JPS6139521A - プラズマ表面処理装置 - Google Patents
プラズマ表面処理装置Info
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- JPS6139521A JPS6139521A JP6019584A JP6019584A JPS6139521A JP S6139521 A JPS6139521 A JP S6139521A JP 6019584 A JP6019584 A JP 6019584A JP 6019584 A JP6019584 A JP 6019584A JP S6139521 A JPS6139521 A JP S6139521A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
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- Analytical Chemistry (AREA)
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路寺のパターンを形成する際に
用いるドライエツチング装置等の、放電プラズマを利用
して試料上に膜堆積、エツチングなどの処理を施こすプ
ラズマ表面処理装置の改良に関する。以下これをドライ
エツチング装置で代表させて説明する。
用いるドライエツチング装置等の、放電プラズマを利用
して試料上に膜堆積、エツチングなどの処理を施こすプ
ラズマ表面処理装置の改良に関する。以下これをドライ
エツチング装置で代表させて説明する。
近年半導体集積回路のＩＩｔｍＪｌ下の回路は従来のウ
ェットエツチングでは加工することが出来す。
ェットエツチングでは加工することが出来す。
ドライエツチングによる異方性エツチングが欠くことの
出来ない技術となっている。この装置にはいくつかの方
式があるが、平行平板型電極を備えた反応容器内の一周
波印加電極に試料を載置してＣＦ４やＣＣｌ４等の弗素
や塩素等のハロゲン化物を含／エツチング装置は、アル
ミニウム、シリコン酸化膜、ポリシリコン膜等を７オト
レジストや下地材料との間にエツチング速度の高い選択
性を保持しながら、異方性エツチングを行うことが出来
るため、最近の超ＬＳＩ１ｌｕ造工程のドライエツチン
グではその主流を占めるに至っている。しかし、この反
応性イオンエツチング装置においても量産規模で微細加
工を行おうとすると種々の問題が生じることが明らかと
なった。例えばシリコン酸化膜をＣＨＦ５と０２の混合
ガスでエツチングする場合、エツチング速度がたかだか
５００＾／ｍ ｉ ｎと低いため、 ５ｏｏｏ＾のシリ
コン酸化膜をエツチングする場合には追加エツチングを
含めて約１２〜１５分のエツチング時間が必要である。
出来ない技術となっている。この装置にはいくつかの方
式があるが、平行平板型電極を備えた反応容器内の一周
波印加電極に試料を載置してＣＦ４やＣＣｌ４等の弗素
や塩素等のハロゲン化物を含／エツチング装置は、アル
ミニウム、シリコン酸化膜、ポリシリコン膜等を７オト
レジストや下地材料との間にエツチング速度の高い選択
性を保持しながら、異方性エツチングを行うことが出来
るため、最近の超ＬＳＩ１ｌｕ造工程のドライエツチン
グではその主流を占めるに至っている。しかし、この反
応性イオンエツチング装置においても量産規模で微細加
工を行おうとすると種々の問題が生じることが明らかと
なった。例えばシリコン酸化膜をＣＨＦ５と０２の混合
ガスでエツチングする場合、エツチング速度がたかだか
５００＾／ｍ ｉ ｎと低いため、 ５ｏｏｏ＾のシリ
コン酸化膜をエツチングする場合には追加エツチングを
含めて約１２〜１５分のエツチング時間が必要である。
エツチング速度を上昇させようとして高周波電力を増加
すると、プラズマ電位が上昇してしまって反応容器壁面
がスパッタさｎる割合が大きくなり、基板表面が反応容
器の構成材料である重金属等で汚染さ几たり、高エネル
ギーのイオン衝撃によりデバイス特性に悪影響を与えた
シする。一方、アルミエツチングやポリシリコンエツチ
ングの場合にあってもエツチング速度が実用レベルでた
かだか１０００＾／ｍｉｎであるため、これを量産装置
として用いる場合には６〜１０枚程度のウェハーを同時
に処理するいわゆるバッチ式装置がコストパーフォーマ
ンス上優れていた。ところが最近のように、ウェハーの
直径が１２５ｍｍとか１５０順などの大口径化してくる
