JPS6392154A - 画像読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、画像読取装置に関し、例えば−次元ラインセ
ンサを有し、その−次元ラインセンサ上に対し密着させ
た状態で画像読取りに係る原稿を相対的に移動させつつ
画像情報を読取るファクシミリ装置、イメージリーダ等
に適用して好適な画像読取装置に関するものである。

［従来の技術］ 従来、−次元ラインセンサを用いる画像読取り装置とし
ては、長さ数ｃｍの一次元ラインセンサに縮小光学系を
用いて原稿像を結像させて原画像情報の読取りを行うも
のが知られている。しかしながら、この種の画像読取り
装置は縮小なしい結像を行うために大なる光路長を要し
、しかも光学系の体積が大きいために読取装置を小型に
構成することは困難であった。

一方、原稿幅と同じ長さの長尺−次元ラインセンサを用
いる等倍光学系を用いる場合においては、光学系の体積
は著しく減少でき、読取り装置の小型化を図ることがで
きる。かかる等倍光学系を実現する方法としては、集束
性ファイバを用いる方法やコンタクトレンズアレイを用
いる方法等が知られている。

しかしながら集束性光ファイバは一般に高価であるため
、そこでこうしたファイバーやレンズアレイを全く用い
ないで、−次元ラインセンサ上を密着状態で原稿を移動
させつつ読取りを行うコンタクト方式の原稿読取り方法
（特開昭５５−７４２６２号、特開昭５５−７５２７１
号、特開昭５８−４５０８４号、特開昭５８−１２２１
７２号）が水出願人の先出願に係るものとして既に開発
されている。

第９図は、上記コンタクト方式の画像読取装置の要部を
一部破断して示す側断面図である。該装置を概略説明す
るに、８はガラス等透明の基板１１上に図面に直交する
方向に配列されて一次元ラインセンサを構成するセンサ
部である。

このセンサ８において、ガラス等の透明基板１１上には
、金属等の遮光層１２および絶縁層１３が形成され、そ
の上に光導電層としての水素化アモルファスシリコン（
以下ａ−５ｉ二Ｈと称する）やＣｄ５−５ｅ等の半導体
層１４が形成されている。更にオーミックコンタクト用
のドーピング半導体層１５を介して一対の主電極１６お
よび１７が形成され、その間に受光窓１８が形成されて
いる。

かかる構成において、透明基板１１の入射窓１９を通し
て入射した光しくこの入射光に対してはセンサ部８は遮
光層１２によって遮光されている）で原１１１Ｐを照明
し、その反射光をセンサ部８で受けて不図示の電極配線
を介して読み取り信号が取り出される。すなわち、例え
ば主電極１６の電位を基準として主電極１７に高電位の
駆動電圧が印加されているとき、受光窓１８を介して反
射光りが半導体層１４の表面に入射すると、キャリアが
増加するために抵抗が下かり、この変化を画像情報とし
て読取ることかできる。

かかる構成では、光源３０からの光は基板１１の裏面側
から入射する。この時、原稿面からの反射光以外に光源
３０からの直接光がセン°す部８に入射すると、直接光
によるキＭｔ流が定常雷治、とじて流れるので、原稿面
からの反射光による光電流が流れてもＳ／Ｎ比が非當に
低下する。そこで、光源３ｏからの直接光がセンサ部８
に入射するのを防ぐためにセンサ部８の光源側に遮光層
１２を設けることが必須となるのである。そしてこの遮
光層１２は、薄膜で十分な遮光性を確保するために、通
常金属で形成されている。

一方、原稿Ｐとセンサ部８との間の間隔は、通常０．１
ｍｍ程度として４〜８木／ｍｍの読取り解像力が得られ
るが、このような解像力を確保するために上記間隔は厳
密に制御されなければならない。

