KR970063465A - 텅스텐 화학기상증착 반응실에서의 식각 방법 - Google Patents

텅스텐 화학기상증착 반응실에서의 식각 방법 Download PDF

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다카오 아키야마
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가네꼬 히사시
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Abstract

텅스텐 CVD 반응이 수행될 때, 박막 형성 가스에 의해 반응실의 내부에 증착된 텅스텐 박막을 플라즈마로서 제거하는 텅스텐 CVD 반응실 내부에서의 식각 방법에서, 반응실 내에서 박막 형성 가스의 잔여분을 배기시키는 단계와, 반응실의 내부에 고주파 전원을 인가하고, 반응실 내에서 소정의 진공도를 유지시키고, 플라즈마를 발생시키기 위해 6-플루오르화 황(sulfur hexafluoride, SF6)과 산소(oxygen, O2)의 혼합 가스를 반응실 내부로 유도하는 단계를 포함하는 텅스텐 CVD 반응실 내부에서의 식각 방법이 제안된다.

Description

텡스텐 화학기상증착 반응실에서의 식각 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 기술에 따른 식각 방법에서 사용되는 텅스텐 CVD 성장 장치를 도시한 개략도.

Claims (5)

  1. 텅스텐 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 반응이 수행될 때, 박막 형성 가스에 의해 반응실의 내부에 증착된 텅스텐 박막을 플라즈마로서 제거하는 텅스텐 화학 기상 증착 반응실에서의 식각 방법에 있어서, 반응실 내에서 박막 형성 가스의 잔여분을 배기시키는 단계와, 반응실 내에서 소정의 진공도를 유지시키는 동안에 상기 반응실의 내부에 고주파 전원을 인가하고, 플라즈마를 발생시키기 위해 6-플루오로화 황(sulfur hexafluoride, SF6)과 산소(oxygen, O2)의 혼합 가스를 반응실 내부로 유도하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 화학 기상 증착 반응실에서의 식각 방법.
  2. 제1항에 있어서, 진공도는 70㎜Torr 이하인 것을 특징으로 하는 텅스텐 화학 기상 증착 반응실에서의 식각 방법.
  3. 텅스텐 화학 기상 증착 반응이 수행될 때, 박막 형성 가스에 의해 반응실의 내부에 증착된 텅스텐 박막을 플라즈마로서 제거하는 텅스텐 화학 기상 증착 반응실에서의 식각 방법에 있어서, 반응실 내에서 박막 형성 가스의 잔여분을 배기시키는 단계와, 반응실 내에서 소정의 제1진공도를 유지시키는 동안에 반응실의 내부에 제1고주파 전원을 인가하고, 플라즈마를 발생시키기 위해 6-플루오로화 황(sulfur hexafluoride, SF6)과 산소(O2)의 혼합 가스를 반응실 내부로 유도하는 단계와, 반응실 내에서 소정의 제2진공도를 유지시키는 동안에 반응실의 내부에 제2고주파 전원을 인가하고, 플라즈마를 발생시키기 위해 상기 혼합 가스를 반응실 내부로 유도하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 화학 기상 증착 반응실에서의 식각 방법.
  4. 제3항에 있어서, 제1고주파 전력은 제2고주파 전력보다 높고, 제1진공도는 제2진공도보다 낮은 것을 특징으로 하는 텅스텐 화학 기상 증착 반응실에서의 식각 방법.
  5. 제4항에 있어서, 제1진공도는 70㎜Torr보다 낮고, 제2진공도는 70㎜Torr보다 높은 것을 특징으로 하는 텅스텐 화학 기상 증착 반응실에서의 식각 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970005266A 1996-02-21 1997-02-21 텅스텐 화학기상증착 반응실에서의 식각 방법 KR100272123B1 (ko)

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