とこｎをバッチ式処理装置で処理しようとする場合、電
極面積を太ぎく取らざるを得すこのため装置は大型化せ
ざるを得なくなる。その上、ウェハー曲内のエツチング
速度の均一性は悪化の傾向を示し通常のバッチ装置では
大口径ウェハーの微細加工処理は極めて困難なものとな
って来た。
すると、プラズマ電位が上昇してしまって反応容器壁面
がスパッタさｎる割合が大きくなり、基板表面が反応容
器の構成材料である重金属等で汚染さ几たり、高エネル
ギーのイオン衝撃によりデバイス特性に悪影響を与えた
シする。一方、アルミエツチングやポリシリコンエツチ
ングの場合にあってもエツチング速度が実用レベルでた
かだか１０００＾／ｍｉｎであるため、これを量産装置
として用いる場合には６〜１０枚程度のウェハーを同時
に処理するいわゆるバッチ式装置がコストパーフォーマ
ンス上優れていた。ところが最近のように、ウェハーの
直径が１２５ｍｍとか１５０順などの大口径化してくる
とこｎをバッチ式処理装置で処理しようとする場合、電
極面積を太ぎく取らざるを得すこのため装置は大型化せ
ざるを得なくなる。その上、ウェハー曲内のエツチング
速度の均一性は悪化の傾向を示し通常のバッチ装置では
大口径ウェハーの微細加工処理は極めて困難なものとな
って来た。
これに対して、ウニ・・−一枚一枚を遂次処理する枚葉
処理装置では、１μｍ／ｍｉｎ程度のエツチング、速度
を実現する平行平板高速エツチング装置が発明されてい
るが、この装置を使って高速でエッチ欠点があって微細
加工では必ずしも満足する特性は得られていない。これ
らに対し、ダメージを少＜Ｌ、！かつ高速エツチングを
実現する装置として最近磁場を用いて前記方式よりも１
〜２桁圧力の低い領域で高速エツチングする高速マグネ
トロ・ ンエッチング方式が考察された。（例、％開
昭５ｓ−５３８３２）Ｌかしこの方式の装置では電場と
磁場が丁度直交している部分のみにプラズマが集中する
性質があるため、マグネットを駆動してこれを頻繁に移
動し磁界を変化させてウェハー内のエツチング速度分布
の均一化を計る必要がらり。
処理装置では、１μｍ／ｍｉｎ程度のエツチング、速度
を実現する平行平板高速エツチング装置が発明されてい
るが、この装置を使って高速でエッチ欠点があって微細
加工では必ずしも満足する特性は得られていない。これ
らに対し、ダメージを少＜Ｌ、！かつ高速エツチングを
実現する装置として最近磁場を用いて前記方式よりも１
〜２桁圧力の低い領域で高速エツチングする高速マグネ
トロ・ ンエッチング方式が考察された。（例、％開
昭５ｓ−５３８３２）Ｌかしこの方式の装置では電場と
磁場が丁度直交している部分のみにプラズマが集中する
性質があるため、マグネットを駆動してこれを頻繁に移
動し磁界を変化させてウェハー内のエツチング速度分布
の均一化を計る必要がらり。
マグネットの駆動機構に多大な費用を要するという欠点
がある。また、プラズマ密度を高めるためのマグネトロ
ン電極に印加される電圧の条件と。
がある。また、プラズマ密度を高めるためのマグネトロ
ン電極に印加される電圧の条件と。
損傷を少くシシかも充分なエツチング速度を得るための
ウェーハー等の試料近傍に発生せしめる電界の条件とは
、この方式の装置では必ずしも一致せず、一方の条件を
適宜にすれば他は適正を欠き。
ウェーハー等の試料近傍に発生せしめる電界の条件とは
、この方式の装置では必ずしも一致せず、一方の条件を
適宜にすれば他は適正を欠き。
それが、加工効率をかなシ低、い、ものにしている。
′・本発明はこれら従来の高５速マグネトロンエツチｉ
の、均１−性Ｏ悪さを改善し、同か、つ、高速に試料を
エツチングすることを目的とする。本発明はまた。試料
に印加する負のバイアス電圧と、プラズマ密度を高める
ためのマグネトロン電極に印加する電圧の夫々の電圧に
対し、最適条件を与え、試料に損傷を与えることなくし
かもこれを高速にエツチングすることを可能にする新規
の装置の提供金目的とする。
の、均１−性Ｏ悪さを改善し、同か、つ、高速に試料を
エツチングすることを目的とする。本発明はまた。試料
に印加する負のバイアス電圧と、プラズマ密度を高める
ためのマグネトロン電極に印加する電圧の夫々の電圧に
対し、最適条件を与え、試料に損傷を与えることなくし
かもこれを高速にエツチングすることを可能にする新規
の装置の提供金目的とする。
以下図を用い、実施例によって本発明の詳細な脱刷する
。
。
第１図は本発明の実施例である。図で１０１は円形、
