KR100492068B1 - 넓은 볼륨의 플라즈마 발생을 위한 유도 플라즈마 챔버 - Google Patents

넓은 볼륨의 플라즈마 발생을 위한 유도 플라즈마 챔버 Download PDF

Info

Publication number
KR100492068B1
KR100492068B1 KR10-2003-0028707A KR20030028707A KR100492068B1 KR 100492068 B1 KR100492068 B1 KR 100492068B1 KR 20030028707 A KR20030028707 A KR 20030028707A KR 100492068 B1 KR100492068 B1 KR 100492068B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
discharge tube
process chamber
tube bridge
chamber
Prior art date
Application number
KR10-2003-0028707A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040095100A (ko
Inventor
위순임
Original Assignee
위순임
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 위순임 filed Critical 위순임
Priority to KR10-2003-0028707A priority Critical patent/KR100492068B1/ko
Publication of KR20040095100A publication Critical patent/KR20040095100A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100492068B1 publication Critical patent/KR100492068B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H01J37/32669—Particular magnets or magnet arrangements for controlling the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support

Abstract

본 발명의 유도 플라즈마 챔버는 프로세스 챔버와 그 상부에 결합되는 플라즈마 반응기를 구비한다. 프로세스 챔버는 작업편이 놓여지는 서셉터가 저면에 마련되고, 상부면에는 직경 방향으로 대칭된 두 개의 개구부가 형성된다. 플라즈마 반응기는 양단이 절곡된 중공형의 방전관 브리지와 그 상부에 가스 주입구가 연결되고, 가스 주입구의 양측으로 방전관 브리지에 복수개의 페라이트 코어가 설치된다. 페라이트 코어는 RF 전원 공급원에 연결되는 권선을 구비한다. 그리고 프로세스 챔버의 상부면에는 방전관 브리지의 아래에 복수개의 영구 자석들이 일정 간격을 가지고 배열 설치된다. 유도 플라즈마 챔버는 RF 전원 공급원으로부터 페라이트 코어의 권선으로 RF 전원이 공급되면 방전관 브리지와 프로세스 챔버의 내부로 이어지는 방전 패스를 따라 기전력을 전달되어 플라즈마 방전이 이루어진다. 이때, 복수개의 영구 자석에 의해 플라즈마 방전 경로가 유도되어 프로세스 챔버 내부에 고르게 플라즈마 방전이 이루어진다. 이와 같은 본 발명의 유도 플라즈마 챔버는 플라즈마 볼륨을 크게 하면서도 균일도를 높이고 더불어 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있고 높은 압력에서 플라즈마 강도를 세게 할 수 있어 대면적의 플라즈마 처리가 가능하다.

