TWI389759B - Laser processing method and laser processing device - Google Patents

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TWI389759B
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Description

雷射加工方法及雷射加工裝置
本發明是關於一種對於半導體材料或陶瓷材料等，適用於切溝加工或切斷加工等的雷射加工方法及雷射加工裝置。
近年來，在樹脂基板、金屬板、陶瓷板、半導體晶圓等的切溝加工(劃線加工)或切斷加工等，採用著使用可進行高精度加工的紫外線雷射等的雷射加工技術。
在該雷射加工技術中，為了提高切溝加工等的加工能力，習知，表示有多少雷射光束的脈衝被打入在同一部位被視為重要，同時提高紫外線雷射光束的平均輸出、能量密度、峰值功率等較有效的資料。
例如，在專利文獻1，提案在製造噴墨頭，為了除去形成於PZT陶瓷上的金屬膜，以高峰值功率的雷射照射複數次在同一部位的技術。在該技術中，蒸發汽化金屬膜之際，以高峰值功率、短脈寬進行能量照射較理想。
專利文獻1：日本特開2003－266709號公報(段落號碼0028)
在上述習知技術，留下以下的課題。
在上述習知的雷射加工技術中，例如對於矽基板等的半導體材料或氧化鋁基板等有陶瓷材料進行切溝加工或切斷加工之際，為了提高加工能力而進行提高平均輸出或峰值功率等的對應，惟與加工樹脂材料等有機物或金屬時等相比較很難極大地提高加工能力。
本發明是鑑於上述課題而創作者，其目的是在於提供一種在對於半導體材料或陶瓷材料的切溝加工或切斷加工中，可提高更高加工能力的雷射加工方法及雷射加工裝置。
本發明人等，對於由半導體材料或陶瓷材料的雷射加工產生的切溝加工或切斷加工進行專心研究的結果，找出加工能力依存於平均輸出的脈寬比大小更大。
本發明是為了解決上述課題而依據上述見識而採用以下的構成，亦即，本發明的雷射加工方法，將紫外線雷射光束脈衝照射於無機物的被加工物而進行切溝加工或切斷加工的雷射加工方法及雷射加工裝置，其特徵為：切溝加工或切斷加工的加工深度愈深或是紫外線雷射光束的掃描速度愈快，將紫外線雷射光束的脈寬設定成愈長。
又，本發明的雷射加工裝置，屬於將紫外線雷射光束脈衝照射於無機物的被加工物而進行切溝加工或切斷加工的雷射加工裝置，其特徵為具備：輸出紫外線雷射光束的雷射光源部，及聚光紫外線雷射光束而照射至被加工物的光學系統，及相對地移動紫外線雷射光束而移動對於被加工物的照射位置的移動機構，及分別控制雷射光源部，光學系統及移動機構的控制部；控制部，是切溝加工或切斷加工的加工深度愈深或是紫外線雷射光束的掃描速度愈快，將紫外線雷射光束的脈寬設定成愈長。
亦即，在此些雷射加工方法及雷射加工裝置中，加工深度愈深或是掃描速度愈快，藉由將紫外線雷射光束的脈寬設成愈長，則與提高平均輸出的情形相比較飛躍地可提高加工能力。
又，本發明的雷射加工方法，是將上述紫外線雷射光束的脈寬作為15nsec以上，為其特徵者。
又，本發明的雷射加工裝置，是控制部，將紫外線雷射光束的脈寬設定在15nsec以上，為其特徵為者。
亦即，紫外線雷射光束的脈寬不足15nsec，則無法獲得充分的加工能力，惟在本發明的雷射加工方法及雷射加工裝置中，藉由將紫外線雷射光束的脈寬設定成15nsec以上，即使相同平均輸出也可提昇充分的加工能力。
又，本發明的雷射加工方法，是將紫外線雷射光束的峰值功率密度作為0.8GW/cm2 以下，為其特徵者。
又，本發明的雷射加工裝置，是控制部，將紫外線雷射光束的峰值功率密度作為0.8GW/cm2 以下，為其特徵者。
亦即，在本發明的雷射加工方法及雷射加工裝置中，藉由紫外線雷射光束的峰值功率密度設定成0.8 GW/cm2 以下，可防止顯著降低切削能。
又，本發明的雷射加工方法，是紫外線雷射光束，將基本波雷射光束射入於非線形光學結晶的波長變換元件內而波長變換的高諧頻雷射光束，為其特徵者。
又，本發明的雷射加工裝置，是紫外線雷射光束，將基本波雷射光束射入於非線形光學結晶的波長變換元件內而波長變換的高諧頻雷射光束，為其特徵者。
