JPS6392053A - 画像読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、画像読取装置に関し、例えば−次元ラインセ
ンサを有し、その−次元ラインセンサ上に対し密着させ
た状態で画像読取りに係る原稿を相対的に移動させつつ
画像情報を読取るファクシミリ装置、イメージリーグ等
に適用して好適な画像読取装置に関するものである。

［従来の技術］ 従来、−次元ラインセンサを用いる画像読取り装置とし
ては、長さ数ｃｍの一次元ラインセンナに縮小光学系を
用いて原稿像を結像させて原画像情報の読取りを行うも
のが知られている。しかしながら、この種の画像読取り
装置は縮小なしい結像を行うために犬なる光路長を要し
、しかも光学系の体積が大きいために読取装置を小型に
構成することは困難であった。

一方、原稿幅と同じ長さの長尺−次元ラインセンサを用
いる等倍光学系を用いる場合においては、光学系の体積
は著しく減少でき、読取り装置の小型化を図ることがで
きる。かかる等倍光学系を実現する方法としては、集束
性ファイバーを用いる方法やコンタクトレンズアレイを
用いる方法等が知られている。

しかしながら集束性光ファイバは一般に高価であるため
、そこでこうしたファイバーやレンズアレイを全く用い
ないで、−次元ラインセンサ上を密着状態で原稿をＢ動
させつつ読取りを行うコンタクト方式の原稿読取り方法
（特開昭５５−７４２６２号、特開昭５５−７５２７１
号、特開昭５Ｂ−４５０Ｂ４号、特開昭５１ｉ−１２２
１７２号）が本出願人の先出願に係るものとして既に開
発されている。

第９図は、上記コンタクト方式の画像読取装置の要部を
一部破断して示す側断面図である。該装置を概略説明す
るに、８はガラス等透明の基板１１上に図面に直交する
方向に配列されて一次元ラインセンサを構成するセンサ
部である。

このセンサ８において、ガラス等の透明基板ｌｌ上には
、金属等の遮光層１２および絶縁層１３が形成され、そ
の上に光導電層としての水素化アモルファスシリコン（
以下ａ−５ｉ：Ｈと称する）やＣｄ５−５ｅ等の半導体
層１４が形成されている。更にオーミックコンタクト用
のドーピング半導体層１５を介して一対の主電極１６お
よび１７が形成され、その間に受光窓Ｊ８が形成されて
いる。

かかる構成において、透明基板１１の入射窓１９を通し
て入射した光Ｌ（この入射光に対してはセンサ部８は遮
光層１２によって遮光されている）で原稿Ｐを照明し、
その反射光をセンサ部８で受けて不図示の電極配線を介
して読み取り信号が取り出される。すなわち、例えば主
電極１６の電位を基準として主電極１７に高電位の駆動
電圧が印加されているとき、受光窓１８を介して反射光
りが半導体層１４の表面に入射すると、キャリアが増加
するために抵抗が下がり、この変化を画像情報として読
取ることかできる。

かかる構成では、光源３０からの光は基板１１の裏面側
から入射する。この時、原稿面からの反射光以外に光源
３０からの直接光がセンナ部８に入射すると、直接光に
よる光電流が定常電流として流れるので、原稿面からの
反射光による光電流が流れてもＳ／Ｎ比が非常に低下す
る。そこで、光＠ｉ３０からの直接光がセンサ部８に入
射するのを防ぐためにセンサ部８の光源側に遮光層１２
を設けることが必須となるのである。そしてこの遮光層
１２は、薄膜で十分な遮光性を確保するために、通常金
属で形成されている。

一方、原稿Ｐとセンサ部８との間の間隔は、通常０．１
ｍｍ程度として４〜８木／ｍｍの読取り解像力が得られ
るが、このような解像力を確保するために上記間隔は厳
密に制御されなければならない。

該間隔の制御は、透明の保護層２０をセンサ部８の上面
に被覆形成することによって行われる。

［発明が解決しようとする問題点］ 一般に、画像読取装置のセンサ部においては、光の入射
に対する電流出力の応答性（光応答性）に優れているこ
と、入射光に正しく対応した出力電流（■２）が得られ
ること等が要求される。

