WO2020256132A1 - 金属製品の微細加工装置、金属製品の微細加工方法 - Google Patents

金属製品の微細加工装置、金属製品の微細加工方法 Download PDF

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美代志 中林
Original Assignee
ユナイテッド・プレシジョン・テクノロジーズ株式会社
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    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
    • H01R43/16—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for manufacturing contact members, e.g. by punching and by bending

Definitions

  • the present invention relates to a metal product microfabrication apparatus and a metal product microfabrication method, and particularly to a metal product microfabrication apparatus such as a probe pin and a metal product suitable for semiconductor package inspection such as contacts for high frequency semiconductor package inspection. Regarding the microfabrication method.
  • Patent Document 1 discloses a probe pin including a movable pin and a conduction path forming member. Each of the movable pin and the conduction path forming member is formed in an elongated thin plate shape, is formed by, for example, an electroforming method, and has conductivity. Paragraph (0015) of JP-A-2018-48919
  • nickel-based materials such as nickel-cobalt and palladium alloys that can be used as probe pin materials are limited.
  • the etching method there is no such limitation.
  • probe pins there are metal products that require microfabrication.
  • the semiconductor field it is a lead frame mounted on a semiconductor package or the like
  • the optical field it is a leaf spring for controlling the movement of a lens mounted on an optical unit or the like.
  • an object of the present invention is to make it possible to obtain accuracy equal to or higher than that when the electroforming method or the like is adopted even if the etching method is adopted when microfabricating a metal product.
  • a sticking means for sticking a plate material to be a metal product to the flat part of the holder on which the mark is formed A first coating means for coating the plate material attached by the application means with a first resist film, and A first alignment means for aligning the holder coated with the resist film by the first coating means and the first photomask using the mark.
  • a peeling means for peeling the residual resist film after being etched by the etching means from the plate material A second coating means for coating the plate material from which the residual resist film has been peeled by the peeling means with the second resist film, and A second alignment in which the holder coated with the second resist film by the second coating means and the second photomask are aligned in a manner that reproduces the alignment made by the first alignment means. Means and To be equipped.
  • the method for microfabrication of a metal product of the present invention is: The step of attaching a plate material to be a metal product to the flat part of the holder on which the mark is formed, The step of coating the plate material with the first resist film and A step of aligning the holder coated with the resist film and the first photomask using the mark, and The step of illuminating the holder in the aligned state, and The step of etching the plate material of the illuminated holder and The step of peeling the residual resist film after etching from the plate material, A step of coating the plate material from which the residual resist film has been peeled off with a second resist film, and A step of aligning the holder coated with the second resist film and the second photomask in a manner of reproducing the alignment, and including.
  • a metal product manufactured by the above-mentioned metal product microfabrication apparatus can be provided.
  • the plate material may be a copper plate, a silver plate, a copper alloy plate, a copper silver plate, a palladium alloy plate, a titanium plate, or an insulating plate.
  • the plate material may be attached to the holder via an adhesive.
  • FIG. 1 It is a schematic explanatory drawing of the manufacturing method of the probe pin 100 of embodiment of this invention. It is a schematic block diagram of the semiconductor inspection apparatus provided with the probe pin 100 manufactured by the manufacturing method shown in FIG. It is a figure which shows the modification of the probe pin 100 used for the semiconductor inspection apparatus shown in FIG. It is a comparison explanatory view of the conduction path length focusing only on the elastic part 130 of the probe pin 100 shown in FIG. It is a figure which shows another modification of the probe pin 100 used for the semiconductor inspection apparatus shown in FIG. It is a figure which shows the other modification of the probe pin 100 used for the semiconductor inspection apparatus shown in FIG.
  • Probe pin 110 1st contact part 112 Pillar part 114 Claw part 120 2nd contact part 122 Pillar part 124 Claw part 130 Elastic part 200 Socket 210 2nd board 220 1st board 230, 240 Hole 205 Through hole 300 Holder 310 Mark 320 Copper-silver alloy plate 330 Resist film 340 Copper-silver alloy
  • the microfabrication apparatus and method for metal products according to the embodiment of the present invention will be described mainly with reference to the probe pin 100 and its manufacturing method, and further, the semiconductor inspection apparatus provided with the probe pin 100 with reference to the drawings. ..
  • FIG. 1 (a) to 1 (d) are schematic explanatory views of a method for manufacturing the probe pin 100 according to the embodiment of the present invention.
  • a manufacturing process of a probe pin in which an insulating film is formed on an elastic body in a central portion and a conductive film such as carbon such as graphene or nanosilver is formed on both ends serving as contacts will be described.
  • a holder 300 having parallel flat portions on both sides is prepared.
  • the holder 300 is shown in the shape of a disk in FIG. 1A, the shape is not limited to this, and a square shape may be used, for example.
  • the holder 300 needs to have a flat surface portion having excellent surface accuracy. Ideally, the surface accuracy should be such that the unevenness difference is 5 ⁇ m or less.
  • a semiconductor wafer when a semiconductor wafer is cut out from an ingot, it is preferable to use a wafer that is located at both ends of the ingot that is not used as a semiconductor wafer, or a semiconductor wafer that is defective at the time of inspection. is there.
  • a mark 310 is formed on the holder 300, for example, at the edge.
  • the mark 310 can be, for example, a notch formed in the edge of the holder 300.
  • the notch may or may not be formed in a predetermined shape. That is, the mark 310 may have other modes, including not being a notch, as long as it can be used for position control described later.
  • the notch may be substituted as the mark 310.
  • an adhesive (not shown) is applied to the upper surface of the holder 300 so as to have a uniform film thickness, and then the copper-silver alloy plate 320, which is the plate material of the probe pin 100, is attached.
  • the surface accuracy of the copper-silver alloy plate 320 is also high.
  • the surface accuracy of the copper-silver alloy plate 320 should be such that the unevenness difference is 15% or less of the thickness of the copper-silver alloy plate 320.
  • the copper-silver alloy plate 320 may be appropriately determined according to the thickness of the probe pin 100, and generally, the thickness may be, for example, about 5 ⁇ m to 200 ⁇ m. That is, once the size of the probe pin 100 is determined, the thickness of the copper-silver alloy plate 320 is determined correspondingly, and the copper-silver alloy plate 320 having a thickness corresponding to the thickness is attached to the upper surface of the holder 300.
  • the copper-silver alloy plate 320 is an example as a plate material, and is a material made of a probe pin 100 and thus a metal product to be manufactured, such as a silver plate, a copper plate, a copper alloy plate, a palladium alloy plate, a titanium plate, and an insulating plate.
  • a plate can be used as appropriate.
  • the copper-silver alloy plate 320 will be described.