Description

넓은 볼륨의 플라즈마 발생을 위한 유도 플라즈마 챔버{INDUCTIVE PLASMA CHAMBER FOR GENERATING WIDE VOLUME PLASMA}
본 발명은 플라즈마 소스(plasma source)에 관한 것으로, 구체적으로는 유도 결합 플라즈마 소스(inductive coupled plasma source)에 관한 것으로 넓은 볼륨의 플라즈마를 얻을 수 있는 폭이 넓은 방전관 브리지(discharge tube bridge)를 구비하는 유도 플라즈마 챔버에 관한 것이다.
플라즈마는 같은 수의 음이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 현제 플라즈마 소스는 다양한 분야에서 넓게 사용되고 있다. 반도체 칩을 생산하기 위한 반도체 장치의 제조 예를 들어, 세정(cleaning), 식각(etching), 도포(deposition) 등에 사용되고 있다.
ICP(inductive coupled plasma) 또는 TCP(transformer coupled plasma) 발생 기술에 관해서는 이 응용 분야에서 널리 연구되어 오고 있다. RF ICP 방식은 플라즈마 발생을 위한 전자기 에너지를 제공함에 있어 플라즈마에 접촉되는 전극을 갖지 않는 이점을 제공한다. 전극을 이용하는 CCP(Capacitive Coupled Plasma) 방식은 플라즈마에 접촉되는 전극으로부터 불순물이 발생되어 최종 결과물에 악영향을 주게 된다.
초기 ICP 방식의 플라즈마 소스에 관한 기술로 1984년 2월 14일 알란 알 레인버그 등에게 허여된 미국특허공보 제4,431,898호에 플라즈마 에칭 및 레지스트 스트립핑을 위한 유도 결합 방전에 관한 기술이 개시되어 있다.
최근 플라즈마를 이용하는 기술분야에서는 보다 넓은 볼륨과 균일도 및 고밀도를 갖는 플라즈마 소스가 요구되고 있다. 반도체 장치의 생산에 있어서 대형 사이즈의 웨이퍼를 효과적으로 가공할 수 있는 플라즈마 소스가 요구되고 있다. 액정 디스플레이 패널의 생산에 있어서도 대형 사이즈의 액정 디스플레이 패널의 가공을 가능하게 하는 플라즈마 소스가 요구되고 있다. 그러나 넓은 볼륨의 플라즈마를 얻기 위해 단순히 유도 코일이나 트랜스포머의 크기를 크게 하는 것으로는 균일도가 높은 고밀도의 플라즈마를 얻기 어렵다.
이와 관련된 기술로는 2002년 5월 21일 에제니 브이 션코에게 허여된 미국특허공보 제6392351호에 외부 방전 브리지를 갖는 유도 RF 플라즈마 소스에 관한 기술이 개시되어 있다. 그리고 2002년 8월 13일 레오나드 제이 마호니 등에게 허여된 미국특허공보 제6432260호에 프로세스 가스 및 재료를 위한 유도 결합 링-플라즈마 소스 장치 그리고 그 방법에 관한 기술이 개시되어 있다.
그러나 상술한 기술들에서 제한하는 트랜스포머가 결합된 C-형상 브리지(C-shape bridge) 만으로는 넓은 볼륨과 함께 균일도가 향상된 높은 밀도의 플라즈마를 얻기는 어렵다. 예를 들어, C-형상 브리지와 작업 챔버(working chamber or process chamber)의 연결 구조는 플라즈마 가스가 작업 챔버 내부에 고밀도를 유지하면서 균일하게 확산되기에는 어려운 구조이다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 플라즈마 볼륨을 크게 하면서도 균일도를 높이고 더불어 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있어 대면적화가 가능한 넓은 볼륨의 플라즈마 발생을 위한 유도 플라즈마 챔버를 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 유도 플라즈마 챔버는: 작업편이 놓여지는 서셉터가 저면에 마련되고, 상부면에 직경 방향으로 대칭된 두 개의 개구부가 형성된 프로세스 챔버; 양단이 절곡된 중공형의 방전관 브리지와 그 상부에 가스 주입구가 연결되고, 가스 주입구의 양측으로 방전관 브리지에 설치되는 복수개의 페라이트 코어, 상기 페라이트 코어는 전원공급원에 연결되는 권선을 구비하여 방전관 브리지와 프로세스 챔버의 내부로 이어지는 방전 패스를 따라 기전력을 전달하여 플라즈마를 발생하는 플라즈마 반응기; 및 상기 프로세스 챔버의 상부면에 프로세스 챔버 내부에 고르게 플라즈마 방전이 이루어지도록 플라즈마 방전 경로를 유도하기 위한 복수개의 영구 자석들이 나열된다.
이 실시예에 있어서, 상기 방전관 브리지와 프로세스 챔버 사이에 링형의 절연부재와 링형의 진공 실이 연결된다.
이 실시예에 있어서, 상기 방전관 브리지는 가스 주입구가 설치된 내측에 직경 방향으로 설치되는 다수의 통공이 형성된 가스 분배기를 포함한다.
