JPS6348952A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
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- JPS6348952A JPS6348952A JP61192483A JP19248386A JPS6348952A JP S6348952 A JPS6348952 A JP S6348952A JP 61192483 A JP61192483 A JP 61192483A JP 19248386 A JP19248386 A JP 19248386A JP S6348952 A JPS6348952 A JP S6348952A
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は一次元に配列した複数の光導電素子を用いて光
学像を読取るイメージセンサに係り、特にマトリックス
駆動方式によるイメージセンサに関する。
学像を読取るイメージセンサに係り、特にマトリックス
駆動方式によるイメージセンサに関する。
(従来の技術)
ファクシミリ、OCR,複写礪等における画像読取り手
段としてのイメージセンサとして、読取るべき原稿の幅
以上の7レイ長を持つ長尺の一次元イメージセンサ(密
着型イメージセンサともいう)が注目されている。この
ようなイメージセンサの一つとして、マトリックス駆動
方式と称されるものがある。この方式は例えば文献1:
昭和59年電気四学会連合大会予稿集pp、 3−99
〜3−102[CdS系密着型イメージセンサ]に記載
されているように、−次元に配列された複数の光導電素
子を連続した複数の素子からなる複数の群に分割し、一
方の電極を各群毎に共通接続し、他方の電極を列配線お
よび行配線からなる2層マトリックス配線により各群間
で対応するものどうし共通接続して構成され、光導電素
子を群中位で順次選択しながら画像信号を読出すもので
ある。
段としてのイメージセンサとして、読取るべき原稿の幅
以上の7レイ長を持つ長尺の一次元イメージセンサ(密
着型イメージセンサともいう)が注目されている。この
ようなイメージセンサの一つとして、マトリックス駆動
方式と称されるものがある。この方式は例えば文献1:
昭和59年電気四学会連合大会予稿集pp、 3−99
〜3−102[CdS系密着型イメージセンサ]に記載
されているように、−次元に配列された複数の光導電素
子を連続した複数の素子からなる複数の群に分割し、一
方の電極を各群毎に共通接続し、他方の電極を列配線お
よび行配線からなる2層マトリックス配線により各群間
で対応するものどうし共通接続して構成され、光導電素
子を群中位で順次選択しながら画像信号を読出すもので
ある。
具体的にA4サイズの原稿を読取る場合を例にとると、
光導電素子の総数は1728@(8ドツト/扁)であり
、行配線の本数をα、共通接続配線の本数をβとして、
α×β=1728となる。ここで、従来では配線の本数
をルカ少なくすることによって、イメージセンサの構造
をI!!511化し、製造をより容易にすることを主眼
として、文献2:昭和59年電子通信学会全国大会論文
集No、1335 vo15゜1)107 (1985
)に記載されているように、α、βの和が最小に近く、
なおかつ回路構成上有利となるとなるように、すなわち
α−54,β=32に設定していた。
光導電素子の総数は1728@(8ドツト/扁)であり
、行配線の本数をα、共通接続配線の本数をβとして、
α×β=1728となる。ここで、従来では配線の本数
をルカ少なくすることによって、イメージセンサの構造
をI!!511化し、製造をより容易にすることを主眼
として、文献2:昭和59年電子通信学会全国大会論文
集No、1335 vo15゜1)107 (1985
)に記載されているように、α、βの和が最小に近く、
なおかつ回路構成上有利となるとなるように、すなわち
α−54,β=32に設定していた。
このとき、駆動電圧のデユーティ比、すなわち駆動電圧
印加周期をT1とし、駆動電圧印加時間をT2としたと
きのT2 /Ttの比は、駆動電圧を文献1中に記載さ
れている如く共通接続配線側に印加する場合でT2/T
t=1/β= 0.03125、駆動電圧を行配線側に
印加する場合で T2/T1=1/α−0,0185となる。
印加周期をT1とし、駆動電圧印加時間をT2としたと
きのT2 /Ttの比は、駆動電圧を文献1中に記載さ
れている如く共通接続配線側に印加する場合でT2/T
t=1/β= 0.03125、駆動電圧を行配線側に
印加する場合で T2/T1=1/α−0,0185となる。
しかしながら、このようなデユーティ比で駆動した場合
には、光導N素子に駆動電圧が印加されない期間中に生
じた光電流による蓄積電荷が、駆1llI電圧の印加期
間中に十分放出されず残留電荷として残ってしまう。こ
の結果、読取った画像に残像が生じ、光応答特性が悪化
するため、読取りの高速化が難しいという問題がある。
には、光導N素子に駆動電圧が印加されない期間中に生
じた光電流による蓄積電荷が、駆1llI電圧の印加期
間中に十分放出されず残留電荷として残ってしまう。こ
の結果、読取った画像に残像が生じ、光応答特性が悪化
するため、読取りの高速化が難しいという問題がある。
また、この問題は光導電素子上の照度を例えば200ル
クス以上と大きくすることによって解決されるが、その
場合には原稿面を照明する光源の大型化や消費電力の増
大を沼くことになり、好ましくない。この観点から最近
では光導電素子上の照度を100ルクス以下に抑えるこ
とが要求されている。
クス以上と大きくすることによって解決されるが、その
場合には原稿面を照明する光源の大型化や消費電力の増
大を沼くことになり、好ましくない。この観点から最近
では光導電素子上の照度を100ルクス以下に抑えるこ
とが要求されている。
(発明が解決しようとする問題点)
このように従来のマトリックス駆動方式の光導電型イメ
ージセンサでは、光導電素子上の照度を大きくすること
なく光応答特性を向上させることはできず、高速読取り
が難しいという問題があった。
ージセンサでは、光導電素子上の照度を大きくすること
なく光応答特性を向上させることはできず、高速読取り
が難しいという問題があった。
従って、本発明はマトリックス駆動方式による光導電型
イメージセンサにおいて、光導電素子上の照度が100
ルクスPi!度と低照度であっても良好な光応答特性が
得られ、読取りの高速化を図ることができるイメージセ
ンサを提供することを目的とする。
イメージセンサにおいて、光導電素子上の照度が100
ルクスPi!度と低照度であっても良好な光応答特性が
得られ、読取りの高速化を図ることができるイメージセ
ンサを提供することを目的とする。
[発明の構成コ
(問題点を解決するための手段)
本発明は上記目的を達成するため、駆動手段から行配線
または共通接続配線に印加される駆動電圧の印加周期を
T1とし、印加時間をT2としたとき、T2/TL≧0
.034としたことを特徴とする。
または共通接続配線に印加される駆動電圧の印加周期を
T1とし、印加時間をT2としたとき、T2/TL≧0
.034としたことを特徴とする。
(作用)
光導電素子を上記の条件を満たすデユーティ比で駆動す
ると、光導電素子上の照度が100ルクス程度の場合で
あってもモジュレーション・レシオとして2以上の値が
得られ、良好な光応答特性が得られる。これにより読取
り速度の高速化が図られる。
ると、光導電素子上の照度が100ルクス程度の場合で
あってもモジュレーション・レシオとして2以上の値が
得られ、良好な光応答特性が得られる。これにより読取
り速度の高速化が図られる。
(実施例)
第1図は本発明の一実1h例に係るイメージセンサの回
路図である。本実施例は読取るぺぎ最大の原稿としてA
4サイズを想定し、その原稿幅と同じ長さく216m+
)にわたって光導電素子を配列した実効長216Mのイ
メージセンサに本発明を適用した例であり、光導電素子
の総数はその密度を8ドツト、7Mとして1728個で
ある。
路図である。本実施例は読取るぺぎ最大の原稿としてA
4サイズを想定し、その原稿幅と同じ長さく216m+
)にわたって光導電素子を配列した実効長216Mのイ
メージセンサに本発明を適用した例であり、光導電素子
の総数はその密度を8ドツト、7Mとして1728個で
ある。
第1図において、1728個の光導電素子D1〜[)
1728は光導電層、例えば帯状のアモルファスシリコ
ン膜と、これに接して両側から対向して設けられたブレ
ーナ構造の電極群とからなり、−次元に配列され、16
個ずつを1単位とする108個の群に分割されている。
1728は光導電層、例えば帯状のアモルファスシリコ
ン膜と、これに接して両側から対向して設けられたブレ
ーナ構造の電極群とからなり、−次元に配列され、16
個ずつを1単位とする108個の群に分割されている。
光導電素子D1〜[)1728の一方の電極は、各群毎
に共通接続配線LA1〜LA108によって共通接続さ
れ、また各他方の電極は個別に列配線LBI〜L B
108に接続されている。
に共通接続配線LA1〜LA108によって共通接続さ
れ、また各他方の電極は個別に列配線LBI〜L B
108に接続されている。
列配ILB1〜L B 108はこれに層間絶縁膜を介
して設けられた行配線LCI〜LC1Bと共にマトリッ
クス配線を構成しており、これらの行配線LC1〜LC
16により、列配置jlLBl 〜LB108を介して
光導電素子D1〜[)1728の他方のN極が各群間で
対応するものどうし共通接続されている。
して設けられた行配線LCI〜LC1Bと共にマトリッ
クス配線を構成しており、これらの行配線LC1〜LC
16により、列配置jlLBl 〜LB108を介して
光導電素子D1〜[)1728の他方のN極が各群間で
対応するものどうし共通接続されている。
そして、行配線LCI〜LC16に駆動手段としての駆
動電圧発生回路DRが接続され、共通接続配線LA1〜
LA108画像信号読出しのためのアナログスイッチ8
1〜8108介して信号出力線LOが接続され、信号出
力線LOの終端に負荷抵抗RLおよび増幅器△MPが接
続されている。さらに、共通接続配線LA1〜LA10
8は、それぞれ非選択時(対応するアナログスイッチが
オフ状態のとき)の電位を安定化するためのプルダウン
抵抗R1〜R108を合して接地されている。これらア
ナログスイッチ81〜8108.信号出力線LO,負荷
抵抗RL、増幅器△MPおよびプルダウン抵抗R1〜R
108によって画像信号読出しのための検出回路DET
が構成される。
動電圧発生回路DRが接続され、共通接続配線LA1〜
LA108画像信号読出しのためのアナログスイッチ8
1〜8108介して信号出力線LOが接続され、信号出
力線LOの終端に負荷抵抗RLおよび増幅器△MPが接
続されている。さらに、共通接続配線LA1〜LA10
8は、それぞれ非選択時(対応するアナログスイッチが
オフ状態のとき)の電位を安定化するためのプルダウン
抵抗R1〜R108を合して接地されている。これらア
ナログスイッチ81〜8108.信号出力線LO,負荷
抵抗RL、増幅器△MPおよびプルダウン抵抗R1〜R
108によって画像信号読出しのための検出回路DET
が構成される。
光導電素子D1〜[)1728に結像された画像を読取
るときには、第2図に示すようにアナログスイッチ81
〜8108が順次一定期間ずつ閉じられ、その各期間中
に駆動電圧発生回路DRから行配線LC1〜LC16に
順次パルス状の電圧が印加される。これにより例えばア
ナログスイッチS1が閉じている期間中に、光導電素子
D1〜[)16からの信号電流が順次共通接続配線LA
1を通して信号出力線L○に導かれ、負荷抵抗RLおよ
び増幅器AMPを介して画像信号出力Voutとしてシ
リアルに取出される。以下、同様にアナログスイッチ8
1〜8108が順次閉じられ、その各期間中に対応する
光導電素子からの電流が順次画像信号出力VOt+tと
して取出される。
るときには、第2図に示すようにアナログスイッチ81
〜8108が順次一定期間ずつ閉じられ、その各期間中
に駆動電圧発生回路DRから行配線LC1〜LC16に
順次パルス状の電圧が印加される。これにより例えばア
ナログスイッチS1が閉じている期間中に、光導電素子
D1〜[)16からの信号電流が順次共通接続配線LA
1を通して信号出力線L○に導かれ、負荷抵抗RLおよ
び増幅器AMPを介して画像信号出力Voutとしてシ
リアルに取出される。以下、同様にアナログスイッチ8
1〜8108が順次閉じられ、その各期間中に対応する
光導電素子からの電流が順次画像信号出力VOt+tと
して取出される。
本実施例の場合、駆動電圧のデユーティ比、すなわち駆
動電圧発生回路ORから行配線LCI〜IC1aに印加
される駆動電圧の印加周期をT1とし、駆!III電圧
の印加時間をT2としたときのT2./Tlの比は、T
2 /Tt = 1/16=0.0625である。これ
は従来のA4サイズ用イメージセンサにおける駆動電圧
のデユーティ比(0,03125または0.0185)
より大きく、これによって光応答特性の向上と読取りの
高速化が図られている。
動電圧発生回路ORから行配線LCI〜IC1aに印加
される駆動電圧の印加周期をT1とし、駆!III電圧
の印加時間をT2としたときのT2./Tlの比は、T
2 /Tt = 1/16=0.0625である。これ
は従来のA4サイズ用イメージセンサにおける駆動電圧
のデユーティ比(0,03125または0.0185)
より大きく、これによって光応答特性の向上と読取りの
高速化が図られている。
この効果を確認するために本発明者が行なった実験結果
を説明する。第3図は駆動電圧のデユーティ比T2 /
TIに対する光導電素子の出力特性(V/Vo )と、
光応答特性としてのMR(モジュレーション・レシオ)
の変化を示したものである。ここで、出力特性は駆動電
圧を常時光導電素子に印加したときの出力電圧VOと、
駆動電圧を周期的に印加したときの出力電圧Vとの比V
/VDで表わしている。
を説明する。第3図は駆動電圧のデユーティ比T2 /
TIに対する光導電素子の出力特性(V/Vo )と、
光応答特性としてのMR(モジュレーション・レシオ)
の変化を示したものである。ここで、出力特性は駆動電
圧を常時光導電素子に印加したときの出力電圧VOと、
駆動電圧を周期的に印加したときの出力電圧Vとの比V
/VDで表わしている。
第4図は実験に供した光導電素子のサンプルを示したも
ので、ガラス基板1上に接11i1である厚さ2000
人のa−3iNx層2を介して、光導電層である厚さ1
μmのa−8i:H(水素化アモルファスシリコン)層
3を形成し、その上にオーミックコンタクト用の厚さ5
00人のn”−a−8i:8層4と、厚さ2000人の
11層5からなる櫛歯状′R極6a、6bを対向して設
けたものである。
ので、ガラス基板1上に接11i1である厚さ2000
人のa−3iNx層2を介して、光導電層である厚さ1
μmのa−8i:H(水素化アモルファスシリコン)層
3を形成し、その上にオーミックコンタクト用の厚さ5
00人のn”−a−8i:8層4と、厚さ2000人の
11層5からなる櫛歯状′R極6a、6bを対向して設
けたものである。
第5図は実験に使用した回路であり、LED駆動電源か
らの第6図Aに示す電圧波形が印90されるLEDアレ
イによって光導電素子に表面の照度が100ルクスとな
るようにガラス基板側から光を入射するとともに、光導
電素子に第6図Bに示すようにパルス電圧発生源から1
2Vの駆動電圧を周期T1でT2なる時間ずつ操返し印
加し、そのときの出力変化(第6図C)を観測した。ま
た、このときの出力変化Cのエンベロープを第6図りに
示す。ここで、第3図におけるモジュレーション・レシ
オM Rは、第6図りにおける出力の最小値12に対す
る、最大値11と最小値12との差の比、すなわちMR
−(il−i2)/i2で定義される。
らの第6図Aに示す電圧波形が印90されるLEDアレ
イによって光導電素子に表面の照度が100ルクスとな
るようにガラス基板側から光を入射するとともに、光導
電素子に第6図Bに示すようにパルス電圧発生源から1
2Vの駆動電圧を周期T1でT2なる時間ずつ操返し印
加し、そのときの出力変化(第6図C)を観測した。ま
た、このときの出力変化Cのエンベロープを第6図りに
示す。ここで、第3図におけるモジュレーション・レシ
オM Rは、第6図りにおける出力の最小値12に対す
る、最大値11と最小値12との差の比、すなわちMR
−(il−i2)/i2で定義される。
第3図に示されるように、MRはデユーティ比T2 /
Ttが大きくなるに従って増加し、T2 / TI =
0.034で一般的な実用上の下限である2に達する。
Ttが大きくなるに従って増加し、T2 / TI =
0.034で一般的な実用上の下限である2に達する。
従って、T2/TIは本発明のごと< 0.034以上
であることが要求される。
であることが要求される。
また、出力特性に関してはデユーティ比T2./T1を
小さくする程V / V oが大きくなるが、T2 /
TI =0.033偉で飽和し、それ以上の増加は望
めなくなる。従って、 T2 、/T工=0.034未満にすることは出力特性
向上の面からは無意味と言える。
小さくする程V / V oが大きくなるが、T2 /
TI =0.033偉で飽和し、それ以上の増加は望
めなくなる。従って、 T2 、/T工=0.034未満にすることは出力特性
向上の面からは無意味と言える。
なお、マトリックス駆動方式では連続した2個以上の光
導電素子で一つの群を構成するので、デユーティ比T2
/TIの上限はいうまでもなく0.5になる。
導電素子で一つの群を構成するので、デユーティ比T2
/TIの上限はいうまでもなく0.5になる。
第1図に示した本発明の一実施例に係るイメージセンサ
においては、T2 /TI =0.0625であるから
、第3図の結果よりMR”=4.5となり、光応答特性
は約105倍良好となるので、それだけ読取りの高速化
が図られる。また、このときの出力特性はT2−3〜1
2μseCのいずれにおいてもV/V口=2以上と良好
となる。
においては、T2 /TI =0.0625であるから
、第3図の結果よりMR”=4.5となり、光応答特性
は約105倍良好となるので、それだけ読取りの高速化
が図られる。また、このときの出力特性はT2−3〜1
2μseCのいずれにおいてもV/V口=2以上と良好
となる。
また、上記実施例によれば行配線LCI〜LCIGの本
数が従来の32本から16本と半分になることで、マト
リックス配線部の幅(行配線配列方向の寸法)も半分に
なるため、イメージセンサの小型化を図ることもできる
。さらに、共通接続配線LA1〜しAlO3の本数は1
08本と従来の2(8となるが、光導電素子の一つの群
を構成する素子数が16であることにより、共通接続配
線LA1〜l A 108のピッチは2mとなり、この
ピッチ内に十分な大きさの接続パッドを形成することが
可能となる。これにより、共通接続配線用の接続パッド
を光導電素子の配列方向と直交する方向に並べる必要が
なくなるから、接続パッドの形成によるイメージセンサ
の幅寸法の増大が防止される。
数が従来の32本から16本と半分になることで、マト
リックス配線部の幅(行配線配列方向の寸法)も半分に
なるため、イメージセンサの小型化を図ることもできる
。さらに、共通接続配線LA1〜しAlO3の本数は1
08本と従来の2(8となるが、光導電素子の一つの群
を構成する素子数が16であることにより、共通接続配
線LA1〜l A 108のピッチは2mとなり、この
ピッチ内に十分な大きさの接続パッドを形成することが
可能となる。これにより、共通接続配線用の接続パッド
を光導電素子の配列方向と直交する方向に並べる必要が
なくなるから、接続パッドの形成によるイメージセンサ
の幅寸法の増大が防止される。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
例えば上記実施例では駆動電圧を印加する側の配線であ
る行配線の本数を16本としたが、これは実用上駆動電
圧印加側の配線の本数が2のべき乗であることが、ディ
ジタル回路を用いて実現される駆動電圧発生回路DRの
構成上最適であることによる。このようなことを考慮し
ない場合は、110.034 舛29.LL−リ、駆t
ll!圧が印加される側の配線の本数は30本以下、2
本以上とすればよい。
例えば上記実施例では駆動電圧を印加する側の配線であ
る行配線の本数を16本としたが、これは実用上駆動電
圧印加側の配線の本数が2のべき乗であることが、ディ
ジタル回路を用いて実現される駆動電圧発生回路DRの
構成上最適であることによる。このようなことを考慮し
ない場合は、110.034 舛29.LL−リ、駆t
ll!圧が印加される側の配線の本数は30本以下、2
本以上とすればよい。
また、上記実施例では行配線に駆動電圧発生回路DRを
接続し、共通接続配線に検出回路DETを接続した場合
にも、本発明を適用することができる。
接続し、共通接続配線に検出回路DETを接続した場合
にも、本発明を適用することができる。
また、上記実施例では光導電素子として光導電素子のみ
を用いたものを示したが、光導電素子と分離用ダイオー
ドとを直列にしたものを用いてもよい。
を用いたものを示したが、光導電素子と分離用ダイオー
ドとを直列にしたものを用いてもよい。
さらに、上記実施例ではA4サイズの原稿を読取ること
が可能なイメージセンサについて説明したが、読取り可
能な最大の幅が85サイズの幅に相当する、実効長12
8Mのイメージセンサ(光導N素子の総数は密度が8ド
ツト/Sの場合で1024個)等にも本発明を適用する
ことができる。その他、本発明は要旨を逸脱しない範囲
で種々変形して実施することが可能である。
が可能なイメージセンサについて説明したが、読取り可
能な最大の幅が85サイズの幅に相当する、実効長12
8Mのイメージセンサ(光導N素子の総数は密度が8ド
ツト/Sの場合で1024個)等にも本発明を適用する
ことができる。その他、本発明は要旨を逸脱しない範囲
で種々変形して実施することが可能である。
[発明の効果]
本発明によれば、光導電素子上の照度が100ルクス程
度と低照度であってもモジュレーション・レシオの大き
い良好な光応答特性が得られ、読取りの高速化を図るこ
とができるマトリックス駆動方式の光導電型イメージセ
ンサを提供することができる。
度と低照度であってもモジュレーション・レシオの大き
い良好な光応答特性が得られ、読取りの高速化を図るこ
とができるマトリックス駆動方式の光導電型イメージセ
ンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係るイメージセンサの回路
図、第2図はその動作を示すタイミング図、第3図は同
実施例の効果を説明するための光導電素子の駆動電圧の
デユーティ比とモジュレーション・レシオおよび出力特
性との関係を実測した結果を示す図、第4図(a)(b
)は第3図の実験に用いた光導電素子サンプルの断面図
および電極部の平面図、第5図は同じく上記実験に用い
た回路を示す図、第6図は第5図の各部の電圧波形を示
す図である。 D1〜[) 1728・・・光導電素子、LAI〜L
A 108・・・共通接続配線、LB1〜131728
・・・列配線、LC1〜LC16・・・行配線、DR・
・・駆動電圧発生回路(駆動手段)、S1〜5108・
・・読出し用アナログスイッチ、RL・・・負荷抵抗、
AMP・・・増幅器、R1−R108・・・プルダウン
抵抗、DET・・・検出手段。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 I7 °第2 図 T殖1 第3図 (a) (b) 棺 l!!91 第5図
図、第2図はその動作を示すタイミング図、第3図は同
実施例の効果を説明するための光導電素子の駆動電圧の
デユーティ比とモジュレーション・レシオおよび出力特
性との関係を実測した結果を示す図、第4図(a)(b
)は第3図の実験に用いた光導電素子サンプルの断面図
および電極部の平面図、第5図は同じく上記実験に用い
た回路を示す図、第6図は第5図の各部の電圧波形を示
す図である。 D1〜[) 1728・・・光導電素子、LAI〜L
A 108・・・共通接続配線、LB1〜131728
・・・列配線、LC1〜LC16・・・行配線、DR・
・・駆動電圧発生回路(駆動手段)、S1〜5108・
・・読出し用アナログスイッチ、RL・・・負荷抵抗、
AMP・・・増幅器、R1−R108・・・プルダウン
抵抗、DET・・・検出手段。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 I7 °第2 図 T殖1 第3図 (a) (b) 棺 l!!91 第5図
Claims (3)
- (1)読取るべき原稿の幅以上の長さにわたって一次元
に配列され、連続した複数の素子からなる複数の群に分
割された複数の光導電素子と、これら複数の光導電素子
の一方の電極を各群毎に共通接続する共通接続配線と、
前記光導電素子の他方の電極に個別に接続された列配線
と、これらの列配線を介して前記光導電素子の他方の電
極を各群間で対応するものどうし共通接続する行配線と
、これらの行配線および前記共通接続配線のいずれか一
方に順次駆動電圧を印加する駆動手段と、この駆動手段
による駆動電圧の印加に伴なって前記行配線および前記
共通接続配線の他方を流れる電流を順次検出することに
より、前記光導電素子上に結像される光学像に対応した
画像信号を読出す検出手段とを備えたイメージセンサに
おいて、前記駆動手段からの駆動電圧印加周期をT_1
とし、駆動電圧印加時間をT_2としたとき、 T_2/T_1≧0.034としたことを特徴とするイ
メージセンサ。 - (2)前記行配線および前記共通接続配線のうち、前記
駆動手段からの駆動電圧が印加される側の配線の本数を
2本以上、30本以下とすることにより、前記T_2/
T_1≧0.034の条件を満足するようにしたことを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のイメージセンサ
。 - (3)前記光導電素子がアモルファスシリコンを光導電
層としたものであることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のイメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61192483A JPS6348952A (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61192483A JPS6348952A (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6348952A true JPS6348952A (ja) | 1988-03-01 |
Family
ID=16292044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61192483A Pending JPS6348952A (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6348952A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6261428B1 (en) | 1991-08-20 | 2001-07-17 | Tokyo Electron Limited | Magnetron plasma process apparatus |
-
1986
- 1986-08-18 JP JP61192483A patent/JPS6348952A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6261428B1 (en) | 1991-08-20 | 2001-07-17 | Tokyo Electron Limited | Magnetron plasma process apparatus |
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