該間隔の制御は、透明の保護層２ｏをセンサ部８の上面
に被覆形成することによって行われる。

［発明が解決しようとする問題点］ 一般に、画像読取装置のセンサ部においては、暗電流が
小さいこと、Ｓ　／　Ｎ特性に優れいていること、入射
光の強さに対する出力電流（■、）の直線性に優れてい
ること等が要求される。

しかしながら、レンズを有しない第９図示のようなコン
タクトタイプのセンサでは、上述のように通常金属で形
成される遮光層１２を設けることが必須であるが、この
遮光層１２の電位について十分な考慮がなされていなか
った。すなわち、遮光層１２は電気的に浮いていて不安
定な状態となっていた。このため、遮光層１２側の絶縁
層１３と接している半導体層１４のバンド状態が不安定
となり、安定した光電流が得られないこととなる。

また、第４図につき後述するＣ−ｖ曲線からも明らかな
ように、フラットバンド電圧は若干負（ａ−５ｉの半導
体層はｎ−になっているのが普通）となっているので、
遮光層１２の電圧を印加しないと絶縁層１３との界面は
弱くアキュムレイトして、口ａ電流の増加を招きＳ／Ｎ
比を低下させることになる。このため、画像の読取り品
位が必ずしも良好とは言えず、従ってそれら諸点を改善
することが強く要望されていた。

本発明は、上記センサ部に要求される特性を改善し、良
好で安定した画像読取りを行うことのできる画像読取装
置を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ そのために、本発明は、光透過性の基板表面に配置され
た遮光層と、遮光層上に配置された絶縁層と、絶縁層上
に配置された半導体層と、半導体層に接して配置された
一対の上部電極とを有する光センサを具え、基板の裏面
側より原稿面に照射された光の反射光を一対の上部電極
間の前記半導体層の部分に受容することにより画像情報
を読取る画像読取装置において、遮光層として導電性の
部材を配置するとともにその導電性の部材に一対の上部
電極に印加される電圧のいずれよりも低い電圧を印加す
る駆動手段を具えたことを特徴とする。

Ｃ作　用］ すなわち、本発明によれば、導電性の遮光層を設け、こ
れに電位を印加することによって半導体層の空乏層を制
御できる。これにより、暗電流を減少させるてＳ／Ｎ特
性を良好にするとともに光センサの光量依存の直線性等
を改善できるようになる。

［実施例コ 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、本発明の一実
施例に係る画像読取装置の側断面図、およびそのセンサ
部の上面図であり、これら図において第６図と同材の各
部については対応箇所に同一符号を付しである。なお、
同図（Ａ）は同図（Ｂ）の■−１線断面を示す。

本例に係るセンサ部１０８においては遮光層１１２を導
電性の部材、例えは金属で構成するとともに、後述する
ように駆動部に接続して、主電極１１６（ソース側）お
よび１１７（トレイン側）に対するゲートＴＬ極となる
ようにする。また、主電極１１６および＋１７をくし形
に形成し、互い違いに対向させることによって同図（Ｂ
ｌ上受光窓１１８が蛇行した形状に形成され、この窓１
１８によって露出した半導体層１４の部分において原稿
Ｐからの反射光を受容し、光電変換が行われる。

箪１図ｆＡ）および（８）に示したキセンサ部１０８は
、画像読取りの１ビツトに対応したものであるが、基板
１１上にこれをライン状に複数個数整列させて、１次元
ラインセンサを構成することもできる。例えば、原ｆＡ
　Ｐの幅方向（同図（八）において矢印で示す原ＩＲｐ
の移動方向を直交する方向）に、へ４サイズ相当の２１
６ｍｍにわたって８木／ｍｍの解像度をもたせるとすれ
ば、１７２８個の光センサ部１０８を配列することがで
きる。さらに、光センサ部と、光センサ部の出力を蓄積
する電荷蓄積部（コンデンサ部）と、当該蓄積された電
荷を転送して信号処理に供するだめのスイッチ部と、必
要な配線パターン等とを同一の製造工程で基板上に形成
してもよい。