形又は多角形断面の柱状のマグネトロン陰極であり２．
この柱面４に対向する位、置には試料＠極１００が置か
れ、その上に試料１０２が載置されている。柱状陰極１
０１の内部には磁石１０３ 、１０４ 、・・・・・・
・が収容されている。磁石は永久磁石でも電磁石でもよ
い。また単数、複数の何れでもよいが、複数のときは図
の如く同極を対向、させて収納する。図示しないが１．
スパッタエツチングの均一性を高めるために従来の装置
と同様に、これら磁石を、頻繁に、柱状陰極の軸方向に
移動させて磁界を変化さ虻る駆動機構を設ける仁とがあ
る。柱状陰極１０１゜試料電極１００は絶縁体１０５及
び１０６を介して１反応容器１１０に取付けられている
。それぞれはその構造及び必要に応じてシールド材で被
われ、不用の放電が柱状陰極の端部、試料電極の裏面等
で生じないように配慮さｎる。そｎに用いる方法は従来
の装置と同様であるため説明は省略する。柱状陰極１０
１は高周波電源１０９に接続されている。また試料電極
１００は高周波電源１９０に接続されている。（高周波
電源１９０は試料電極１００と柱状陰極１０１０間に接
続してもよい。）反応容器１１０は排気管１１１と排気
パルプ１１２を介し真空ポンプに接続されている。反応
性ガスはガスコントローラ１１３を通し１反応容器中に
導入される。
形又は多角形断面の柱状のマグネトロン陰極であり２．
この柱面４に対向する位、置には試料＠極１００が置か
れ、その上に試料１０２が載置されている。柱状陰極１
０１の内部には磁石１０３ 、１０４ 、・・・・・・
・が収容されている。磁石は永久磁石でも電磁石でもよ
い。また単数、複数の何れでもよいが、複数のときは図
の如く同極を対向、させて収納する。図示しないが１．
スパッタエツチングの均一性を高めるために従来の装置
と同様に、これら磁石を、頻繁に、柱状陰極の軸方向に
移動させて磁界を変化さ虻る駆動機構を設ける仁とがあ
る。柱状陰極１０１゜試料電極１００は絶縁体１０５及
び１０６を介して１反応容器１１０に取付けられている
。それぞれはその構造及び必要に応じてシールド材で被
われ、不用の放電が柱状陰極の端部、試料電極の裏面等
で生じないように配慮さｎる。そｎに用いる方法は従来
の装置と同様であるため説明は省略する。柱状陰極１０
１は高周波電源１０９に接続されている。また試料電極
１００は高周波電源１９０に接続されている。（高周波
電源１９０は試料電極１００と柱状陰極１０１０間に接
続してもよい。）反応容器１１０は排気管１１１と排気
パルプ１１２を介し真空ポンプに接続されている。反応
性ガスはガスコントローラ１１３を通し１反応容器中に
導入される。
さて、上記のようにした本発明の装置を動作するには、
まず２反応容器１１０を排気管１１１を５通して、１０
−３〜１０−’ Ｔｏｒｒ程度の真空に排気した後、ガ
スコントローラ１１３ ’に通し、ＣＦ、やＢＣｌ３等
のノーロゲン化活性ガスを導入し、真空度を１０〜１０
”−３Ｔｏｒｒに保つ＝この状態でＲＦｉｔ源１０９及
び１９０により、高周波電力を柱状陰極１０１及び試料
電極１００と１反応容器１１０の間に印加すると柱状陰
極１０１の周辺′マの間のイオンシース中に生じる電位
勾配従って電気力線は磁石１０３．１０４ 、・Ｎ％Ｎ
％％％％％によ多発生する磁界の磁力ｆ１！ｌ１６とは
ソ直交するために、電子はマグネトロン運動を起こし柱
状陰極１０１の周辺を回転しながら移動するが磁力線１
１６は柱状電極１０１から出入しているため電子は柱状
陰極１０１の周辺でらせん運動し柱状陰極に当ってｄは
ね返され、その状態が繰り返されるため、柱状Ｍ、１１
ｏ１近傍にはプラズマ密度の非常に高い領域を生じる。
まず２反応容器１１０を排気管１１１を５通して、１０
−３〜１０−’ Ｔｏｒｒ程度の真空に排気した後、ガ
スコントローラ１１３ ’に通し、ＣＦ、やＢＣｌ３等
のノーロゲン化活性ガスを導入し、真空度を１０〜１０
”−３Ｔｏｒｒに保つ＝この状態でＲＦｉｔ源１０９及
び１９０により、高周波電力を柱状陰極１０１及び試料
電極１００と１反応容器１１０の間に印加すると柱状陰
極１０１の周辺′マの間のイオンシース中に生じる電位
勾配従って電気力線は磁石１０３．１０４ 、・Ｎ％Ｎ
％％％％％によ多発生する磁界の磁力ｆ１！ｌ１６とは
ソ直交するために、電子はマグネトロン運動を起こし柱
状陰極１０１の周辺を回転しながら移動するが磁力線１
１６は柱状電極１０１から出入しているため電子は柱状
