部（第 2のレーザ射出部）を備えている。

本変形例の光学系 1 2では、レーザ発振器 1 1からのレーザ光 Lをハーフミラ一 1 2 a 1で反射光 L 1と透過光 L 2とに分割し、該反射光 L 1を集光レンズ 1 2 b 1でウェハ表面より手前に集光させた状態、即ちデフォーカスでウェハ表面上に照射させている。一方、この光学系 1 2では、前記透過光 L 2を集光レンズ 1 2 b 2でウェハ表面に集光させた状態、即ちジャストフォーカスでウェハ表面上に照射させる。

全体制御部 1 9は、割断加工用射出部及ぴスクライブ加工用射出部の並び方法と、加工ラインの方向（分割方向）とを一致させるようにウェハ Wを移動させ、この射出部の並び方向、即ち図中 X方向にウェハ Wを移動させてレーザ光 L 1， L 2の照射を行う。

これにより、一度の走査で切欠き部 4 2の形成と、割断を行うことができ、加ェの効率化が図れる。

なお、上記の例は、図 9のように全面に切欠き部（スクライブ） 4 2を形成する構成であるが、これに限らず、レーザ光 L 2の光路中にシャツタ等のレーザ光遮断機構を付加し、照射位置に応じて o n Z o f f 制御することにより、図 8のように加工ライン 4 1の開始端にのみ切欠き部 4 2を形成しても良い。

また、ハーフミラー 1 2 a 1は、レーザ光 L I , L 2が 1 ： 1の割合となるようにレーザ光 Lを反射及び透過させているが、これに限らず、ウェハ（脆性材料）の種類や厚さなどに応じて任意の割合に設定可能である。

〈変形例 4 >

図 1 2，図 1 3は、本実施形態の変形例 4を示す図である。本変形例は、前述した変形例 3の構成に加えて、切欠き部形成用の射出部にスキヤン機構を設けた例である。なお、その他の構成は略同じであるので、同一の要素に同符号を付すなどして再度の説明を省略する。

同図に示すように、本変形例では、ハーフミラー 1 2 a 1を透過したレーザ光 L 2をミラー 1 2 bで反射し、ガルバノミラー 1 2 c を介して集光レンズ（ f 一 Θ レンズ） 1 2 b 3で集光してウェハ表面に集光させている。

このとき本変形例は、図 1 3に示すように、ガルバノミラ一 1 2 c を揺動することでレーザ光 L 2を偏向させ、その照射位置を変化させている。なお、本変形例の集光レンズ 1 2 b 2は、 f _ 0特性を有しており、ガルバノミラー 1 2 cから入射する角度 0が異なってもウェハ表面に集光させる。

これにより、射出部の並び方向（図中 X方向）に移動させる際に、直交する方向（図中 Y方向）の切欠き部 4 2を形成できる。従って、図 1 0に示すような切欠き部 4 2を効率良く形成できる。

〈変形例 5 )

図 1 4は、本実施形態の変形例 5を示す図である。本変形例は、前述した構成において、切欠き部形成用の切削工具 5 1を備えた例である。なお、その他の構成は略同じであるので、同一の要素に同符号を付すなどして再度の説明を省略する。

本変形例では、切欠き部 4 2を切削工具（ダイヤモンドポイント） 5 1で切削することによって形成している。

例えば図 8のように、加工ライン 4 1の開始端に切欠き部 4 2を形成し、この切欠き部 4 2を起点にデフォーカスでレーザ光 Lの照射を行ってウェハ Wの割断を行う。また、図 9のように、加工ライン 4 1上の全てに切欠き部 4 2を形成し、この加工ライン 4 1上をデフォ一カスでレーザ光 Lの照射を行ってウェハ Wの割断を行う。

このように、本変形例においても、切削による切欠き部 4 2の形成面と、割断用レーザ光 Lの照射面とが同一なので、ウェハ Wの移動や加工方向の変更などの煩雑な操作をすることなく、効率良く割断加工を行うことができる。産業上の利用可能性

以上説明したように、本発明によれば、脆性材料の割断起点となる切欠き部の形成と、この切欠き部を起点とする割断用レーザ光の走査を同一面に対して行うことにより、効率的な脆性材料の分割が可能となる。

Claims

請求の範囲

1 . レーザ光の照射によって脆性材料を割断するレーザ割断方法であって、脆性材料の表面に切欠き部を形成するステップと、

前記切欠き部を起点として前記脆性材料の表面上を分割方向にレーザ光で走查して前記脆性材料を割断するステップと、

を含む脆性材料のレーザ割断方法。

2 . 前記切欠き部が、前記分割方向に長手の溝状に形成されている請求項 1に記載のレーザ割断方法。

3 . 前記脆性材料の表面に集光させたレーザ光で前記切欠き部を形成し、前記脆性材料の表面と異なる位置に集光させたレーザ光で前記走査を行う請求項 1に記載のレーザ割断方法。

4 . 前記脆性材料表面の位置が変動した場合に、前記レーザ光を集光させる位置が前記脆性材料表面に対して一定となるように制御を行う請求項 3に記載のレーザ割断方法。

5 . 前記脆性材料にレーザ光を照射して前記切欠き部を形成する場合に、前記切欠き部を形成するレーザ光の幅と比べて前記分割方向に走査するレーザ光の幅を前記脆性材料の表面において広く設定した請求項 1に記載のレーザ割断方法。

6 . 前記切欠き部を形成するレーザ光と、前記割断方向に走査するレーザ光とを同時に照射する請求項 3カゝら 5の何れかに記載のレーザ割断方法。

7 . レーザ光の照射によって脆性材料を割断するレーザ割断装置であって、レーザ光を射出する光源と、

前記脆性材料表面に切欠き部を形成する切欠き形成部と、

前記光学系を制御し、前記切欠き形成部で形成した切欠き部を起点として前記脆性材料の表面上を分割方向に前記レーザ光で走査させる制御部と、

を含む脆性材料のレーザ割断装置。

8 . レーザ光の照射によって脆性材料を割断するレーザ割断装置であって、レーザ光を射出する光源と、

前記レーザ光を前記脆性材料に導光し、走査させる光学系と、前記光学系を制御し、前記レーザ光を前記脆性材料表面に集光させて前記切欠部を形成したのち、前記レーザ光を前記脆性材料表面と異なる位置に集光させ、このレーザ光で前記切欠き部を起点として前記脆性材料の表面上を分割方向に走查させて前記脆性材料を割断する制御部と、

を含む脆性材料のレーザ割断装置。

9 . 前記切欠き部が、前記分割方向に長手の溝状に形成されている請求項 8に記載のレーザ割断装置。

1 0 . 前記脆性材料表面の位置を検出する検出部を備え、

前記制御手段が、前記検出部の検出結果に基づき、前記レーザ光を集光させる位置を前記脆性材料表面に対して一定とするように前記光学系を制御する請求項 8に記載のレーザ割断装置。

1 1 . 前記脆性材料にレーザ光を照射して前記切欠き部を形成する場合に、前記切欠き部を形成するレーザ光の幅と比べて前記分割方向に走査するレーザ光の幅を前記脆性材料の表面において広く設定した請求項 8に記載のレーザ割断装置。

1 2 . 前記脆性材料を割断するためのレーザ光を射出する第 1のレーザ射出部と、前記切欠き部を形成するためのレーザ光を射出する第 2のレーザ射出部とを備えた請求項 8から 1 1の何れかに曾己载のレーザ割断装置。