亦即，在此些雷射加工方法及雷射加工裝置中，因使用由波長變換元件產生的高諧頻雷射光束，因此以小型裝置就可穩定地照射高能的短波長雷射。
又，本發明的雷射加工方法，是紫外線雷射光束，以固體雷射所發生者，其波長是400nm以下，為其特徵者。
又，本發明的雷射加工裝置，是紫外線雷射光束，以固體雷射所發生者，其波長是400nm以下，為其特徵者。
又，本發明的雷射加工方法，是於非線形光學結晶，至少使用Li2 B4 O7 ，為其特徵者。
又，本發明的雷射加工裝置，是於非線形光學結晶，至少使用Li2 B4 O7 ，為其特徵者。
依照本發明，可得到以下的效果。
亦即，依照本發明的雷射加工方法及雷射加工裝置，在對於半導體材料或陶瓷材料的切溝加工或切斷加工中，加工深度愈深或是掃描速度愈快，藉由將紫外線雷射光束的脈寬設成愈長，則與提高平均輸出的情形相比較飛躍地可提高加工能力。因此，在此些材料，利用高加工能力，可有效率地進行深度加工，而且成為可提高雷射光束的掃描速度，而可大幅度地提高加工生產性。
以下，一面參照第1圖一面說明本發明的雷射加工方法及雷射加工裝置的一實施形態。
本實施形態的雷射加工方法，是利用UV(紫外光)於氧化鋁基板等的無機物進行切溝加工(劃線加工)的方法，而使用以下的本發明的雷射加工裝置所進行。如第1圖所示地，該雷射加工裝置是具備：輸出紫外光(波長266nm)的4倍波雷射光束λ4 的雷射頭部(雷射光源部)1，及聚光4倍波雷射λ4 而照射在氧化鋁基板等的被加工物2的光學系統3，及相對地移動4倍波雷射光束λ4 來移動被加工物2的照射位置，同時可變更4倍波雷射光束λ4 的移動機構4，及分別控制雷射頭部，光學系統3及移動機構4的控制部C。
上述雷射頭部1是具備：射出波長810nm的激勵光的半導體雷射LD，及射出藉由上述激勵光被泵激的波長1064nm的基本波雷射光束λ1 的YAG雷射5，及將基本波雷射光束λ1 在內部變換成第二高諧頻的波長532nm(線光)的兩倍波雷射光束(高諧頻雷射光束)λ2 並加以輸出的第一波長變換元件6，及將兩倍雷射光束λ2 在內部變換成第二高諧頻的波長266nm(紫外光)的4倍波雷射光束(高諧頻雷射光束)λ4 並加以輸出的第二波長變換元件7。
上述YAG雷射5是具備：Nd；YAG結晶5a，及配置於該YAG結晶5a的兩端的諧振器反射鏡5b。
上述第一波長變換元件6是LBO(LiB3 O5 )結晶(非線形光學結晶)；上述第二波長變換元件7是LB4(Li2 B4 O7 ：四硼酸鋰單結晶)結晶(非線形光學結晶)。
在上述第二波長變換元件7中，利用非線形結晶的複折射性，輸入光束與所發生的高諧頻光束，在結晶中具離散角而被分開，產生高諧頻光束的光束斷面形狀朝一方向扁平的所謂離散現象。又，被使用於上述第二波長變換元件7的LB4結晶，是在化學上穩定性或耐雷射損傷性優異，而且利用CZ法等可培育良質的大型結晶，且加工性也優異，而作成較長較容易。
上述光學系統3是具備：變更4倍波雷射光束λ4 的光路的反射鏡8a、8b，及擴展4倍波雷射光束λ4 的光束徑的擴展透鏡9，及將光束徑被擴展的4倍波雷射光束λ4 聚光於被加工物2表面上並照射的聚光透鏡10，及配合利用移動機構4所變更的4倍波雷射光束λ4 的移動方向而使上述扁平方向一致的稜鏡插拔機構11。
又，經由光學系統3被照射在被加工物2上的4倍波雷射光束λ4 ，是其光束斷面形狀與來自雷射頭部1的射出後者成為相似地一致。
上述移動機構4是具備步進馬達等而可安裝被加工物2的XY平台機構，4倍波雷射光束λ4 的移動方向與上述扁平方向設定成一致。
上述稜鏡插拔機構11是將變更上述扁平方向的稜鏡12可插拔於4倍波雷射光束λ4 的光路上的機構，由稜鏡12與移動該稜鏡12的馬達等的驅動部13所構成。該稜鏡插拔機構11，是被使用在將切溝加工的方向進行變更成正交於上述X方向的Y方向的情形，將驅動部13施以驅動而將稜鏡12插入在4倍波雷射光束λ4 的光路上(在本實施形態中，反射鏡8a與擴展透鏡9之間)，就可使扁平方向旋轉90°，而在被加工物2上以橢圓形扁平的狀態朝Y方向聚光。
在該狀態，藉由移動機構4，朝切溝加工的Y方向相對地移動被加工物2，由此使得被聚光的4倍波雷射光束λ4 移動至一致於其扁平方向(Y方向)的切溝加工的方向(Y方向)而在Y方向也進行切溝加工。