第２図（八）　、　（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれこ
のような光センサ部と電荷蓄積部およびスイッチ部等と
を一体に形成した形態の画像読取装置の一実施例を示す
平面図、そのＢ−Ｂ線断面図およびＣ−Ｃ線断面図を示
す。

これら図において、２１０はゲートマトリクス配線部、
２０８は光センサ部、２１２は電荷蓄積部、２１３は転
送用スイッチ２１３ａおよび電荷蓄積部２１２の電荷を
リセットする放電用スイッチ２１３ｂを含むスイッチ部
、２１４は転送用スイッチの信号出力を後述の信号処理
部に接続する配線、２２３は転送用スイッチ２１３ａに
よって転送される電荷を蓄積し、読み出すための負荷コ
ンデンサである。

本実施例では光センサ部２０８、転送用スイッチ２１３
ａおよび放電用スイッチ２１．３　ｂを構成する光電導
性半導体層１４としてＢ−５ｉ：Ｈ膜が用いられ、絶縁
層２０３　としてグロー放電による窒化シリコン膜（Ｓ
ｉＮＩＩ）が用いられている。

なお、第２図（Ａ）においては、煩雑さを避けるために
、上下二層の電極配線のみ示し、光導電性半導体層１４
および絶縁層２０３は図示していない。

また光導電性半導体層１４および絶縁層２０３は光セン
サ部２０８、電荷蓄積部２１２）転送用スイッチ２１３
ａおよび放電用スイッチ２１３ｂに形成されているほか
、上層電極配線と基板との間にも形成されている。さら
に上層電極配線と光導電性半導体層との界面にはｎ＋に
ドープされたａ−５ｉ：Ｈ層２０５が形成され、オーミ
ック接合がとられている。

また、本実施例のラインセンサの配線パターンにおいて
は、各センサ部から出力される信号経路はすべて他の配
線と交差しないように配線されており、各信号成分間の
クロストーク並びにゲート電極配線からの銹導ノイズの
発生を防いでいる。

光センサ部２０８において、２１６および２１７は上層
電極配線である。入射窓２１９から入射され、原稿面で
反射された光はａ−５ｉ：Ｈたる光導電性半導体層１４
の導電率を変化させ、くし状に対向する上層電極配線２
１６，２１７間に流れる電流を変化させる。なお、２０
２は後述する駆動部に接続された全屈の遮光層である。

電荷蓄積部２１２は、下層電極配線２１４と、この下層
ＴＬ極配線２１４上に形成された絶縁層２０３と光導電
性半導体１４との誘電体と、光導電性半導体層１４上に
形成されて光センサ部の上層電極配線２１７に連続した
配線とから構成される。この電荷蓄積部２１２の構造は
いわゆる旧Ｓ　（Ｍｅｔａｌ−１ｎｓｕｌａｔｅｒ−５
ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）コンデンサと同じ構造であ
る。バイアス条件は正負いずれでも、用いることができ
るが、下層電極配線２１４を常に負にバイアスする状態
で用いることにより、安定な容量と周波数特性を得るこ
とができる。

図中（Ｃ）　は転送用スイッチ２１３ａおよび放電用ス
イッチ２１３ｂを含む薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）構造
のスイッチ部２１３を示し、転送用スイッチ２１３ａは
、ケート電極たる下層電極配線２２４　と、ゲート絶縁
層をなす絶縁層２０３と、光導電性半導体層１４と、ソ
ース電極たる上層電極配線２２５　と、ドレイン電極た
る上層ＴＬ極配線２１７等とから構成される。放電用ス
イッチ２１３ｂのケート絶縁層および光導電性半導体層
はそれぞれ絶縁層２０３および光導電性半導体層１４と
同一層であり、ソース電極は上層電極配線２１７、ケー
ト電極は下層電極配線２２７、ドレイン電極は」二層電
極配線２２６である。また、２３４は転送用スイッチ２
１３ａのケート電極に接続される下層配線である。

前述したように、上層電極配線２１７　、２２５および
２２６と光導電性半導体層１４との界面には、ａ−５ｉ
　：　ｔｌのｎ＋層２０５が介在し、オーミック接触を
形成している。

以上のように本例に係るラインセンサは、光センサ部、
電荷蓄積部、転送用スイッチ、放電用スイッチ、マトリ
クス配線部の各構成部のすべてか光導電性半導体層およ
び絶縁層等の積層構造を有するので、各部を同一プロセ
スにより同時形成することができる。

第３図は第２図（Ａ１−（Ｃ）に示した画像読取装置の
等価回路を示す。

同図において、Ｓｌ、Ｓ２．・・・、ＳＮ（以下、ＳＹ
Ｉと記す）は光センサ部２０８を示す光センサである。

ＣＩ、Ｃ２゜・・・、ＣＮ（以下、ＣＹＩ　と記す）は
電荷蓄積部２１２を示す蓄積コンデンサであり、光セン
サＳＹＩの光電流を蓄積する。ＳＴＩ、ＳＴ２．−．５
ＴＮ（以下、５ＴＹＩと記す）は蓄積コンデンサＣＹＩ
の電荷を負荷コンデンサＣＸＩ　　（負荷コンデンサ２
２３に対応）に転送するための転送用スイッチ（転送用
スイッチ２１３ａに対応）　、　ＳＲＩ、ＳＲ２，・・
・、５ＲＮ（以下、５ＲＹＩ　と記す）は蓄積コンデン
サＣＹＩの電荷をリセットする放電用スイッチ（放電用
スイッチ２１３ｂに対応）である。

これらの光センサＳＹｌ、蓄積コンデンサＣＹＩ、転送
用スイッチ５ＴＹＩおよび放電用スイッチ５ＲＹＩはそ
れぞれ一列にアレイ状に配置され、Ｎ個で１ブロツクを
構成し、画像読取装置は全体としてＭ個のブロックに分
けられている。例えば、センサが１７２８個で構成され
ているとすれば、Ｎ＝３２．　Ｍ＝５４とすることがで
きる。アレイ状に設けられた転送用スイッチ５ＴＹＩ、
放電用スイッチ５ＲＹＩのゲート電極はマトリックス配
線部２１０に接続される。転送用スイッチ５ＴＹＩのゲ
ート電極は他のブロックの同順位の転送用スイッチのゲ
ート電極とそれぞれ共通に接続され、放電用スイッチ５
ＲＹＩのゲート電極は各ブロック内の次の順位の転送用
スイッチのゲート電極に循環して接続される。

マトリクス配線部２１０の共通線（ゲート駆動線Ｇ１．
Ｇ２．・・・、　ＧＮ）はゲート駆動部２４６によりド
ライブされる。−力信号出力は引出し線２１４（信号出
力線Ｄｉ、　Ｄ２．・・・、　ＤＭ）を介して信号処理
部２４７に接続される。

また、光センサＳｌ、・・・、ＳＮ　、・・・、ＳＮＸ
Ｍのゲート電極（遮光層２０２）は駆動源２５０に接続
されて、負のバイアスが加えられている。

かかる構成において、ゲート駆動線Ｇｌ、Ｇ２゜・・・
、ＧＮにはゲート駆動部２４６から順次選択パルス（Ｖ
ＧＩ、ＶＧ２．ＶＧ３．・、ＶＧＮ）が供給される。ま
ず、ゲート駆動線６１が選択されると、転送用スイッチ
ＳＴＩがＯＮ状態となり、蓄積コンデンサＣ１に蓄積さ
れた電荷が負荷コンデンサＣＸＩに転送される。次にゲ
ート駆動線Ｇ２が選択されると、転送用スイッチＳＴ２
がＯＮ状態となり、蓄積コデンサＣ２に蓄積された電荷
が負荷コンデンサＣＸＩ　に転送され、同時に放電用ス
イッチＳＲＩにより蓄積コンデンサＣＩの電荷がリセッ
トされる。以下同様にして、Ｇ３．Ｇ４゜ｌ、・・・、
ＧＮについても選択されて読み取り動作が行われる。こ
れらの動作は各ブロックごとに行われ、各ブロックの信
号出力ＶＸＩ　、ＶＸ２　、・・・、ＶＸＭは信号処理
部２４７の人力ＤＩ、Ｄ２．・・・、ＤＭに送られ、シ
リアル信号に変換されて出力される。