이 실시예에 있어서, 상기 프로세스 챔버의 개구부 주변에 가스 배출량을 조절하기 위한 가스 조절 부재를 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 유도 플라즈마 챔버는: 작업편이 놓여지는 서셉터가 저면에 마련되고, 상부면에 직경 방향으로 대칭된 두 개의 개구부가 형성된 프로세스 챔버; 양단이 절곡된 중공형의 방전관 브리지와 그 상부에 가스 주입구가 연결되고, 가스 주입구의 양측으로 방전관 브리지에 설치되는 복수개의 페라이트 코어, 상기 페라이트 코어는 전원공급원에 연결되는 권선을 구비하여 방전관 브리지와 프로세스 챔버의 내부로 이어지는 방전 패스를 따라 기전력을 전달하여 플라즈마를 발생하는 플라즈마 반응기; 및 상기 프로세스 챔버의 양 개구부의 아래에 마주보도록 한 쌍의 자력선 발생 수단이 장착된 자기 스캐너, 자기 스캐너는 양 개구부 사이에 자력선을 발생시키고 자력선 발생 수단이 개구부의 직경 방향으로 전후로 이동하면서 플라즈마가 왕복으로 이동되게 한다.
이 실시예에 있어서, 상기 자기 스캐너는 프로세스 챔버의 양 개구부 아래에 개구부의 직경 방향으로 설치되는 스크류 축; 스크류 축의 회전에 따라 전후로 이동하는 이동 부재, 이동 부재에는 상기 자력선 발생 수단이 장착되고; 스크류 축을 회전시기 위한 동력 수단을 포함한다.
이 실시예에 있어서, 상기 자력선 발생 수단은 영구 자석으로 구성된다.
이 실시예에 있어서, 상기 방전관 브리지와 프로세스 챔버 사이에 링형의 절연부재와 링형의 진공 실이 연결된다.
이 실시예에 있어서, 상기 방전관 브리지는 가스 주입구가 설치된 내측에 직경 방향으로 설치되는 다수의 통공이 형성된 가스 분배기를 포함한다.
이 실시예에 있어서, 상기 프로세스 챔버의 개구부 주변에 가스 배출량을 조절하기 위한 가스 조절 부재를 포함한다.
(실시예)
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.
본 발명은 볼륨이 넓은 플라즈마가 요구되는 공정에 효과적으로 사용될 수 있는 유도 플라즈마 챔버를 제공한다. 본 발명자는 이와 관련된 기술을 2002년 2월 22일자 국내 특허 출원 제10-2003-0010556호 대면적 유도 플라즈마 발생 장치를 출원한 바 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명과 관련된 유도 플라즈마 챔버의 사시도 및 단면도이다. 도면을 참조하여, 유도 플라즈마 챔버는 작업편(work piece)(16) 예컨대 웨이퍼가 놓여지는 서셉터(14)가 저면에 마련된 프로세스 챔버(10)와 그 상부에 플라즈마 반응기(20)가 장착된다. 서셉터(14)는 바이어스 전원 공급원(32)에 전기적으로 연결된다.
플라즈마 반응기(20)는 양단이 절곡된 중공형(hollow type)의 방전관 브리지(22)와 그 상부에 연결된 가스 주입구(24)의 양측으로 하나 이상의 페라이트 코어(26)가 설치된다. 방전관 브리지는 그 직경이 넓고 특히나 양단으로 갈수록 점차적으로 직경이 더 넓어지게 되어 대면적의 플라즈마 얻을 수 있는 구조를 갖는다. 페라이트 코어(26)는 RF 전원 공급원(34)에 연결되는 권선(28)을 갖는다. 방전관 브리지(22)와 프로세스 챔버(10) 사이에는 절연 패킹(30)이 설치된다.
이와 같은 유도 플라즈마 챔버는 가스 입구(24)를 통해 공정 가스가 주입되고 권선(28)에 전원 공급원(34)으로부터 RF 전원이 공급되면 방전관 브리지(22)와 프로세스 챔버(10)의 내부로 이어지는 방전 패스(discharge path)를 따라 기전력(electromotive force)이 전달되어 플라즈마 방전이 이루어진다.
그런데 본 발명자는 이와 같은 유도 플라즈마 챔버에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 공정 특성에 따라 플라즈마 방전이 어느 한쪽으로 치우쳐 지엽적으로 발생되는 경우가 있음을 발견하게 되었다.
이에 본 발명자는 플라즈마 볼륨을 크게 하면서도 균일도를 높이고 더불어 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있는 유도 플라즈마 챔버를 제공함과 공정 조건에 따라 플라즈마가 지엽적으로 치우쳐 발생되는 것을 방지할 수 있는 유도 플라즈마 챔버를 제공하고자 한다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 유도 플라즈마 챔버의 사시도 및 단면도이다.