上述控制部C是以IC或記憶體等所構成，具有事先設定輸入的切溝加工或切斷加工的加工深度愈深或是4倍波雷射光束λ4 的掃描速度愈快，將4倍波雷射光束λ4 的脈寬作成愈長般地進行控制雷射頭部1的功能。
又，上述控制部C是將4倍波雷射光束λ4 的脈寬，作成15nsec以上，同時將4倍波雷射光束λ4 的峰值功率作成0.8 GW/cm2 以下般地分別控制雷射頭部1，光學系統3及移動機構4。
以下，將由上述雷射加工裝置產生的被加工物2的切溝加工方法(雷射加工方法)，參照第1圖說明如下。
首先，在雷射頭部1中，將來自半導體雷射LD的激勵光以所定脈寬脈衝射入在YAG雷射5而發生基本波雷射光束λ1 ，之後將基本波雷射光束λ1 ，射入至第一波長變換元件6就可變換成兩倍波雷射光束λ2 ，又將該兩倍波雷射光束λ2 射入至第二波長變換元件7就可變換成4倍波雷射 光束λ4 並加以輸出。這時候，在第二波長變換元件7中，由離散現象所發生第二高諧頻光束的光束斷面形狀朝一定方向扁平。
將從雷射頭部1所射出的4倍波雷射光束λ4 ，經由擴散擴展透鏡及聚光透鏡10，最後聚光至被加工物2上進行照射。這時候，4倍波雷射光束λ4 是從雷射頭部1所射出之際的光束斷面形狀的相似形狀直接聚光到被加工物2上。又，控制部C是調整光學系統3的擴展透鏡9及聚光透鏡10，就可將4倍波雷射光束λ4 的峰值功率密度設定在0.8 GW/cm2 以下。
在本實施形態中，將來自上述半導體雷射LD的激勵光脈衝射入至YAG雷射5而發生基本波雷射光束λ1 之際，因應於由加工溝的溝深及移動機構4產生的掃描速度，來變更半導體雷射LD的脈寬而調整是終性照射光束的4倍波雷射光束λ4 的脈寬。亦即，控制部C是調整雷射頭部1，因應於事先輸入設定的加工溝的溝深及掃描速度，若加工構的溝深愈長或掃描速度愈快，將4倍波雷射光束λ4 的脈寬設定愈長。例如，激勵用的半導體雷射LD是為了CW照射來變更激勵強度，就可某程度地調整脈寬。又，變更諧振器長度，就可調整脈寬。
又，這時候，脈寬是為了得到提高充分的加工能力，設定在15nsec以上較理想。
如此地在本實施形態中，加工深度愈深或是掃描速度愈快，而將4倍波雷射光束λ4 的脈寬設定成愈長，由此；與提高平均輸出的情形相比較可飛躍地提高加工能力。又，雖提高4倍波雷射光束λ4 的平均輸出對提高加工能力較少，惟此可能是在照射雷射光束時，藉由在被加工物2近旁所發生的電漿而發生遮蔽效果等的理由。然而，在本實施形態中，將4倍波雷射光束λ4 的脈寬作成較長，就可減低由所發生的電漿的影響，而可飛躍地提高加工能力。特別是，在本實施形態中，將4倍波雷射光束λ4 的脈寬至少設定在15nsec以上，而且將峰值功率密度設定在0.8 GW/cm2 以下，由此，以下述的實施例的資料所示地，可防止切削能的顯著降低，而在相同平均輸出也可提高充分的加工能力。
又，在本實施形態中，因使用由第一波長變換元件6及第二波長變換元件7產生的4倍波雷射光束λ4 (波長266nm)，因此以小型裝置可將400nm以下的高能短波長雷射穩定地照射。
實施例
在本發明的雷射加工中，針對於實際上於氧化鋁基板施加切溝加工的情形的加工能力加以調查。
如表1所示地，在該實施例中，藉由將掃描速度變更為20、50、100mm/s而變更溝深而進行加工。
作為加工條件，調查將脈寬、頻率及平均輸出分別作為40nsec、30kHz及1W的實施例(1)，及55nsec、40kHz及1W的實施例(2)。又，作為習知的加工條件，針對於將脈寬、頻率及平均輸出分別作為10nsec、30kHz及3W的比較例加以調查。將此些結果，表示於表1及第2圖。又，掃描次數是均設定在兩次。
如表1及第2圖所示地，雖平均輸出小至1W的情形，也可將脈寬作成40nsec或55nsec較長的情形，對於將平均輸出設定成3倍的3W的比較例，可知以掃描速度20mm/s得到1.5倍以上的加工能力(溝深)。
以下，將對於線劑量(脈衝能×脈衝重疊度)與脈寬調查可達成一定溝深(在本實施例為50 μm)的雷射光束的掃描速度的結果，表示於第3圖。
由該第3圖可知，脈寬愈長則掃描速度變快。亦即，可知脈寬愈長，可縮短加工時間，成為可降低生產成本。
然後，針對於總劑量與加工溝的溝深的關係，脈寬與溝深的關係，脈寬與切削能(表示每一脈衝可掘的標準值)的關係及峰值功率密度與切削能的關係，將以掃描速度10mm/s(a)、50mm/s(b)、100mm/s(c)的各該情形加以調查的結果，表示於第4圖至第7圖。又，為了得到此些圖表，加工條件是不僅是脈寬，也針對於頻率及平均輸出設定成各種值而加以測定。又，掃描次數是均設定在兩次。