本例においては、光センサＳｔ、・・・、ＳＮ　、　Ｓ
ＮＸＭのゲート電極に負のバイアス電圧を印加する。こ
れは次のような理由による。

第４図は、第１図示の如き構成において、絶縁層１３に
３，０００人のＳｉＨを、半導体層１４に４，０００人
のα−５ｉを用いたときの遮光層１１２　と上部電極１
１６．１１７　との間の容量変化を示すものである。こ
の容量は、絶縁層１３と半導体層１４とを含めてのもの
である。ここで、ｃｏは光を照射しないＨ９状態での容
量変化を示す曲線である。

容量Ｃ８はセンサバイアスＶｓｇに対して負のバイアス
電圧の絶対値が大となるにつれ、膜厚方向に半導体層の
空乏層か拡がって行くために減少して行く。この図では
、−ｉｖて空乏層が半導体層の膜厚全体にわたって拡が
っている。

従って一１ｖ以下の値で、光照射時にある程度の容量が
確保できる範囲の負のバイアス電圧をゲート電極に印加
すれは、暗状態での容量、すなわち暗電流の影響を排除
でき、Ｓ／Ｎ特性を向上できることになる。

第５図はバイアス電圧Ｖｓｇに対する光電流ｒｐおよび
センサの光量依存性（直線性）を表わすγ（γ＝１が理
想）の特性であり、光センサのドレイン側電極（第１図
（八）の電極１１７および第２図（Ａ）の電極２１７）
に印加する電圧を変化させて行った実験結果を示す。こ
の実験に用いた半導体層の厚みは４０００人であった。

これらの点に考慮し、第４図の（ａ）〜（ｆ）点につき
ｌｐ値、γ値ないしＳ／Ｎ比について評価を行ったとこ
ろ、次表の如き効果を得た。

［表］センサ特性 空乏層が半導体層の膜厚全体に拡がり、ｌ′Ｉｉａ電流
が十分に小となる電圧Ｖｓｇは一１ｖであること、ざら
にγ値ないしＳ／Ｎ比を考慮してセンサのゲート電極に
はこれ以下のバイアスを印加すればよいことになる。し
かしながら、バイアス電圧が一１０Ｖ以下ではγ値は良
好であるが、光電流Ｉｐの信号レベルは小さく、ノイズ
の影晋が犬となるのでＳ／Ｎ比は悪化する。そこで、本
例では上部電極の低い電位に比して−１〜−１０Ｖのバ
イアス電圧がゲート電極に印加されるべく、駆動部２５
０を発生電圧可変の電源装置とし、これを調整すれば、
安定性に優れたセンサ特性を得ることができるとの結論
を得た。

すなわち、本実施例によれば、遮光層（１１２゜２０２
）をゲート電極とし、負のバイアスを適切に印加するこ
とで光電変換部たる半導体層を空乏層化することにより
、暗電流の影πを排除してＳ／Ｎ特性を向上するととも
に、直線性を確保できることになる。

第６図は光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ部とを一体
に形成した形態の画像読取装置の他の実施例を示す。こ
こで、第２図（Ａ）〜（Ｃ）に示した実施例と同様に構
成できる部分については対応箇所に同一符号を付しであ
る。図において、２３０は出力信号マトリクスである。

