JP2013131753A - レーザー処理装置及びその制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、反応チャンバーの内部に設置され、基板が載置されるステージと、ステージに備えられ、基板とステージとの間の酸素を反応チャンバーの外部に排出する真空部と、ステージに基板が載置されると、ステージの中央部から外側方向に順次酸素排出作業が実施されるように真空部に作動信号を送信する制御部とを備えるレーザー処理装置を提供する。
【選択図】図1
Description
一方、基板の大型化によって薄膜蒸着後のアニーリング時に均一性を確保しにくいので、多様な代案が提示されており、その一つがレーザーを用いたアニーリング方法である。
基板がレーザービームの面に対して一側方向に水平に移動することによって、基板の全面にレーザービームの照射が行われる。
本発明は、基板でレーザー処理が要求される部分のみに選択的にレーザー処理を実施することができ、基板がステージに載置されるときに基板とステージとの間に気体が残存することを防止することができるレーザー処理装置及びその制御方法を提供することを目的とする。
このような過程で図面に示した各線の太さや構成要素の大きさなどは、説明の明瞭性と便宜上誇張して図示する場合がある。
したがって、これら用語は、本明細書全般にわたる内容に基づいて定義しなければならない。
基準点102が形成された後、センシング部26から送信される位置信号に基づいて判定された基準点102からレーザー処理が実施される処理位置106までの距離及び方向を計算することにより、処理位置106が判定される。
その後、レーザー発生部50からレーザービームが供給されると、光学部70に沿って反射されながら反応チャンバー10側にレーザービームが供給され、反応チャンバー10の上面に設置される石英窓を通してレーザービームが反応チャンバー10の内部に供給される。
曲線部24aは平面が「C」字状に形成され、除去部24をなすブロックの下端部に形成され、処理部22でレーザービームが照射される部位を取り囲むように配置される。
真空ホール24bから反応チャンバー10の外側に延在する流路及び処理部22は、本発明の技術構成を認知した当業者が容易に実施できるものであるので、これについての具体的な図面や説明は省略する。
したがって、基板100内部の目標位置がマーキング部20に対向するように基板100が設定位置に配置され、処理部22からレーザービームが目標位置に照射されることによって基準点102を形成する。
図1、図6〜図10を参照すると、真空部30は、ステージ12に備えられる複数の真空ホール部32と、真空ホール部32に連結され、反応チャンバー10の外部に酸素を排出する真空ポンプ34とを含む。
ステージ12は、ステージ12の中央を横切るように配置され、ステージ12を二つの対称な区域に分割する中央部12aと、中央部12aに隣接した第1の側部12bと、第1の側部12bの外側に隣接した第2の側部12cと、第2の側部12cの外側に隣接した第3の側部12dと、第2の側部12cを横切るように配置される複数の交差部12eとを含む。
大型の基板100がステージ12に載置されるときは、中央部12aから外側方向に順次酸素排出を行う場合でも中央部12aと第3の側部12dとの間に酸素が残存し得る。
ステージ12に基板100が載置された状態でレーザービームが反応チャンバー10の内部に照射されると、レーザービームが基板100に照射されながらレーザー処理が行われ、駆動部14によってステージ12が一側方に移動すると、レーザービームが基板100をスキャンしながら広い面積にレーザー処理を行うようになる。
したがって、本実施例のように基板100が、不連続的な処理位置106においてレーザー処理されるときは、第1の遮断部54及び第2の遮断部56を同時に作動させ、流入口52aを介してケース52に導入されるレーザービームを第1の遮断部54及び第2の遮断部56によってビームダンプ59側に反射させて相殺させる。
第4の振動感知センサー88で測定される振動が設定値以上であるときは、制御部90で異常と判定してステージ12に制御信号を送信し、ステージ12に発生する振動を相殺させる。
図中、参照符号22aは、処理部22からレーザービームが照射される吐出ホール部22aである。
図11は、本発明の一実施例に係るレーザー処理装置の制御方法を示したフローチャートで、図12は、本発明の一実施例に係るレーザー処理装置の酸素排出方法を示したフローチャートで、図13は、本発明の一実施例に係るレーザー処理装置の振動感知方法を示したフローチャートである。
ここで、「設定位置」とは、基板100内の目標位置がマーキング部20に対向するように配置される位置を意味する。
前記のようなセンシング部26の動作によって、レーザー処理が繰り返され、多数の基板100が連続的に供給される場合にも、同一の処理位置106にレーザー処理を行えるようになる。
レーザー処理が行われた基板100の数が設置値に到達するかどうかを判定する段階(S80)において、処理された基板100の数が設定値に到達していないと判定された場合は、反応チャンバー10からレーザー処理が行われた基板100を排出し、新しい基板100を供給する段階(S90)が実施され、その後、基板100の位置を感知する段階(S10)が実施される。
特に、大型の基板100がステージ12に載置される場合は、基板100の中央部12aと側端部との間に酸素が残存しやすい。
Claims (5)
- レーザー処理装置であって、
反応チャンバーの内部に設置され、基板が載置されるステージと、
前記ステージに備えられ、前記基板と前記ステージとの間の酸素を前記反応チャンバーの外部に排出する真空部と、
前記ステージに基板が載置されると、前記ステージの中央部から外側方向に順次酸素排出作業が実施されるように前記真空部に作動信号を送信する制御部と
を備えることを特徴とするレーザー処理装置。 - 前記真空部は、
前記ステージに備えられた複数の真空ホール部と、
前記真空ホール部に連結され、前記反応チャンバーの外部に酸素を排出する真空ポンプと
を含むことを特徴とする、請求項1に記載のレーザー処理装置。 - 前記ステージは、
前記ステージの中央を横切るように配置され、前記ステージを二つの対称な区域に分割する中央部と、
前記中央部に隣接した第1の側部と、
前記第1の側部の外側に隣接した第2の側部と、
前記第2の側部の外側に隣接した第3の側部と、
前記第2の側部を横切るように配置された複数の交差部と
を含むことを特徴とする、請求項2に記載のレーザー処理装置。 - 前記真空ホール部は、
前記中央部の内部に形成された第1の真空ホール部と、
前記第1の側部の内部に形成された第2の真空ホール部と、
前記第2の側部の内部に形成された第3の真空ホール部と、
前記第3の側部の内部に形成された第4の真空ホール部と、
前記交差部の内部に形成された第5の真空ホール部と
を含むことを特徴とする、請求項3に記載のレーザー処理装置。 - レーザー処理装置の制御方法であって、
反応チャンバーの内部に設置されたステージに基板が載置されると、前記ステージの中央部から酸素を排出する段階と、
前記中央部からの酸素排出が完了すると、前記中央部に隣接した第1の側部から酸素を排出する段階と、
前記第1の側部からの酸素排出が完了すると、前記第1の側部の外側に隣接した第2の側部から酸素を排出する段階と、
前記第2の側部からの酸素排出が完了すると、前記第2の側部の外側に隣接した第3の側部から酸素を排出する段階と、
前記第3の側部からの酸素排出が完了すると、前記第2の側部を横切る交差部から酸素を排出する段階と
を含むことを特徴とする方法。
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