しかしながら、第９図示の構成では、それら諸点に十分
な考慮がなされていないため、光応答性や画像の読取り
品位が必ずしも良好とは言えず、従ってそれら諸点を改
善することが強く要望されていた。

本発明は、基板裏面側よ□り原稿面に光を照射し、その
反射光を直接センサ部に受容して画像を読取る形態の画
像読取装置において上記センサ部に要求される特性を改
善し、良好で安定した画像読取を行うことのできるとと
もに、光応答性に優れた画像読取装置を提供することを
目的とする。

［問題点を解決するための手段］ そのため、本発明は、光透過性の基板表面に配置された
遮光層と、該遮光層上に配置された絶縁層と、該絶縁層
上に配置された半導体層と、該半導体層に接して配置さ
れた一対の上部電極とを有する光センサを具え、基板の
裏面側より原稿面に照射された光の反射光を一対の上部
電極間の半導体層の部分に受容することにより画像情報
を読取る画像読取装置において、遮光層を導電性の部材
で構成し、その導電性の部材に対して、前記半導体層の
電流を担うキャリアに従フたバイアス電圧を印加すると
ともに、光センサの非読取期間内に前記バイアス電圧と
同極性であって絶対値の小さい電圧を印加する駆動手段
を具える。

［作　用］ 上記非読取り期間内に上記バイアス電圧と同極性であフ
て絶対値の小さい電圧を上記補助電極に印加することに
よって、前の読取り時の出力を消去して次の読取りを行
うことができ、光応答速度が向上し、かつ入射光に正し
く対応した出力を得ることができる。

［実施例］ 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、本発明の一実
施例に係る画像読取装置の側断面図、およびそのセンサ
部の上面図であり、これら図において第６図と同様の各
部については対応箇所に同一符号を付しである。なお、
同図（Ａ）は同図（８）のＩ−■線断面を示す。

大側に係るセンサ部１０８においては遮光層１１２を導
電性の部材、例えば金属で構成するとともに、後述する
ように駆動部に接続して、主電極１１６（ソース側）お
よび１１７（ドレイン側）に対するゲート電極となるよ
うにする。また、主電極１１８および１１７をくし形に
形成し、互い違いに対向させることによって同図（Ｂ）
上受光窓１１８が蛇行した形状に形成され、この窓１１
８によって露出した半導体層１４の部分において原稿Ｐ
からの反射光を受容し、光電変換が行われる。

第１図（Ａ）および（Ｂ）　に示した光センサ部１０８
は、画像読取りの１ビツトに対応したものであるが、基
板ｌｌ上にこれをライン状に複数個数整列させて、１次
元ラインセンサを構成することもできる。例えば、原ｆ
Ａ　Ｐの幅方向（同図（Ａ）において矢印で示す原ｍ　
Ｐの８勅方向を直交する方向）に、Ａ４サイズ相当の２
１６　ｍｍにわたって８木／ｍｍの解像度をもたせると
すれば、１７２８個の光センサ部１０８を配列すること
ができる。さらに、光センサ部と、光センサ部の出力を
蓄積する電荷蓄積部（コンデンサ部）と、当該蓄積され
た電荷を転送して信号処理に供するためのスイッチ部と
、必要な配線パターン等とを同一の製造工程で基板上に
形成してもよい。

第２図（Ａ）　、　（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれこ
のような光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ部等とを一
体に形成した形態の画像読取装置の一実施例を示す平面
図、そのＢ−Ｂ線断面図およびＣ−Ｃ線断面図を示す。

これら図において、２１０はゲートマトリクス配線部、
２０８は光センサ部、２１２は電荷蓄積部、２１３は転
送用スイッチ２１３ａおよび電荷蓄積部２１２の電荷を
リセットする放電用スイッチ２１３ｂを含むスイッチ部
、２１４は転送用スイッチの信号出力を後述の信号処理
部に接続する配線、２２３は転送用スイッチ２１３ａに
よって転送される電荷を蓄積し、読み出すための負荷コ
ンデンサである。

本実施例では光センサ部２０８、転送用スイッチ２１３
ａおよび放電用スイッチ２１３ｂを構成する光電導性半
導体層１４としてａ−５ｉ：Ｈ膜が用いられ、絶縁層２
０３　としてグロー放電による窒化シリコン膜（ＳｉＮ
Ｈ）が用いられている。