도면을 참조하여, 유도 플라즈마 챔버는 프로세스 챔버(40)와 그 상부에 결합되는 플라즈마 반응기(20)를 구비한다. 프로세스 챔버(40)는 작업편(46) 예컨대 웨이퍼가 놓여지는 서셉터(44)가 저면에 마련되고, 상부면(42)에는 직경 방향으로 대칭된 두 개의 개구부(43)가 형성된다. 플라즈마 반응기(20)는 양단이 절곡된 중공형의 방전관 브리지(52)와 그 상부에 가스 주입구(54)가 연결되고, 가스 주입구(54)의 양측으로 방전관 브리지(52)에 복수개의 페라이트 코어(56)가 설치된다. 페라이트 코어(56)는 RF 전원 공급원(64)에 연결되는 권선(58)을 구비한다. 그리고 프로세스 챔버(40)의 상부면(42)에는 방전관 브리지(52)의 아래에 복수개의 영구 자석(65)들이 일정 간격을 가지고 배열 설치된다.
도 6은 방전관 브리지의 가스 분배기 구조를 보여주기 위한 평면도이다. 도면에 도시된 바와 같이, 방전관 브리지(52)는 가스 주입구(54)가 설치된 내측에 다수의 통공(57)이 형성된 가스 분배기(55)가 장착된다. 가스 주입구(54)로 주입되는 가스는 가스 분배기(55)를 통해 방전관 브리지(52)에 고르게 분포되면서 프로세스 챔버(40)로 유입된다.
도 7은 방전관 브리지와 프로세스 챔버의 연결 구조를 보여주는 도면이다. 도면을 참조하여, 방전관 브리지(52)와 프로세스 챔버(40)는 연결 부분에는 링형의 진공 실(vacuum seal)(61)이 설치되고 그 내측으로 링형의 절연부재(63) 예컨대 세라믹 링이 설치된다.
이와 같은 유도 플라즈마 챔버는 RF 전원 공급원(64)으로부터 페라이트 코어(56)의 권선(58)으로 RF 전원이 공급되면 방전관 브리지(52)와 프로세스 챔버(40)의 내부로 이어지는 방전 패스를 따라 기전력을 전달되어 플라즈마 방전이 이루어진다. 이때, 복수개의 영구 자석(65)에 의해 플라즈마 방전 경로가 유도되어 프로세스 챔버(40) 내부에 고르게 플라즈마 방전이 이루어진다.
본 발명의 유도 플라즈마 챔버는 플라즈마 발생 밀도를 조절하기 위해, 도 8에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(40)의 개구부(43) 주변에 가스 배출 조절 부재를 설치할 수 있다. 이 조절 부재는 다수의 끼움홈이 마련된 조절편(76)과 이를 장착할 수 있는 지지대(74)가 프로세스 챔버(40)의 측벽에 장착된다.
본 발명의 유도 플라즈마 챔버는 상술한 바와 같이 프로세스 챔버(40)의 상부면(42)에 복수개의 영구 자석(65)을 설치하지 않고 다음과 같이 자기 스캐너를 설치할 수 있다. 도 9는 프로세스 챔버에 자기 스캐너를 설치한 예를 보여주는 평면도이다.
프로세스 챔버(40)의 양 개구부(43)의 아래에 마주보도록 한 쌍의 자력선 발생 수단이 장착된 자기 스캐너를 설치한다. 자기 스캐너는 프로세스 챔버(40)의 양 개구부(43) 아래에 개구부의 직경 방향으로 설치되는 스크류 축(72)과 스크류 축(72)의 회전에 따라 전후로 이동하는 이동 부재(74), 이동 부재(74)에는 자력선 발생 수단(76) 예컨대, 영구자석이 장착된다. 그리고 스크류 축을 회전시기 위한 동력 수단(70) 예컨대 모터 로 구성된다.
이와 같은 자기 스캐너는 양 개구부(43) 사이에 자력선(77)을 발생시키면서 개구부의 직경 방향으로 전후로 이동하여 플라즈마가 왕복으로 이동되게 하여 대면적의 플라즈마 처리가 가능하게 한다.
이상에서 본 발명에 따른 넓은 볼륨의 플라즈마 발생을 위한 유도 플라즈마 챔버의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였으나, 이는 일예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 플라즈마 볼륨을 크게 하면서도 균일도를 높이고 더불어 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있고 높은 압력에서 플라즈마 강도를 세게 할 수 있어 대면적의 플라즈마 처리가 가능하다.
도 1 및 도 2는 본 발명과 관련된 유도 플라즈마 챔버의 사시도 및 단면도;
도 3은 도 1에 도시된 유도 플라즈마 챔버에서 발생될 수 있는 플라즈마 가스를 일 예를 가시적으로 표현한 도면;
도 4 및 도 5는 본 발명의 유도 플라즈마 챔버의 사시도 및 단면도;
도 6은 방전관 브리지의 가스 분배기 구조를 보여주기 위한 평면도;
도 7은 방전관 브리지와 프로세스 챔버의 연결 구조를 보여주는 도면;
도 8은 프로세스 챔버의 개구부 주변에 가스 배출 조절 부재를 설치한 예를 보여주는 도면; 그리고
도 9는 프로세스 챔버에 자석 스캐너를 설치한 예를 보여주는 평면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10, 40: 프로세스 챔버 20, 50: 플라즈마 반응기
26, 56: 페라이트 코어 14, 44: 서셉터
32, 62: 바이어스 전원 공급원 34, 64: RF 전원 공급원
65: 영구 자석