由表示於第4圖及第5圖的總劑量與溝深的關係及脈寬與溝深的關係，可知總劑量愈大，或脈寬愈長，則溝深變大。又，由表示於第6圖的脈寬與切削能的關係，可知存有切削能變高的脈寬的領域。又，由表示於第7圖的峰值功率密度與切削能的關係，可知若峰值功率密度超過0.8GW/cm2 以下，顯著地降低切削能。
由上述脈寬與溝深的關係及峰值功率密度與切削能的關係，若脈寬是15nsec以上，則可充分提高加工能力，尤其是，若峰值功率密度是0.8GW/cm2 以下，藉由良好的切削能可知可得到較深加工溝。
又，考慮加工精修(加工溝斷面、熔融急冷凝固層厚，等)，則將脈寬設定較長者較有利。特別是，考慮加工速度，則設定成60nsec以上的較長脈寬，50kHz以上的高重複頻率及0.6W以上的平均輸出較理想。
又，本發明的技術範圍是並不被限定於上述實施形態者，在不超越本發明的要旨的範圍可施加各種變更。
例如作為使用在上述第一波長變換元件6及第二波長變換元件7的非線形光學結晶，除了上述LBO或LB4之外者，例如使用BBO(β－BaB2 O4 )、KTP(KTiOPO4 )、CLBO(C5 LiB6 O1 0 )等也可以。又，如上述地，如上述實施形態的LB4結晶地容易成為較長，可得到由高變換效率與離散產生的光束變形的雙方的結晶較理想。又，無法得到隨伴於離散的效果惟也可採用不會發生離散的液晶。
又，作為主結晶使用Nd；YAG雷射，惟採用例如Nd：YLF等的其他主結晶也可以。
又，在上述實施形態中，使用4倍波雷射光束λ4 ，惟採用5倍波的雷射光束也可得到同樣的效果。
又，使用波長266nm的4倍波雷射光束λ4 ，惟若為波長355nm等的波長400nm以下的紫外線雷射光束也可得到同樣的效果。
又，在上述實施形態中，採用適用於切溝加工的稜鏡插拔機構11，惟於未裝載該機構的裝置適用本發明也可以。
還有，作為被加工物2進行加工氧化鋁基板，惟將其他燒結體陶瓷、矽及其他的半導體基板、藍寶石及其他的氧化物單晶基板等的無機物作為被加工物也可以。
1．．．雷射頭部(雷射光源部)
2．．．被加工物
3．．．光學系統
4．．．移動機構
5．．．YAG雷射
6．．．第一波長變換元件
7．．．第二波長變換元件
11．．．稜鏡插拔機構
12．．．透鏡
C．．．控制部
λ1 ．．．基本波雷射光束
λ2 ．．．2倍波雷射光束(高諧頻雷射光束)
λ4 ．．．4倍波雷射光束
第1圖是表示在本發明一實施形態的雷射加工方法所使用的雷射加工裝置的概略構成圖。
第2圖是表示在本發明的實施例中，變更脈寬及平均輸出時的溝深對於掃描速度的圖表。
第3圖是表示在本發明的實施例中，可加工對於總劑量與脈寬的一定溝深的掃描速度的圖表。
第4圖是表示在本發明的實施例中，針對於總劑量與加工溝的溝深的關係，將在掃描速度10mm/s(a)、50mm/s(b)、100mm/s(c)分別調查的結果的圖表。
第5圖是表示在本發明的實施例中，針對於脈寬與溝深的關係，將在掃描速度10mm/s(a)、50mm/s(b)、100mm/s(c)分別調查的結果的圖表。
第6圖是表示在本發明的實施例中，針對於脈寬與切削能的關係，將在掃描速度10mm/s(a)、50mm/s(b)、100mm/s(c)分別調查的結果的圖表。
第7圖是表示在本發明的實施例中，針對於峰值功率密度與切削能的關係，將在掃描速度10mm/s(a)、50mm/s(b)、100mm/s(c)分別調查的結果的圖表。
1．．．雷射頭部(雷射光源部)
2．．．被加工物
3．．．光學系統
4．．．移動機構
5．．．YAG雷射
5a．．．YAG結晶
5b．．．諧振器反射鏡
6．．．第一波長變換元件
7．．．第二波長變換元件
8a、8b．．．反射鏡
9．．．擴展透鏡
10．．．聚光透鏡
11．．．稜鏡插拔機構
12．．．透鏡
13．．．驅動部
C．．．控制部
LD．．．半導體雷射
λ1 ．．．基本波雷射光束
λ2 ．．．2倍波雷射光束(諧頻雷射光束)
λ4 ．．．4倍波雷射光束

Claims (6)