第７図は第６図に示した画像読取装置の等価回路を示す
。

図において、Ｓｉ、１．５１．２．　　・・・、Ｓ五、
Ｎ（以下、Ｓｉと記す。ここで、ｉはブロックの番号、
１〜Ｎは各ブロック内のビット数である。）は光センサ
部２０８を示す光センサである。ｃ＋、　１．　ｃ、、
　２．・・・、（：１．Ｎ（以下、Ｃ１と記す）は電荷
蓄積部２１２を示す蓄積コンデンサであり、光センサＳ
Ｉの光電流を蓄積する。”Ｔ１．　＋　、ＳＴ１．２．
・・・、ＳＴ１．Ｎ（以下、ＳＴ＋　と記す）は蓄積コ
ンデンサＣ４の電荷を負荷コンデンサＣＸ、。

Ｃ×２．・・・、ＣＸＮ（負荷コンデンサ２２３に対応
）に転送するための転送用スイッチ（転送用スイッチ２
１３ａに対応）　、ＳＲ１，ｌ、ＳＲ１，２，・・・、
ＳＲ１，Ｎ（以下、ＳＲ，と記す）は蓄積コンデンサＣ
Ｉの電荷をリセットする放電用スイッチ（放電用スイッ
チ２１３ｂに対応）である。

これらの光センサＳｉｒ蓄積コンデンサＣＩ＋転送用ス
イッチＳＴ＋および放電用スイッチＳＲ，はそれぞれ一
例にアレイ状に配置され、Ｎ個で１ブロツクを構成し、
画像読取装置は全体としてＭ個のブロックに分けられて
いる。例えば、センサが１７２８個で構成されていると
すれば、Ｎ＝３２．　Ｍ＝５４とすることができる。ア
レイ状に設けられた転送用スイッチＳＴ、　、放電用ス
イッチＳＲ，のゲート電極はゲート配線部２１０に接続
される。転送用スイッチＳＴ、のゲート電極はｉ番目の
ブロック内で共通に接Ｘ売され、放電用スイッチＳＲ，
のゲート電極は次の順位のブロックの転送用スイッチの
ゲート電極に循環して接続される。

マトリクス配線部２１０の共通線（ゲート駆動線Ｇｌ、
Ｇ２．・・・、ＧＭ　）はゲート駆動部２４６　により
ドライブされる。一方、ｆＸ号圧力はマトリクス構成に
なっている引出し線２３ｏ（信号出力ＡｉＤ１．Ｄ２．
・・・、　ＯＮ）を介して信号処理部２４７（ブロック
単位で）接続される。

また、光センサ”１．Ｉ＋・・・＋Ｓ１．　Ｎ、”２．
　Ｉ、・・・ｊＭ、Ｎのゲート電極（遮光層２０２）は
駆動源２５０に接続されて、負のバイアスが加えられて
いる。

かかる構成において、ゲート駆動線Ｇｌ、Ｇ２゜・・・
、ＧＭにはゲート駆動部２４６から順次選択パルス（Ｖ
ＧＩ、ＶＧ２．ＶＧ３．　・、ＶＧＭ）が供給される。

まず、ゲート駆動線Ｇｌが選択されると、転送用スイッ
チＳＴＩがＯＮ状態となり、蓄積コンデンサＣＩに蓄積
された電荷が負荷コンデンサＣＸ、〜ＣｘＨに転送され
る。次にゲート駆動線Ｇ２が選択されると、転送用スイ
ッチＳＴ２がＯＮ状態となり、蓄積コンデンサＣ２に蓄
積された電荷が負荷コンデンサＣＸ、〜ＣＸ３２に転送
され、同時に放電用スイッチ５ＩＩＩにより蓄積コンデ
ンサＣ１の電荷がリセットされる。以下同様にして、Ｇ
３．Ｇ４．・・・、ＧＭについても選択されて読み取り
動作が行われる。これらの動作は各ブロックごとに行わ
れ、各ブロックの信号出力ＶＸＬＶＸ２゜・・・、ＶＸ
Ｎは信号処理部２４７の入力Ｄ１．Ｄ２．・・・、ＤＮ
に送られ、シリアル信号に変換されて出力される。

本実施例においても、上側と同様に、光センサＳｉのゲ
ート電極に適切な値の負のバイアス電圧を印加すれば、
光電変換部たる半導体層を空乏層化することにより、０
８電流の影響を排除してＳ／Ｎ特性を向上するとともに
、光量依存の直線性を確保できることになる。

なお、上述の各側においては、半導体層をはさんで主型
Ｖｉ（第１図（Ａ）では１１６，１１７　）と遮光層（
第１図（八）では１１２）とを反対側に配置したスタガ
ー型の画像読取装置について述べたが、第８図に示すよ
うに半導体層１４の同じ側にＡＩＬ等の主電極１１６，
１１７と遮光層１１２　とを配置する構成にしても同様
の効果が得られる。

すなわち、本発明は、基板裏面側より光を原稿面に照射
し、その反射光を直接センサ部に受容して画像を読取る
形態の画像読取装置であれば、ファクシミリ装置、イメ
ージリーダ等如何なる形態の画像読取装置に極めて有効
に適用できるものである。

［発−明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、センサ部に要求
される特性を改善でき、以て良好で安定した画像読取り
を行うことのできる画像読取装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ、本発明の一実
施例に係る画像読取装置の側断面図、およびそのセンサ
部の上面図、 第２図（Ａ）　、　（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれ、
光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ部等とを一体に形成
した形態の画像読取装置の一実施例を示す平面図、その
Ｂ−Ｂ線断面図、およびＣ−Ｃ線断面図、 第３図は第２図（Ａ）〜（Ｃ）　　に示した画像読取装
置の等価回路を示す回路図、 第４図および第５図は光センサ部のゲート電極に印加す
るバイアス電圧変化に対する詰特性を説明するための線
図、 第６図は光センサ部と電荷蓄積部とスイッチ部等とを一
体に形成した形態の画像読取装置の他の第７図は第６図
の装置の等価回路を示す回路図、 第８図は本発明のさらに他の実施例に係る画像読取装置
の側断面図、 第９図は従来の画像読取装置の一例を示ず側段面図であ
る。 ８．１０８，２０８・・・光センサ部、１１．２０１・
・・透明基板、 １２・・・遮光層、 １３．２０３・・・絶縁層、 １４・・・半導体層、 １６．１７，２１６，２１７・・・電極（配線）、１９
．２１９・・・入射窓、 ２０・・・保護層、 ２１２・・・電荷蓄積部、 ２１３・・・スイッチ部、 ２１３ａ・・・転送用スイッチ部、 ２１３ｂ・・・放電用スイッチ部、 Ｑ　Ｊ　ｅ　　−−−ＪＪ　　−Ｌ　　１１コｆｔ−ｈ
　ｆｍ２４７・・・信号処理部、 ２５０・・・駆動部。 第１図 第２図 バイアス屯反　Ｖｓｇ　［Ｖ］ 第４図 ０　■婁１０Ｖ Δ　　ｖｄ、冒　５ｖ 第５図 第８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）光透過性の基板表面に配置された遮光層と、該遮光
   層上に配置された絶縁層と、該絶縁層上に配置された半
   導体層と、該半導体層に接して配置された一対の上部電
   極とを有する光センサを具え、前記基板の裏面側より原
   稿面に照射された光の反射光を前記一対の上部電極間の
   前記半導体層の部分に受容することにより画像情報を読
   取る画像読取装置において、 前記遮光層として導電性の部材を配置するとともに該導
   電性の部材に前記一対の上部電極に印加される電圧のい
   ずれよりも低い電圧を印加する駆動手段を具えたことを
   特徴とする画像読取装置。 ２）特許請求の範囲第１項記載の画像読取装置において
   、前記駆動手段は前記半導体層が厚さ方向全幅にわたっ
   て空乏層化する電圧を印加することを特徴とする画像読
   取装置。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項に記載の画像読
   取装置において、前記光センサは前記基板上に複数個数
   配列されて一次元センサアレイを構成することを特徴と
   する画像読取装置。