RU2101383C1 - Способ катодного распыления - Google Patents

Способ катодного распыления Download PDF

Info

Publication number
RU2101383C1
RU2101383C1 RU95102546A RU95102546A RU2101383C1 RU 2101383 C1 RU2101383 C1 RU 2101383C1 RU 95102546 A RU95102546 A RU 95102546A RU 95102546 A RU95102546 A RU 95102546A RU 2101383 C1 RU2101383 C1 RU 2101383C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
cathode
anode
plasma
spraying method
screen
Prior art date
Application number
RU95102546A
Other languages
English (en)
Other versions
RU95102546A (ru
Inventor
В.В. Будилов
С.Р. Шехтман
Р.М. Киреев
Original Assignee
Уфимский государственный авиационный технический университет
Будилов Владимир Васильевич
Шехтман Семен Романович
Киреев Радик Маратович
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Уфимский государственный авиационный технический университет, Будилов Владимир Васильевич, Шехтман Семен Романович, Киреев Радик Маратович filed Critical Уфимский государственный авиационный технический университет
Priority to RU95102546A priority Critical patent/RU2101383C1/ru
Publication of RU95102546A publication Critical patent/RU95102546A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2101383C1 publication Critical patent/RU2101383C1/ru

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Abstract

Изобретение относится к машиностроению. Способ катодного распыления осуществляется с помощью плазмы повышенной плотности, создаваемой между оптически прозрачным экраном, выполненным в виде сетки, и распыляемым материалом, образующими полый катод с плазмой повышенной плотности. 1 ил.

Description

Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано для напыления вакуумно-плазменных покрытий в электронной, оптической и других отраслях промышленности.
Известен способ магнетронного напыления, включающий распыление углеродной мишени в скрещенных электрических и магнитных полях и осаждение потока распыленного материала на подложку, при котором с целью повышения качества пленок путем увеличения содержания алмазной фазы осаждение проводят потоком с плотностью частиц, превышающей плотность остаточной атмосферы инертного газа, и их энергией, не превышающей 7-10 эВ (авт. св. N 1772217, кл. C 23 C 14/33, 1992).
Известен способ, реализуемый магнетронно-распылительным устройством, содержащим дисковый катод-мишень, анод и незамкнутую, выполненную с возможностью вращения магнитную систему, состоящую из плоского магнитопровода, расположенного параллельно распыляемой поверхности мишени, и прямоугольных магнитов противоположной полярности, закрепленных на магнитопроводе симметрично относительно центра мишени, в котором для увеличения скорости распыления анод выполнен в форме прямоугольного бруска с шириной, равной ширине межлопастного зазора, и высотой, большей или равной высоте мишени, и установлен на магнитопроводе изолировано от него, причем оси симметрии магнитной системы и анода лежат в одной плоскости, а левый относительно анода полюса магнитной системы, обращенной к мишени, имеет полярность N, при этом первый имеет полярность S (авт. св. N 1818358, кл. C 23 C 14/35, 1993).
Известен способ, реализуемый устройством (источником ионов), содержащим анод, катод и извлекающий электрод, разделенные изолятором и помещенные между полюсами магнита, для снижения затрат энергии на образование ионов катод выполнен в виде сетки и расположен между анодом и извлекающим электродом, с размерами полюсов магнита больше или равными расстоянию между катодом и анодом (авт. св. N 519066, кл. H 05 H 1/00, 1981).
Общими недостатками аналогов является сложность оборудования, использование дорогостоящих магнитов, сложность изготовления.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту является способ катодного распыления, включающий распыление материала катода, выполненного из сплошной и перфорированной пластин, образующих полый катод с плазмой повышенной плотности, и осаждение материала катода на деталь (патент России N 2000354, кл. C 23 C 8/36, 1993).
Недостатком известного способа является неэффективное осаждение материала катода на деталь из-за недостаточной скорости распыления.
Задачей изобретения является увеличение скорости распыления за счет повышения плотности тока, увеличения степени ионизации и создания области плазмы высокой плотности.
Задача решается тем, что предлагаемый способ обработки в отличие от прототипа предполагает подачу отрицательного потенциала на систему, состоящую из специального экрана в виде сетки и катода. Образуется структура из плазмы и слоя пространственного заряда между границей плазмы (эффект полого катода).
При размере ячейки сетки а <aкр прикатодные области перекрывают расстояние между ячейками и отражают быстрые осциллирующие электроны, что увеличивает концентрацию заряженных частиц вблизи обрабатываемой поверхности и приводит к возрастанию количества ионов, бомбардирующих поверхность.
Сущность способа поясняется чертежом.
Источник питания 1 имеет отрицательную клемму, которая подключена к охлаждаемому катоду 2 и экрану 3, установленному на определенном расстоянии, а положительная клемма источника питания 1 подсоединена к аноду 4. В вакуумной камере 5 установлены детали 6, на которые конденсируются ионы распыленные с катода 1.
Способ осуществляется следующим образом. В вакуумной камере создаются давление P 10-1 Па, напряжение, подаваемое на электроды, U 600-800 В. Отрицательный потенциал подается на катод и оптически прозрачный экран, положительный потенциал на анод. Зажигается тлеющий разряд. Обработка осуществляется в среде инертного газа (аргона)
Размеры экрана, его конфигурация, расстояние между экраном и катодом является "ноу-хау".
Изобретение позволяет значительно снизить себестоимость обработки за счет применения экранов вместо дорогостоящих магнитов, а также значительно упростить сам процесс и интенсифицировать процесс напыления.