陰極１０１の周辺でらせん運動し柱状陰極に当ってｄは
ね返され、その状態が繰り返されるため、柱状Ｍ、１１
ｏ１近傍にはプラズマ密度の非常に高い領域を生じる。
このような高い密度のプラズマが生じると、プラズマの
インピーダンスが低下するため低電圧で多大なイオン電
流を柱状陰極及び試料電極に流すことが出来る。このた
め、柱状′［１極１０１の柱面に対向して置かれた試料
１０２のエツチング速度は従来のエツチング方式に比べ
て飛躍的に改善出来る。
インピーダンスが低下するため低電圧で多大なイオン電
流を柱状陰極及び試料電極に流すことが出来る。このた
め、柱状′［１極１０１の柱面に対向して置かれた試料
１０２のエツチング速度は従来のエツチング方式に比べ
て飛躍的に改善出来る。
そればかりでな（、ＲＦ’屯源１９０の電圧全調整して
試料１０２に入射するイオンの入射エネルギーに従来の
反応性イオンエツチング装置に比較して充分低くとシし
かも集中したプラズマを試料電極１００の周辺に置くよ
うにすることができるため、試料ユ０２上ではイーオン
入射や不純物汚染によるダメージの少ない高速エツチン
グを行うことが出来る。
試料１０２に入射するイオンの入射エネルギーに従来の
反応性イオンエツチング装置に比較して充分低くとシし
かも集中したプラズマを試料電極１００の周辺に置くよ
うにすることができるため、試料ユ０２上ではイーオン
入射や不純物汚染によるダメージの少ない高速エツチン
グを行うことが出来る。
試料１０２を載置する試料電極１００ Ｆｉ第１図と同
様のものを柱状電極１０１の周囲に複数個配置すること
ができる。そしてそのときの電源１９０は共通にも２個
別にも設けることができる。試料電極１００の試料１０
２で覆われる部分以外の部分が広いときは、その部分を
石英、テフロン等で作られたカバープレートで覆い、ま
た柱状陰極１０１の内部を水冷パイプで水冷することは
従来の装置同様好結果をもたらす。
様のものを柱状電極１０１の周囲に複数個配置すること
ができる。そしてそのときの電源１９０は共通にも２個
別にも設けることができる。試料電極１００の試料１０
２で覆われる部分以外の部分が広いときは、その部分を
石英、テフロン等で作られたカバープレートで覆い、ま
た柱状陰極１０１の内部を水冷パイプで水冷することは
従来の装置同様好結果をもたらす。
柱状陰極１０１の断面形状は、対向して設備される試料
電極の数に応じて、それらに平面状の柱面を対面させる
ためこれを三角、六角、六角等の多角形にすること、ま
た対向柱面の各全綴やかな凸又は凹面にすることもエツ
チングの均一性向上に好影響をもたらす。当然のことな
がら試料電極の一つの面上に多数の試料を載置すればよ
シ多数の枚数のエツチングが同時に可能である。
電極の数に応じて、それらに平面状の柱面を対面させる
ためこれを三角、六角、六角等の多角形にすること、ま
た対向柱面の各全綴やかな凸又は凹面にすることもエツ
チングの均一性向上に好影響をもたらす。当然のことな
がら試料電極の一つの面上に多数の試料を載置すればよ
シ多数の枚数のエツチングが同時に可能である。
第２，３図は本発明を一枚処理のエツチング装置に応用
する時の装置の構成を示す側面図である。
する時の装置の構成を示す側面図である。
柱状陰極の断面が円形の場合と 形の場合を示した。
本発明のドライエツチング装置は以上に示す通シであっ
て、前記した従来の諸装置の欠点を解消し、前記の目的
を達成するものである。即ち１本発明に於ては、各部材
の大きさ、距離゛を適嶺にすることによって極めて容易
に、高密度プラズマによる均一なエツチング速度の高速
エツチングを。
て、前記した従来の諸装置の欠点を解消し、前記の目的
を達成するものである。即ち１本発明に於ては、各部材
の大きさ、距離゛を適嶺にすることによって極めて容易
に、高密度プラズマによる均一なエツチング速度の高速
エツチングを。
試料に大きい損傷を与えることなく実現することが可能
となる。
となる。
なお、電源１０９．１９０の電圧、電流、直・交流の別
１周減数１位相はこれを夫々適値に選定するものである
。その選択の自由度は極めて高い。
１周減数１位相はこれを夫々適値に選定するものである
。その選択の自由度は極めて高い。
第４図は反応容器１１０の外側に′醒磁コイル１１４゜
電極１０１の磁力線の上に、柱状電極の軸にほゞ平行に
磁力ｆｌｉｌＢを加算させたものである。
電極１０１の磁力線の上に、柱状電極の軸にほゞ平行に
磁力ｆｌｉｌＢを加算させたものである。
