TW202104907A

TW202104907A - 金屬製品的精細加工裝置、金屬製品的精細加工方法

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Publication number: TW202104907A
Application number: TW109120977A
Authority: TW
Inventors: 中林美代志
Original assignee: 日商聯合精密科技股份有限公司
Priority date: 2019-06-21
Filing date: 2020-06-20
Publication date: 2021-02-01
Also published as: JPWO2020256132A1; WO2020256132A1; KR20220024107A

Abstract

提供一種在製造探針100時，即使採用蝕刻法也能獲得與採用電鑄法等情況同等或更佳的精度的精細加工裝置。該精細加工裝置，具備：粘貼單元，將待製成探針100的銅銀合金板320粘貼於形成有標記310的載持件300的平面部分；第一覆蓋單元，使用第一抗蝕劑膜330覆蓋藉由粘貼單元粘貼的銅銀合金板320，第一位置對齊單元，使用標記310將藉由第一覆蓋單元覆蓋有抗蝕劑膜330的載持件300與第一光掩膜的位置對齊；第一曝光單元，在載持件300被第一位置對齊單元對齊後的狀態下，對其進行曝光；蝕刻單元，對藉由第一曝光單元曝光後的載持件300上的銅銀合金板320進行蝕刻；剝離單元，將藉由蝕刻單元蝕刻後的殘留抗蝕劑膜330自銅銀合金板320剝離；第二覆蓋單元，使用第二抗蝕劑膜覆蓋藉由剝離單元剝離殘留抗蝕劑膜後的銅銀合金板320；第二位置對齊單元，將藉由第二覆蓋單元覆蓋有第二抗蝕劑膜330的載持件300與第二光掩膜的位置對齊，以重現被第一位置對齊單元對齊後的狀態。

Description

金屬製品的精細加工裝置、金屬製品的精細加工方法

本發明係與一種金屬製品的精細加工裝置、金屬製品的精細加工方法有關，特別是指一種高頻半導體封裝體檢查用接觸器等之適合用於半導體封裝體檢查的探針等金屬製品的精細加工裝置、金屬製品的精細加工方法。

專利文獻1中公開了具備可動針和導通路徑形成部件的探針。可動針和導通路徑形成部件，分別構成為細長的薄板狀，例如使用電鑄法形成，具有導電性。現有技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本特開2018－48919號公報的(0015)段落

發明所欲解決之問題

然而，通常來說，在製造探針時，如專利文獻1中公開，通常要麼採用電鑄法，要麼代替地採用蝕刻法。並且，通常認為採用電鑄法的探針，與採用蝕刻法的探針相比，精度更高。

但是，當例如採用電鑄法時，僅限於能夠使用鎳－鈷等鎳系、鈀合金等作為探針的材料。在這一點上，在採用蝕刻法的情況下，沒有這樣的限制。

另外，除了探針以外，存在需要精細加工的金屬製品。例如，在半導體領域，裝載於半導體封裝體等的引線框架，在光學領域，裝載於光學系統等的透鏡的移動控制用板簧等情況。

因此，本發明所欲解決之問題係，在對金屬製品進行精細加工之際，即使採用蝕刻法，也能夠得到與採用電鑄法等情況下同等或更佳的精度。解決問題之技術手段

為瞭解決上述技術問題，本發明的金屬製品的精細加工裝置，具備：粘貼單元，將待製成金屬製品的板材粘貼於形成有標記的載持件的平面部分；第一覆蓋單元，使用第一抗蝕劑膜覆蓋藉由該粘貼單元粘貼的板材；第一位置對齊單元，使用該標記將藉由該第一覆蓋單元覆蓋有抗蝕劑膜的載持件與第一光掩膜的位置對齊；第一曝光單元，在載持件被第一位置對齊單元後的狀態下，其進行曝光；蝕刻單元，對藉由該第一曝光單元曝光後的載持件的板材進行蝕刻；剝離單元，將藉由該蝕刻單元蝕刻後的殘留抗蝕劑膜自板材剝離；第二覆蓋單元，使用第二抗蝕劑膜覆蓋該剝離單元剝離了殘留抗蝕劑膜後的板材；第二位置對齊單元，將藉由該第二覆蓋單元覆蓋有第二抗蝕劑膜覆蓋的載持件與第二光掩膜的位置對齊，以重現被第一位置對齊單元對齊後的狀態。

另外，本發明的金屬製品的精細加工方法，包括：將待製成金屬製品的板材粘貼於形成有標記的載持件的平面部分的粘貼步驟；用第一抗蝕劑膜覆蓋該板材的步驟；使用該標記，將該被抗蝕劑膜覆蓋的載持件與第一光掩膜的位置對齊的步驟；在位置對齊的狀態下，對該載持件進行曝光的步驟；對進行該曝光後的載持件上的板材進行蝕刻的步驟；將該蝕刻後的殘留抗蝕劑膜自板材上剝離的步驟；用第二抗蝕劑膜覆蓋將該殘留抗蝕劑膜剝離後的板材的步驟；將被該第二抗蝕劑膜覆蓋的載持件與第二光掩膜的位置對齊以再現上述對齊狀態的步驟。

進一步，本發明的裝置，能夠具備藉由上述金屬製品的精細加工裝置製造的金屬製品。

該板材，能夠是銅板、銀板、銅合金板、銅銀板、鈀合金板、鈦板或絕緣板。

該板材，可以藉由粘合劑設置於該載持件。

以下，參考圖式，說明本發明的實施方式的金屬製品的精細加工裝置以及方法，主要地，說明對探針100及其製造方法，以及，具備探針100的半導體檢查用裝置。

需要說明的是，各圖中，為了便於說明，尺寸、縱橫比等會誇張地繪示。因此，需要留意的是，可能存在圖示與實際不一致之狀況。

圖1(a)～圖1(d)為本發明的實施方式的探針100的製造方法的概要說明圖。圖中，例如，對在中央部的彈性體上形成絕緣膜，且在成為觸點的兩端部上形成石墨烯等碳或者納米銀等的導電膜的探針的製造步驟進行說明。

如圖1(a)所示，首先，準備兩面具有呈平行狀的平面部分的載持件300。載持件300，雖然在圖1(a)中呈圓板狀，但是形狀不限於此，例如可使用多邊狀。載持件300，需要其平面部分具有較佳之面精度。理想地，應當為凹凸差在5μm以下的面精度。

因此，例如適合使用在由錠中切取半導體晶圓之際沒有被用作半導體晶圓的位於錠之兩端的切片，或者產品檢測時不合格之半導體晶圓。

載持件300，例如在緣部形成有標記310。標記310，例如能夠係於載持件300的緣部形成之的缺口。在這種情況下，切口可形成為規定的形狀，也可不是如此。換言之，標記310，只要在下文的位置控制之際能夠使用即可，也可採用其他方式，包含不形成缺口在內。需要說明的是，在如上所述使用半導體晶圓等作為載持件300的情況下，可使用凹槽（notch）作為標記310。

如圖1(b)所示，在載持件300的上表面以形成均勻的膜厚的方式塗覆圖未繪示的粘合劑後，粘貼作為探針100的板材的銅銀合金板320。在本實施方式中，銅銀合金板320也採用面精度較高的板。理想地，銅銀合金板320的面精度可以是，銅銀合金板320的厚度的凹凸差為15％以下。

根據探針100的厚度適當地確定銅銀合金板320的厚度即可，通常，例如可為5μm～200μm左右的厚度。換言之，探針100的尺寸確定後，與之對應地確定銅銀合金板320的厚度，並將對應的厚度的銅銀合金板320粘貼於載持件300的上表面。

需要說明的是，銅銀合金板320，係列舉的板材的示例，能夠合適地使用銀板、銅板、銅合金板、鈀合金板、鈦板、絕緣板等，由探針100乃至製造對象的金屬製品的材料形成的材料板。

這裡，說明銅銀合金板320的製造方法。首先，選用作為市售品的電銅或無氧銅，準備例如10mm×30mm×50mm的短條狀的銅｡然後，準備大致的一次直徑為2mm～3mm左右的粒狀的銀。之後，在銅中添加在0.5wt%～15wt%的範圍內的銀，較佳地添加在2wt%～10wt%的範圍內的銀｡

然後，將該添加銀後的銅，裝入包括塔曼爐在內的高頻或低頻的真空溶解爐等之類的溶解爐中，啟動熔解爐例如升溫到1200℃左右，將銅與銀充分熔解，從而進行鑄造。這樣，製造出銅銀合金錠。

之後，對銅銀合金錠實施固溶化熱處理。此時，可在大氣中鑄造銅銀合金，也可在氮氣、氬氣等惰性氣氛中鑄造。在前者的情況下，由於銅銀合金錠的表面會氧化，所以對該氧化部分進行磨削。另一方面，在後者的情況下，不需要進行銅銀合金錠的表面磨削處理。

在對銅銀合金錠實施固溶化熱處理後進行冷軋製，例如，在350℃～550℃下進行析出熱處理。接著，自析出熱處理後的銅銀合金錠，與探針100的厚度對應地進行切取，製造銅銀合金板320。

如圖1(c)所示，在粘貼於載持件300的銅銀合金板320的上表面，藉由已知的要領形成抗蝕劑膜330。接著，將載持件300放置於圖未繪示的步進器等曝光裝置的載持件用工作臺上。之後，利用真空等將載持件300從其背面側固定於載持件用工作臺上。

在固定前或固定後，將與探針100的形狀對應的光掩膜設置於曝光裝置。在此時，控制載持件300與光掩膜的位置關係。為了用銅銀合金板320製造高精度的探針100，這是必須的。

為此，使用某一基準標記在xyθ方向上將光掩膜與曝光裝置的位置對齊，然後，使用標記310在xyθ方向上與曝光裝置的載持件用工作臺上的載持件的位置對齊即可。列舉一例，該位置對齊，能夠使用在半導體領域採用的，將半導體晶圓與光掩膜的位置進行對齊的技術。

之後，對放置於載持件用工作臺上的載持件300進行第一次曝光。之後，對抗蝕劑膜330進行顯影處理，形成掩膜圖案。

需要說明的是，曝光處理，可使用能夠發射波長為360nm～440nm(例如，390nm)，功率為150Ｗ左右的紫外光的曝光裝置。另外，曝光裝置與載持件300之間的距離，只要滿足該紫外光的照射條件，則可為20cm～50cm左右的間距。進而，可在裝有基於抗蝕劑膜330的材料選擇的顯影液的液槽中，含浸經過曝光處理的載持件300，進行顯影處理。

如圖1(d)所示，在對實施了顯影處理的載持件300進行所需的洗淨處理後，藉由在裝有基於抗蝕劑膜330的材料選擇的蝕刻液的液槽中含浸載持件300，從而剝離抗蝕劑膜330。

在蝕刻液中的含浸時間，基於抗蝕劑膜330的厚度等確定即可，通常為 2分鐘～15分鐘，例如可為10分鐘以下。如此，在載持件300上，由銅銀合金板320形成成為探針100的原型的銅銀合金體340。

接著，例如，在探針100的中央部的成為彈性體的部位實施形成絕緣膜的工序。具體地，如依據圖1(c)所說明的，藉由已敘述的要領，再次在載持件300上形成抗蝕劑膜330。接著，將載持件300固定於曝光裝置的載持件用工作臺上。

另外，將與探針100的中央部對應的第二次曝光用光掩膜，設置於曝光裝置上。此時，用於第二次曝光的光掩膜與載持件300的位置關係，係再現用於第一次曝光的光掩膜與載持件300的位置關係。

這裡所述的再現以及下文所述的再現，並非意指第一次與第二次的位置毫無差別，而是指兩者之間的偏差量例如在納米等級以下。

之後，對載持件300進行第二次曝光後，藉由已敘述的要領，對抗蝕劑膜330進行顯影處理，形成掩膜圖案。之後，對實施了顯影處理的載持件300進行所需的洗淨處理，即可進行絕緣膜的形成處理。

絕緣膜以及下文所述的導電膜的形成處理，能夠採用電解電鍍、真空蒸鍍、靜電噴霧等中之任一者。另外，該些膜的厚度例如可為2μm～3μm左右。之後，對載持件300進行剩餘的抗蝕劑膜330的剝離處理。如此，完成在銅銀合金體340的中央部形成絕緣膜的工序。

之後，在成為探針100的兩端部的部位，實施導電膜的形成處理。在該工序中，與絕緣膜的形成處理同樣，係將與探針100的兩端部對應的第3次曝光用光掩膜，設置於曝光裝置上。

並且，在曝光裝置的載持件用工作臺上，固定已經形成抗蝕劑膜330的載持件300。此時，用於第3次曝光的光掩膜與載持件300的位置關係，係再現用於第一、二次曝光的光掩膜與載持件300的位置關係。

之後，對載持件300進行第3次曝光處理。之後，對於載持件300，藉由已知的方法，對抗蝕劑膜330進行顯影處理，形成掩膜圖案。之後，對實施顯影處理後的載持件300進行所需的洗淨處理，即可進行導電膜的形成處理。之後，對載持件300進行剩餘的抗蝕劑膜330的剝離處理｡如此，完成銅銀合金體340的兩端部的表面處理。

藉由以上的步驟，可得到在中央部的彈性體上形成絕緣膜，在成為觸點的兩端部形成石墨烯等碳或者納米銀等的導電膜的探針100。

圖1所示的製造步驟，藉由具備如下單元的加工裝置實現：粘貼單元，將待製成探針100的銅銀合金板320粘貼於形成有標記310的載持件300的平面部分上；第一覆蓋單元，使用第一抗蝕劑膜330覆蓋藉由粘貼單元粘貼的銅銀合金板320；第一位置對齊單元，使用標記310將藉由第一覆蓋單元覆蓋有抗蝕劑膜330的載持件300與第一光掩膜的位置對齊；第一曝光單元，在載持件300被第一位置對齊單元對齊後的狀態下，對其進行曝光；蝕刻單元，對於藉由第一曝光單元曝光的載持件300的銅銀合金板320進行蝕刻；剝離單元，將藉由蝕刻單元蝕刻後的殘留抗蝕劑膜330自銅銀合金板320上剝離；第二覆蓋單元，使用第二抗蝕劑膜覆蓋藉由剝離單元剝離了殘留抗蝕劑膜的銅銀合金板320；第二位置對齊單元，將藉由第二覆蓋單元覆蓋有第二抗蝕劑膜330覆蓋的載持件300與第二光掩膜的位置對齊，以重現被第一位置對齊單元對齊後的狀態。

圖2是具備藉由圖1所示的製造步驟製造的探針100的半導體檢查用裝置的示意性結構圖。圖2所示的剖面示意性地示出半導體檢查用裝置的示意性結構，該半導體檢查用裝置具備：構成為呈平面的探針100，具備第一基板220與第二基板210的插座200。

需要說明的是，為了便於說明，在圖2中，示出在插座200中收納2枚探針100的狀態，但是實際上，在插座200中收納複數探針100。

在第一基板220上，形成有供複數探針100的第一觸點部110的柱部112分別穿過的孔230。各孔230的直徑以及厚度，較第一觸點部110的柱部112的直徑以及厚度更大，並且，較第一觸點部110的凸緣部114的直徑以及厚度更小。

在第二基板210中，在與各孔230對應的位置形成通孔205，該通孔205供探針100的包括彈性部130穿設，並且供第二觸點部12的凸緣部124穿設。換言之，通孔205，包括供彈性部130以及第二觸點部120的柱部122穿過的部位，並且在開口部240附近承接第二觸點部120的凸緣部124。

通孔205的寬度和厚度，與彈性部130以及凸緣部124的寬度和厚度對應即可。在彈性部130的中腹部附近，可設置與凸緣部124不同的凸緣部。

圖3是示出圖2所示的半導體檢查用裝置所使用的探針100的變形例的圖。圖3(b)是探針100上施加有載荷的狀態，圖3(a)是探針100上沒有載荷的狀態。

如使用圖2所說明，探針100大致區分為第一觸點部110、第二觸點部120、彈性部130。第一觸點部110，具有柱部112和位於柱部112的基端的凸緣部114。同樣地，第二觸點部120，具有柱部122和位於柱部122的基端的凸緣部124。在本實施方式中，各柱部112、122和各凸緣部114、124，如下文所述，係一體的。

彈性部130，是本實施方式的探針100的特徵所在的部分。彈性部130的形狀，呈略連續的Ｓ字狀。並且，在本實施方式中，彈性部130，Ｓ字狀的彎曲部附近構成間隔相對較窄的窄部130ａ，其他部位構成間隔相對較寬的寬部130b。當然，窄部130a，不一定必須在彎曲部形成，只要與下文所述的欲形成接觸部140之部位對應地形成即可。

探針100的各部的尺寸，儘管不限於這些尺寸，但是可以如下所述。柱部112：寬度約0.1mm～0.5mm，長度約0.3mm～0.8mm，凸緣部114：寬度約0.5mm～1.5mm，長度約0.1mm～0.5mm，柱部122：寬度約0.1mm～0.5mm，長度約0.3mm～0.8mm，凸緣部124：寬度約0.5mm～1.5mm，長度約0.1mm～0.5mm，彈性部130：總寬度約0.5mm～1.5mm，路徑長度約3.0mm～10mm，總長約1.5mm～3.0mm，探針100總厚：約0.05mm～0.2mm。

如圖3(b)所示，若如此構成彈性部130，則在對探針100施加載荷導致彈性部130變形的情況下，雖然寬部130b沒有接觸，但是窄部130ａ進行接觸而形成接觸部140。

需要說明的是，在圖3(b)中，示出了僅僅在沿彈性部130的延伸方向上的一側，即這裡僅僅在圖的左側，藉由窄部130a形成接觸部140的狀態。當然，理論上，在圖的右側，也可藉由窄部130a形成接觸部140。

但是，實際上，探針100以略有遊隙的狀態位於通孔205以及孔230、240內。因此，雖然取決於探針100上施加的載荷的大小，但是探針100通常不會在圖的左右均等地被施加力，而是在圖的左右任一側形成接觸部140。

需要說明的是，在探針100上的載荷大，探針100的位移量大的情況下，即使會在圖的左右兩側形成接觸部140，但是在該情況下，電流從電阻最小的最短路徑流過，該情況下的導通路徑與圖3(b)所示的情況相同。

另一方面，也存在由圖的右側的窄部130a形成接觸部140的情況。在這種情況下，與圖3(b)的情況相比較，導通路徑相對較長，但是仍然較彈性部130的路徑長度更短。這一點在下文說明。

在圖3(b)所示的示例中，導通路徑係為，第一觸點部110的頂端－第一觸點部110的基端－彈性部130的一端－若干個接觸部140－彈性部130的另一端－第二觸點部120的基端－第二觸點部120的頂端。

換言之，這種情況下的導通路徑的總長係為，第一觸點部110的總長＋第二觸點部120的總長＋彈性部130的有載荷時的大致總長，且相對較短。因此，適合用於高頻用途的半導體封裝體檢查。

圖4是僅僅關注圖3所示的探針100的彈性部130之導通路徑長度對比說明圖。圖4(a)示出未形成接觸部140的情況下的狀態，圖4(b)示出接觸部140僅僅在圖的右側形成的情況下的狀態，圖4(c)示出接觸部140僅僅在圖的左側形成的情況下的狀態。

在圖4所示的示例中，將彈性部130的路徑長度記做5Ｔ，且Ｓ字狀部分的1／2的長度大致為Ｔ，則在圖4(a)的情況下，彈性部130部分的導通路徑長度為［Ｔ×5≒5Ｔ］，在圖4(b)的情況下，彈性部130部分的導通路徑長度為［Ｔ＋0.75Ｔ＋0.75Ｔ＋Ｔ≒3.5Ｔ］，較圖4(a)的情況，導通路徑長度能夠縮短約30%，在圖4(c)的情況下，彈性部130部分的導通路徑長度為［0.75Ｔ＋0.5Ｔ＋0.75Ｔ≒2Ｔ］，較圖4(a)的情況，導通路徑長度能夠縮短約60%。

因此，在本實施方式中，係以第一觸點部110與第二觸點部120之間的載荷導致彈性部130縮短，以如圖4(b)或圖4(c)所示的狀態形成接觸部140為條件，確定窄部130a（以及寬部130b）。

為此，［第一觸點部110與第二觸點部120之間有載荷時的探針100主體的行進量≧觸點部140的接觸部數量×相鄰的窄部130a的無載荷時的總間距（形成接觸部140的部位即相鄰窄部130a彼此間無載荷時的總間距）］可被用作成立條件。

因此，在探針100的各部的尺寸為上述示例的情況下，第一觸點部110與第二觸點部120之間有載荷時的探針100主體的行進量，例如能夠為0.2mm左右，圖4(c)的情況的接觸部數量為二，因此相鄰的窄部130ａ之間例如可為0.1mm，相鄰的寬部130b之間例如可為0.2mm。

圖5是示出圖2所示的半導體檢查用裝置所使用的探針100的另一變形例的圖。圖5所示的探針100具有：包括接觸部140在內的周邊部位的粗細相對較細之窄部130c，其他部位的粗細相對較粗之寬部130d。

如圖5所示，若如此構成彈性部130，則在對探針100施加載荷導致彈性部130變形的情況下，寬部130d沒有接觸，然而窄部130c進行接觸而形成接觸部。

因此，在圖5所示的探針100的情況下，與圖3所示的探針100的情況相同地，可縮短導電路徑。為了製造圖5所示的探針100，僅僅更換為與圖5所示的探針100的形狀對應的形狀的掩膜圖案即可，其他採用上文所述的方法。

圖6是示出用於圖2所示的半導體檢查用裝置的探針100的又一變形例的圖。圖6所示的探針100，在彈性部130的欲形成接觸部之部位，設置凸部130e、130f。

如圖6所示，若如此構成彈性部130，則在對探針100施加載荷導致彈性部130變形的情況下，凸部130e、130f彼此接觸而形成接觸部。需要說明的是，可以不形成凸部130e、130f 兩者，而僅僅形成其中一者。

在圖6所示的探針100的情況下，與圖3的情況相同地，可縮短導電路徑。為了製造圖6所示的探針100，僅僅更換為與圖6所示的探針100的形狀對應的形狀的掩膜圖案即可，其他採用上文所述的方法。

如以上說明，根據本發明的實施方式，可高精度地製造探針100。特別留意，如果光掩膜的圖案化精度不高，則難以製造圖3～圖6所示形態的探針100。圖3～圖6所示的探針100，可縮短導電路徑，因此使用這種探針100的半導體檢查用裝置，特別適合用於高周波半導體封裝體的檢查。

另外，根據本發明的實施方式，不僅僅是探針100，更能夠精細地加工除了探針100以外的引線框架、板簧等各種金屬製品。

100:探針 110:第一觸點部 112:柱部 114:鍔部 120:第二觸點部 122:柱部 124:鍔部 130:彈性部 200:插座 210:第二基板 220:第一基板 230，240:孔 205:通孔 300:載持件 310:標記 320:銅銀合金板 330:抗蝕劑膜 340:銅銀合金體

圖1為本發明的實施方式的探針100的製造方法的概要說明圖。圖2為具備藉由圖1所示的製造方法製造的探針100的半導體檢查用裝置的示意性結構圖。圖3為示出圖2所示的半導體檢查用裝置所使用的探針100的變形例之圖。圖4為導通路徑長度對比說明圖，其僅僅關注圖3所示的探針100的彈性部130。圖5為示出用於圖2所示的半導體檢查用裝置的探針100的另一變形例之圖。圖6為示出用於圖2所示的半導體檢查用裝置的探針100的又一變形例之圖。

300:載持件

310:標記

320:銅銀合金板

330:抗蝕劑膜

340:銅銀合金體

Claims

一種金屬製品的精細加工裝置，具備：粘貼單元，將待製成金屬製品的板材粘貼於形成有標記的載持件的平面部分；第一覆蓋單元，使用第一抗蝕劑膜覆蓋藉由該粘貼單元粘貼的板材；第一位置對齊單元，使用該標記將藉由該第一覆蓋單元覆蓋有抗蝕劑膜的載持件與第一光掩膜的位置對齊；第一曝光單元，在載持件被第一位置對齊單元對齊後的狀態下，對該載持件進行曝光；蝕刻單元，對藉由該第一曝光單元曝光後的載持件的板材進行蝕刻；剝離單元，將藉由該蝕刻單元蝕刻後的殘留抗蝕劑膜自板材剝離；第二覆蓋單元，使用第二抗蝕劑膜覆蓋藉由該剝離單元剝離殘留抗蝕劑膜後的板材；第二位置對齊單元，將藉由該第二覆蓋單元覆蓋有第二抗蝕劑膜的載持件與第二光掩膜的位置對齊，以重現被第一位置對齊單元對齊後的狀態。
如請求項1所述之金屬製品的精細加工裝置，其中，該第一光掩膜滿足如下條件：該金屬製品具備：分別設置於兩端部的第一觸點部以及第二觸點部，位於該第一觸點部與該第二觸點部之間的連續的略Ｓ字狀的彈性部，該彈性部，係當該第一觸點部與該第二觸點部之間因載荷導致該彈性部縮短時，彼此對置的部分形成接觸部。
如請求項2所述之金屬製品的精細加工裝置，其中，該彈性部係形成為與該接觸部對應的部分構成間距相對較窄的窄部，其他部位構成間距相對較寬的寬部。
如請求項2所述之金屬製品的精細加工裝置，其中，包括該接觸部的周邊部位的厚度比其他的部位的厚度更薄。
如請求項3所述之金屬製品的精細加工裝置，其中，該彈性部係形成為，與該接觸部對應的部分具有間距相對較窄的窄部，該窄部的對置部分的至少一者呈凸狀。
如請求項2所述之金屬製品的精細加工裝置，其中，該彈性部係形成有複數觸點部。
如請求項2所述之金屬製品的精細加工裝置，其中，該彈性部係僅僅在沿其延伸方向的一側形成該觸點部。
如請求項2所述之金屬製品的精細加工裝置，其中，該彈性部的成立條件係：有載荷時探針主體的行進量≧該接觸部的觸點點數×有載荷時形成該接觸部的部位之間無載荷時的總間距。
一種金屬製品的精細加工方法，包括：將待製成金屬製品的板材粘貼於形成有標記的載持件的平面部分的粘貼步驟；用第一抗蝕劑膜覆蓋該板材的步驟；使用該標記，將該被抗蝕劑膜覆蓋的載持件與第一光掩膜的位置對齊的步驟；在位置對齊的狀態下，對該載持件進行曝光的步驟；對進行該曝光後的載持件上的板材進行蝕刻的步驟；將該蝕刻後的殘留抗蝕劑膜自板材上剝離的步驟；用第二抗蝕劑膜覆蓋將該殘留抗蝕劑膜剝離後的板材的步驟；將該被第二抗蝕劑膜覆蓋的載持件與第二光掩膜的位置對齊以再現上述對齊狀態的步驟。
一種裝置，其具備藉由請求項1所述之金屬製品的精細加工裝置製造之金屬製品。