なお、第２図（Ａ）　においては、煩雑さを避けるため
に、上下二層の電極配線のみ示し、光導電性半導体層１
４および絶縁層２０３は図示していない。

また光導電性半導体層１４および絶縁層２０３は光セン
サ部２０８、電荷蓄積部２１２）転送用スイッチ２１３
ａおよび放電用スイッチ２１３ｂに形成されているほか
、上層電極配線と基板との間にも形成されている。さら
に上層電極配線と光導電性半導体層との界面にはｎ′″
にドープされたａ−５ｉ：８層２０５が形成され、オー
ミック接合がとられている。

また、本実施例のラインセンサの配線パターンにおいて
は、各センサ部から出力される信号経路はすべて他の配
線と交差しないように配線されており、各信号成分間の
クロストーク並びにゲート電極配線からの８導ノイズの
発生を防いでいる。

光センサ部２０８において、２１６および２１７は上層
電極配線である。入射窓２１９から入射され、原稿面で
反射された光はａ　−５ｔ：Ｈたる光導電性半導体層１
４の導電率を変化させ、くし状に対向する上層電極配線
２１６，２１７間に流れる電流を変化させる。なお、２
０２は後述する駆動部に接続された金属の遮光層である
。

電荷蓄積部２１２は、下層電極配線２１４　と、この下
層電極配線２１４上に形成された絶縁層２０３と光導電
り半導体１４との話電体と、光導電性半導体層１４上に
形成されて光センサ部の上層電極配線２１７に連続した
配線とから構成される。この電荷蓄積部２１２の構造は
いわゆるＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−１ｎｓｕｌａｔｅｒ−５
ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）コンデンサと同じ構造であ
る。バイアス条件は正負いずれでも、用いることができ
るが、下層電極配線２１４を常に負にバイアスする状態
で用いることにより、安定な容量と周波数特性を得るこ
とができる。

図中（Ｃ）は転送用スイッチ２１３ａおよび放電用スイ
ッチ２１３ｂを含む薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）構造の
スイッチ部２１３を示し、転送用スイッチ２１３ａは、
ゲート電極たる下層電極配線２２４と、ゲート絶縁層を
なす絶縁層２０３と、光導電性半導体層１４と、ソース
電極たる上層電極配線２２５　と、ドレイン電極たる上
層電極配線２１７等とから構成される。放電用スイッチ
２１３ｂのゲート絶縁層および光導電性半導体層はそれ
ぞれ絶縁層２０３および光導電性半導体層１４と同一層
であり、ソース電極は上層電極間）ｊｉ２１７、ケート
電極は下層電極配線２２７、トレイン電極は上層電極配
線２２６である。また、２３４は転送用スイッチ２１３
ａのゲート電極に接続される下層配線である。

前述したように、上層電極配線２１’７　、２２５およ
び２２６と光導電性半導体層１４との界面には、ａ−５
ｊ：　ＩＩのｎ′″層２０５が介在し、オーミック接触
を形成している。

以上のように本例に係るラインセンサは、光センサ部、
電荷蓄積部、転送用スイッチ、放電用スイッチ、マトリ
クス配線部の各構成部のすへてか光導電性半導体層およ
び絶縁層等の積層構造を有するので、各部を同一プロセ
スにより同時形成することができる。

第３図は第２図（八）〜（Ｃ）　に示した画像読取装置
の等価回路を示す。

同図において、５１，５２．−、ＳＮ（以下、ＳＹＩと
記す）は光センサ部２０８を示す光センサである。Ｃ１
，Ｃ２゜・・・、ＣＮ（以下、ＣＹＩと記す）は電荷蓄
積部２１２を示す蓄積コンデンサであり、光センサＳＹ
Ｉの光電流を蓄積する。ＳＴＩ、Ｓｒ１．・・・、５Ｔ
Ｎ（以下、５ＴＹＩと記す）は蓄積コンデンサＣＹＩの
電荷を負荷コンデンサＣＸＩ　　（負荷コンデンサ２２
３に対応）に転送するための転送用スイッチ（転送用ス
イッチ２１３ａに対応）　、　ＳＲＩ、ＳＲ２，・・・
、５ＲＮ（以下、５ＲＹＩ　と記す）は蓄積コンデンサ
ＣＹＩの電荷をリセットする放電用スイッチ（放電用ス
イッチ２１３ｂに対応）である。