但し柱状陰極内の磁石は単一にしてチシ、その磁力線は
磁力線Ｂとはｙ同方向にしである。
磁力線Ｂとはｙ同方向にしである。
この構成によって、柱状陰極１０１及び試料電極１０２
の近傍の磁束密度が一層増加し、前述した諸効果は高め
られる。
の近傍の磁束密度が一層増加し、前述した諸効果は高め
られる。
なお、柱状陰極内の磁石が、同極を突合せた複数磁石と
なるときには、これに合せて、電磁コイルの数、極性を
構成することになる。この柱状電極の外部に設置する磁
石も、電磁石、永久磁石の何れでもよく、その設置場所
も反応容器の外に限定されない。
なるときには、これに合せて、電磁コイルの数、極性を
構成することになる。この柱状電極の外部に設置する磁
石も、電磁石、永久磁石の何れでもよく、その設置場所
も反応容器の外に限定されない。
寸だ以上はドライエツチング装置で代＾させて本発明を
説明したが、この構成の装置が膜堆積その他のプラズマ
表面処理全般に利用できることは明らかである。
説明したが、この構成の装置が膜堆積その他のプラズマ
表面処理全般に利用できることは明らかである。
簡単な装置によって良質、高速のスパッタエツチング？
可能にする本発明の工業的価値は尚〈。
可能にする本発明の工業的価値は尚〈。
工業上有益な発明ということができる。
第１図は本発明の実施例の断面図、第２．３図は第１図
の側断面で単一試料電極の場合である。 １００・・・・・・・・・試料電極 、１ｏ１・・・・
・・・・・柱状陰極１０２・・・・・・・・・試料、１
０３，１０４，１１４，１１５・・四ｉ石１０５ 、１
０６−−−−−−絶縁体、 １０９ 、 ｔ ９０−
・−・・′Ｒｔ源１１０・・・・・・・・・反応容器
、１１１・・・聞・・排気管１１２・・・・・・・・・
排気パルプ １１３・・・・・・・・・ガスコントローラ特許出願人
日電アネルバ株式会社ＦＩＧ、１ 手続補正書（方式） ％式％ ２、発明の名称 プラズマ表面処理装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒１８３東京都府中市四谷５−８−１名 称
日電アネルパ株式会社 代表者織 田善次部 ４、代 理 人 住所 〒１８３東京都府中市四谷５−８−１昭和６０年
８月２７日（発送日） １３頁第１５行〜１６行番こ［第１図は・・・・・・場
合である。」とあるのを次の通り補正する。 「第１図は、第１の発明の実施例の断面図、第２，３図
は第１図の側断面で単−試料値極の場合、第４図は、第
２の発明の実施例の断面図である。」
の側断面で単一試料電極の場合である。 １００・・・・・・・・・試料電極 、１ｏ１・・・・
・・・・・柱状陰極１０２・・・・・・・・・試料、１
０３，１０４，１１４，１１５・・四ｉ石１０５ 、１
０６−−−−−−絶縁体、 １０９ 、 ｔ ９０−
・−・・′Ｒｔ源１１０・・・・・・・・・反応容器
、１１１・・・聞・・排気管１１２・・・・・・・・・
排気パルプ １１３・・・・・・・・・ガスコントローラ特許出願人
日電アネルバ株式会社ＦＩＧ、１ 手続補正書（方式） ％式％ ２、発明の名称 プラズマ表面処理装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒１８３東京都府中市四谷５−８−１名 称
日電アネルパ株式会社 代表者織 田善次部 ４、代 理 人 住所 〒１８３東京都府中市四谷５−８−１昭和６０年
８月２７日（発送日） １３頁第１５行〜１６行番こ［第１図は・・・・・・場
合である。」とあるのを次の通り補正する。 「第１図は、第１の発明の実施例の断面図、第２，３図
は第１図の側断面で単−試料値極の場合、第４図は、第
２の発明の実施例の断面図である。」
Claims (10)
- （１）電極内部に設けた磁石により該電極の表面の近傍
に該表面より出、入する磁力線を発生させる柱状のマグ
ネトロン陰極と、該柱状陰極の周囲を囲む反応容器壁等
で構成される陽極と、該柱状陰極の柱面に対向する位置
に置かれた試料電極と、該柱状陰極と該陽極の間に高周
波又は直流電圧を印加して該磁力線にほゞ直交する電気
力線を発注する手段と、該陽極又は該柱状陰極と該試料
電極の間に高周波又は直流電圧を印加する手段とを具え
、該試料電極上に載置した試料を、反応容器中に導入し
た活性ガスのプラズマにより処理することを特徴とする
プラズマ表面処理装置 - （２）該柱状陰極がその電極内部に、複数個の永久磁石
であって互にその同極を対向させて連結しているものを