Claims (10)

  1. 작업편이 놓여지는 서셉터가 저면에 마련되고, 상부면에 직경 방향으로 대칭된 두 개의 개구부가 형성된 프로세스 챔버;
    양단이 절곡된 중공형의 방전관 브리지와 그 상부에 가스 주입구가 연결되고, 가스 주입구의 양측으로 방전관 브리지에 설치되는 복수개의 페라이트 코어, 상기 페라이트 코어는 전원공급원에 연결되는 권선을 구비하여 방전관 브리지와 프로세스 챔버의 내부로 이어지는 방전 패스를 따라 기전력을 전달하여 플라즈마를 발생하는 플라즈마 반응기; 및
    상기 프로세스 챔버의 상부면에 프로세스 챔버 내부에 고르게 플라즈마 방전이 이루어지도록 플라즈마 방전 경로를 유도하기 위한 복수개의 영구 자석들이 나열된 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 방전관 브리지와 프로세스 챔버 사이에 링형의 절연부재와 링형의 진공 실이 연결되는 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 방전관 브리지는 가스 주입구가 설치된 내측에 직경 방향으로 설치되는 다수의 통공이 형성된 가스 분배기를 포함하는 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버의 개구부 주변에 가스 배출량을 조절하기 위한 가스 조절 부재를 포함하는 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  5. 작업편이 놓여지는 서셉터가 저면에 마련되고, 상부면에 직경 방향으로 대칭된 두 개의 개구부가 형성된 프로세스 챔버;
    양단이 절곡된 중공형의 방전관 브리지와 그 상부에 가스 주입구가 연결되고, 가스 주입구의 양측으로 방전관 브리지에 설치되는 복수개의 페라이트 코어, 상기 페라이트 코어는 전원공급원에 연결되는 권선을 구비하여 방전관 브리지와 프로세스 챔버의 내부로 이어지는 방전 패스를 따라 기전력을 전달하여 플라즈마를 발생하는 플라즈마 반응기; 및
    상기 프로세스 챔버의 양 개구부의 아래에 마주보도록 한 쌍의 자력선 발생 수단이 장착된 자기 스캐너, 자기 스캐너는 양 개구부 사이에 자력선을 발생시키고 자력선 발생 수단이 개구부의 직경 방향으로 전후로 이동하면서 플라즈마가 왕복으로 이동되게 하는 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 자기 스캐너는 프로세스 챔버의 양 개구부 아래에 개구부의 직경 방향으로 설치되는 스크류 축; 스크류 축의 회전에 따라 전후로 이동하는 이동 부재, 이동 부재에는 상기 자력선 발생 수단이 장착되고; 스크류 축을 회전시기 위한 동력 수단을 포함하는 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 자력선 발생 수단은 영구 자석으로 구성되는 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 방전관 브리지와 프로세스 챔버 사이에 링형의 절연부재와 링형의 진공 실이 연결되는 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 방전관 브리지는 가스 주입구가 설치된 내측에 직경 방향으로 설치되는 다수의 통공이 형성된 가스 분배기를 포함하는 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버의 개구부 주변에 가스 배출량을 조절하기 위한 가스 조절 부재를 포함하는 유도 플라즈마 챔버
KR10-2003-0028707A 2003-05-06 2003-05-06 넓은 볼륨의 플라즈마 발생을 위한 유도 플라즈마 챔버 KR100492068B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0028707A KR100492068B1 (ko) 2003-05-06 2003-05-06 넓은 볼륨의 플라즈마 발생을 위한 유도 플라즈마 챔버