  1. 一種雷射加工方法，屬於將藉由從半導體雷射而來之激勵光而以固體雷射所產生的波長為400nm以下之紫外線雷射光束脈衝照射於無機物的被加工物而進行切溝加工或切斷加工的雷射加工方法，其特徵為：若是上述切溝加工或上述切斷加工的加工深度愈深或是上述紫外線雷射光束的掃描速度愈快，則將上述紫外線雷射光束的脈寬設定成愈長，將上述紫外線雷射光束之掃描速度，設為10mm/s~100mm/s，將上述紫外線雷射光束的脈寬，設為15nsec以上，將上述紫外線雷射光束的峰值功率密度，設為0.8 GW/cm2 以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的雷射加工方法，其中，上述紫外線雷射光束，是將基本波雷射光束射入於非線形光學結晶的波長變換元件內而波長變換的高諧頻雷射光束。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的雷射加工方法，其中，於上述非線形光學結晶，至少使用Li2 B4 O7 。
  4. 一種雷射加工裝置，屬於將藉由從半導體雷射而來之激勵光而以固體雷射所產生的波長為400nm以下之紫外線雷射光束脈衝照射於無機物的被加工物而進行切溝加 工或切斷加工的雷射加工裝置，其特徵為具備：輸出上述紫外線雷射光束的雷射光源部，及聚光上述紫外線雷射光束而照射至上述被加工物的光學系統，及相對地移動上述紫外線雷射光束而移動對於上述被加工物的照射位置的移動機構，及分別控制上述雷射光源部，上述光學系統及移動機構的控制部；上述控制部，若是上述切溝加工或上述切斷加工的加工深度愈深或是上述紫外線雷射光束的掃描速度愈快，則將上述紫外線雷射光束的脈寬設定成愈長，將上述紫外線雷射光束之掃描速度，設為10mm/s~100mm/s，將上述紫外線雷射光束的脈寬，設為15nsec以上，將上述紫外線雷射光束的峰值功率密度，設為0.8 GW/cm2 以下。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的雷射加工裝置，其中，上述紫外線雷射光束，是將基本波雷射光束射入於非線形光學結晶的波長變換元件內而波長變換的高諧頻雷射光束。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的雷射加工裝置，其中，於上述非線形光學結晶，使用Li2 B4 O7 。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8921733B2 (en) 2003-08-11 2014-12-30 Raydiance, Inc. Methods and systems for trimming circuits
TWI398624B (zh) * 2006-08-07 2013-06-11 Tjm Design Corp 雷射照射器的旋轉機構
JP2008155223A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Mitsubishi Materials Corp 立方晶窒化ホウ素焼結体の加工方法
DE102007055530A1 (de) * 2007-11-21 2009-05-28 Carl Zeiss Ag Laserstrahlbearbeitung
WO2010093857A1 (en) * 2009-02-13 2010-08-19 Videojet Technologies Inc. Laser parameter adjustment
US8319146B2 (en) * 2009-05-05 2012-11-27 General Electric Company Method and apparatus for laser cutting a trench
DE112011100039B4 (de) * 2010-06-14 2014-01-02 Mitsubishi Electric Corp. Laserbearbeitungsvorrichtung und Laserbearbeitungsverfahren
WO2012021748A1 (en) 2010-08-12 2012-02-16 Raydiance, Inc. Polymer tubing laser micromachining
WO2012037468A1 (en) 2010-09-16 2012-03-22 Raydiance, Inc. Singulation of layered materials using selectively variable laser output
DE102011001474A1 (de) * 2011-03-22 2012-09-27 Carl Zeiss Microimaging Gmbh Laser-Mikrodissektionsverfahren und Laser-Mikrodissektionsvorrichtung
US10239160B2 (en) 2011-09-21 2019-03-26 Coherent, Inc. Systems and processes that singulate materials
JP5964621B2 (ja) * 2012-03-16 2016-08-03 株式会社ディスコ レーザー加工装置
GB2514084B (en) 2013-02-21 2016-07-27 M-Solv Ltd Method of forming an electrode structure for capacitive touch sensor
GB2511064A (en) 2013-02-21 2014-08-27 M Solv Ltd Method of forming electrode structure for capacitive touch sensor
WO2014130830A1 (en) 2013-02-23 2014-08-28 Raydiance, Inc. Shaping of brittle materials with controlled surface and bulk properties
CN107185916B (zh) * 2017-05-09 2019-12-03 中国科学院半导体研究所 用于管道内壁清洗的激光清洗系统
JP6980421B2 (ja) * 2017-06-16 2021-12-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3829791A (en) * 1969-07-23 1974-08-13 Sanders Associates Inc Variable pulse laser
US4970600A (en) * 1989-04-04 1990-11-13 Melco Industries, Inc. Laser engraver with X-Y assembly and cut control
JP3036906B2 (ja) * 1991-07-30 2000-04-24 ホーヤ株式会社 ガラス加工方法及びその装置
JPH0542382A (ja) * 1991-08-08 1993-02-23 Amada Co Ltd Ｙａｇレーザの高調波を用いたレーザ加工方法
JPH06254691A (ja) * 1993-03-08 1994-09-13 Mitsubishi Electric Corp レーザ加工機およびレーザ加工機の焦点設定方法
JPH09206970A (ja) * 1996-01-26 1997-08-12 P S L Kk レーザー加工方法及びレーザー加工装置
US5810094A (en) * 1996-05-09 1998-09-22 W. L. Gore & Associates, Inc. Head/pre-amp ribbon interconnect for data storage devices
CA2189291C (en) * 1996-10-31 2004-10-05 700674 Ontario Corporation Doing Business As Carroll Associates Method for making a multilevel polyimide stencil
JP3867327B2 (ja) * 1996-10-31 2007-01-10 トッパン・フォームズ株式会社 レーザ加工装置及び合成移動速度算出装置
JP3436862B2 (ja) * 1997-04-07 2003-08-18 新日本製鐵株式会社 厚鋼板のレーザ切断方法及び装置
JP3428437B2 (ja) * 1998-06-05 2003-07-22 三菱マテリアル株式会社 波長変換装置
JP4008609B2 (ja) * 1999-01-26 2007-11-14 三菱電機株式会社 レーザ装置およびレーザ加工装置
JP2000306865A (ja) * 1999-02-17 2000-11-02 Toshiba Electronic Engineering Corp ウェーハ切断方法およびその装置
JP4592855B2 (ja) * 1999-12-24 2010-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001210900A (ja) * 2000-01-25 2001-08-03 Kyocera Corp Ｒｆ励起方式レーザー装置
JP2001259869A (ja) * 2000-03-17 2001-09-25 Toppan Forms Co Ltd ミシン目形成装置および形成方法
JP2001259876A (ja) * 2000-03-17 2001-09-25 Toppan Forms Co Ltd ミシン目形成装置および形成方法
EP1306160A4 (en) * 2000-05-23 2006-12-27 Sumitomo Heavy Industries LASER PER AGE PROCESS
JP2002151779A (ja) * 2000-08-28 2002-05-24 Komatsu Ltd レーザ装置及びシード光の最適化方法
WO2002024396A1 (en) * 2000-09-20 2002-03-28 Electro Scientific Industries, Inc. Uv laser cutting or shape modification of brittle, high melting temperature target materials such as ceramics or glasses
EP1386689A1 (en) * 2001-05-11 2004-02-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method and device for laser beam machining of laminated material
TWI269924B (en) * 2001-05-25 2007-01-01 Mitsubishi Materials Corp Optical wavelength conversion method, optical wavelength conversion system, program and medium, and laser oscillation system
JP2003119044A (ja) * 2001-10-12 2003-04-23 Quantum Design Japan Inc レーザによる石英の加工方法および加工装置
US6580054B1 (en) * 2002-06-10 2003-06-17 New Wave Research Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser
TWI248244B (en) * 2003-02-19 2006-01-21 J P Sercel Associates Inc System and method for cutting using a variable astigmatic focal beam spot
US7218653B2 (en) * 2003-11-27 2007-05-15 Mitsubishi Materials Corporation Wavelength conversion method and wavelength conversion element

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