これらの光センサＳＹＩ　、蓄積コンデンサＣＹＩ、転
送用スイッチ５ＴＹＩおよび放電用スイッチ５ＲＹＩは
それぞれ一列にアレイ状に配置され、Ｎ個で１ブロツク
を構成し、画像読取装置は全体としてＭ個のブロックに
分けられている。例えば、センサが１７２８個で構成さ
れているとすれば、Ｎ＝３２．Ｍ＝５４とすることがで
きる。アレイ状に設けられた転送用′スイッチ５ＴＹＩ
、放電用スイッチ５ＲＹＩのゲート電極はマトリックス
配線＄２１０に接続される。転送用スイッチ５ＴＹＩの
ゲートＮｇは他のブロックの同順位の転送用スイッチの
ゲート電極とそれぞれ共通に接続され、放電用スイッチ
５ＲＹＩのゲート電極は各ブロック内の次の順位の転送
用スイッチのゲート電極に循環して接続される。

マトリクス配線部２１Ｏの共通線（ゲート駆動線Ｇｌ、
Ｇ２．・・・、ＧＮ）はゲート駆動部２４６によりドラ
イブされる。−力信号出力は引出し線２１４（信号出力
線０１、０２．・・・、　ＤＭ）　を介して信号処理部
２４７　に接続される。

また、光センサ５１．・・・、ＳＮ　、・・・、ＳＮＸ
Ｍのゲート電極（遮光層２０２）は駆動源２５０に接続
されて、負のバイアスが加えられている。

かかる構成において、ゲート駆動線Ｇｌ、Ｇ２゜・・・
、ＧＮにはゲート駆動部２４６から順次選択パルス（Ｖ
ＧＩ、ＶＧ、２．ＶＧ３．−、ＶＧＮ）が供給される。

まず、ゲート駆動線Ｇｌが選択されると、転送用スイッ
チＳＴＩがＯＮ状態となり、蓄積コンデンサＣＩに蓄積
された電荷が負荷コンデンサＣＸＩに転送される。次に
ゲート駆動線Ｇ２が選択されると、転送用スイッチＳＴ
２がＯＮ状態となり、蓄積コデンサＣ２に蓄積された電
荷が負荷コンデンサＣＸＩに転送され、同時に放電用ス
イッチＳＲＩにより蓄積コンデンサＣＩの電荷がリセッ
トされる。以下同様にして、Ｇ３．Ｇ４゜・・・、ＧＮ
についても選択されて読み取り動作が行われる。これら
の動作は各ブロックごとに行われ、各ブロックの信号出
力ＶＸＩ、ＶＸ２．・・・、ＶＸＭは信号処理部２４７
の入力ＤＩ、Ｄ２．・・・、ＤＭに送られ、シリアル信
号に変換されて出力される。

次に、第１図または第２図に示したような光センサを駆
動する態様について述べる。

従来は、この種装置において遮光層（第９図の部分１２
）は電位的に浮いており、口ｇ電流が大きいなど、特性
が不安定である。そこて、遮光層に負のバイアス電圧を
印加してＳ／Ｎ特性を改善し、光量依存性を線形に近づ
けることが考えられる。

しかし、遮光層に単に負の電圧を印加したのみでは光応
答性に関して改善が図られるとは必ずしも言い難い。ま
た、光の入射に対して出力が正しくは対応せず、前回の
読取の信号が次のラインの読取に影響を及ぼすことも考
えられ、従って原稿の白地を読んだ後、次に文字等黒い
部分膏読んだ場合、光が入射しないにもかかわらず、光
電流が流れてしまい、正確に黒と読み取ることができな
くなることもあり得る。

そこで、本例にあっては、遮光層１１２または２０２に
対し、駆動部２５０により次のように電圧を印加する。

第４図は、本発明による光センサの駆動の一実施例を示
す電圧波形図である。ただし、本実施例では、第１図ま
たは第２図の半導体層１４がｎ型の場合を示す。

同図において、電圧ｖ０は、主電極１１６または２】６
を基準として主電極１１７または２１７に印加されてい
る電圧であり、ここではり。〉０である。

電圧ｖ１は、センサの読取り期間Ｔ、に電極たる遮光層
１１２または２０２に駆動部（第２図および第３図示の
実施例では部分２５０）により印加されるバイアス電圧
であり、ここでは半導体層１４がｎ型であるからＶｌ　
＜Ｏである。