  • electrolytic copper or oxygen-free copper for example, a strip of 10 mm ⁇ 30 mm ⁇ 50 mm is prepared. Then, granular silver having a rough primary diameter of about 2 mm to 3 mm is prepared. Then, silver is added to copper in the range of 0.5 wt% to 15 wt%, more preferably in the range of 2 wt% to 10 wt%.
  • the copper after adding this silver is put into a melting furnace such as a high-frequency or low-frequency vacuum melting furnace including a Tanman furnace, and the melting furnace is turned on to raise the temperature to, for example, about 1200 ° C., and the copper and silver are combined. Is cast by sufficiently dissolving. In this way, a copper-silver alloy ingot is manufactured.
  • a melting furnace such as a high-frequency or low-frequency vacuum melting furnace including a Tanman furnace
  • the copper-silver alloy ingot is subjected to solution heat treatment.
  • the copper-silver alloy can be cast in the atmosphere, but it can also be cast in an inert atmosphere such as nitrogen gas or argon gas.
  • an inert atmosphere such as nitrogen gas or argon gas.
  • the surface of the copper-silver alloy ingot is oxidized, the oxidized portion is ground.
  • the surface grinding treatment of the copper-silver alloy ingot becomes unnecessary.
  • the copper-silver alloy plate 320 may be manufactured by cutting out the copper-silver alloy ingot after the precipitation heat treatment in accordance with the thickness of the probe pin 100.
  • a resist film 330 is formed on the upper surface of the copper-silver alloy plate 320 attached to the holder 300 in a known manner.
  • the holder 300 is placed on a holder stage of a lighting device such as a stepper (not shown). Then, the holder 300 is fixed on the holder stage from the back surface side by using a vacuum or the like.
  • the photomask is aligned with the lighting device in the xy ⁇ direction using a certain reference mark, and the mark 310 is used to align the photomask with the holder xy ⁇ direction on the holder stage of the lighting device.
  • the mark 310 is used to align the photomask with the holder xy ⁇ direction on the holder stage of the lighting device.
  • an alignment technique for a semiconductor wafer and a photomask, which is used in the semiconductor field can be used.
  • the first illumination is performed toward the holder 300 placed on the holder stage.
  • the resist film 330 is developed to form a mask pattern.
  • a lighting device capable of irradiating ultraviolet light having a wavelength of about 360 nm to 440 nm (for example, 390 nm) and an output of about 150 W can be used. Further, the distance between the lighting device and the holder 300 may be about 20 cm to 50 cm if the above-mentioned ultraviolet light irradiation conditions are used. Further, the developing process may be performed by impregnating the illuminated holder 300 with a liquid tank containing a developing solution selected according to the material of the resist film 330.
  • the holder 300 is placed in a liquid tank containing an etching solution selected according to the material of the resist film 330 after the desired rinse treatment is performed on the developed holder 300.
  • an etching solution selected according to the material of the resist film 330 By impregnating with 300, the resist film 330 is peeled off.
  • the impregnation time of the etching solution may be determined according to the thickness of the resist film 330, etc., but is generally 2 minutes to 15 minutes, for example, 10 minutes or less.
  • the copper-silver alloy body 340 which is the prototype of the probe pin 100, is formed from the copper-silver alloy plate 320 on the holder 300.
  • a step of forming an insulating film at a portion of the probe pin 100 that becomes an elastic body is carried out. Specifically, as described with reference to FIG. 1C, the resist film 330 is formed again on the holder 300 in the manner described above. Next, the holder 300 is fixed on the holder stage of the lighting device.
  • the reproduction referred to here and the reproduction described later do not mean that the positions related to the first time and the second time are exactly the same without any deviation, but that the amount of deviation between the two is, for example, at the nano level or less.
  • the resist film 330 is developed in the manner described above to form a mask pattern.
  • the holder 300 that has been subjected to the development treatment may be subjected to a desired rinsing treatment, and then the insulating film may be formed.
  • any of electrolytic plating, vacuum vapor deposition, electrostatic spray and the like can be adopted. Further, these films may have a thickness of, for example, about 2 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • a conductive film is formed at both ends of the probe pin 100.
  • photomasks for the third illumination corresponding to both ends of the probe pin 100 are attached to the illumination device.
  • the holder 300 on which the resist film 330 is formed is fixed to the holder stage of the lighting device. At this time, the positional relationship between the photomask for the third illumination and the holder 300 is reproduced, and the positional relationship between the photomask for the first and second illuminations and the holder 300 is reproduced.
  • the holder 300 is developed with respect to the resist film 330 in the same manner as described above to form a mask pattern.
  • the holder 300 that has been subjected to the development treatment may be subjected to a desired rinsing treatment, and then the conductive film may be formed.
  • the holder 300 is peeled off from the excess resist film 330. In this way, the surface treatment of both ends of the copper-silver alloy body 340 is completed.
  • the probe pin 100 is completed in which an insulating film is formed on the elastic body in the central portion and a conductive film such as carbon such as graphene or nanosilver is formed on both ends serving as contacts.
  • the manufacturing process shown in FIG. 1 is A sticking means for sticking a copper-silver alloy plate 320 serving as a probe pin 100 to a flat portion of the holder 300 on which the mark 310 is formed, and A first coating means for coating the copper-silver alloy plate 320 attached by the attaching means with the first resist film 330, and A first alignment means for aligning the holder 300 coated with the resist film 330 by the first coating means and the first photomask using the mark 310.
  • a first lighting means that illuminates the holder 300 in a state of being aligned by the first positioning means
  • An etching means for etching the copper-silver alloy plate 320 of the holder 300 illuminated by the first lighting means
  • a peeling means for peeling the residual resist film 330 after being etched by the etching means from the copper-silver alloy plate 320
  • a second coating means for coating the copper-silver alloy plate 320 from which the residual resist film has been peeled off by the peeling means with the second resist film
  • Means and It is realized by a processing device equipped with.
  • FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a semiconductor inspection apparatus including the probe pin 100 manufactured through the manufacturing process shown in FIG.
  • FIG. 2 shows a cross section showing a schematic configuration of a semiconductor inspection device having a probe pin 100 configured in a plane and a socket 200 including a first substrate 220 and a second substrate 210. ..
  • FIG. 2 shows a state in which two probe pins 100 are housed in the socket 200, but in reality, a large number of probe pins 100 are housed in the socket 200. ..
  • the first substrate 220 is formed with holes 230 through which the pillar portions 112 of the first contact portions 110 of the plurality of probe pins 100 are passed.
  • the diameter and thickness of each hole 230 are larger than the diameter and thickness of the pillar portion 112 of the first contact portion 110 and smaller than the diameter and thickness of the flange portion 114 of the first contact portion 110.
  • a through hole 205 is formed in the second substrate 210 through which a portion including the elastic portion 130 of the probe pin 100 is passed and a flange portion 124 of the second contact portion 120 is passed through the position corresponding to each hole 230.
  • the through hole 205 includes a portion through which the elastic portion 130 and the pillar portion 122 of the second contact portion 120 are passed, and the flange portion 124 of the second contact portion 120 is received in the vicinity of the opening 240.
  • the width and thickness of the through hole 205 may be set according to the width and thickness of the elastic portion 130 and the flange portion 124.
  • a collar portion different from the collar portion 124 may be provided near the middle of the elastic portion 130.
  • FIG. 3 is a diagram showing a modified example of the probe pin 100 used in the semiconductor inspection apparatus shown in FIG.
  • FIG. 3A shows a state in which the probe pin 100 is not loaded
  • FIG. 3B shows a state in which the probe pin 100 is loaded.
  • the probe pin 100 is roughly classified into a first contact portion 110, a second contact portion 120, and an elastic portion 130.
  • the first contact portion 110 has a pillar portion 112 and a flange portion 114 located at the base end of the pillar portion 112.
  • the second contact portion 120 has a pillar portion 122 and a flange portion 124 located at the base end of the pillar portion 122.
  • the pillar portions 112 and 122 and the flange portions 114 and 124 are integrated as described later.
  • the elastic portion 130 is a characteristic portion of the probe pin 100 of the present embodiment.
  • the shape of the elastic portion 130 is a substantially continuous S-shape.
  • the elastic portion 130 constitutes a narrow portion 130a in which the vicinity of the S-shaped curved portion is relatively spaced, and a wide portion 130b in which the other portions are relatively spaced. ing.
  • the narrow portion 130a is formed in the curved portion, and the narrow portion 130a may be formed corresponding to the portion where the contact portion 140, which will be described later, is desired to be formed.
  • each part of the probe pin 100 is not limited to these, but can be as follows. Pillar portion 112: width about 0.1 mm to 0.5 mm, length about 0.3 mm to 0.8 mm, Brim portion 114 :: Width approx. 0.5 mm to 1.5 mm, length approx. 0.1 mm to 0.5 mm, Pillar portion 122: width about 0.1 mm to 0.5 mm, length about 0.3 mm to 0.8 mm, Brim portion 124 :: Width approx. 0.5 mm to 1.5 mm, length approx.
  • Elastic part 130 Overall width about 0.5 mm to 1.5 mm
  • Path length About 3.0 mm to 10 mm
  • Overall length about 1.5 mm to 3.0 mm
  • Probe pin 100 total thickness about 0.05 mm to 0.2 mm.
  • the elastic portion 130 when the elastic portion 130 has such a configuration, when the elastic portion 130 is deformed by applying a load to the probe pin 100, the wide portion 130b does not contact but is narrow. The portions 130a come into contact with each other to form the contact portion 140.
  • FIG. 3B shows a state in which the contact portion 140 is formed by the narrow portion 130a only on one side of the elastic portion 130 along the extending direction, that is, only on the left side of the drawing.
  • the contact portion 140 is formed not only on the right side of the drawing but also by the narrow portion 130a.
  • the probe pin 100 is located in the through hole 205 and the holes 230 and 240 with some play. Therefore, although it depends on the magnitude of the load applied to the probe pin 100, the force is not evenly applied to the probe pin 100 on the left and right sides of the drawing, and the contact portion 140 is formed on only one of the left and right sides of the drawing. There are many.
  • contact portions 140 will be formed on both the left and right sides of the drawing, but in that case, the current has a small resistance. Since the current flows through the shortest path, the conduction path in this case is the same as that shown in FIG. 3 (b).
  • the contact portion 140 may be formed by the narrow portion 130a on the right side of the drawing.
  • the conduction path is relatively longer than in the case of FIG. 3B, but shorter than the path length of the elastic portion 130. This point will be described later.
  • the conduction path is the tip of the first contact portion 110-the base end of the first contact portion 110-one end of the elastic portion 130-some contact portions 140-the other end of the elastic portion 130. -The base end of the second contact portion 120-The tip of the second contact portion 120.
  • the total length of the conduction path in this case is the total length of the first contact portion 110 + the total length of the second contact portion 120 + the substantially total length of the elastic portion 130 under load, which is relatively short. Therefore, it is suitable for semiconductor package inspection for high frequency applications.
  • FIG. 4 is a comparative explanatory diagram of conduction path lengths focusing only on the elastic portion 130 of the probe pin 100 shown in FIG.
  • the contact portion 140 is not formed in FIG. 4A, when the contact portion 140 is formed only on the right side of the drawing in FIG. 4B, the contact portion 140 is formed on the left side of the drawing in FIG. 4C. If so, it indicates each state of.
  • the path length of the elastic portion 130 is 5T
  • the length of 1/2 of the S-shaped portion is approximately T.
  • the conduction path length of the elastic portion 130 portion is [T ⁇ 5 ⁇ 5T].
  • the conduction path length of the elastic portion 130 portion is [T + 0.75T + 0.75T + T ⁇ 3.5T]
  • the conduction path length is about 30 as compared with the case of FIG. 4A.
  • % Can be shortened In the case of FIG. 4C, the conduction path length of the elastic portion 130 portion is [0.75T + 0.5T + 0.75T ⁇ 2T], and the conduction path length is about 60 as compared with the case of FIG. 4A. % Can be shortened.
  • the elastic portion 130 when the elastic portion 130 is shortened by a load between the first contact portion 110 and the second contact portion 120, the embodiment as shown in FIG. 4 (b) or FIG. 4 (c).
  • the narrow portion 130a (and the wide portion 130b) are determined under the condition that the contact portion 140 is formed.
  • the stroke amount of the probe pin 100 main body under load between the first contact part 110 and the second contact part 120 is, for example, 0. Since it can be about 2 mm, the number of contact portions in the case of FIG. 4C is 2, for example, 0.1 mm between the adjacent narrow portions 130a and 0.2 mm between the adjacent wide portions 130b. can do.
  • FIG. 5 is a diagram showing another modification of the probe pin 100 used in the semiconductor inspection apparatus shown in FIG.
  • the probe pin 100 shown in FIG. 5 constitutes a narrow portion 130c in which the width of the peripheral portion including the contact portion 140 is relatively small, and constitutes a wide portion 130d in which the width of the other portion is relatively large.
  • the conductive path can be shortened as in the case of the probe pin 100 shown in FIG. 5.
  • the mask pattern having a shape corresponding to the shape of the probe pin 100 shown in FIG. 5 may be simply changed, and the other methods may be adopted.
  • FIG. 6 is a diagram showing another modification of the probe pin 100 used in the semiconductor inspection apparatus shown in FIG.
  • the probe pin 100 shown in FIG. 6 has a configuration in which convex portions 130e and 130f are provided at portions of the elastic portion 130 where a contact portion is desired to be formed.
  • the convex portions 130e and 130f come into contact with each other and the contact portions. Is formed. It should be noted that the convex portions 130e and 130f may not be formed, but only one of them may be formed.
  • the conductive path can be shortened as in the case of FIG.
  • the mask pattern having a shape corresponding to the shape of the probe pin 100 shown in FIG. 6 may be simply changed, and the other methods may be adopted.
  • the probe pin 100 can be manufactured with high accuracy.
  • the patterning accuracy of the photomask is high, it is difficult to manufacture the probe pins 100 having the forms shown in FIGS. 3 to 6. Since the probe pin 100 as shown in FIGS. 3 to 6 can shorten the conductive path, a semiconductor inspection device using this type of probe pin 100 is particularly suitable for inspection of a high-frequency semiconductor package. is there.
  • the probe pin 100 not only the probe pin 100 but also various metal products such as lead frames and leaf springs other than the probe pin 100 can be microfabricated.

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Abstract

本発明は、電鋳法等を採用した場合と同等以上の精度の製品が得られる微細加工装置及び微細加工方法に関するものであって、該装置及び方法は、ホルダー３００の平面部分に金属製品となる板材３２０を貼付し、貼付された板材３２０を第１のレジスト膜３３０で被覆し、第１のレジスト膜３３０が被覆されたホルダー３００と第１のフォトマスクとをホルダー３００に形成されたマーク３１０を用いて位置合わせし、その位置合わせさがなされた状態でホルダー３００を照明し、照明されたホルダー３００の板材３２０をエッチングし、エッチングされた後の残存レジスト膜を板材３２０から剥離し、残存レジスト膜が剥離された板材３２０を第２のレジスト膜で被覆し、第２のレジスト膜が被覆されたホルダー３００と第２のフォトマスクとを、前記位置合わせを再現する態様で位置合わせする。

Description

金属製品の微細加工装置、金属製品の微細加工方法
　本発明は、金属製品の微細加工装置、金属製品の微細加工方法に関し、特に、高周波半導体パッケージ検査用コンタクトなどの半導体パッケージ検査に好適な、プローブピンなどの金属製品の微細加工装置、金属製品の微細加工方法に関する。
　特許文献１には、可動ピンと導通経路形成部材とを備えているプローブピンが開示されている。可動ピンおよび導通経路形成部材の各々は、細長い薄板状に構成され、例えば電鋳法で形成され、導電性を有している。
特開２０１８－４８９１９号公報の（００１５）段落
　ところで、一般的には、プローブピンを製造する際には、特許文献１に開示されているように、電鋳法を採用するか、或いは、これに代えてエッチング法を採用することがほとんどである。そして、電鋳法を採用したプローブピンは、エッチング法を採用したプローブピンよりも、高精度になるといわれている。
　しかし、例えば電鋳法を採用すると、ニッケル－コバルトなどのニッケル系、パラジウム合金など、プローブピンの材料として使用可能なものが限定的となる。この点、エッチング法を採用した場合には、このような制限はない。
　また、プローブピン以外にも、微細加工が求められる金属製品は存在する。例えば、半導体分野においては半導体パッケージなどに搭載されるリードフレームであったり、光学分野においては光学ユニットなどに搭載されるレンズの移動制御用の板バネであったり、という具合である。
　そこで、本発明は、金属製品を微細加工する際に、電鋳法等を採用した場合と同等以上の精度を、エッチング法を採用しても得られるようにすることを課題とする。
　上記課題を解決するために、本発明の金属製品の微細加工装置は、
　マークが形成されたホルダーの平面部分に金属製品となる板材を貼付する貼付手段と、
　前記貼付手段によって貼付された板材を第１のレジスト膜で被覆する第１の被覆手段と、
　前記第１の被覆手段によってレジスト膜が被覆されたホルダーと第１のフォトマスクとを前記マークを用いて位置合わせする第１の位置合わせ手段と、
　前記第１の位置合わせ手段によって位置合わせされた状態で前記ホルダーを照明する第１の照明手段と、
　前記第１の照明手段によって照明されたホルダーの板材をエッチングするエッチング手段と、
　前記エッチング手段によってエッチングされた後の残存レジスト膜を板材から剥離する剥離手段と、
　前記剥離手段によって残存レジスト膜が剥離された板材を第２のレジスト膜で被覆する第２の被覆手段と、
　前記第２の被覆手段によって第２のレジスト膜が被覆されたホルダーと第２のフォトマスクとを前記第１の位置合わせ手段によってなされた位置合わせを再現する態様で位置合わせする第２の位置合わせ手段と、
　を備える。
　また、本発明の金属製品の微細加工方法は、
　マークが形成されたホルダーの平面部分に金属製品となる板材を貼付するステップと、
　前記板材を第１のレジスト膜で被覆するステップと、
　前記レジスト膜を被覆したホルダーと第１のフォトマスクとを前記マークを用いて位置合わせするステップと、
　前記位置合わせした状態で前記ホルダーを照明するステップと、
　前記照明したホルダーの板材をエッチングするステップと、
　前記エッチングした後の残存レジスト膜を板材から剥離するステップと、
　前記残存レジスト膜を剥離した板材を第２のレジスト膜で被覆するステップと、
　前記第２のレジスト膜を被覆したホルダーと第２のフォトマスクとを前記位置合わせを再現する態様で位置合わせするステップと、
　を含む。
　さらに、本発明の装置は、
　上記記載の金属製品の微細加工装置によって製造された金属製品を備えることができる。
　前記板材は、銅板、銀板、銅合金板、銅銀板、パラジウム合金板、チタン板、又は、絶縁板とすることができる。
　前記板材は、前記ホルダーに対して接着剤を介して装着するとよい。
本発明の実施形態のプローブピン１００の製造方法の概要説明図である。 図１に示す製造方法によって製造されたプローブピン１００を備える半導体検査用装置の模式的な構成図である。 図２に示す半導体検査用装置に用いられるプローブピン１００の変形例を示す図である。 図３に示すプローブピン１００の弾性部１３０のみに着目した導通経路長の対比説明図である。 図２に示す半導体検査用装置に用いられるプローブピン１００の別の変形例を示す図である。 図２に示す半導体検査用装置に用いられるプローブピン１００の他の変形例を示す図である。
　１００　プローブピン
　１１０　第１接点部
　１１２　柱部
　１１４　鍔部
　１２０　第２接点部
　１２２　柱部
　１２４　鍔部
　１３０　弾性部
　２００　ソケット
　２１０　第２基板
　２２０　第１基板
　２３０，２４０　孔
　２０５　スルーホール
　３００　ホルダー
　３１０　マーク
　３２０　銅銀合金板
　３３０　レジスト膜
　３４０　銅銀合金体
発明の実施の形態
　以下、本発明の実施形態の金属製品の微細加工装置及び方法について、主として、プローブピン１００及びその製造方法、更には、プローブピン１００を備えた半導体検査用装置について、図面を参照して説明する。
　なお、各図は、説明の都合上、寸法、縦横比などは、誇張して描いてものもある。したがって、図示されているものと実際のものとは、一致していない場合もあることに留意されたい。
　図１（ａ）～図１（ｄ）は、本発明の実施形態のプローブピン１００の製造方法の概要説明図である。ここでは、例えば、中央部の弾性体に対して絶縁膜を形成し、接点となる両端部に対してグラフェンなどのカーボン或いはナノ銀など導電膜を形成したプローブピンの製造工程について説明する。
　図１（ａ）に示すように、まず、両面に平行状の平面部分を有するホルダー３００を用意する。ホルダー３００は、図１（ａ）には、円板状のものを示しているが、形状はこれ限定されず、例えば、角状のものを用いてもよい。ホルダー３００は、その平面部分が優れた面精度を有しているものであることを要する。理想的には、凹凸差が５μｍ以下の面精度とすべきである。
　このため、例えば、インゴットから半導体ウェハを切り出した際に、半導体ウェハとしては利用しないインゴットの両端に位置していたものであったり、検品時に不良品となった半導体ウェハだったりを用いること好適である。
　ホルダー３００には、例えば縁部にマーク３１０を形成する。マーク３１０は、例えば、ホルダー３００の縁部に形成した切欠きとすることができる。この場合、切欠きは所定の形状で形成してもよいし、そうでなくてもよい。つまり、マーク３１０は、後述する位置制御の際に用いることができるものであれば、切欠きとしないことも含めて他の態様とすることもできる。なお、上記のように、ホルダー３００として半導体ウェハ等を用いた場合には、ノッチをマーク３１０として代用してもよい。
　図１（ｂ）に示すように、ホルダー３００の上面に図示しない接着剤を均一な膜厚となるように塗布した後に、プローブピン１００の板材であるところの銅銀合金板３２０を貼付する。本実施形態では、銅銀合金板３２０についても面精度が高いものとしている。理想的には、銅銀合金板３２０の面精度は、銅銀合金板３２０の厚さの１５％以下の凹凸差となるようにするとよい。
　銅銀合金板３２０は、プローブピン１００の厚さに応じて適宜決定すればよく、一般的には、例えば５μｍ～２００μｍ程度の厚さとすればよい。つまり、プローブピン１００のサイズが確定したら、これに対応して銅銀合金板３２０の厚みが決まり、これに応じた厚さの銅銀合金板３２０をホルダー３００の上面に貼付することになる。
　なお、銅銀合金板３２０は、板材としての例示であり、銀板、銅板、銅合金板、パラジウム合金板、チタン板、絶縁板など、プローブピン１００ひいては製造対象の金属製品の材料からなる材料板を適宜用いることができる。
　ここで、銅銀合金板３２０の製造方法について説明する。まず、市販品である電気銅或いは無酸素銅として、例えば１０ｍｍ×３０ｍｍ×５０ｍｍの短冊状にしたものを用意する。そして、概形の一次直径が２ｍｍ～３ｍｍ程度の粒状の銀を用意する。その後、銅に対して銀を０．５ｗｔ％～１５ｗｔ％の範囲、より好ましくは、２ｗｔ％～１０ｗｔ％の範囲で添加する。
　そして、この銀を添加後の銅を、タンマン炉を含む高周波又は低周波の真空溶解炉などの溶解炉に入れて、溶解炉をオンして例えば１２００℃程度まで昇温させ、銅と銀とを十分に溶解させることによって鋳造する。こうして、銅銀合金インゴットを製造する。
　それから、銅銀合金インゴットに対して溶体化熱処理を施す。この際、大気中において銅銀合金を鋳造することもできるが、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性雰囲気において鋳造することもできる。前者の場合には、銅銀合金インゴットの表面は酸化しているため、その酸化部分を研削する。一方、後者の場合には、銅銀合金インゴットの表面研削処理は不要となる。
　銅銀合金インゴットに対して溶体化熱処理を施した後には冷間圧延を行い、例えば、３５０℃～５５０℃で析出熱処理を行う。つぎに、析出熱処理後の銅銀合金インゴットからプローブピン１００の厚さに対応させて切り出して銅銀合金板３２０を製造すればよい。
　図１（ｃ）に示すように、ホルダー３００に貼付された銅銀合金板３２０の上面に、既知の要領でレジスト膜３３０を形成する。つぎに、ホルダー３００を図示しないステッパーなどの照明装置のホルダー用ステージ上に載置する。それから、ホルダー３００を、その裏面側からバキュームなどを用いてホルダー用ステージ上に固定する。
　その前後いずれかで、照明装置に対してプローブピン１００の形状に対応するフォトフォトマスクを取り付ける。この際、ホルダー３００とフォトマスクとの位置関係を制御する。これは、銅銀合金板３２０から高精度のプローブピン１００を製造するためには必要となる。
　このため、フォトマスクをある基準マークを使って照明装置に対してｘｙθ方向に位置合わせし、また、マーク３１０を用いて照明装置のホルダー用ステージ上におけるホルダーｘｙθ方向に合わせるというような対応をすればよい。一例をあげると、この位置合わせには、半導体分野で採用されている、半導体ウェハとフォトマスクとの位置合わせ技術を用いることができる。
　その後、ホルダー用ステージ上に載置したホルダー３００に向けて１回目の照明を行う。その後、レジスト膜３３０に対して現像処理を行ってマスクパターンを形成する。
　なお、照明処理は、３６０ｎｍ～４４０ｎｍ（例えば、３９０ｎｍ）程度の波長で、出力が１５０Ｗ程度の紫外光を照射可能な照明装置を用いることができる。また、照明装置とホルダー３００との距離は、上記の紫外光の照射条件のものであれば、２０ｃｍ～５０ｃｍ程度の間隔とすればよい。さらに、現像処理は、照明処理がなされたホルダー３００を、レジスト膜３３０の材料に応じて選択される現像液が入った液槽に含浸させることによって行えばよい。
　図１（ｄ）に示すように、現像処理が施されたホルダー３００に対して所望のリンス処理をした後に、レジスト膜３３０の材料に応じて選択されるエッチング液が入った液槽に、ホルダー３００を含浸させることで、レジスト膜３３０を剥離する。
　エッチング液への含浸時間は、レジスト膜３３０の厚さなどに応じて決定すればよいが、一般的には２分～１５分、例えば１０分以下とすればよい。こうして、ホルダー３００上に、銅銀合金板３２０からプローブピン１００の原型となる銅銀合金体３４０が形成される。
　つぎに、例えば、プローブピン１００の中央部の弾性体となる箇所に絶縁膜を形成する工程を実施する。具体的には、図１（ｃ）を用いて説明したように、既述の要領で、ホルダー３００に改めてレジスト膜３３０を形成する。つぎに、ホルダー３００を照明装置のホルダー用ステージ上に固定する。
　また、プローブピン１００の中央部に対応する２回目の照明用のフォトフォトマスクを照明装置に対して取り付ける。この際、２回目の照明用のフォトマスクとホルダー３００との位置関係を、１回目の照明用のフォトマスクとホルダー３００との位置関係を再現する。
　ここでいう再現及び後述する再現とは、１回目と２回目とに係る位置が寸分の狂いもなく一致しているという意味ではなく、両者におけるずれ量が例えばナノレベル以下で収まることをいう。
　それから、ホルダー３００に対して、２回目の照明を行ってから、既述の要領でレジスト膜３３０に対して現像処理を行ってマスクパターンを形成する。その後、現像処理が施されたホルダー３００に対して所望のリンス処理をしてから、絶縁膜の形成処理を行えばよい。
　絶縁膜及び後述する導電膜の形成処理は、電解メッキ、真空蒸着、静電スプレー等のいずれを採用することができる。また、これらの膜は、例えば、２μｍ～３μｍ程度の厚さとなるようにすればよい。その後、ホルダー３００に対して余剰のレジスト膜３３０の剥離処理を行う。こうして、銅銀合金体３４０の中央部に絶縁膜の形成工程が完了する。
　その後、プローブピン１００の両端部となる箇所に導電膜の形成処理を実施する。この工程は、絶縁膜の形成処理と同様に、プローブピン１００の両端部に対応する３回目の照明用のフォトマスクを照明装置に取り付ける。
　また、照明装置のホルダー用ステージに、レジスト膜３３０が形成されたホルダー３００を固定する。この際、３回目の照明用のフォトマスクとホルダー３００との位置関係を、１・２回目の照明用のフォトマスクとホルダー３００との位置関係を再現する。
　そして、ホルダー３００に向けて３回目の照明処理を行う。それから、ホルダー３００に対して、既述の要領でレジスト膜３３０に対して現像処理を行ってマスクパターンを形成する。その後、現像処理が施されたホルダー３００に対して所望のリンス処理をしてから、導電膜の形成処理を行えばよい。それから、ホルダー３００に対して余剰のレジスト膜３３０の剥離処理を行う。こうして、銅銀合金体３４０の両端部の表面処理が完了する。
　以上の工程により、中央部の弾性体に対して絶縁膜を形成し、接点となる両端部に対してグラフェンなどのカーボン或いはナノ銀など導電膜を形成したプローブピン１００が完成する。
　図１に示した製造工程は、
　マーク３１０が形成されたホルダー３００の平面部分にプローブピン１００となる銅銀合金板３２０を貼付する貼付手段と、
　貼付手段によって貼付された銅銀合金板３２０を第１のレジスト膜３３０で被覆する第１の被覆手段と、
　第１の被覆手段によってレジスト膜３３０が被覆されたホルダー３００と第１のフォトマスクとをマーク３１０を用いて位置合わせする第１の位置合わせ手段と、
　第１の位置合わせ手段によって位置合わせされた状態でホルダー３００を照明する第１の照明手段と、
　第１の照明手段によって照明されたホルダー３００の銅銀合金板３２０をエッチングするエッチング手段と、
　エッチング手段によってエッチングされた後の残存レジスト膜３３０を銅銀合金板３２０から剥離する剥離手段と、
　剥離手段によって残存レジスト膜が剥離された銅銀合金板３２０を第２のレジスト膜で被覆する第２の被覆手段と、
　第２の被覆手段によって第２のレジスト膜３３０が被覆されたホルダー３００と第２のフォトマスクとを第１の位置合わせ手段によってなされた位置合わせを再現する態様で位置合わせする第２の位置合わせ手段と、
　を備える加工装置によって実現される。
　図２は、図１に示した製造工程を経て製造されたプローブピン１００を備える半導体検査用装置の模式的な構成図である。図２には、平面的に構成されているプローブピン１００と、第１基板２２０及び第２基板２１０を備えるソケット２００と、を有する半導体検査用装置の模式的な構成を示す断面を示している。
　なお、説明の都合上、図２には、ソケット２００に２本のプローブピン１００が収容されている状態を示しているが、実際には、ソケット２００には多数のプローブピン１００が収容される。
　第１基板２２０は、複数のプローブピン１００の第１接点部１１０の柱部１１２がそれぞれ通される孔２３０が形成されている。各孔２３０の径及び厚みは、第１接点部１１０の柱部１１２の径及び厚みよりも大きく、かつ、第１接点部１１０の鍔部１１４の径及び厚みよりも小さい。
　第２基板２１０には、各孔２３０に対応する位置に、プローブピン１００の弾性部１３０を含む部分が通されるとともに、第２接点部１２０の鍔部１２４が通されるスルーホール２０５が形成されている。つまり、スルーホール２０５には、弾性部１３０及び第２接点部１２０の柱部１２２が通される部位を含み、開口部２４０付近で第２接点部１２０の鍔部１２４が受けられる。
　スルーホール２０５の幅及び厚みは、弾性部１３０及び鍔部１２４の幅及び厚みに応じたものとすればよい。弾性部１３０の中腹付近には、鍔部１２４とは別の鍔部が設けるようにしてもよい。
　図３は、図２に示す半導体検査用装置に用いられるプローブピン１００の変形例を示す図である。図３（ａ）にはプローブピン１００に荷重がかかっていない状態を示し、図３（ｂ）にはプローブピン１００に荷重がかかっている状態を示している。
　図２を用いて若干説明したが、プローブピン１００は、第１接点部１１０と、第２接点部１２０と、弾性部１３０とに大別される。第１接点部１１０は、柱部１１２と、柱部１１２の基端に位置する鍔部１１４とを有している。同様に、第２接点部１２０は、柱部１２２と、柱部１２２の基端に位置する鍔部１２４とを有している。本実施形態では、各柱部１１２，１２２と各鍔部１１４，１２４とは後述するように一体である。
　弾性部１３０は、本実施形態のプローブピン１００における特徴的な部分である。弾性部１３０の形状は、略連続的なＳ字状である。そして、本実施形態では、弾性部１３０は、Ｓ字状の湾曲部付近が相対的に間隔のない狭部１３０ａを構成していて、他部が相対的に間隔のある広部１３０ｂを構成している。もっとも、狭部１３０ａは、湾曲部に形成することは必須ではなく、後述する接触部１４０を形成したい箇所に対応させて形成すればよい。
　プローブピン１００の各部のサイズは、これらに限定されるものではないが、以下のとおりとすることができる。
　柱部１１２：幅約０．１ｍｍ～０．５ｍｍ、長さ約０．３ｍｍ～０．８ｍｍ、
　鍔部１１４：：幅約０．５ｍｍ～１．５ｍｍ、長さ約０．１ｍｍ～０．５ｍｍ、
　柱部１２２：幅約０．１ｍｍ～０．５ｍｍ、長さ約０．３ｍｍ～０．８ｍｍ、
　鍔部１２４：：幅約０．５ｍｍ～１．５ｍｍ、長さ約０．１ｍｍ～０．５ｍｍ、
　弾性部１３０：全体幅約０．５ｍｍ～１．５ｍｍ、経路長：約３．０ｍｍ～１０ｍｍ、全長約１．５ｍｍ～３．０ｍｍ、
　プローブピン１００全厚：約０．０５ｍｍ～０．２ｍｍ。
　図３（ｂ）に示すように、弾性部１３０をこのような構成にすると、プローブピン１００に対して荷重がかかることによって弾性部１３０が変形した場合に、広部１３０ｂは接触しないものの、狭部１３０ａは接触して接触部１４０が形成される。
　なお、図３（ｂ）では、弾性部１３０の延在方向に沿った片側のみ、すなわちここでは図面左側においてのみ、狭部１３０ａによって接触部１４０が形成される状態を示している。もっとも、理論的には、図面右側においても、狭部１３０ａによっても接触部１４０が形成されることになる。
　しかし、実際には、プローブピン１００は、スルーホール２０５及び孔２３０，２４０内に多少の遊びがある状態で位置している。このため、プローブピン１００にかかる荷重の大きさにもよるが、プローブピン１００には、図面左右で均等に力がかかることはなく、図面左右いずれか一方のみで接触部１４０が形成されることが多い。
　なお、プローブピン１００に対する荷重が大きく、プローブピン１００の変位量が多い場合には、図面左右の両側に接触部１４０が形成されることになろうが、その場合には、電流は抵抗が少ない最短経路を流れることから、この場合の導通経路は、図３（ｂ）に示す場合と同じことになる。
　一方、図面右側における狭部１３０ａによって接触部１４０が形成される場合もあろう。この場合には、図３（ｂ）の場合よりも相対的に導通経路は長くなるが、弾性部１３０の経路長よりは短くなる。この点については後述する。
　図３（ｂ）に示す例では、導通経路は、第１接点部１１０の先端－第１接点部１１０の基端－弾性部１３０の一端－幾つかの接触部１４０－弾性部１３０の他端－第２接点部１２０の基端－第２接点部１２０の先端となる。
　つまり、この場合の導通経路の全長は、第１接点部１１０の全長＋第２接点部１２０の全長＋弾性部１３０の荷重時の略全長であり、相対的に短いものとなる。このため、高周波用途の半導体パッケージ検査用に向いている。
　図４は、図３に示すプローブピン１００の弾性部１３０のみに着目した導通経路長の対比説明図である。図４（ａ）には接触部１４０が形成されない場合、図４（ｂ）には接触部１４０が図面右側のみに形成される場合、図４（ｃ）には接触部１４０が図面左側に形成される場合、のそれぞれの状態を示している。
　図４に示す例では、弾性部１３０の経路長を５Ｔとすると、Ｓ字部分の１／２の長さは略Ｔとなるから、
　図４（ａ）の場合には、弾性部１３０部分の導通経路長は［Ｔ×５≒５Ｔ］となり、
　図４（ｂ）の場合には、弾性部１３０部分の導通経路長は［Ｔ＋０．７５Ｔ＋０．７５Ｔ＋Ｔ≒３．５Ｔ］となり、図４（ａ）の場合に比して、導通経路長を約３０％も短くすることができ、
　図４（ｃ）の場合には、弾性部１３０部分の導通経路長は［０．７５Ｔ＋０．５Ｔ＋０．７５Ｔ≒２Ｔ］となり、図４（ａ）の場合に比して、導通経路長を約６０％も短くすることができる。
　したがって、本実施形態では、第１接点部１１０と第２接点部１２０との間に荷重によって、弾性部１３０が短縮した場合に、図４（ｂ）又は図４（ｃ）に示すような態様で接触部１４０が形成される条件で、狭部１３０ａ（及び広部１３０ｂ）を決定するようにしている。
　このためには、［第１接点部１１０と第２接点部１２０との間に荷重時のプローブピン１００本体のストローク量≧接点部１４０の接触部数×隣接する狭部１３０ａの非荷重時の総間隔（接触部１４０を形成する部位である隣接する狭部１３０ａ相互間の非荷重時における総間隔）］が成り立つ条件とするとよい。
　したがって、プローブピン１００の各部のサイズが既述の例の場合には、第１接点部１１０と第２接点部１２０との間に荷重時のプローブピン１００本体のストローク量としては、例えば、０．２ｍｍ程度とすることができるから、図４（ｃ）の場合の接触部数は２であるので、隣接する狭部１３０ａ間は例えば０．１ｍｍ、隣接する広部１３０ｂ間は例えば０．２ｍｍとすることができる。
　図５は、図２に示す半導体検査用装置に用いられるプローブピン１００の別の変形例を示す図である。図５に示すプローブピン１００は、接触部１４０を含む周辺部位の幅が相対的にない狭部１３０ｃを構成し、他の部位の幅が相対的にある広部１３０ｄを構成している。
　図５に示すように、弾性部１３０をこのような構成にすると、プローブピン１００に対して荷重がかかって弾性部１３０が変形した場合に、広部１３０ｄは接触しないものの、狭部１３０ｃは接触して接触部が形成される。
　したがって、図５に示すプローブピン１００の場合にも、図３に示すプローブピン１００の場合と同様に導電経路を短くすることができる。図５に示すプローブピン１００を製造するためには、単に図５に示すプローブピン１００の形状に対応する形状のマスクパターンに変更するだけ、その他は既述の手法を採用すればよい。
　図６は、図２に示す半導体検査用装置に用いられるプローブピン１００の他の変形例を示す図である。図６に示すプローブピン１００は、弾性部１３０における接触部を形成したい部位に凸部１３０ｅ，１３０ｆを設けた構成としている。
　図６に示すように、弾性部１３０をこのような構成にすると、プローブピン１００に対して荷重がかかって弾性部１３０が変形した場合に、凸部１３０ｅ，１３０ｆが相互に接触して接触部が形成される。なお、凸部１３０ｅ，１３０ｆの双方を形成することなく、この一方だけ形成するようにしてもよい。
　図６に示すプローブピン１００の場合にも、図３の場合と同様に導電経路を短くすることができる。図６に示すプローブピン１００を製造するためには、単に図６に示すプローブピン１００の形状に対応する形状のマスクパターンに変更するだけ、その他は既述の手法を採用すればよい。
　以上説明したように、本発明の実施形態によれば、高精度にプローブピン１００を製造することができる。特に、フォトマスクのパターニング精度が高くないと、図３～図６に示す形態のプローブピン１００を製造することは困難である。図３～図６に示すようなプローブピン１００は、導電経路を短くすることが可能となるため、この種のプローブピン１００を用いた半導体検査用装置は、特に高周波半導体パッケージの検査に好適である。
　また、本発明の実施形態によれば、プローブピン１００のみならず、プローブピン１００以外のリードフレーム、板バネなどの各種金属製品についても微細加工が可能となる。

Claims (10)

  1. 　マークが形成されたホルダーの平面部分に金属製品となる板材を貼付する貼付手段と、
    　前記貼付手段によって貼付された板材を第１のレジスト膜で被覆する第１の被覆手段と、
    　前記第１の被覆手段によってレジスト膜が被覆されたホルダーと第１のフォトマスクとを前記マークを用いて位置合わせする第１の位置合わせ手段と、
    　前記第１の位置合わせ手段によって位置合わせされた状態で前記ホルダーを照明する第１の照明手段と、
    　前記第１の照明手段によって照明されたホルダーの板材をエッチングするエッチング手段と、
    　前記エッチング手段によってエッチングされた後の残存レジスト膜を板材から剥離する剥離手段と、
    　前記剥離手段によって残存レジスト膜が剥離された板材を第２のレジスト膜で被覆する第２の被覆手段と、
    　前記第２の被覆手段によって第２のレジスト膜が被覆されたホルダーと第２のフォトマスクとを前記第１の位置合わせ手段によってなされた位置合わせを再現する態様で位置合わせする第２の位置合わせ手段と、
    　を備える金属製品の微細加工装置。
  2. 　前記第１のフォトマスクは、前記金属製品が、
    　両端部にそれぞれ設けられた第１接点部及び第２接点部と、
    　前記第１接点部と前記第２接点部との間に位置する連続する略Ｓ字状の弾性部と、を備え、
    　前記弾性部は、前記第１接点部と前記第２接点部との間に荷重によって短縮したときに対向部分によって接触部が形成される条件とされている、請求項１記載の金属製品の微細加工装置。
  3. 　前記弾性部は、前記接触部に対応する部分が相対的に間隔の狭い狭部を構成し、他部が相対的に間隔の広い広部を構成する、請求項２記載の金属製品の微細加工装置。
  4. 　前記接触部を含む周辺部位の厚みを他の部位の厚さに比して薄くする、請求項２記載の金属製品の微細加工装置。
  5. 　前記弾性部は、前記接触部に対応する部分が相対的に間隔の狭い狭部を備え、前記狭部は、対向部分の少なくとも一方が凸状である、請求項３記載の金属製品の微細加工装置。
  6. 　前記弾性部は、複数の接点部が形成される、請求項２記載の金属製品の微細加工装置。
  7. 　前記弾性部は、その延在方向に沿った片側のみに前記接点部が形成されるようにする、請求項２記載の金属製品の微細加工装置。
  8. 　前記弾性部は、
    　前記荷重時のプローブピン本体のストローク量≧前記接触部の接点点数×荷重時に前記接触部を形成する部位相互間の非荷重時における総間隔
    　が成り立つ条件とする、請求項２記載の金属製品の微細加工装置。
  9. 　マークが形成されたホルダーの平面部分に金属製品となる板材を貼付するステップと、
    　前記板材を第１のレジスト膜で被覆するステップと、
    　前記レジスト膜を被覆したホルダーと第１のフォトマスクとを前記マークを用いて位置合わせするステップと、
    　前記位置合わせした状態で前記ホルダーを照明するステップと、
    　前記照明したホルダーの板材をエッチングするステップと、
    　前記エッチングした後の残存レジスト膜を板材から剥離するステップと、
    　前記残存レジスト膜を剥離した板材を第２のレジスト膜で被覆するステップと、
    　前記第２のレジスト膜を被覆したホルダーと第２のフォトマスクとを前記位置合わせを再現する態様で位置合わせするステップと、
    　を含む金属製品の微細加工方法。
  10. 　請求項１記載の金属製品の微細加工装置によって製造された金属製品を備える装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023063208A (ja) * 2021-10-22 2023-05-09 中華精測科技股▲ふん▼有限公司 片持ち梁型プローブ構造体

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55133549A (en) * 1979-04-03 1980-10-17 Yoshie Hasegawa Probe card
JP2000162241A (ja) * 1998-11-30 2000-06-16 Advantest Corp コンタクトストラクチャの製造方法
JP2002333728A (ja) * 2001-03-12 2002-11-22 Adtec Engineeng Co Ltd 多層回路基板製造用の露光装置
JP2012080004A (ja) * 2010-10-05 2012-04-19 Nikon Corp 露光装置、デバイス製造方法及び基板
JP2015152577A (ja) * 2014-02-19 2015-08-24 富士通コンポーネント株式会社 接続用コネクタ及び接続用コネクタの製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6642359B2 (ja) 2016-09-21 2020-02-05 オムロン株式会社 プローブピンおよび検査ユニット

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55133549A (en) * 1979-04-03 1980-10-17 Yoshie Hasegawa Probe card
JP2000162241A (ja) * 1998-11-30 2000-06-16 Advantest Corp コンタクトストラクチャの製造方法
JP2002333728A (ja) * 2001-03-12 2002-11-22 Adtec Engineeng Co Ltd 多層回路基板製造用の露光装置
JP2012080004A (ja) * 2010-10-05 2012-04-19 Nikon Corp 露光装置、デバイス製造方法及び基板
JP2015152577A (ja) * 2014-02-19 2015-08-24 富士通コンポーネント株式会社 接続用コネクタ及び接続用コネクタの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023063208A (ja) * 2021-10-22 2023-05-09 中華精測科技股▲ふん▼有限公司 片持ち梁型プローブ構造体

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