Claims (1)

  1. Способ катодного распыления, включающий распыление материала катода, выполненного из сплошной и перфорированной пластин, образующих полый катод с плазмой повышенной плотности, и осаждение материала катода на деталь, отличающийся тем, что в качестве перфорированной пластины используют сетку.
RU95102546A 1995-02-21 1995-02-21 Способ катодного распыления RU2101383C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95102546A RU2101383C1 (ru) 1995-02-21 1995-02-21 Способ катодного распыления

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95102546A RU2101383C1 (ru) 1995-02-21 1995-02-21 Способ катодного распыления

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU95102546A RU95102546A (ru) 1996-11-10
RU2101383C1 true RU2101383C1 (ru) 1998-01-10

Family

ID=20165030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU95102546A RU2101383C1 (ru) 1995-02-21 1995-02-21 Способ катодного распыления

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2101383C1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2534907C1 (ru) * 2013-04-08 2014-12-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" Способ локальной обработки материала при азотировании в тлеющем разряде
RU2534697C1 (ru) * 2013-04-09 2014-12-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" Способ локальной обработки материала с эффектом полого катода при ионном азотировании
RU2534906C1 (ru) * 2013-04-17 2014-12-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" Способ локальной обработки материала с эффектом полого катода при ионном азотировании

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2534907C1 (ru) * 2013-04-08 2014-12-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" Способ локальной обработки материала при азотировании в тлеющем разряде
RU2534697C1 (ru) * 2013-04-09 2014-12-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" Способ локальной обработки материала с эффектом полого катода при ионном азотировании
RU2534906C1 (ru) * 2013-04-17 2014-12-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" Способ локальной обработки материала с эффектом полого катода при ионном азотировании

Also Published As

Publication number Publication date
RU95102546A (ru) 1996-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7932678B2 (en) Magnetic mirror plasma source and method using same
US6812648B2 (en) Method of cleaning ion source, and corresponding apparatus/system
AU746645C (en) Method and apparatus for deposition of biaxially textured coatings
JPH0627323B2 (ja) スパツタリング方法及びその装置
US20060152162A1 (en) Beam plasma source
JP2004537825A (ja) 磁気ミラープラズマ源
US20040020760A1 (en) Pulsed highly ionized magnetron sputtering
US4716340A (en) Pre-ionization aided sputter gun
US8698400B2 (en) Method for producing a plasma beam and plasma source
RU2030807C1 (ru) Источник ионов с замкнутым дрейфом электронов
RU2101383C1 (ru) Способ катодного распыления
JPH01168862A (ja) 透明支持体上に薄層を付着するための、特にガラスシートを製造するための装置及び方法
US20080121515A1 (en) Magnetron sputtering utilizing halbach magnet arrays
JP2849771B2 (ja) スパッタ型イオン源
KR101124178B1 (ko) 가스 원자 내포 플러렌의 제조 장치 및 제조 방법 그리고가스 원자 내포 플러렌
JPH0660393B2 (ja) プラズマ集中型高速スパツタ装置
GB2058142A (en) Sputtering electrodes
JPH0774441B2 (ja) イオンビ−ムスパツタ装置
JP4775923B2 (ja) 弗化物の薄膜作成方法
KR102350978B1 (ko) 다중 전극 이온 빔 발생 장치 및 이를 이용한 표면 개질 방법
JPS6127464B2 (ru)
JPH0578849A (ja) 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置
JPH05195213A (ja) スパッタリング装置
JPS61227168A (ja) 金属薄膜形成装置
JPH0633680Y2 (ja) 電子サイクロトロン共鳴プラズマ発生装置