電圧■２は、非読取り期間Ｔ２に遮光層＋１２または２
０２に印加される電圧であり、Ｖ、＜Ｖ２＜０である。

　・ このように遮光層の電圧を非読取り期間Ｔ２でバイアス
電圧ｙ、より正方向に変化させることで、次に述べるよ
うに出力電流の立ち下がり速度を大きく向上させること
かできる。

第５図（Ａ）および（８）は、本実施例による出力電流
の変化を説明するための波形図である。

同図（Ａ）は読取り開始直前に光パルスか入射した場合
を示し、同図（Ｂ）は読取り開始直前まで光が入射して
いた場合を示している。

同図（Ａ）　において、バイアス電圧ｖｌを一３■、パ
ルス電圧Ｖ２を−２，８Ｖとし、パルス電圧ｖ２が遮光
層１１２または２０２に印加されて読取りが開始される
と、遮光層１１２または２０２の電位が正方向に変化す
るために、主電極１１Ｂまたは２１６から電子が注入さ
れて大きな出力電流が流れ、注人された電子によって半
導体層１４内のホールの再結合が促進される。このため
にホールが少ない状態にあり、光が照射されても、遮光
層１２の電位が固定されている場合（破線で示す変化）
に比べて出力電流の立上りは若干遅れる。しかしながら
、出力電流の波形は光パルスに従っており、この出力電
流によって蓄積された電荷量は入射した光に対応した光
情報を表わしている。

一方、同図（Ｂ）に示すように読取り開始直前まで光が
入射していた場合においても、出力電流は光パルスに対
応している。すなわち、遮光層１１２または２０２にパ
ルス電圧■、が印加されることで、上述したように注入
された電子によるホールの再結合が促進され、その結果
、遮光層１１２または２０２がバイアス電位Ｖ、に戻っ
た時には、不要なホールが存在しないために暗状態の電
流値を維持し、光パルスの入射によって立上がる。

このように、遮光層１１２また２０２にパルス電圧Ｖ２
を読出し開始直前に印加することによって、前の読取り
による出力がリセットされるために、遮光層１】２また
は２０２の電位がバイアス電圧Ｖ１に固定されている場
合（図中の破線で示す変化）や、前の出力によって次の
出力が影響されるという欠点は解消される。

したがって、前の読取り期間Ｔ１での出力が消去された
状態で次の読取りを行うことができ、入射光に正しく対
応した出力を得ることができるとともに、全体として光
応答速度の向上および読取り動作の高速化が達成される
。

なお、本発明による駆動方法は、上述したように入射光
に正しく対応した出力電流を得ることができるものであ
り、光センサの出力をコンデンサ等に蓄積して光情報を
得る方式に限定されるものではない。

また、本実施例では、光センサにおける半導体層の電流
を担うキャリアが電子の場合を示したが、勿論電流を担
うキャリアがホールであるｐ型またはｉ型半導体を用い
た場合であっても電圧の極性が逆になるだけで同様に適
用できる。すなわち、キャリアが電子の場合は、上記実
施例のように、Ｖ　ｒ　＜　Ｖ　２　＜　Ｏであり、キ
ャリアがホールの場合はＶｌ＞Ｖ２＞Ｏとなる。

半導体層がｉ型の場合は、オーミックコンタクト層１５
または２０５の導電型によって電流を担うキャリアが決
定される。

以上詳細に説明した実施例によれば、非読取り期間内に
バイアス電圧と同極性であって絶対値の小さい電圧を金
属で形成した遮光層に印加することによりて、前の読取
り時の出力を消去して次の読取りを行うことがてき、光
応答速度が向上し、かつ入射光に正しく対応し、かつ安
定した出力を得ることができる。すなわち、光に対する
応答性を従来に比べて大幅に向上させることができる。