内蔵していることを特徴とする第１項記載のプラズマ表
面処理装置 - （３）該柱状陰極の試料電極に対向する面が平面又は緩
やかな凸又は凹の曲面で構成されていることを特徴とす
る。第１又は２項記載のプラズマ表面処理装置 - （４）該試料電極が該柱状陰極の周囲に複数個置かれて
いることを特徴とする第１、２又は３項記載のプラズマ
表面処理装置 - （５）該柱状陰極内部の磁石を、その軸方向に往復運動
させる機構を備えていることを特徴とする第１、２、３
又は４項記載のプラズマ表面処理装置 - （６）電極内部に設けた磁石により該電極の表面の近傍
に該表面より出、入する磁力線を発生させる柱状のマグ
ネトロン陰極と、該柱状陰極の軸にほゞ平行な磁力線を
該柱状陰極と該試料電極の間の空間に発生する手段と、
該柱状陰極の周囲を囲む反応容器壁等で構成される陽極
と、該柱状陰極の柱面に対向する位置に置かれた試料電
極と、該柱状陰極と該陽極の間に高周波又は直流電圧を
印加して該二つの磁力線にほゞ直交する電気力線を発生
する手段と、該陽極又は該柱状陰極と該試料電極の間に
高周波又は直流電圧を印加する手段とを具え、該試料電
極上に載置した試料を、反応容器中に導入した活性ガス
のプラズマにより処理することを特徴とするプラズマ表
面処理装置 - （７）該柱状陰極がその電極内部に、複数個の永久磁石
であって互にその同極を対向させて連結しているものを
内蔵していることを特徴とする第６項記載のプラズマ表
面処理装置 - （８）該柱状陰極の試料電極に対向する面が平面又は緩
やかな凸又は凹の曲面で構成されていることを特徴とす
る。第６又は７項記載のプラズマ表面処理装置 - （９）該試料電極が該柱状陰極の周囲に複数個置かれて
いることを特徴とする第６、７、又は８項記載のプラズ
マ表面処理装置 - （１０）該柱状陰極内部の磁石を、その軸方向に往復運
動させる機構を備えていることを特徴とする第６、７、
８又は９項記載のプラズマ表面処理装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6019584A JPS6139521A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | プラズマ表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6019584A JPS6139521A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | プラズマ表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139521A true JPS6139521A (ja) | 1986-02-25 |
Family
ID=13135127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6019584A Pending JPS6139521A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | プラズマ表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139521A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0359966A2 (de) * | 1988-09-23 | 1990-03-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Vorrichtung zum reaktiven Ionenätzen |
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-
1984
- 1984-03-28 JP JP6019584A patent/JPS6139521A/ja active Pending
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| US7491649B2 (en) | 1998-12-11 | 2009-02-17 | Surface Technology Systems Plc | Plasma processing apparatus |
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