CN108346554A - 一种等离子体刻蚀与沉积设备及方法 - Google Patents
一种等离子体刻蚀与沉积设备及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108346554A CN108346554A CN201810371808.9A CN201810371808A CN108346554A CN 108346554 A CN108346554 A CN 108346554A CN 201810371808 A CN201810371808 A CN 201810371808A CN 108346554 A CN108346554 A CN 108346554A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- reative cell
- pass
- crown
- bottom crown
- interior
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 36
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 19
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 6
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 claims 2
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 claims 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 14
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 4
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000005495 cold plasma Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3322—Problems associated with coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Abstract
本发明提供一种等离子体刻蚀与沉积设备及方法。本设备及方法刻蚀或者沉积效率较高，刻蚀或沉积过程可控，沉积膜的膜质均匀且无针孔，效果较好；本设备设置有观察窗，可以较为直观的观察刻蚀或者沉积过程；下极板内设置有加热装置，采用热电偶进行加热，对待刻蚀或沉积改性的材料进行加热，以促使反应充分并提高反应速率；设备外壳上设置有朗缪尔探针入口，可以在反应过程中将探针伸入上下极板间的反应区域内。
Description
技术领域
本发明属于等离子体刻蚀与沉积技术领域，具体涉及一种等离子体刻蚀与沉积设备及方法。
背景技术
等离子体技术是20世纪60年代以来，在物理学、化学、电子学、真空技术等学科交叉的基础上发展形成的一门新兴科学。近几十年来，等离子体技术在材料科学、医药学、生物学、环境科学、冶金化工、轻工纺织等领域有着较为广泛的应用。
等离子体是在特定条件下使气体部分电离而产生的非凝聚体系，由中性的原子或分子、激发态的原子或分子、自由基、电子或负离子、正离子及辐射光子组成，且整体上表现为近似电中性的电离气体，是有别于固、液和气三态物质存在的又一种聚集态，又称物质第四态，或等离子态。目前实验室常用的是非热平衡等离子体，也称为冷等离子体或低温等离子体，此类等离子体内部电子温度很高，可达上万开尔文，而离子及气体温度接近常温，从而形成热力学上的非平衡性。这一非平衡特性对低温等离子体在化学反应和材料表面改性中具有广泛的应用，一方面，电子具有足够高的能量使反应物分子激发、离解和电离；另一方面，反应体系又得以保持低温，乃至接近室温，使反应体系能耗减小且保证被刻蚀或沉积改性材料本身的基体性能不受到破坏。
等离子体刻蚀是基于所用刻蚀气体被电离后形成极高化学活性的游离基，包括电子、正负离子、激发态分子、自由原子以及自由基等活性粒子，这些游离基可与被刻蚀的材料发生物理刻蚀或化学刻蚀，是一个物理与化学二者共同作用产生的过程，最终形成有选择性的刻蚀。等离子体刻蚀具有刻蚀速率高、均匀性和选择性好等优点，克服了湿法刻蚀产生废液污染环境的缺点。等离子体刻蚀被广泛用于微电子、光电子、微机械、微光学及材料加工等方面。
等离子体沉积是利用放电把有机类气态单体等离子化，使其产生活性种，由这些活性种之间或活性种与单体间进行加成反应从而形成聚合物膜。等离子体聚合沉积既不要求单体有不饱和单元，也不要求含有两个以上的特征官能团，在常规情况下不能进行或难以进行的反应，在等离子体体系中也能顺利进行，因此大大拓展了聚合沉积单体的种类。所得的聚合物可以不含有重复的结构单元，仅具有支链和网状结构，并且支化度和网状结构在某种程度上也可以控制。因此，等离子体沉积能够得到常规方法难以得到的聚合产物。采用等离子体沉积所得的薄膜，具有表面无针孔、膜质均匀且与基体的结合力强、沉积效率高、速度快等优点，已被广泛用在包括生物膜、超导膜、超硬膜及双疏膜的制备等方面。
发明内容
本发明提供了一种等离子体刻蚀与沉积设备，其技术方案为：
一种等离子体刻蚀与沉积设备，包括反应室，上部主体，下部主体，上电极，下电极；
所述上电极包括进气口，长杆，陶瓷杆，陶瓷保护罩，上极板，所述进气口设置在所述长杆的一端，所述陶瓷杆一端通过陶瓷杆固定螺栓与所述长杆的远离进气口的一端连接，所述陶瓷杆的另一端通过陶瓷杆固定螺栓与所述上极板连接，所述陶瓷保护罩设置在所述陶瓷杆外，通过陶瓷保护罩固定螺栓与所述长杆以及所述上极板连接；
所述长杆内部中空，所述陶瓷杆内部中空，所述上极板内部中空，所述长杆、陶瓷杆、上极板内部空腔共同构成气体通道；
所述上部主体上设置有射频电源，所述上部主体上设置有可调节上、下极板间距的高度调节装置，所述长杆设置有进气口的一端安装在所述高度调节装置上，所述长杆的另一端伸入所述反应室内；
所述上部主体与所述反应室通过六角螺栓和六角螺母连接固定；
所述上极板上设置有多孔板，所述多孔板上设置有通孔II，所述多孔板通过六角螺栓III和所述上极板固定连接；
所述下部主体与所述反应室通过六角螺栓和六角螺母连接固定，所述下部主体上对称设置有两个抽真空口，所述抽真空口通过软管与真空泵连接，所述软管靠近真空泵的一端设置有抽气速率调节装置，所述抽气速率调节装置上设置有抽气速率调节旋钮；
所述反应室和下部主体的内部设置有下电极，所述下电极的顶部设置下极板，所述下极板通过导线接地，所述下极板内对称设置有两个热电偶；
所述下电极底部设置有下电极盖，所述下电极和下电极盖通过六角螺栓II连接固定；
所述反应室上设置有反应室开取装置，所述反应室开取装置上设置有铰链，所述铰链上设置有密封门，所述密封门上设置有观察窗，所述密封门内设置有橡胶密封圈，所述反应室开取装置上设置有锁紧装置；
所述反应室上设置有探针入口，所述探针入口通过探针入口盖密封。
进一步优选的是，所述高度调节装置包括调节杆，调节装置主体，支撑板，所述调节杆上设置有外螺纹，所述调节装置主体上设置有内螺纹，所述调节装置主体与所述支撑板之间设置有锁紧弹簧。
一种等离子体刻蚀与沉积方法，按照以下步骤进行：
步骤A：通过设置在下极板内的热电偶对下极板进行加热，加热温度为110℃；
步骤B：将需要进行等离子体刻蚀的材料通过密封门放入反应室的下极板内；
步骤C：通过高度调节装置将上、下极板间距调节为29mm；
步骤D：关闭密封门后开启真空泵抽真空，使反应室内的真空度小于1.3Pa；
步骤E：通过进气口向反应室内通入反应气体；
步骤F：通过调节抽气速率调节旋钮使反应室内的气体压力稳定；
步骤G：启动射频电源进行放电，放电功率为120W；
步骤H：对需要进行等离子体刻蚀的材料进行刻蚀，刻蚀时间为0～90分钟。
对需要进行等离子体沉积改性的材料进行沉积改性，沉积反应时间为0～3分钟。
优选的是，进行等离子体刻蚀时所述气体的压力为65Pa。
优选的是，进行等离子体沉积改性时所述气体的压力为130Pa。
本发明的有益效果为：
（1）本设备及方法刻蚀或者沉积效率较高，刻蚀或沉积过程可控，沉积膜的膜质均匀且无针孔，效果较好；
（2）本设备设置有观察窗，可以较为直观的观察刻蚀或者沉积过程；
（3）下极板内设置有热电偶，对待刻蚀或沉积改性的材料进行加热，以促使反应充分并提高反应速率；
（4）设备外壳上设置有朗缪尔探针入口，可以在反应过程中将探针伸入上下极板间的反应区域内。
附图说明
图1为本发明正视图；
图2为本发明侧视图；
图3为本发明D-D剖视图；
图4为本发明图3中A部分放大示意图；
图5为本发明图3中B部分放大示意图；
图6为本发明E-E剖视图；
图7为本发明多孔板示意图；
图8为本发明F-F剖视图；
图中，1-反应室，2-上部主体，3-下部主体，4-上极板，5-下极板，6-射频电源，7-陶瓷保护罩，8-进气口，9-抽真空口，10-反应室开取装置，11-长杆，12-高度调节装置，13-密封门，14-弹簧，15-观察窗，16-探针入口，17-探针入口盖，18-下电极，19-下电极盖，20-橡胶密封圈，21-锁紧装置，22-铰链，101-六角螺栓，102-六角螺母，103-六角螺栓II，121-调节杆，122-调节装置主体，123-外螺纹，124-内螺纹，125-支撑板，201-气体通道，401-多孔板，402-六角螺栓III，403-通孔II，501-热电偶，701-陶瓷保护罩固定螺栓，702-陶瓷杆，703-陶瓷杆固定螺栓，901-抽气速率调节旋钮，902-抽气速率调节装置，903-软管，904-真空泵。
具体实施方式
下面结合附图说明和具体实施方式对本发明作进一步描述：
实施例1
如图1至图8所示，一种等离子体刻蚀与沉积设备，包括反应室1，上部主体2，下部主体3，上电极，下电极18；
所述上电极包括进气口8，长杆11，陶瓷杆702，陶瓷保护罩7，上极板4，所述进气口8设置在所述长杆11的一端，所述陶瓷杆702一端通过陶瓷杆固定螺栓703与所述长杆11的远离进气口8的一端连接，所述陶瓷杆702的另一端通过陶瓷杆固定螺栓703与所述上极板4连接，所述陶瓷保护罩7设置在所述陶瓷杆702外，通过陶瓷保护罩固定螺栓701与所述长杆11以及所述上极板4连接；
所述长杆11内部中空，所述陶瓷杆702内部中空，所述上极板4内部中空，所述长杆11、陶瓷杆702、上极板4内部空腔共同构成气体通道201；
所述上部主体2上设置有射频电源6，所述上部主体2上设置有可调节上下极板间距的高度调节装置12，所述长杆11设置有进气口8的一端安装在所述高度调节装置12上，所述长杆11的另一端伸入所述反应室1内；
所述上部主体2与所述反应室1通过六角螺栓101和六角螺母102连接固定；
所述上极板4上设置有多孔板401，所述多孔板401上设置有通孔II403，所述多孔板401通过六角螺栓III402和所述上极板4固定连接；
所述下部主体3与所述反应室1通过六角螺栓101和六角螺母102连接固定，所述下部主体3上对称设置有两个抽真空口9，所述抽真空口9通过软管903与真空泵904连接，所述软管903靠近真空泵904的一端设置有抽气速率调节装置902，所述抽气速率调节装置902上设置有抽气速率调节旋钮901；
所述反应室1和下部主体3的内部设置有下电极18，所述下电极18的顶部设置下极板5，所述下极板5通过导线接地，所述下极板5内对称设置有两个热电偶501；
所述下电极18底部设置有下电极盖19，所述下电极18和下电极盖19通过六角螺栓II103连接固定；
所述反应室1上设置有反应室开取装置10，所述反应室开取装置10上设置有铰链22，所述铰链22上设置有密封门13，所述密封门13上设置有观察窗15，所述密封门13内设置有橡胶密封圈20，所述反应室开取装置10上设置有锁紧装置21；
优选的是，所述反应室1上设置有探针入口16，所述探针入口16通过探针入口盖17密封。
优选的是，所述高度调节装置12包括调节杆121，调节装置主体122，支撑板125，所述调节杆121上设置有外螺纹123，所述调节装置主体122上设置有内螺纹124，所述调节装置主体122与所述支撑板125之间设置有弹簧锁紧装置14。
本发明的工作原理为：
将需要进行等离子体刻蚀或沉积改性的材料通过密封门13放入反应室1内的下极板5上，关闭密封门13，通过抽真空口9对反应室1内部进行抽真空，当真空度达到1.3Pa以下后，保持持续抽真空的情况下，通过进气口8对反应室1内通入一定比例的气体，刻蚀时，通入的气体压力为65Pa，沉积改性时，通入的气体压力为130Pa，气体通过气体通道201到达上极板4，经多孔板401降低气体流速及均匀分布后到达上极板与下极板之间的反应区域，所述上下极板间距离可通过高度调节装置12调节，气体被电离后对材料进行刻蚀或聚合沉积反应，抽真空口9持续的对反应室1进行抽真空，保持反应室内的真空度保持稳定，进行循环反应。通过软管903上设置的抽气速率调节旋钮901，可调节抽真空速率，保持反应室1内的压力恒定。
下极板5内设置的热电偶501可对放置在下极板5上的改性材料进行加热，以促使反应充分并提高反应速率。
所述高度调节装置12上调节装置主体122与支撑板125之间设置的弹簧锁紧装置14可以保证所述调节装置主体与长杆11之间保持紧密贴合，防止因长时间使用后螺纹松动导致的上、下极板之间调节距离不准确。
实施例2
一种等离子体刻蚀方法，按照以下步骤进行：
步骤A：通过设置在下极板5内的热电偶501对下极板进行加热，加热温度为110℃；
步骤B：将需要进行等离子体刻蚀的材料通过密封门13放入反应室的下极板5内；
步骤C：通过高度调节装置12将上、下极板间距调节为29mm；
步骤D：关闭密封门13后开启真空泵904抽真空，使反应室1内的真空度小于1.3Pa；
步骤E：通过进气口8向反应室1内通入反应气体；
步骤F：通过调节抽气速率调节旋钮901使反应室1内的气体压力稳定在65 Pa；
步骤G：启动射频电源6进行放电，放电功率为120W；
步骤H：对需要进行等离子体刻蚀的材料进行刻蚀，刻蚀时间为0～90分钟。
实施例3
一种等离子体沉积方法，按照以下步骤进行：
步骤A：通过设置在下极板5内的热电偶501对下极板进行加热，加热温度为110℃；
步骤B：将需要进行等离子体沉积改性的材料通过密封门13放入反应室的下极板5内；
步骤C：通过高度调节装置12将上、下极板间距调节为29mm；
步骤D：关闭密封门13后开启真空泵904抽真空，使反应室1内的真空度小于1.3Pa；
步骤E：通过进气口8向反应室1内通入反应气体；
步骤F：通过调节抽气速率调节旋钮901使反应室1内的气体压力稳定在130 Pa；
步骤G：启动射频电源6进行放电，放电功率为120W；
步骤H：对需要进行等离子体沉积改性的材料进行沉积改性，反应时间根据所制备的材料性能是否达到要求而定，一般为0～3分钟。
Claims (5)
1.一种等离子体刻蚀与沉积设备，包括反应室（1），上部主体（2），下部主体（3），上电极，下电极（18），其特征在于：
所述上电极包括进气口（8），长杆（11），陶瓷杆（702），陶瓷保护罩（7），上极板（4），所述进气口（8）设置在所述长杆（11）的一端，所述陶瓷杆（702）一端通过陶瓷杆固定螺栓（703）与所述长杆（11）远离进气口（8）的一端连接，所述陶瓷杆（702）的另一端通过陶瓷杆固定螺栓（703）与所述上极板（4）连接，所述陶瓷保护罩（7）设置在所述陶瓷杆（702）外，通过陶瓷保护罩固定螺栓（701）与所述长杆（11）以及所述上极板（4）连接；
所述长杆（11）内部中空，所述陶瓷杆（702）内部中空，所述上极板（4）内部中空，所述长杆（11）、陶瓷杆（702）、上极板（4）内部空腔共同构成气体通道（201）；
所述上部主体（2）上设置有射频电源（6），所述上部主体（2）上设置有可调节上下极板间距的高度调节装置（12），所述长杆（11）设置有进气口（8）的一端安装在所述高度调节装置（12）上，所述长杆（11）的另一端伸入所述反应室（1）内；
所述上部主体（2）与所述反应室（1）通过六角螺栓（101）和六角螺母（102）连接固定；
所述上极板（4）上设置有多孔板（401），所述多孔板（401）上设置有通孔II（403），所述多孔板（401）通过六角螺栓III（402）和所述上极板（4）固定连接；
所述下部主体（3）与所述反应室（1）通过六角螺栓（101）和六角螺母（102）连接固定，所述下部主体（3）上对称设置有两个抽真空口（9），所述抽真空口（9）通过软管（903）与真空泵（904）连接，所述软管（903）靠近真空泵（904）的一端设置有抽气速率调节装置（902），所述抽气速率调节装置（902）上设置有抽气速率调节旋钮（901）；
所述反应室（1）和下部主体（3）的内部设置有下电极（18），所述下电极（18）的顶部设置下极板（5），所述下极板（5）通过导线接地，所述下极板（5）内对称设置有两个热电偶（501）；
所述下电极（18）底部设置有下电极盖（19），所述下电极（18）和下电极盖（19）通过六角螺栓II（103）连接固定；
所述反应室（1）上设置有反应室开取装置（10），所述反应室开取装置（10）上设置有铰链（22），所述铰链（22）上设置有密封门（13），所述密封门（13）上设置有观察窗（15），所述密封门（13）内设置有橡胶密封圈（20），所述反应室开取装置（10）上设置有锁紧装置（21）。
2.如权利要求1所述的一种等离子体刻蚀与沉积设备，其特征在于，所述高度调节装置（12）包括调节杆（121），调节装置主体（122），支撑板（125），所述调节杆（121）上设置有外螺纹（123），所述调节装置主体（122）上设置有内螺纹（124），所述调节装置主体（122）与所述支撑板（125）之间设置有弹簧锁紧装置（14）。
3.如权利要求1或2所述的一种等离子体刻蚀与沉积设备，其特征在于，所述反应室（1）上设置有探针入口（16），所述探针入口（16）通过探针入口盖（17）密封。
4.一种利用如权利要求1所述的等离子体刻蚀与沉积设备的刻蚀方法，其特征在于，按照以下步骤进行：
步骤A：通过设置在下极板（5）内的热电偶（501）对下极板进行加热，加热温度为110℃；
步骤B：将需要进行等离子体刻蚀的材料通过密封门（13）放入反应室的下极板（5）内；
步骤C：通过高度调节装置（12）将上、下极板间距调节为29mm；
步骤D：关闭密封门（13）后开启真空泵（904）抽真空，使反应室（1）内的真空度小于1.3Pa；
步骤E：通过进气口（8）向反应室（1）内通入反应气体；
步骤F：通过调节抽气速率调节旋钮（901）使反应室（1）内的气体压力稳定在65 Pa；
步骤G：启动射频电源（6）进行放电，放电功率为120W；
步骤H：对需要进行等离子体刻蚀的材料进行刻蚀，刻蚀时间为0～90分钟。
5.一种利用如权利要求1所述的等离子体刻蚀与沉积设备的沉积方法，其特征在于，按照以下步骤进行：
步骤A：通过设置在下极板（5）内的热电偶（501）对下极板进行加热，加热温度为110℃；
步骤B：将需要进行等离子体沉积改性的材料通过密封门（13）放入反应室的下极板（5）内；
步骤C：通过高度调节装置（12）将上、下极板间距调节为29mm；
步骤D：关闭密封门（13）后开启真空泵（904）抽真空，使反应室（1）内的真空度小于1.3Pa；
步骤E：通过进气口（8）向反应室（1）内通入反应气体；
步骤F：通过调节抽气速率调节旋钮（901）使反应室（1）内的气体压力稳定在130 Pa；
步骤G：启动射频电源（6）进行放电，放电功率为120W；
步骤H：对需要进行等离子体沉积改性的材料进行沉积改性，沉积反应时间为0～3分钟。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810371808.9A CN108346554A (zh) | 2018-04-24 | 2018-04-24 | 一种等离子体刻蚀与沉积设备及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810371808.9A CN108346554A (zh) | 2018-04-24 | 2018-04-24 | 一种等离子体刻蚀与沉积设备及方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108346554A true CN108346554A (zh) | 2018-07-31 |
Family
ID=62955399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810371808.9A Pending CN108346554A (zh) | 2018-04-24 | 2018-04-24 | 一种等离子体刻蚀与沉积设备及方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108346554A (zh) |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5855689A (en) * | 1996-02-21 | 1999-01-05 | Nec Corporation | Method for etching inside of tungsten CVD reaction room |
| CN1378248A (zh) * | 2002-05-13 | 2002-11-06 | 华南师范大学 | 等离子体对iii－v族化合物的干法刻蚀系统及刻蚀方法 |
| CN1888132A (zh) * | 2006-07-20 | 2007-01-03 | 浙江大学 | 铝材表面的类金刚石覆膜改性方法及其装置 |
| CN101066842A (zh) * | 2007-06-05 | 2007-11-07 | 浙江大学 | 制备非晶氢硅薄膜的方法及装置 |
| CN103094044A (zh) * | 2011-10-05 | 2013-05-08 | 应用材料公司 | 对称等离子体处理室 |
| CN103956315A (zh) * | 2014-05-22 | 2014-07-30 | 中国地质大学（北京） | 一种电极间距可调的离子反应腔室及电极间距调整装置 |
| CN103972014A (zh) * | 2014-05-22 | 2014-08-06 | 中国地质大学（北京） | 离子体反应腔室电极间隙调整装置及离子体反应腔室 |
| CN104201235A (zh) * | 2014-07-16 | 2014-12-10 | 电子科技大学 | 一种薄膜太阳能电池azo薄膜的等离子体织构方法 |
| CN104538334A (zh) * | 2014-12-17 | 2015-04-22 | 中国地质大学（北京） | 一种多功能等离子体腔室处理系统 |
| CN106841963A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-06-13 | 哈尔滨理工大学 | 一种用于测量气体汤逊放电参数的真空实验装置 |
| CN107093545A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-08-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室的下电极机构及反应腔室 |
| CN108431930A (zh) * | 2016-01-07 | 2018-08-21 | 应用材料公司 | 具有远程等离子体源和dc电极的原子层蚀刻系统 |
| CN108474694A (zh) * | 2016-01-22 | 2018-08-31 | 应用材料公司 | 用于多区域静电卡盘的传感器系统 |
| CN208400805U (zh) * | 2018-04-24 | 2019-01-18 | 西南林业大学 | 一种等离子体刻蚀与沉积设备 |
-
2018
- 2018-04-24 CN CN201810371808.9A patent/CN108346554A/zh active Pending
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5855689A (en) * | 1996-02-21 | 1999-01-05 | Nec Corporation | Method for etching inside of tungsten CVD reaction room |
| CN1378248A (zh) * | 2002-05-13 | 2002-11-06 | 华南师范大学 | 等离子体对iii－v族化合物的干法刻蚀系统及刻蚀方法 |
| CN1888132A (zh) * | 2006-07-20 | 2007-01-03 | 浙江大学 | 铝材表面的类金刚石覆膜改性方法及其装置 |
| CN101066842A (zh) * | 2007-06-05 | 2007-11-07 | 浙江大学 | 制备非晶氢硅薄膜的方法及装置 |
| CN103094044A (zh) * | 2011-10-05 | 2013-05-08 | 应用材料公司 | 对称等离子体处理室 |
| CN103972014A (zh) * | 2014-05-22 | 2014-08-06 | 中国地质大学（北京） | 离子体反应腔室电极间隙调整装置及离子体反应腔室 |
| CN103956315A (zh) * | 2014-05-22 | 2014-07-30 | 中国地质大学（北京） | 一种电极间距可调的离子反应腔室及电极间距调整装置 |
| CN104201235A (zh) * | 2014-07-16 | 2014-12-10 | 电子科技大学 | 一种薄膜太阳能电池azo薄膜的等离子体织构方法 |
| CN104538334A (zh) * | 2014-12-17 | 2015-04-22 | 中国地质大学（北京） | 一种多功能等离子体腔室处理系统 |
| CN108431930A (zh) * | 2016-01-07 | 2018-08-21 | 应用材料公司 | 具有远程等离子体源和dc电极的原子层蚀刻系统 |
| CN108474694A (zh) * | 2016-01-22 | 2018-08-31 | 应用材料公司 | 用于多区域静电卡盘的传感器系统 |
| CN106841963A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-06-13 | 哈尔滨理工大学 | 一种用于测量气体汤逊放电参数的真空实验装置 |
| CN107093545A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-08-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室的下电极机构及反应腔室 |
| CN208400805U (zh) * | 2018-04-24 | 2019-01-18 | 西南林业大学 | 一种等离子体刻蚀与沉积设备 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 张彦华: "《热制造学引论》", 北京：北京航空航天大学出版社, pages: 25 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107827102A (zh) | 一种制备石墨烯的方法 | |
| CN106384811B (zh) | 一种蓝磷/过渡金属二硫化物异质结阳极材料及制备方法 | |
| TWI500809B (zh) | 電漿ｃｖｄ裝置及矽薄膜之製造方法 | |
| US20210332478A1 (en) | Atomic layer deposition device for massively coating micro-nano particles | |
| CN105821391B (zh) | 一种垂直基底生长硒化钨纳米片薄膜材料的可控快速制备方法 | |
| CN106756792A (zh) | 一种氧化物透明电极薄膜的制备方法 | |
| CN208400805U (zh) | 一种等离子体刻蚀与沉积设备 | |
| CN108346554A (zh) | 一种等离子体刻蚀与沉积设备及方法 | |
| CN104058446B (zh) | 一种低维氧化锌纳米材料及其低温等离子体制备方法 | |
| CN108148218A (zh) | 一种延长聚酰亚胺介质阻挡放电等离子体激励器使用寿命的表层改性装置与改性方法 | |
| CN201766766U (zh) | 一种大面积均匀产生等离子体的装置 | |
| CN105854759A (zh) | 一种材料表面低温等离子体改性方法及其装置 | |
| CN110842211A (zh) | 一种超细锗粉粒径控制的方法 | |
| Otobe et al. | Fabrication of nanocrystalline Si by SiH4 plasma cell | |
| CN104805417A (zh) | 一种pecvd薄膜沉积的反应腔 | |
| CN210537010U (zh) | 一种表面波等离子体发生装置 | |
| CN103950925B (zh) | 一种纳米级石墨片的制备方法 | |
| CN108642444B (zh) | 一种高透明光致发光的氧化锌-聚乙烯复合涂层的制备方法 | |
| CN108559961B (zh) | 一种多元磁控溅射的方法及装置、制备金属锂复合电极的方法、制备电极的设备 | |
| CN103741112A (zh) | 一种制备大面积太阳能电池片硅膜的微波等离子体装置 | |
| CN204752846U (zh) | 一种生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统 | |
| CN218826987U (zh) | 一种用于制备大面积钙钛矿薄膜电池的抽真空设备 | |
| CN110863177A (zh) | 一种硒半导体薄膜的制备方法 | |
| RU2547088C2 (ru) | Способ обработки нанокомпозитов в водородной плазме | |
| CN202907329U (zh) | 一种对织物或聚合物薄膜连续聚合改性的大气压等离子体系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |