RU2101383C1 - Способ катодного распыления - Google Patents
Способ катодного распыления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2101383C1 RU2101383C1 RU95102546A RU95102546A RU2101383C1 RU 2101383 C1 RU2101383 C1 RU 2101383C1 RU 95102546 A RU95102546 A RU 95102546A RU 95102546 A RU95102546 A RU 95102546A RU 2101383 C1 RU2101383 C1 RU 2101383C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cathode
- anode
- plasma
- spraying method
- screen
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
Изобретение относится к машиностроению. Способ катодного распыления осуществляется с помощью плазмы повышенной плотности, создаваемой между оптически прозрачным экраном, выполненным в виде сетки, и распыляемым материалом, образующими полый катод с плазмой повышенной плотности. 1 ил.
Description
Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано для напыления вакуумно-плазменных покрытий в электронной, оптической и других отраслях промышленности.
Известен способ магнетронного напыления, включающий распыление углеродной мишени в скрещенных электрических и магнитных полях и осаждение потока распыленного материала на подложку, при котором с целью повышения качества пленок путем увеличения содержания алмазной фазы осаждение проводят потоком с плотностью частиц, превышающей плотность остаточной атмосферы инертного газа, и их энергией, не превышающей 7-10 эВ (авт. св. N 1772217, кл. C 23 C 14/33, 1992).
Известен способ, реализуемый магнетронно-распылительным устройством, содержащим дисковый катод-мишень, анод и незамкнутую, выполненную с возможностью вращения магнитную систему, состоящую из плоского магнитопровода, расположенного параллельно распыляемой поверхности мишени, и прямоугольных магнитов противоположной полярности, закрепленных на магнитопроводе симметрично относительно центра мишени, в котором для увеличения скорости распыления анод выполнен в форме прямоугольного бруска с шириной, равной ширине межлопастного зазора, и высотой, большей или равной высоте мишени, и установлен на магнитопроводе изолировано от него, причем оси симметрии магнитной системы и анода лежат в одной плоскости, а левый относительно анода полюса магнитной системы, обращенной к мишени, имеет полярность N, при этом первый имеет полярность S (авт. св. N 1818358, кл. C 23 C 14/35, 1993).
Известен способ, реализуемый устройством (источником ионов), содержащим анод, катод и извлекающий электрод, разделенные изолятором и помещенные между полюсами магнита, для снижения затрат энергии на образование ионов катод выполнен в виде сетки и расположен между анодом и извлекающим электродом, с размерами полюсов магнита больше или равными расстоянию между катодом и анодом (авт. св. N 519066, кл. H 05 H 1/00, 1981).
Общими недостатками аналогов является сложность оборудования, использование дорогостоящих магнитов, сложность изготовления.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту является способ катодного распыления, включающий распыление материала катода, выполненного из сплошной и перфорированной пластин, образующих полый катод с плазмой повышенной плотности, и осаждение материала катода на деталь (патент России N 2000354, кл. C 23 C 8/36, 1993).
Недостатком известного способа является неэффективное осаждение материала катода на деталь из-за недостаточной скорости распыления.
Задачей изобретения является увеличение скорости распыления за счет повышения плотности тока, увеличения степени ионизации и создания области плазмы высокой плотности.
Задача решается тем, что предлагаемый способ обработки в отличие от прототипа предполагает подачу отрицательного потенциала на систему, состоящую из специального экрана в виде сетки и катода. Образуется структура из плазмы и слоя пространственного заряда между границей плазмы (эффект полого катода).
При размере ячейки сетки а <aкр прикатодные области перекрывают расстояние между ячейками и отражают быстрые осциллирующие электроны, что увеличивает концентрацию заряженных частиц вблизи обрабатываемой поверхности и приводит к возрастанию количества ионов, бомбардирующих поверхность.
Сущность способа поясняется чертежом.
Источник питания 1 имеет отрицательную клемму, которая подключена к охлаждаемому катоду 2 и экрану 3, установленному на определенном расстоянии, а положительная клемма источника питания 1 подсоединена к аноду 4. В вакуумной камере 5 установлены детали 6, на которые конденсируются ионы распыленные с катода 1.
Способ осуществляется следующим образом. В вакуумной камере создаются давление P 10-1 Па, напряжение, подаваемое на электроды, U 600-800 В. Отрицательный потенциал подается на катод и оптически прозрачный экран, положительный потенциал на анод. Зажигается тлеющий разряд. Обработка осуществляется в среде инертного газа (аргона)
Размеры экрана, его конфигурация, расстояние между экраном и катодом является "ноу-хау".
Размеры экрана, его конфигурация, расстояние между экраном и катодом является "ноу-хау".
Изобретение позволяет значительно снизить себестоимость обработки за счет применения экранов вместо дорогостоящих магнитов, а также значительно упростить сам процесс и интенсифицировать процесс напыления.
Claims (1)
- Способ катодного распыления, включающий распыление материала катода, выполненного из сплошной и перфорированной пластин, образующих полый катод с плазмой повышенной плотности, и осаждение материала катода на деталь, отличающийся тем, что в качестве перфорированной пластины используют сетку.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU95102546A RU2101383C1 (ru) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | Способ катодного распыления |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU95102546A RU2101383C1 (ru) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | Способ катодного распыления |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU95102546A RU95102546A (ru) | 1996-11-10 |
RU2101383C1 true RU2101383C1 (ru) | 1998-01-10 |
Family
ID=20165030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU95102546A RU2101383C1 (ru) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | Способ катодного распыления |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2101383C1 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2534907C1 (ru) * | 2013-04-08 | 2014-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Способ локальной обработки материала при азотировании в тлеющем разряде |
RU2534697C1 (ru) * | 2013-04-09 | 2014-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Способ локальной обработки материала с эффектом полого катода при ионном азотировании |
RU2534906C1 (ru) * | 2013-04-17 | 2014-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Способ локальной обработки материала с эффектом полого катода при ионном азотировании |
-
1995
- 1995-02-21 RU RU95102546A patent/RU2101383C1/ru active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2534907C1 (ru) * | 2013-04-08 | 2014-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Способ локальной обработки материала при азотировании в тлеющем разряде |
RU2534697C1 (ru) * | 2013-04-09 | 2014-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Способ локальной обработки материала с эффектом полого катода при ионном азотировании |
RU2534906C1 (ru) * | 2013-04-17 | 2014-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Способ локальной обработки материала с эффектом полого катода при ионном азотировании |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU95102546A (ru) | 1996-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7932678B2 (en) | Magnetic mirror plasma source and method using same | |
US6812648B2 (en) | Method of cleaning ion source, and corresponding apparatus/system | |
AU746645C (en) | Method and apparatus for deposition of biaxially textured coatings | |
JPH0627323B2 (ja) | スパツタリング方法及びその装置 | |
US20060152162A1 (en) | Beam plasma source | |
JP2004537825A (ja) | 磁気ミラープラズマ源 | |
US20040020760A1 (en) | Pulsed highly ionized magnetron sputtering | |
US4716340A (en) | Pre-ionization aided sputter gun | |
US8698400B2 (en) | Method for producing a plasma beam and plasma source | |
RU2030807C1 (ru) | Источник ионов с замкнутым дрейфом электронов | |
RU2101383C1 (ru) | Способ катодного распыления | |
JPH01168862A (ja) | 透明支持体上に薄層を付着するための、特にガラスシートを製造するための装置及び方法 | |
US20080121515A1 (en) | Magnetron sputtering utilizing halbach magnet arrays | |
JP2849771B2 (ja) | スパッタ型イオン源 | |
KR101124178B1 (ko) | 가스 원자 내포 플러렌의 제조 장치 및 제조 방법 그리고가스 원자 내포 플러렌 | |
JPH0660393B2 (ja) | プラズマ集中型高速スパツタ装置 | |
GB2058142A (en) | Sputtering electrodes | |
JPH0774441B2 (ja) | イオンビ−ムスパツタ装置 | |
JP4775923B2 (ja) | 弗化物の薄膜作成方法 | |
KR102350978B1 (ko) | 다중 전극 이온 빔 발생 장치 및 이를 이용한 표면 개질 방법 | |
JPS6127464B2 (ru) | ||
JPH0578849A (ja) | 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置 | |
JPH05195213A (ja) | スパッタリング装置 | |
JPS61227168A (ja) | 金属薄膜形成装置 | |
JPH0633680Y2 (ja) | 電子サイクロトロン共鳴プラズマ発生装置 |