KR920003417A - 반도체 웨이퍼상에 집적회로 구조물을 형성시키는데 사용되는 vhf/uhf(초고주파/극초단파) 플라즈마 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼상에 집적회로 구조물을 형성시키는데 사용되는 vhf/uhf(초고주파/극초단파) 플라즈마 방법 Download PDF

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에이. 로데릭 크라이그
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엔. 케이. 왕 데이비드
마이단 단
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제임스 조셉 드롱
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 웨이퍼상에 집적회로 구조물을 형성시키는데 사용되는 VHF/UHF(초고주파/극초단파) 플라즈마 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 플라즈마-보조방법을 사용한 저압 활성화이온 에칭(RIE)의 흐름도,
제2도는 본 발명에 따른 플라즈마-보조방법을 사용한 고압에칭의 흐름도.

Claims (55)

  1. 반도체 웨이퍼가 장착되어 있는 전극을 포함하는 진공챔버내에서 상기 반도체 웨이퍼상에 집적회로 구조물을 제조하기 위한 방법으로서, 상기 전극에 연결되어서 약 50MHz 내지 800MHz의 주파수 범위내에서 작동되는 하나이상의 전원에 의하여 인가되는 플라즈마를 상기 챔버내에 유지시키는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전원이 웨이퍼 면적의 약 10 내지 76 watts/in2범위의 전력 밀도하에서 작동되는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 자기효과를 향상시키도록 상기 챔버의 바깥쪽 둘레에 배열된 보조자석을 사용하면서 수행되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마가 약 5MHz 내지 800MHz의 주파수 범위밖에서 작동되는 다른 전원에도 연결되어 있는 방법.
  5. 반도체 웨이퍼상에 집적회로 구조물을 제조하는데 사용되는 재료를 에칭하기 위한 플라즈마-보조 RIE방법으로서, 애노드 및 캐소드상에 장착된 웨이퍼를 포함하고 있으며 내부압력이 약 2 내지 500밀리토르 범위로 유지되는 진공에칭 챔버내에서, 상기 웨이퍼 지역의 전력밀도 레벨이 약 10 내지 76 watts/in2의 범위로 유지되고 주파수 범위가 약 50 내지 800MHz인 전원을 사용하여서 상기 챔버내에 플라즈마를 유지시키는 단계를 포함하는 RIE 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 애노드 및 캐소드 전극에서 캐소드 지역에 대한 애노드 지역의 비가 적어도 약 2:1이고, 전극간격이 약 5cm 이상인 RIE 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 애노드 및 캐소드가 약 5cm 내지 약 30cm의 전극간격을 가지는 RIE 방법.
  8. 제6항에 있어서, 약 0.3 내지 0.7㎛/min의 에칭속도로 산화실리콘을 에칭하는 방법을 포함하는 RIE 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 전원이 약 100MHz 내지 약 250MHx의 주파수 범위내에서 작동되는 RIE 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 챔버내의 압력이 약 20 내지 200 밀리토르 RIE 방법.
  11. 제6항에 있어서, 상기 웨이퍼 지역의 전력밀도가 약 45 내지 60 watts/in2인 RIE 방법.
  12. 제6항에 있어서, 플루오르 공급원과, 임의의 수소공급원과, 탄소 공급원과, 임의의 산소 공급원과, 그리고 임의의 불활성 가스공급원을 상기 플라즈마가 내부에서 점화되는 동안에 상기 챔버를 통해서 유동시키는 단계를 더 포함하는 RIE 방법.
  13. 제12항에 있어서, 폴리실리콘이나 포토레지스트 보다는 산화 실리콘을 에칭하기 위한 선택방법을 포함하고 있으며, 상기 선택방법에서 플루오로에 대한 탄소의 원자비가 약 0.1:1 내지 약 2:1의 범위이고, 플루오르에 대한 수소의 원자비는 약 0.1:1 내지 약 0.5:1의 범위이며, 이에 따라서 폴리실리콘이나 포토레지스터 에칭(두께) 속도에 대한 산화실리콘 에칭(두께) 속도의 비가 약 2:1 내지 약 30:1로 제공되는 RIE 방법.
  14. 제6항에 있어서, 약 0.2 내지 1.0㎛/min의 에칭속도로 폴리실리콘 및 알루미늄, 또는 이들중 어느 하나를 에칭시키는 방법을 포함하는 RIE 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 전원이 약 100MHz 내지 약 800MHz의 주파수 범위내에서 작동되는 RIE 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 전원이 약 150MHz 내지 약 600MHz의 주파수 범위내에서 작동되는 RIE 방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 챔버내의 압력이 약 20 내지 200 밀리토르인 RIE 방법.
  18. 제14항에 있어서, 상기 웨이퍼 지역의 전력밀도가 약 20 내지 40 watts/in2의 범위인 RIE 방법.
  19. 제14항에 있어서, 염소함유 가스 및 임의의 불활성 가스를, 상기 플라즈마가 내부에서 점화되는 동안에 상기 챔버를 통해서 유동시키는 단가를 더 포함하는 RIE 방법.
  20. 반도체 웨이퍼상에 집적회로 구조물을 제조하는데 사용되는 재료를 에칭하기 위한 플라즈마-보조 고압에칭 방법으로서, 애노드 및 캐소드상에 장착된 웨이퍼를 포함하고 있으며 내부압력이 약 500 밀리토르 내지 약 50토르 범위로 유지되는 진공에칭 챔버내에서, 상기 웨이퍼 지역의 전력밀도 레벨이 약 15 내지 약 76watts/in2의 범위로 유지되고 주파수 범위가 약 50MHz 내지 약800MHz의 범위인 하나이상의 전원을 사용하여서, 상기 챔버내에 플라즈마를 유지시키는 단계를 포함하는 고압에칭 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 애노드 및 캐소드 전극이 5cm 이하의 전극 간격을 가지는 고압에칭 방법.
  22. 제20항에 있어서, 상기 애노드 및 캐소드 전극이 약 0.2cm 내지 약 5cm의 전극간격을 가지는 고압에칭 방법.
  23. 제21항에 있어서, 약 0.2 내지 1.0㎛/min의 에칭속도로 산화 실리콘을 에칭하는 방법을 포함하는 고압에칭 방법.
  24. 제23항에 있어서, 약 1 내지 약 20토르 범위의 압력하에서 작동되는 고압에칭 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 전원이 약 30 내지 50 watts/in2의 범위의 전력밀도로 유지되는 고압에칭 방법.
  26. 제25항에 있어서, 플루오르 공급원과, 탄소 공급원과, 임의의 수소 공급원고, 그리고 임의의 불활성 가스를, 상기 에칭중에 상기 챔버를 통해서 유동시키는 단계를 더 포함하는 고압에칭 방법.
  27. 제23항에 있어서, 폴리실리콘이나 포토레지스트 보다 산화 실리콘을 에칭하기 위한 선택방법을 포함하고 있으며, 상기 선택방법에서 플루오르에 대한 탄소의 원자비가 약 0.1:1 내지 약 2:1의 범위이고, 플루오르에 대한 수소의 원자비가 약 0.01:1 내지 0.5:1의 범위이며, 이에 따라서 폴리실리콘이나 포토레지스터 에칭(두께)속도에 대한 산화실리콘 에칭(두께)속도의 비가 약 2:1 내지 약 30:1로 제공되는 고압에칭 방법.
  28. 제21항에 있어서, 약 0.2 내지 1.0㎛/min의 에칭속도로 폴리실리콘 및 알루미늄, 또는 이들중 어느 하나를 에칭하는 방법을 포함하는 고압 에칭 방법.
  29. 제28항에 있어서, 약 1 내지 약 20 토르범위의 압력하에서 작동되는 고압에칭 방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 전원이 약 20 내지 40 watts/in2의 범위의 전력 밀도 레벨로 유지되는 고압에칭 방법.
  31. 제30항에 있어서, 염소공급원 및 임의의 불활성 가스를 상기 에칭중에 상기 챔버내로 유동시키는 단계를 더 포함하는 고압에칭 방법.
  32. 반도체 웨이퍼상에 집적회로 구조물을 제조하는데 사용되는 재료를 증착하기 위한 플라즈마-보조 저압 CVD 방법으로서, 애노드 및 캐소드상에 장착된 웨이퍼를 포함하고 있으며 내부 압력이 약 2 내지 500 밀리토르 범위로 유지되는 진공증착 챔버내에서, 상기 웨이퍼 지역의 전력밀도 레벨이 약 10 내지 76watts/in2의 범위로 유지되고 주파수 범위가 약 50MHz 내지 약800MHz의 범위인 하나이상의 전원을 사용하여서, 상기 챔버내에 플라즈마를 유지시키는 단계를 포함하는 방법.
  33. 제32항에 있어서, 상기 애노드 및 캐소드 전극이 약 5cm 이상의 전극 간격을 가지는 저압 CVD 방법.
  34. 제32항에 있어서, 상기 애노드 및 캐소드 전극이 약 5cm 내지 약 30cm 범위의 전극간격을 가지는 저압 CVD 방법.
  35. 제34항에 있어서, 약 0.1 내지 1.5㎛/min의 증착속도로 산화 실리콘을 증착시키는 방법을 포함하는 저압 CVD 방법.
  36. 제35항에 있어서, 상기 전원이 약 100MHz의 주파수 범위내에서 작동되는 저압 CVD 방법.
  37. 제36항에 있어서, 상기 챔버내의 압력이 약 20 내지 200 밀리토르의 범위인 저압 CVD 방법.
  38. 제37항에 있어서, 상기 웨이퍼 지역의 전력 밀도가 약 45 내지 56 watts/in2의 범위인 저압 CVD 방법.
  39. 제38항에 있어서, 하나이상의 실리콘 공급원과, 하나이상의 산소 공급원과, 그리고 임의의 불활성 가스를, 상기 플라즈마가 내부에서 점화되는 동안에 상기 챔버를 통해서 유동시키는 단계를 더 포함하는 저압 CVD 방법.
  40. 제34항에 있어서, 약 0.1 내지 1.5㎛/min의 증착속도로 질화 실리콘을 증착하는 방법을 포함하는 저압 CVD 방법.
  41. 제40항에 있어서, 상기 전원이 약 100MHz 내지 250MHz의 주파수 범위내에서 작동되는 저압 CVD 방법.
  42. 제41항에 있어서, 상기 챔버내의 압력이 약 2 내지 500 밀리토르의 범위인 저압 CVD 방법.
  43. 제41항에 있어서, 상기 챔버내의 압력이 약 20 내지 200 밀리토르의 위인 저압 CVD 방법.
  44. 제42항에 있어서, 상기 웨이퍼 지역의 전력밀도가 약 30 내지 76watts/in2의 범위인 저압 CVD 방법.
  45. 제42항에 있어서, 상기 웨이퍼 지역의 전력밀도가 약 45 내지 56watts/in2의 범위인 저압 CVD 방법.
  46. 제44항에 있어서, 하나이상의 실리콘 공급원과, 하나이상의 질소 공급원과, 임의의 수소공급원과, 그리고 임의의 불활성 가스를, 상기 플라즈마가 내부에서 점화되는 동안에 상기 챔버를 통해서 유동시키는 단계를 더 포함하는 저압 CVD 방법.
  47. 반도체 웨이퍼상에 집적회로 구조물을 제조하는데 사용되는 재료를 증착하기 위한 플라즈마-보조 고압 등방성 등각 CVD 방법으로서, 애노드 및 캐소드상에 장착된 웨이퍼를 포함하고 있으며 내부압력이 500 밀리토르 내지 50 토르의 범위로 유지되는 진공에칭 챔버내에서, 상기 웨이퍼 지역의 전력밀도 레벨이 약 10 내지 38watts/in2의 범위로 유지되고 주파수 범위가 약 50MHz 내지 약 800MHz의 범위인 하나이상의 전원을 사용하여서, 상기 챔버내에 플라즈마를 유지시키는 단계를 포함하는 고압 등방성 등각 CVD 방법.
  48. 제47항에 있어서, 상기 애노드 및 캐소드 전극이 약 5cm 이상의 전극 간격을 고압 등방성 등각 CVD 방법.
  49. 제47항에 있어서, 상기 애노드 및 캐소드 전극이 0.2cm 내지 약 5cm의 범위의 전극간격을 가지는 고압 등방성 등각 CVD 방법.
  50. 제48항에 있어서, 약 0.5 내지 1.0㎛/min의 증착속도로 산화 실리콘을 증착하는 방법을 포함하는 고압 등방성 등각 CVD 방법.
  51. 제50항에 있어서, 하나이상의 실리콘 공급원과, 하나이상의 산소 공급원과, 그리고 임의의 불활성 가스를 사이 챔버를 통해서 유동시키는 단계를 더 포함하는 고압 등방성 등각 CVD 방법.
  52. 제51항에 있어서, 상기 챔버내의 압력을 약 1 토르 내지 약 20 토르의 범위로 유지시키는 단계를 더 포함하는 고압 등방성 CVD 방법.
  53. 제48항에 있어서, 약 0.5 내지 1.0㎛/min 의 증착속도로 질화 실리콘을 증착시키는 방법을 포함하는 고압 등방성 등각 CVD 방법.
  54. 제53항에 있어서, 하나이상의 실리콘 공급원과, 하나이상의 질소 공급원과, 임의의 수소 공급원과, 그리고 임의의 불활성 가스를, 상기 챔버를 통해서 유동시키는 단계를 더 포함하는 고압 등방성 등각 CVD 방법.
  55. 제54항에 있어서, 상기 챔버내의 압력을 약 1토르 내지 약 20 토르의 범위로 유지시키는 단계를 더 포함하는 고압 등방성 등각 CVD 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100227851B1 (ko) * 1996-05-09 1999-11-01 윤종용 웨이퍼 이송 장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6902683B1 (en) 1996-03-01 2005-06-07 Hitachi, Ltd. Plasma processing apparatus and plasma processing method
US6506687B1 (en) 1998-06-24 2003-01-14 Hitachi, Ltd. Dry etching device and method of producing semiconductor devices
KR100421039B1 (ko) * 2001-05-02 2004-03-03 삼성전자주식회사 반도체 장치의 층간 절연막 상에 형성된 포토레지스트 제거방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02298024A (ja) * 1989-05-12 1990-12-10 Tadahiro Omi リアクティブイオンエッチング装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100227851B1 (ko) * 1996-05-09 1999-11-01 윤종용 웨이퍼 이송 장치

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