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0028707A KR100492068B1 (ko) 2003-05-06 2003-05-06 넓은 볼륨의 플라즈마 발생을 위한 유도 플라즈마 챔버

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040095100A KR20040095100A (ko) 2004-11-12
KR100492068B1 true KR100492068B1 (ko) 2005-06-01

Family

ID=37374329

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0028707A KR100492068B1 (ko) 2003-05-06 2003-05-06 넓은 볼륨의 플라즈마 발생을 위한 유도 플라즈마 챔버

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100492068B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100793457B1 (ko) * 2006-04-24 2008-01-14 최대규 다중 방전실을 갖는 플라즈마 반응기
KR100756084B1 (ko) * 2006-05-29 2007-09-05 위순임 다중 플라즈마 반응기
KR100845903B1 (ko) * 2006-12-11 2008-07-16 주식회사 뉴파워 프라즈마 다중 코어 플라즈마 발생기를 갖는 플라즈마 반응기
KR101254574B1 (ko) * 2007-01-22 2013-04-15 주식회사 뉴파워 프라즈마 이중 가스 공급 채널을 갖는 플라즈마 처리 장치
KR100980281B1 (ko) * 2007-12-24 2010-09-06 주식회사 뉴파워 프라즈마 다중 코어 플라즈마 발생기를 갖는 이중 플라즈마 반응기
KR102619010B1 (ko) * 2016-05-27 2023-12-28 (주) 엔피홀딩스 페라이트 코어의 설치 위치를 변경한 플라즈마 챔버

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040095100A (ko) 2004-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7438783B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR100884416B1 (ko) 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
US8409400B2 (en) Inductive plasma chamber having multi discharge tube bridge
KR100988085B1 (ko) 고밀도 플라즈마 처리 장치
US20040168771A1 (en) Plasma reactor coil magnet
KR20020060969A (ko) 플라즈마 처리 시스템 및 그 방법
KR100733844B1 (ko) 중성빔을 이용한 플라즈마 발생장치 및 플라즈마 발생방법
JPH10270430A (ja) プラズマ処理装置
KR20020027604A (ko) 마그네트론 플라즈마 처리 장치
JP2003323997A (ja) プラズマ安定化方法およびプラズマ装置
KR100492068B1 (ko) 넓은 볼륨의 플라즈마 발생을 위한 유도 플라즈마 챔버
JPH06267903A (ja) プラズマ装置
TW200812444A (en) Compound plasma source and method for dissociating gases using the same
JP4527432B2 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
KR100575370B1 (ko) 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버
TWI817229B (zh) 下電極元件、等離子體處理裝置和更換聚焦環的方法
KR100844150B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 방법
JP5174848B2 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
KR100387926B1 (ko) 플라즈마 에칭 장치
JPH02312231A (ja) ドライエッチング装置
KR102553385B1 (ko) 기판 처리 장치
KR100739959B1 (ko) 반도체 장치 제조용 식각 챔버
WO2024018960A1 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JPH0621010A (ja) プラズマ処理装置
KR20100012418A (ko) 자기 조절 수단을 구비한 플라즈마 반응기

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130516

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140519

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee