JPH084128B2 - 画像読取装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、画像読取装置に関し、例えば一次元ライン
センサを有し、その一次元ラインセンサ上に対し密着さ
せた状態で画像読取りに係る原稿を相対的に移動させつ
つ画像情報を読取るファクシミリ装置、イメージリーダ
等に適用して好適な画像読取装置に関するものである。

［従来の技術］ 従来、一次元ラインセンサを用いる画像読取り装置と
しては、長さ数cmの一次元ラインセンサに縮小光学系を
用いて原稿像を結像させて原画像情報の読取りを行うも
のが知られている。しかしながら、この種の画像読取り
装置は縮小なしい結像を行うために大なる光路長を要
し、しかも光学系の体積が大きいために読取装置を小型
に構成することは困難であった。

一方、原稿幅と同じ長さの長尺一次元ラインセンサを
用いる等倍光学系を用いる場合においては、光学系の体
積は著しく減少でき、読取り装置の小型化を図ることが
できる。かかる等倍光学系を実現する方法としては、集
束性ファイバーを用いる方法やコンタクトレンズアレイ
を用いる方法等が知られている。

しかしながら集束性光ファイバは一般に高価であるた
め、そこでこうしたファイバーやレンズアレイを全く用
いないで、一次元ラインセンサ上を密着状態で原稿を移
動させつつ読取りを行うコンタクト方式の原稿読取り方
法（特開昭55−74262号，特開昭55−75271号，特開昭56
−45084号，特開昭56−122172号）が本出願人の先出願
に係るものとして既に開発されている。

第９図は、上記コンタクト方式の画像読取装置の要部
を一部破断して示す側断面図である。該装置を概略説明
するに、８はガラス等透明の基板11上に図面に直交する
方向に配列されて一次元ラインセンサを構成するセンサ
部である。

このセンサ８において、ガラス等の透明基板11上に
は、金属等の遮光層12および絶縁層13が形成され、その
上に光導電層としての水素化アモルファスシリコン（以
下ａ−Si:Hと称する）やCdS・Se等の半導体層14が形成
されている。更にオーミックコンタクト用のドーピング
半導体層15を介して一対の主電極16および17が形成さ
れ、その間に受光窓18が形成されている。

かかる構成において、透明基板11の入射窓19を通して
入射した光Ｌ（この入射光に対してはセンサ部８は遮光
層12によって遮光されている）で原稿Ｐを照明し、その
反射光をセンサ部８で受けて不図示の電極配線を介して
読み取り信号が取り出される。すなわち、例えば主電極
16の電位を基準として主電極17に高電位の駆動電圧が印
加されているとき、受光窓18を介して反射光Ｌが半導体
層14の表面に入射すると、キャリアが増加するために抵
抗が下がり、この変化を画像情報として読取ることがで
きる。

かかる構成では、光源30からの光は基板11の裏面側か
ら入射する。この時、原稿面からの反射光以外に光源30
からの直接光がセンサ部８に入射すると、直接光による
光電流が定常電流として流れるので、原稿面からの反射
光による光電流が流れてもS/N比が非常に低下する。そ
こで、光源30からの直接光がセンサ部８に入射するのを
防ぐためにセンサ部８の光源側に遮光層12を設けること
が必須となるのである。そしてこの遮光層12は、薄膜で
十分な遮光性を確保するために、通常金属で形成されて
いる。

一方、原稿Ｐとセンサ部８との間の間隔は、通常0.1m
m程度として４〜８本/mmの読取り解像力が得られるが、
このような解像力を確保するために上記間隔は厳密に制
御されなければならない。該間隔の制御は、透明の保護
層20をセンサ部８の上面に被覆形成することによって行
われる。

［発明が解決しようとする問題点］ 一般に、画像読取装置のセンサ部においては、光の入
射に対する電流出力の応答性（光応答性）に優れている
こと、入射光に正しく対応した出力電流（I_p）が得られ
ること等が要求される。

しかしながら、第９図示の構成では、それら諸点に十
分な考慮がなされていないため、光応答性や画像の読取
り品位が必ずしも良好とは言えず、従ってそれら諸点を
改善することが強く要望されていた。

本発明は、基板裏面側より原稿面に光を照射し、その
反射光を直接センサ部に受容して画像を読取る形態の画
像読取装置において上記センサ部に要求される特性を改
善し、良好で安定した画像読取を行うことのできるとと
もに、光応答性に優れた画像読取装置を提供することを
目的とする。

［問題点を解決するための手段］ そのため、本発明は、アモルファスシリコンからなる
受光領域を有する半導体層と該半導体層に設けられた一
対の主電極と該半導体層に対して絶縁層を介して設けら
れた補助電極とを具備する光センサが複数配列された画
像読取装置において、前記光センサより出力を得るため
の読み取り期間に前記補助電極に第１のバイアス電圧を
印加し、非読み取り期間に前記第１のバイアスと同極性
であって絶対値の小さい第２のバイアス電圧を印加する
ための回路が、該補助電極に接続されており、前記一対
の主電極の間隙は蛇行形状をなしており、前記補助電極
は、前記間隙に対応した前記半導体層を遮光するための
非蛇行形状をなす遮光性の導電層であることを特徴とす
る。

［作 用］ 上記非読取り期間内に上記バイアス電圧と同極性であ
って絶対値の小さい電圧を上記補助電極に印加すること
によって、前の読取り時の出力を消去して次の読取りを
行うことができ、光応答速度が向上し、かつ入射光に正
しく対応した出力を得ることができる。また、補助電極
が主電極の間隙より十分大きくなるため、遮光性および
リセットの特性が向上する。

［実施例］ 以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。

第１図（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、本発明の一
実施例に係る画像読取装置の側断面図、およびそのセン
サ部の上面図であり、これら図において第６図と同様の
各部については対応箇所に同一符号を付してある。な
お、同図（Ａ）は同図（Ｂ）のＩ−Ｉ線断面を示す。

本例に係るセンサ部108においては遮光層112を導電性
の部材、例えば金属で構成するとともに、後述するよう
に駆動部に接続して、主電極116（ソース側）および117
（ドレイン側）に対するゲート電極となるようにする。
また、主電極116および117をくし形に形成し、互い違い
に対向させることによって同図（Ｂ）上受光窓118が蛇
行した形状に形成され、この窓118によって露出した半
導体層14の部分において原稿Ｐからの反射光を受容し、
光電変換が行われる。

第１図（Ａ）および（Ｂ）に示した光センサ部108
は、画像読取りの１ビットに対応したものであるが、基
板11上にこれをライン状に複数個数整列させて、１次元
ラインセンサを構成することもできる。例えば、原稿Ｐ
の幅方向（同図（Ａ）において矢印で示す原稿Ｐの移動
方向を直交する方向）に、A4サイズ相当の216mmにわた
って８本/mmの解像度をもたせるとすれば、1728個の光
センサ部108を配列することができる。さらに、光セン
サ部と、光センサ部の出力を蓄積する電荷蓄積部（コン
デンサ部）と、当該蓄積された電荷を転送して信号処理
に供するためのスイッチ部と、必要な配線パターン等と
を同一の製造工程で基板上に形成してもよい。

第２図（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれこの
ような光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ部等とを一体
に形成した形態の画像読取装置の一実施例を示す平面
図、そのＢ−Ｂ線断面図およびＣ−Ｃ線断面図を示す。

これら図において、210はゲートマトリクス配線部、2
08は光センサ部、212は電荷蓄積部、213は転送用スイッ
チ213aおよび電荷蓄積部212の電荷をリセットする放電
用スイッチ213bを含むスイッチ部、214は転送用スイッ
チの信号出力を後述の信号処理部に接続する配線、223
は転送用スイッチ213aによって転送される電荷を蓄積
し、読み出すための負荷コンデンサである。

本実施例では光センサ部208、転送用スイッチ213aお
よび放電用スイッチ213bを構成する光電導性半導体層14
としてａ−Si:H膜が用いられ、絶縁層203としてグロー
放電による窒化シリコン膜（SiNH）が用いられている。

なお、第２図（Ａ）においては、煩雑さを避けるため
に、上下二層の電極配線のみ示し、光導電性半導体層14
および絶縁層203は図示していない。また光導電性半導
体層14および絶縁層203は光センサ部208、電荷蓄積部21
2、転送用スイッチ213aおよび放電用スイッチ213bに形
成されているほか、上層電極配線と基板との間にも形成
されている。さらに上層電極配線と光導電性半導体層と
の界面にはn⁺にドープされたａ−Si:H層205が形成さ
れ、オーミック接合がとられている。

また、本実施例のラインセンサの配線パターンにおい
ては、各センサ部から出力される信号経路はすべて他の
配線と交差しないように配線されており、各信号成分間
のクロストーク並びにゲート電極配線からの誘導ノイズ
の発生を防いでいる。

光センサ部208において、216および217は上層電極配
線である。入射窓219から入射され、原稿面で反射され
た光はａ−Si:Hたる光導電性半導体14の導電率を変化さ
せ、くし状に対向する上層電極配線216,217間に流れる
電流を変化させる。なお、202は後述する駆動部に接続
された金属の遮光層である。

電荷蓄積部212は、下層電極配線214と、この下層電極
配線214上に形成された絶縁層203と光導電性半導体14と
の誘電体と、光導電性半導体層14上に形成されて光セン
サ部の上層電極配線217に連続した配線とから構成され
る。この電荷蓄積部212の構造はいわゆるMIS（Metal−I
nsulater−Semiconductor）コンデンサと同じ構造であ
る。バイアス条件は正負いずれでも、用いることができ
るが、下層電極配線214を常に負にバイアスする状態で
用いることにより、安定な容量と周波数特性を得ること
ができる。

図中（Ｃ）は転送用スイッチ213aおよび放電用スイッ
チ213bを含む薄膜トランジスタ（TFT）構造のスイッチ
部213を示し、転送用スイッチ213aは、ゲート電極たる
下層電極配線224と、ゲート絶縁層をなす絶縁層203と、
光導電性半導体層14と、ソース電極たる上層電極配線22
5と、ドレイン電極たる上層電極配線217等とから構成さ
れる。放電用スイッチ213bのゲート絶縁層および光導電
性半導体層はそれぞれ絶縁層203および光導電性半導体
層14と同一層であり、ソース電極は上層電極配線217、
ゲート電極は下層電極配線227、ドレイン電極は上層電
極配線226である。また、234は転送用スイッチ213aのゲ
ート電極に接続される下層配線である。

前述したように、上層電極配線217,225および226と光
導電性半導体層14との界面には、ａ−Si:Hのn⁺層205が
介在し、オーミック接触を形成している。

以上のように本例に係るラインセンサは、光センサ
部、電荷蓄積部、転送用スイッチ、放電用スイッチ、マ
トリクス配線部の各構成部のすべてが光導電性半導体層
および絶縁層等の積層構造を有するので、各部を同一プ
ロセスにより同時形成することができる。

第３図は第２図（Ａ）〜（Ｃ）に示した画像読取装置
の等価回路を示す。

同図において、S1,S2,…,SN（以下、SY1と記す）は光
センサ部208を示す光センサである。C1,C2,…,CN（以
下、CY1と記す）は電荷蓄積部212を示す蓄積コンデンサ
であり、光センサSY1の光電流を蓄積する。ST1,ST2,…,
STN（以下、STY1と記す）は蓄積コンデンサCY1の電荷を
負荷コンデンサCX1（負荷コンデンサ223に対応）に転送
するための転送用スイッチ（転送用スイッチ213aに対
応）、SR1,SR2,…,SRN（以下、SRY1と記す）は蓄積コン
デンサCY1の電荷をリセットする放電用スイッチ（放電
用スイッチ213bに対応）である。

これらの光センサSY1,蓄積コンデンサCY1,転送用スイ
ッチSTY1および放電用スイッチSRY1はそれぞれ一列にア
レイ状に配置され、Ｎ個で１ブロックを構成し、画像読
取装置は全体としてＭ個のブロックに分けられている。
例えば、センサが1728個で構成されているとすれば、Ｎ
＝32,M＝54とすることができる。アレイ状に設けられた
転送用スイッチSTY1,放電用スイッチSRY1のゲート電極
はマトリックス配線部210に接続される。転送用スイッ
チSTY1のゲート電極は他のブロックの同順位の転送用ス
イッチのゲート電極とそれぞれ共通に接続され、放電用
スイッチSRY1のゲート電極は各ブロック内の次の順位の
転送用スイッチのゲート電極に循環して接続される。

マトリクス配線部210の共通線（ゲート駆動線G1,G2,
…,GN）はゲート駆動部246によりドライブされる。一方
信号出力は引出し線214（信号出力線D1,D2,…,DM）を介
して信号処理部247に接続される。

また、光センサS1,…,SN,…,SN×Ｍのゲート電極（遮
光層202）は駆動源250に接続されて、負のバイアスが加
えられている。

かかる構成において、ゲート駆動線G1,G2,…,GNには
ゲート駆動部246から順次選択パルス（VG1,VG2,VG3,…,
VGN）が供給される。まず、ゲート駆動線G1が選択され
ると、転送用スイッチST1がON状態となり、蓄積コンデ
ンサC1に蓄積された電荷が負荷コンデンサCX1に転送さ
れる。次にゲート駆動線G2が選択されると、転送用スイ
ッチST2がON状態となり、蓄積コンデンサC2に蓄積され
た電荷が負荷コンデンサCX1に転送され、同時に放電用
スイッチSR1により蓄積コンデンサC1の電荷がリセット
される。以下同様にして、G3,G4,…,GNについても選択
されて読み取り動作が行われる。これらの動作は各ブロ
ックごとに行われ、各ブロックの信号出力VX1,VX2,…,V
XMは信号処理部247の入力D1,D2,…,DMに送られ、シリア
ル信号に変換されて出力される。

次に、第１図または第２図に示したような光センサを
駆動する態様について述べる。

従来は、この種装置において遮光層（第９図の部分1
2）は電位的に浮いており、暗電流が大きいなど、特性
が不安定である。そこで、遮光層に負のバイアス電圧を
印加してS/N特性を改善し、光量依存性を線形に近づけ
ることが考えられる。

しかし、遮光層に単に負の電圧を印加したのみでは光
応答性に関して改善が図られるとは必ずしも言い難い。
また、光の入射に対して出力が正しくは対応せず、前回
の読取の信号が次のラインの読取に影響を及ぼすことも
考えられ、従って原稿の白地を読んだ後、次に文字等黒
い部分を読んだ場合、光が入射しないにもかかわらず、
光電流が流れてしまい、正確に黒と読み取ることができ
なくなることもあり得る。

そこで、本例にあっては、遮光層112または202に対
し、駆動部250により次のように電圧を印加する。

第４図は、本発明による光センサの駆動の一実施例を
示す電圧波形図である。ただし、本実施例では、第１図
または第２図の半導体層14がｎ型の場合を示す。

同図において、電圧V₀は、主電極116または216を基準
として主電極117または217に印加されている電圧であ
り、ここではV₀＞０である。

電圧V₁は、センサの読取り期間T₁に電極たる遮光層11
2または202に駆動部（第２図および第３図示の実施例で
は部分250）により印加されるバイアス電圧であり、こ
こでは半導体層14がｎ型であるからV₁＜０である。

電圧V₂は、非読取り期間T₂に遮光層112または202に印
加される電圧であり、V₁＜V₂＜０である。

このように遮光層の電圧を非読取り期間T₂でバイアス
電圧V₁より正方向に変化させることで、次に述べるよう
に出力電流の立ち下がり速度を大きく向上させることが
できる。

第５図（Ａ）および（Ｂ）は、本実施例による出力電
流の変化を説明するための波形図である。

同図（Ａ）は読取り開始直前に光パルスが入射した場
合を示し、同図（Ｂ）は読取り開始直前まで光が入射し
ていた場合を示している。

同図（Ａ）において、バイアス電圧V₁を−3V、パルス
電圧V₂を−2.8Vとし、パルス電圧V₂が遮光層112または2
02に印加されて読取りが開始されると、遮光層112また
は202の電位が正方向に変化するために、主電極116また
は216から電子が注入されて大きな出力電流が流れ、注
入された電子によって半導体層14内のホールの再結合が
促進される。このためにホールが少ない状態にあり、光
が照射されても、遮光層12の電位が固定されている場合
（破線で示す変化）に比べて出力電流の立上りは若干遅
れる。しかしながら、出力電流の波形は光パルスに従っ
ており、この出力電流によって蓄積された電荷量は入射
した光に対応した光情報を表わしている。

一方、同図（Ｂ）に示すように読取り開始直前まで光
が入射していた場合においても、出力電流は光パルスに
対応している。すなわち、遮光層112または202にパルス
電圧V₂が印加されることで、上述したように注入された
電子によるホールの再結合が促進され、その結果、遮光
層112または202がバイアス電位V₁に戻った時には、不要
なホールが存在しないために暗状態の電流値を維持し、
光パルスの入射によって立上がる。

このように、遮光層112また202にパルス電圧V₂を読出
し開始直前に印加することによって、前の読取りによる
出力がリセットされるために、遮光層112または202の電
位がバイアス電圧V₁に固定されている場合（図中の破線
で示す変化）や、前の出力によって次の出力が影響され
るという欠点は解消される。

したがって、前の読取り期間_１での出力が消去された
状態で次の読取りを行うことができ、入射光に正しく対
応した出力を得ることができるとともに、全体として光
応答速度の向上および読取り動作の高速化が達成され
る。

なお、本発明による駆動方法は、上述したように入射
光に正しく対応した出力電流を得ることができるもので
あり、光センサの出力をコンデンサ等に蓄積して光情報
を得る方式に限定されるものではない。

また、本実施例では、光センサにおける半導体層の電
流を担うキャリアが電子の場合を示したが、勿論電流を
担うキャリアがホールであるｐ型またはｉ型半導体を用
いた場合であっても電圧の極性が逆になるだけで同様に
適用できる。すなわち、キャリアが電子の場合は、上記
実施例のように、V₁＜V₂＜０であり、キャリアがホール
の場合はV₁＞V₂＞０となる。

半導体層がｉ型の場合は、オーミックコンタクト層15
または205の導電型によって電流を担うキャリアが決定
される。

以上詳細に説明した実施例によれば、非読取り期間内
にバイアス電圧と同極性であって絶対値の小さい電圧を
金属で形成した遮光層に印加することによって、前の読
取り時の出力を消去して次の読取りを行うことができ、
光応答速度が向上し、かつ入射光に正しく対応し、かつ
安定した出力を得ることができる。すなわち、光に対す
る応答性を従来に比べて大幅に向上させることができ
る。

また、多数の画素センサを有するラインセンサを構成
した場合にも高速で原稿を読取ることができる。

第６図は光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ部とを一
体に形成した形態の画像読取装置の他の実施例を示す。
ここで、第２図（Ａ）〜（Ｃ）に示した実施例と同様に
構成できる部分については対応箇所に同一符号を付して
ある。図において、230は出力信号マトリクスである。

第７図は第６図に示した画像読取装置の等価回路を示
す。

同図において、S_i,₁,S_i,2,…,S_i,N（以下、S_iと記
す。ここで、ｉはブロックの番号、１〜Ｎは各ブロック
内のビット数である。）は光センサ部208を示す光セン
サである。Ｃ_i,1,Ｃ_i,2,…,C_i,N（以下、C_iと記す）は
電荷蓄積部212を示す蓄積コンデンサであり、光センサS
_iの光電流を蓄積する。ST_i,1,ST_i,2，…,ST_i,N（以下、
ST_iと記す）は蓄積コンデンサC_iの電荷を負荷コンデン
サCX₁,CX₂,…,CX_N（負荷コンデンサ223に対応）に転送
するための転送用スイッチ（転送用スイッチ213aに対
応）、SR_i,1,SR_i,2，…,SR_i,N（以下、SR_iと記す）は蓄
積コンデンサC_iの電荷をリセットする放電用スイッチ
（放電用スイッチ213bに対応）である。

これらの光センサS_i,蓄積コンデンサC_i,転送用スイッ
チST_iおよび放電用スイッチSR_iはそれぞれ一列にアレイ
状に配置され、Ｎ個で１ブロックを構成し、画像読取装
置は全体としてＭ個のブロックに分けられている。例え
ば、センサが1728個で構成されているとすれば、Ｎ＝3
2,M＝54とすることができる。アレイ状に設けられた転
送用スイッチST_i,放電用スイッチSR_iのゲート電極はゲ
ート配線部210に接続される。転送用スイッチST_iのゲー
ト電極はｉ番目のブロック内で共通に接続され、放電用
スイッチSR_iのゲート電極は次の順位のブロックの転送
用スイッチのゲート電極に循環して接続される。

マトリクス配線部210の共通線（ゲート駆動線G1,G2,
…,GM）はゲート駆動部246によりドライブされる。一
方、信号出力はマトリクス構成になっている引出し線23
0（信号出力線D1,D2,…,DN）を介して信号処理部247
（ブロック単位で）接続される。

また、光センサＳ_1,1，…,S_1,N,S_2,1，…,S_M,Nのゲー
ト電極（遮光層202）は駆動源250に接続されて、負のバ
イアスが加えられている。

かかる構成において、ゲート駆動線G1,G2,…,GMには
ゲート駆動部246から順次選択パルス（VG1,VG2,VG3,…,
VGM）が供給される。まず、ゲート駆動線G1が選択され
ると、転送用スイッチST1がON状態となり、蓄積コンデ
ンサC1に蓄積された電荷が負荷コンデンサCX₁〜CX_Nに転
送される。次にゲート駆動線G2が選択されると、転送用
スイッチST₂がON状態となり、蓄積コンデンサC2に蓄積
された電荷が負荷コンデンサCX₁〜CX₃₂に転送され、同
時に放電用スイッチSR1により蓄積コンデンサC1の電荷
がリセットされる。以下同様にして、G3,G4,…,GMにつ
いても選択されて読み取り動作が行われる。これらの動
作は各ブロックごとに行われ、各ブロックの信号出力VX
1,VX2,…,VXNは信号処理部247の入力D1,D2,…,DNに送ら
れ、シリアル信号に変換されて出力される。

本実施例においても、上の例と同様に光センサSiを駆
動すれば、前の読取り時の出力を消去して次の読取りを
行うことができ、光応答速度が向上し、かつ入射光に正
しく対応し、かつ安定した出力を得ることができる。す
なわち、光に対する応答性を従来に比べて大幅に向上さ
せることができる。

なお、上述の各例においては、半導体層をはさんで主
電極（第１図（Ａ）では116,117）と遮光層（第１図
（Ａ）では112）とを反対側に配置したスタガー型の画
像読取装置について述べたが、第８図に示すように半導
体層14の同じ側にAl等の主電極116,117と遮光層112とを
配置する構成にしても同様の効果が得られる。

すなわち、本発明は、基板裏面側より光を原稿面に照
射し、その反射光を直接センサ部に受容して画像を読取
る形態の画像読取装置であれば、ファクシミリ装置，イ
メージリーダ等如何なる形態の画像読取装置に極めて有
効に適用できるものである。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、センサ部に要
求される特性を改善でき、以て良好で安定した画像読取
りを行うことのできる画像読取装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、本発明の一実
施例に係る画像読取装置の側断面図、およびそのセンサ
部の上面図、 第２図（Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれ、光セ
ンサ部と電荷蓄積部とスイッチ部等とを一体に形成した
形態の画像読取装置の一実施例を示す平面図、そのＢ−
Ｂ線断面図、およびＣ−Ｃ線断面図、 第３図は第２図（Ａ）〜（Ｃ）に示した画像読取装置の
等価回路を示す回路図、 第４図は第１図または第２図における光センサの駆動態
様の一実施例を示す波形図、 第５図（Ａ）および（Ｂ）は本実施例による出力電流の
変化を説明するための波形図、 第６図は光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ部等とを一
体に形成した形態の画像読取装置の他の実施例を示す平
面図、 第７図は第６図示の装置の等価回路を示す回路図、 第８図は本発明のさらに他の実施例に係る画像読取装置
の側断面図、 第９図は従来の画像読取装置の一例を示す側断面図であ
る。 8,108,208……光センサ部、 11,201……透明基板、 12……遮光層、 13,203……絶縁層、 14……半導体層、 16,17,216,217……電極（配線）、 19,219……入射窓、 20……保護層、 212……電荷蓄積部、 213……スイッチ部、 213a……転送用スイッチ部、 213b……放電用スイッチ部、 246……ゲート駆動部、 247……信号処理部、 250……駆動源。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】アモルファスシリコンからなる受光領域を
   有する半導体層と該半導体層に設けられた一対の主電極
   と該半導体層に対して絶縁層を介して設けられた補助電
   極とを具備する光センサが複数配列された画像読取装置
   において、 前記光センサより出力を得るための読み取り期間に前記
   補助電極に第１のバイアス電圧を印加し、非読み取り期
   間に前記第１のバイアスと同極性であって絶対値の小さ
   い第２のバイアス電圧を印加するための回路が、該補助
   電極に接続されており、 前記一対の主電極の間隙は蛇行形状をなしており、 前記補助電極は、前記間隙に対応した前記半導体層を遮
   光するための非蛇行形状をなす遮光性の導電層であるこ
   とを特徴とする画像読取装置。