JPS639120A - ドライエツチング用ウエハステ−ジ - Google Patents
ドライエツチング用ウエハステ−ジInfo
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- JPS639120A JPS639120A JP61151495A JP15149586A JPS639120A JP S639120 A JPS639120 A JP S639120A JP 61151495 A JP61151495 A JP 61151495A JP 15149586 A JP15149586 A JP 15149586A JP S639120 A JPS639120 A JP S639120A
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Landscapes
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体製造用のドライエッチング装置に使用
されるウェハステージに関する。
されるウェハステージに関する。
[従来の技術]
従来のトライプロセス用ウェハエツチング装置における
ウェハステージには、石英やアルミ(アルマイト表面)
等の金ヱなどか用いられているか、これらの材質による
ウェハステージを用いて、反応性プラズマによるドライ
エツチングを行なった場合、シリコンウェハ表面上のS
i 02被膜やその上のポリSiあるいはアルミニウム
被+1iなどのエツチングレートのフォトレジストに対
するエツチングの選択性が使用するエツチングガスの組
成によって主に定まってしまい、また石英ステージては
熱伝導性が悪くステージ上のウェハを冷却するのか困難
であり、アルミニウム等の金属ステージではウニ八表面
への汚染か生じるなど、種々の問題点があった。
ウェハステージには、石英やアルミ(アルマイト表面)
等の金ヱなどか用いられているか、これらの材質による
ウェハステージを用いて、反応性プラズマによるドライ
エツチングを行なった場合、シリコンウェハ表面上のS
i 02被膜やその上のポリSiあるいはアルミニウム
被+1iなどのエツチングレートのフォトレジストに対
するエツチングの選択性が使用するエツチングガスの組
成によって主に定まってしまい、また石英ステージては
熱伝導性が悪くステージ上のウェハを冷却するのか困難
であり、アルミニウム等の金属ステージではウニ八表面
への汚染か生じるなど、種々の問題点があった。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明の課題は、前述の従来技術の問題点を解決してフ
ォトレジストの耐ドライエツチング性を実質的に向上し
、エツチング対象物質のレジストに対するエツチング選
択比を高め、且つ、熱伝導性の良い汚染の生じにくい材
質を選択して構成することのできるドライエツチング用
ウェハステージを提供することである。
ォトレジストの耐ドライエツチング性を実質的に向上し
、エツチング対象物質のレジストに対するエツチング選
択比を高め、且つ、熱伝導性の良い汚染の生じにくい材
質を選択して構成することのできるドライエツチング用
ウェハステージを提供することである。
[問題点を解決するための手段]
前述の課題を達成するために、本発明によるドライエツ
チング用ウェハステージは、エツチング対象物質上のレ
ジストに対するエツチング種となるプラズマ中の活性ラ
ジカルまたはイオンを消費する物質、例えばシリコン(
Si)、炭素(C)またはそれらの化合物を、表面の少
なくともエツチング中に露呈する部分に有している。
チング用ウェハステージは、エツチング対象物質上のレ
ジストに対するエツチング種となるプラズマ中の活性ラ
ジカルまたはイオンを消費する物質、例えばシリコン(
Si)、炭素(C)またはそれらの化合物を、表面の少
なくともエツチング中に露呈する部分に有している。
前記活性ラジカルまたはイオンを消費する物質は、好ま
しくはエツチング対象物質とはエッチング種が異なる物
質である。
しくはエツチング対象物質とはエッチング種が異なる物
質である。
本発明のひとつの実施態様に3いてウェハステージは前
記活性ラジカルを消費する物質を含む材質からなり、別
の実施態様ては前記活性ラジカルまたはイオンを消費す
る物質を含む別部材を表面に配置してあり、さらに別の
実施態様ではこれか被覆層として形成されている。
記活性ラジカルを消費する物質を含む材質からなり、別
の実施態様ては前記活性ラジカルまたはイオンを消費す
る物質を含む別部材を表面に配置してあり、さらに別の
実施態様ではこれか被覆層として形成されている。
[作用]
本発明のドライエツチング用ウェハステージでは、少な
くともエツチング中に露呈する表面に、レジストのエツ
チング種となる活性ラジカルまたはイオンを消費する物
質を有するので、この物質に消費される分だけレジスト
のエツチングレートが低下する。
くともエツチング中に露呈する表面に、レジストのエツ
チング種となる活性ラジカルまたはイオンを消費する物
質を有するので、この物質に消費される分だけレジスト
のエツチングレートが低下する。
この場合、前記物質としてエツチング対象物質の主要エ
ツチング種に対してはこれを消費しない、あるいは消費
しても比較的低消費率の物質を用いると、エツチング対
象物質のレジストに対するエツチング選択比はさらに向
上するようになる。
ツチング種に対してはこれを消費しない、あるいは消費
しても比較的低消費率の物質を用いると、エツチング対
象物質のレジストに対するエツチング選択比はさらに向
上するようになる。
[実施例]
第1図に本発明の1実施例のドライエツチング装置の断
面概略図を示す。図中1はエツチング反応室を形成する
容器、2は容器内にエツチング用のガスを供給するガス
供給部、3はガス供給バイブ、4は接地された上部電極
を兼ねるガス入口部、4aはガス入口部4に複数個設け
られ容器1内にガスを流す供給口、5は容器内からガス
を排出するための排出口、6は容器1内を高真空に保つ
とともにエツチング時の生成気体を排出するための吸引
ポンプである。7はウェハステージ部に高周波を印加す
るためのTL極であるとともにウェハステージ部の熱を
逃がす冷却部を兼ねる。AQててきたステージ電極であ
り、容器底部8内に、容器内に露出する部分がないよう
埋込まれて設けられている。容器底部8は容器lと分離
可能であり、図示されない上下機構により図の位置から
下へ動けるようになっている。容器底部8か図の位置に
来た時容器l内は密封され、またこれより下に容器底部
8を下げて、容器l内部のウェハを交換する。ステージ
電極7の内部には冷却装置9が設けられている。
面概略図を示す。図中1はエツチング反応室を形成する
容器、2は容器内にエツチング用のガスを供給するガス
供給部、3はガス供給バイブ、4は接地された上部電極
を兼ねるガス入口部、4aはガス入口部4に複数個設け
られ容器1内にガスを流す供給口、5は容器内からガス
を排出するための排出口、6は容器1内を高真空に保つ
とともにエツチング時の生成気体を排出するための吸引
ポンプである。7はウェハステージ部に高周波を印加す
るためのTL極であるとともにウェハステージ部の熱を
逃がす冷却部を兼ねる。AQててきたステージ電極であ
り、容器底部8内に、容器内に露出する部分がないよう
埋込まれて設けられている。容器底部8は容器lと分離
可能であり、図示されない上下機構により図の位置から
下へ動けるようになっている。容器底部8か図の位置に
来た時容器l内は密封され、またこれより下に容器底部
8を下げて、容器l内部のウェハを交換する。ステージ
電極7の内部には冷却装置9が設けられている。
冷却装置9の横断面図を第2図に示す。冷却装置9の外
壁IOの外側には絶縁被膜が形成されており電極7とは
電気的に隔離される。冷却装置9の内部には隔壁9aか
設けられ、これが流路を形成し、流入口11bより入っ
た冷却水が冷却装置9のすみずみまて冷却して流出口1
1aよ出るようにしている。
壁IOの外側には絶縁被膜が形成されており電極7とは
電気的に隔離される。冷却装置9の内部には隔壁9aか
設けられ、これが流路を形成し、流入口11bより入っ
た冷却水が冷却装置9のすみずみまて冷却して流出口1
1aよ出るようにしている。
第1図を参照して、11は冷却水循環用パイプ、12は
冷却水循環用ポンプ、13は冷却水のもってきた熱を放
出させる放熱部である。14は高周波(RF)電源であ
りここでは13.56MH2の高周波型力をステージ電
極7に加える。ただしステージ電極7は常にマイナス電
位に保たれろ。15はウェハステージてあり、ステージ
電極7に接触して設けられており、ステージ電極7とは
実質的に等電位である。16はウェハステージ15上に
載置された基盤、ここではフェライト基板である。この
基板16の表面上はSiO□膜が形成され、その上にレ
ジストのパターン層を有している。
冷却水循環用ポンプ、13は冷却水のもってきた熱を放
出させる放熱部である。14は高周波(RF)電源であ
りここでは13.56MH2の高周波型力をステージ電
極7に加える。ただしステージ電極7は常にマイナス電
位に保たれろ。15はウェハステージてあり、ステージ
電極7に接触して設けられており、ステージ電極7とは
実質的に等電位である。16はウェハステージ15上に
載置された基盤、ここではフェライト基板である。この
基板16の表面上はSiO□膜が形成され、その上にレ
ジストのパターン層を有している。
この装置の作動方法について説明する。ガス供給部2よ
りエツチング用のガス、22てはCF、、Cf F6
、Heの混合ガスをCF 4 : 10500M、C
2F6 : Bsccbs、He:80secMの割合
で供給する。ガスはガス入口部4の複数の供給口4aよ
り容器l内に入る。容器1内は吸引ポンプ6およびポン
プと容器の間にある不図示のバタフライバルブによりほ
ぼ100Paに保たれる。容器1内に入ったガスは上部
電極であるガス入口部4と、ステージ電極7と等電位で
あるウェハステージ15との間で高周波電力によりプラ
ズマ状態になる。この時発生したCF3+イオンは陰極
であるウェハステージ15、それと等電位であるフェラ
イト基板15に向って流れていく。
りエツチング用のガス、22てはCF、、Cf F6
、Heの混合ガスをCF 4 : 10500M、C
2F6 : Bsccbs、He:80secMの割合
で供給する。ガスはガス入口部4の複数の供給口4aよ
り容器l内に入る。容器1内は吸引ポンプ6およびポン
プと容器の間にある不図示のバタフライバルブによりほ
ぼ100Paに保たれる。容器1内に入ったガスは上部
電極であるガス入口部4と、ステージ電極7と等電位で
あるウェハステージ15との間で高周波電力によりプラ
ズマ状態になる。この時発生したCF3+イオンは陰極
であるウェハステージ15、それと等電位であるフェラ
イト基板15に向って流れていく。
ウェハステージ15の上面図を第3図に示す。ウェハス
テージ15は円筒台形状をしており中央部はくぼんでお
り、そのくぼみ部に基板を載置するようになっている。
テージ15は円筒台形状をしており中央部はくぼんでお
り、そのくぼみ部に基板を載置するようになっている。
くぼみ部表面には単結晶シリコンて成る直径4インチの
a置台17が設けられている。ウェハステージ15の他
の部分は石英で構成されている。フェライト基板16と
、冷却部を兼ねるステージ電極7との間が一部、石英よ
り熱伝導率の充分高い単結晶シリコンで形成されている
のて、間を全部石英て構成した場合と比較して冷却効率
が良くなっている。
a置台17が設けられている。ウェハステージ15の他
の部分は石英で構成されている。フェライト基板16と
、冷却部を兼ねるステージ電極7との間が一部、石英よ
り熱伝導率の充分高い単結晶シリコンで形成されている
のて、間を全部石英て構成した場合と比較して冷却効率
が良くなっている。
フェライト基板16のパターン層の形成されていない5
io2sに衝突したCF?はそこて化学反応をおこし常
温ても気体であるSi F、を生成してSi 02膜表
面を除去していく。CF3”と同様にプラズマ中で発生
するフッ素ラジカル(以下F8と書く)は単結晶シリコ
ンとは反応しやすいので、ステージ部周辺部にFlか来
るとその多くは載置台17を構成する単結晶シリコンと
反応してSi F、を発生、即ち@、置台17に消費さ
れてしまう。従ってその分レジストをエツチングするF
lか減少することになり、その結果、本実施例の装置で
はF8によるレジストエツチングを効果的に減少させる
ことかできる。また、単結晶シリコンは組成中に0を含
まないのでたとえ載置台17のSiかCF、”と反応し
ても0′を発生する心配かない。o8はレジストを容易
にエツチングしてCo、CO□、H2Oを発生するので
レジストのエッチレートか上昇してしまうか、本実施例
ではこの問題もないことになる。
io2sに衝突したCF?はそこて化学反応をおこし常
温ても気体であるSi F、を生成してSi 02膜表
面を除去していく。CF3”と同様にプラズマ中で発生
するフッ素ラジカル(以下F8と書く)は単結晶シリコ
ンとは反応しやすいので、ステージ部周辺部にFlか来
るとその多くは載置台17を構成する単結晶シリコンと
反応してSi F、を発生、即ち@、置台17に消費さ
れてしまう。従ってその分レジストをエツチングするF
lか減少することになり、その結果、本実施例の装置で
はF8によるレジストエツチングを効果的に減少させる
ことかできる。また、単結晶シリコンは組成中に0を含
まないのでたとえ載置台17のSiかCF、”と反応し
ても0′を発生する心配かない。o8はレジストを容易
にエツチングしてCo、CO□、H2Oを発生するので
レジストのエッチレートか上昇してしまうか、本実施例
ではこの問題もないことになる。
実施例1および比較例1
第1図の装置で実際に大きさ約5 ■x 20mm、表
面に5i02スパツタ膜およびその上にフォトレジX上
(OFRR−800:商品名)のパターン層を有するフ
ェライト基板のチップをエツチングしたところ、SiO
□のエッチレートは1200人/ll1n 、 レジ
ストのエッチレートは1100人/winであり、5i
n2のエッチレートとレジストのエッチレートとの比で
ある選択比は約1.1であった。
面に5i02スパツタ膜およびその上にフォトレジX上
(OFRR−800:商品名)のパターン層を有するフ
ェライト基板のチップをエツチングしたところ、SiO
□のエッチレートは1200人/ll1n 、 レジ
ストのエッチレートは1100人/winであり、5i
n2のエッチレートとレジストのエッチレートとの比で
ある選択比は約1.1であった。
比較例として、ウェハステージ15を同形状て載置台1
7のみを石英で構成したステージに置き換えた以外は同
様の条件て同形チップをエツチングしたところ、5in
2のエッチレートは1170人/minと実質的に変わ
らないが、レジストのエッチレートは2270人/wi
nと約2倍の大きさとなった。この結果から比較例の選
択比は0.51と本願実施例のものと比べて悪化してい
るのがわかる。
7のみを石英で構成したステージに置き換えた以外は同
様の条件て同形チップをエツチングしたところ、5in
2のエッチレートは1170人/minと実質的に変わ
らないが、レジストのエッチレートは2270人/wi
nと約2倍の大きさとなった。この結果から比較例の選
択比は0.51と本願実施例のものと比べて悪化してい
るのがわかる。
以下、本願の他の実施例とその比較例をいくつか挙げる
。
。
実施例2
ウェハステージとして第4図に示すように石英ステージ
15表面にエピタキシャル成長装置によってポリSi層
15aを被覆したものを用いた以外は第1図と同様の装
置を使用し、4インチシリコンウェハ18の5iOzl
Q上に形成されたPドープポリSi被膜をエツチング対
象物としてドライエツチングを行なった。
15表面にエピタキシャル成長装置によってポリSi層
15aを被覆したものを用いた以外は第1図と同様の装
置を使用し、4インチシリコンウェハ18の5iOzl
Q上に形成されたPドープポリSi被膜をエツチング対
象物としてドライエツチングを行なった。
使用レジスト:0FPR−800
エツチング条件:高周波出力200W、圧力10Pa
工・ンチングガスニCl 2 (223CCM)
CHC文x (8SCCM) この場合のレジストのエツチング種は塩素ラジカル(C
1” )でありポリSi層15aはC1”を消費する。
CHC文x (8SCCM) この場合のレジストのエツチング種は塩素ラジカル(C
1” )でありポリSi層15aはC1”を消費する。
ウェハのポリSiのエツチングレートは1895人/■
in、レジストのエツチングレートは996λ/sin
、ポリSi/レジスト;1,9であった。
in、レジストのエツチングレートは996λ/sin
、ポリSi/レジスト;1,9であった。
比較例2
実施例2と同様のウェハを被覆層なしの石英ステージ上
に置いて同一条件でドライエツチングを行なった。
に置いて同一条件でドライエツチングを行なった。
この場合のウェハのポリSiのエツチングレートは23
60人/1しn、レジストのエツチングレートは163
8人/sin、ポリSi/レジスト=1.4であワた。
60人/1しn、レジストのエツチングレートは163
8人/sin、ポリSi/レジスト=1.4であワた。
なお、実施例2と比較例2から判ることは、この場合の
ポリSiのエツチングではローディング効果によってポ
リSiのエツチングレートも同時に低下しているが、選
択比としては充分に向上しており、また、ステージの熱
伝達率の向上と汚染防止に効果的であり、エツチングレ
ートの低速化によって微細パターンの加工精度も向上す
る。
ポリSiのエツチングではローディング効果によってポ
リSiのエツチングレートも同時に低下しているが、選
択比としては充分に向上しており、また、ステージの熱
伝達率の向上と汚染防止に効果的であり、エツチングレ
ートの低速化によって微細パターンの加工精度も向上す
る。
実施例3
実施例2と同様の装置を用いて、4インチウェハのSi
O,ll上に形成されたアルミニウム(Si 1%含有
)被膜のドライエッチングを行なった。
O,ll上に形成されたアルミニウム(Si 1%含有
)被膜のドライエッチングを行なった。
使用レジスト:)IPR
エツチング条件:高周波出力100W 。
圧力20Pa
エツチングガス: Cl 2 (20secM)
B Cl 3 (7Ssccm) He (505cc、、) CHCl 3 (12sccM) レジストのエツチング種は実施例2同様C1”である、
この場合のアルミ被膜のエツチングレートは3330人
/5hin、 レジストのエツチングレートは497人
/1n、アルミ/レジスト=6.7であった。
B Cl 3 (7Ssccm) He (505cc、、) CHCl 3 (12sccM) レジストのエツチング種は実施例2同様C1”である、
この場合のアルミ被膜のエツチングレートは3330人
/5hin、 レジストのエツチングレートは497人
/1n、アルミ/レジスト=6.7であった。
比較例3
比較例2と同様の装置を用いて実施例3と同じウェハを
同一条件でエツチングした。
同一条件でエツチングした。
その結果、アルミ被膜のエツチングレートは3330人
/1nと変りなく、一方、レジストのエツチングレート
は951人/l1in、アルミ/レジスト=3.5であ
った。
/1nと変りなく、一方、レジストのエツチングレート
は951人/l1in、アルミ/レジスト=3.5であ
った。
実施例4
ウェハステージとして第5図のようにカーボンステージ
15CにSiC被覆15bを施したものを用い、5イン
チシリコンウェハ19の5i02[上に形成されたPド
ープポリSi被膜をドライエッチングした。
15CにSiC被覆15bを施したものを用い、5イン
チシリコンウェハ19の5i02[上に形成されたPド
ープポリSi被膜をドライエッチングした。
使用レジスト:0FPR−800
エツチング条件:高周波出力100W、圧力4Pa
エツチングガス: Cl 2 (15secM)
CCl 4 (15sccin)この場合のレジ
ストのエツチング種はC交3でありSiC被覆15bは
C1″を消費する。その結果、ポリSiのエツチングレ
ートは 830人/win 、レジストのエツチングレ
ートは271人/win 、ポリSi/レジスト=3.
1であった。
CCl 4 (15sccin)この場合のレジ
ストのエツチング種はC交3でありSiC被覆15bは
C1″を消費する。その結果、ポリSiのエツチングレ
ートは 830人/win 、レジストのエツチングレ
ートは271人/win 、ポリSi/レジスト=3.
1であった。
比較例4
ウェハステージとして石英ステージを用いて実施例4と
同じウェハを同一条件でエツチングした。
同じウェハを同一条件でエツチングした。
この場合、ボッSiのエツチングレートは1500人/
ll1n、 レジストのエツチングレートは818人/
+sin、ポリSi/レジスト=1.8であった。
ll1n、 レジストのエツチングレートは818人/
+sin、ポリSi/レジスト=1.8であった。
本発明のウェハステージの表面に配置する前記物質は5
以上の実施例に挙げたもの以外にも種々のものが適用可
源であり、例えばsi x N4 。
以上の実施例に挙げたもの以外にも種々のものが適用可
源であり、例えばsi x N4 。
Cなど、使用レジストのエツチング種となるプラズマ中
のラジカルまたはイオンを選択的に消費し、好ましくは
エツチング対象物質とはエツチング種が異なり、しかも
熱伝導性に優れた汚染の恐れのない物質ならば全て適用
可taである。また、ウェハステージ15全体をSiC
、ポリSi等て構成してもかまわない。
のラジカルまたはイオンを選択的に消費し、好ましくは
エツチング対象物質とはエツチング種が異なり、しかも
熱伝導性に優れた汚染の恐れのない物質ならば全て適用
可taである。また、ウェハステージ15全体をSiC
、ポリSi等て構成してもかまわない。
[発明の効果]
以上に述べたように1本発明によれば、フォトレジスト
の工・ンチング種がウェハステージ表面の特定の物質に
よって消費されるので、エツチング対象物のレジストに
対するエツチング選択比か向上する。またウェハステー
ジ表面をこのような物質で構成するので熱伝導性の改善
とウェハ汚染防止とが同時に果たされ、さらにエツチン
グレートのgii手段としても有用である。
の工・ンチング種がウェハステージ表面の特定の物質に
よって消費されるので、エツチング対象物のレジストに
対するエツチング選択比か向上する。またウェハステー
ジ表面をこのような物質で構成するので熱伝導性の改善
とウェハ汚染防止とが同時に果たされ、さらにエツチン
グレートのgii手段としても有用である。
第1図は本発明の一実施例に係るウェハステージを使用
したドライエツチング装置を例示する構成図、第2図は
同実施例の冷却装置の上面断面図、第3図は同実施例の
ウェハステージの上面図、第4図は別の実施例に係るつ
j、ハステージを示す断面図、第5図はさらに別の実施
例に係るウェハステージを示す断面図である。 1、カソードカンプル方式 ドライエッチング容器、 4:ガス入口部、 5二真空排気口、7:ステー
ジ電極、 9:冷却装置、14:高周波電源、
15:ウェハステージ、16:基板、
17:@置台。
したドライエツチング装置を例示する構成図、第2図は
同実施例の冷却装置の上面断面図、第3図は同実施例の
ウェハステージの上面図、第4図は別の実施例に係るつ
j、ハステージを示す断面図、第5図はさらに別の実施
例に係るウェハステージを示す断面図である。 1、カソードカンプル方式 ドライエッチング容器、 4:ガス入口部、 5二真空排気口、7:ステー
ジ電極、 9:冷却装置、14:高周波電源、
15:ウェハステージ、16:基板、
17:@置台。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、エッチング対象物質上のレジストに対するエッチン
グ種となるプラズマ中の活性ラジカルまたはイオンを消
費する物質を、表面の少なくともエッチング中に露呈す
る部分に有することを特徴とするドライエッチング用ウ
ェハステージ。 2、前記活性ラジカルまたはイオンを消費する物質がエ
ッチング対象物質とはエッチング種が異なる物質である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のウェハ
ステージ。 3、前記活性ラジカルまたはイオンを消費する物質を含
む材質からなることを特徴とする特許請求の範囲第1項
または第2項に記載のウェハステージ。 4、前記活性ラジカルまたはイオンを消費する物質を含
む別部材を表面に配置したことを特徴とする特許請求の
範囲第1項または第2項に記載のウェハステージ。 5、前記活性ラジカルまたはイオンを消費する物質を含
む被覆層を表面に有することを特徴とする特許請求の範
囲第1項または第2項に記載のウェハステージ。 6、前記活性ラジカルまたはイオンを消費する物質がシ
リコン(Si)、炭素(C)またはそれらの化合物のう
ちから選ばれたものであることを特徴とする特許請求の
範囲第1項から第5項のいずれか1項に記載のウェハス
テージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61151495A JPS639120A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | ドライエツチング用ウエハステ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61151495A JPS639120A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | ドライエツチング用ウエハステ−ジ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS639120A true JPS639120A (ja) | 1988-01-14 |
Family
ID=15519747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61151495A Pending JPS639120A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | ドライエツチング用ウエハステ−ジ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS639120A (ja) |
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-
1986
- 1986-06-30 JP JP61151495A patent/JPS639120A/ja active Pending
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