また、多数の画素センサを有するラインセンサを構成し
た場合にも高速で原稿を読取ることができる。

第６図は光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ部とを一体
に形成した形態の画像読取装置の他の実施例を示す。こ
こで、第２図（Ａ）〜（Ｃ）に示した実施例と同様に構
成できる部分については対応箇所に同一符号を付しであ
る。図において、２３０は出力信号マトリクスである。

第７図は第６図に示した画像読取装置の等価回路を示す
。

同図において、Ｓｌ＋ｌ＋　５１．２．　　・・・、Ｓ
ｌ、ｓ（以下、Ｓｌと記す。ここで、ｉはブロックの番
号、１〜Ｎは各ブロック内のビット数である。）は光セ
ンサ部２０８を示す光センサである。ｃ、、　１．　ｃ
、、　２・・・。

Ｃ１，Ｎ（以下、Ｃ，と記す）は電荷蓄積部２１２を示
す蓄積コンデンサであり、光センサＳＩの光電流を蓄積
する。ＳＴＹ、　＋、ＳＴｒ、　２．・・・、ＳＴ１．
Ｎ（以下、ＳＴ、と記す）は蓄積コンデンサＣＩの電荷
を負荷コンデンサＣＬ、ＣＸ２ｓ・・、ＣＸ５（負荷コ
ンデンサ２２３ニ対応）に転送するための転送用スイッ
チ（転送用スイッチ２１３ａに対応）　、ＳＲＩ、　＋
、ＳＲ＋、　２ｓ・・、ＳＲ，、Ｎ（以下、ＳＲＩ　と
記す）は蓄積コンデンサＣ１の電荷をリセットする放電
用スイッチ（放電用スイッチ２１３ｂに対応）である。

これらの光センサｓｌ、　ｇ積コンデンサＣＩ、転送用
スイッチＳＴ、および放電用スイッチＳＲ，はそれぞれ
一例にアレイ状に配置され、Ｎ個で１ブロツクを構成し
、画像読取装置は全体としてＭ個のブロックに分けられ
ている。例えば、センサが１７２８個で構成されている
とすれは、Ｎ＝３２．　　Ｍ＝５４とすることがてきる
６アレイ状に設けられた転送用スイッチＳＴＩ　、放電
用スイッチＳＲ，のゲートＮ極はゲート配線部２１０に
接続される。転送用スイッチＳＴＩのゲート電極はｉ番
目のブロック内で共通に接続され、放電用スイッチＳＲ
Ｉのゲート電極は次の順位のブロックの転送用スイッチ
のゲート電極に循環して接続される。

マトリクス配線部２１０の共通線（ゲート駆動線Ｇｌ、
Ｇ２．・・・、６Ｍ）はゲート駆動部２４６　によりド
ライブされる。一方、信号出力はマトリクス構成になっ
ている引出し線２３０（信号出力線Ｄｉ、Ｄ２．・・・
、ＤＮ）を介してイε号処理部２４７（ブロック単位で
）接続される。

また、光センサＳ１．Ｉｎ・・・＋Ｓ１．　Ｎ＋Ｓ２．
　Ｉｎ・・・、ＳＭ、Ｈのゲート電極（遮光層２０２）
は駆動源２５０に接続されて、負のバイアスが加えられ
ている。

かかる構成において、ゲート駆動）、ｌＧ１．Ｇ２゜・
・・、ＧＭにはゲート駆動部２４６から順次選択パルス
（ＶＧＩ、ＶＧ２．ＶＧ３．−、ＶＧＭ）が供給される
。まず、ゲート駆動線Ｇ１が選択されると、転送用スイ
ッチＳＴＩがＯＮ状態となり、蓄積コンデンサＣ１に蓄
積された電荷が負荷コンデンサＣＸＩ〜ＣＸＮに転送さ
れる。次にゲート駆動線Ｇ２が選択されると、転送用ス
イッチＳＴ２がＯＮ状態となり、蓄積コンデンサＣ２に
蓄積された電荷が負荷コンデンサＣＬ　”ＣＸ３２に転
送され、同時に放電用スイッチ５１１　により蓄積コン
デンサＣ１の電荷がリセットされる。以下同様にして、
Ｇ３．Ｇ４．・・・、ＧＭについても選択されて読み取
り動作が行われる。これらの動作は各ブロックごとに行
われ、各ブロックの信号出力ＶＸＩ、ＶＸ２゜・・・、
ＶＸＮは信号処理部２４７の入力Ｄｉ、Ｄ２．・・・、
ＤＮに送られ、シリアル信号に変換されて出力される。

本実施例においても、条例と同様に光センサ５１を駆動
すれば、前の読取り時の圧力を消去して次の読取りを行
うことができ、光応答速度が向上し、かつ入射光に正し
く対応し、かつ安定した出力を得ることができる。すな
わち、光に対する応答性を従来に比べて大幅に向上させ
ることができる。

なお、上述の各側においては、半導体層をはさんで主電
極（第１図（八）では１１６，１１７　）と遮光層（第
１図（Ａ）では１１２）とを反対側に配置したスタガー
型の画像読取装置について述べたが、第８図に示すよう
に半導体層１４の同じ側にＡｋ等の主電極１１６，１１
７と遮光層１１２とを配置する構成にしても同様の効果
が得られる。

すなわち、本発明は、基板裏面側より光を原稿面に照射
し、その反射光を直接センサ部に受容して画像を読取る
形態の画像読取装置であれば、ファクシミリ装置、イメ
ージリーダ等如何なる形態の画像読取装置に極めて有効
に適用できるものである。

［発明の効果コ 以上説明したように、本発明によれば、センサ部に要求
される特性を改善でき、以て良好で安定した画像読取り
を行うことのできる画像読取装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】 第１図（Ａ）および（８）は、それぞれ、本発明の一実
施例に係る画像読取装置の側断面図、およびそのセンサ
部の上面図、 第２図（Ａ）　、　（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれ、
光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ部等とを一体に形成
した形態の画像読取装置の一実施例を示す平面図、その
Ｂ−Ｂ線断面図、およびＣ−Ｃ線断面図、 第３図は第２図（Ａ）〜（Ｃ）　　に示した画像読取装
置の等価回路を示す回路図、 第４図は第１図または第２図における光センサの駆動態
様の一実施例を示す波形図、 第５図（Ａ）および（Ｂ）は本実施例による出力電流の
変化を説明するための波形図、 第６図は光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ部等とを一
体に形成した形態の画像読取装置の他の実施例を示す平
面図、 第７図は第６図示の装置の等価回路を示す回路図、 第８図は本発明のさらに実施例に係る画像読取装置の側
断面図、 第９図は従来の画像読取装置の−５例を示す側断面図で
ある。 ８．１０８，２０８・・・光センサ部、１１．２０１・
・・透明基板、 １２・・・遮光層、 １３．２０３・・・絶縁層、 １４・・・半導体層、 １Ｂ、１７．Ｈａ、２１７・・・電極（配線）、１９．
２１９・・・入射窓、 ２０・・・保ｇｉ層、 ２１２・・・電荷蓄積部、 ２１３・・・スイッチ部、 ２１３ａ・・・転送用スイッチ部、 ２１３ｂ・・・放電用スイッチ部、 ２４δ・・・ゲート駆動部、 ２４７・・・信号処理部、 ２５０・・・駆動源。 第１図 第１図 第２図 ｎ　　　Ｏ ＾寸＾１ 第４図 （Ａ） 第８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）光透過性の基板表面に配置された遮光層と、該遮光
   層上に配置された絶縁層と、該絶縁層上に配置された半
   導体層と、該半導体層に接して配置された一対の上部電
   極とを有する光センサを具え、前記基板の裏面側より原
   稿面に照射された光の反射光を前記一対の上部電極間の
   前記半導体層の部分に受容することにより画像情報を読
   取る画像読取装置において、 前記遮光層を導電性の部材で構成し、該導電性の部材に
   対して、前記半導体層の電流を担うキャリアに従ったバ
   イアス電圧を印加するとともに、前記光センサの非読取
   期間内に前記バイアス電圧と同極性であって絶対値の小
   さい電圧を印加する駆動手段を具えたことを特徴とする
   画像読取装置。 ２）特許請求の範囲で第１項記載の画像読取装置におい
   て、前記バイアス電圧と同極性であって絶対値の小さい
   電圧は、前記光センサの読取り直前に前記遮光層に所望
   時間印加されることを特徴とする画像読取装置。