CN210537010U - 一种表面波等离子体发生装置 - Google Patents

一种表面波等离子体发生装置 Download PDF

Info

Publication number
CN210537010U
CN210537010U CN201921588683.1U CN201921588683U CN210537010U CN 210537010 U CN210537010 U CN 210537010U CN 201921588683 U CN201921588683 U CN 201921588683U CN 210537010 U CN210537010 U CN 210537010U
Authority
CN
China
Prior art keywords
reactor
section
coupling
surface wave
plasma generating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201921588683.1U
Other languages
English (en)
Inventor
孙冰
朱小梅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dalian Maritime University
Original Assignee
Dalian Maritime University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dalian Maritime University filed Critical Dalian Maritime University
Priority to CN201921588683.1U priority Critical patent/CN210537010U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN210537010U publication Critical patent/CN210537010U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种表面波等离子体发生装置,包括依次连接的微波源、环形隔离器、匹配调节器、波导管、耦合变换器、耦合隔离器和反应器,反应器为上底敞开、下底密封的圆柱形筒体,反应器的上底与耦合隔离器的一面固定连接,耦合隔离器的另一面与耦合变换器固定连接,反应器的侧面设有进气管和气压调节装置,气压调节装置用于维持反应器中的低气压环境。利用前述表面波等离子体发生装置,去掉了现有技术中常用的滤波板,实现多模耦合,在耦合隔离器处实现较大电场,使激发的等离子体密度更大,更均匀。

Description

一种表面波等离子体发生装置
技术领域
本实用新型涉及微电子技术领域,尤其涉及一种表面波等离子体发生装置。
背景技术
等离子体作为“物质的第四态”在现代产业中广泛使用,比如碳纳米管的制备、半导体的加工、材料的表面改性等,在等离子体的应用中,除了保证等离子体放电的安定性及再现性以外,还要求低压等离子体高密度化,大面积化和均匀化。
现有的微波表面波等离子体发生装置在微波耦合入反应器之前,需通过缝隙板,在缝隙板上产生偏振,但通过缝隙板时,不仅微波能量会大量损失,而且透过的微波也会出现不均匀的现象,不利于生成高密度、大面积的均匀等离子体。
实用新型内容
本实用新型提供一种表面波等离子体发生装置,去掉了缝隙板,改变耦合变换器的结构,提供高密度、大面积的均匀等离子体。
一种表面波等离子体发生装置,包括依次连接的微波源、环形隔离器、匹配调节器、波导管、耦合变换器、耦合隔离器和反应器,所述反应器为上底敞开、下底密封的圆柱形筒体,所述反应器的上底与所述耦合隔离器的一面固定连接,所述耦合隔离器的另一面与所述耦合变换器固定连接,所述反应器的侧面设有进气管和气压调节装置,所述气压调节装置用于维持所述反应器中的低气压环境。
进一步地,所述反应器上设有通气管,所述通气管上设置控制阀和压力检测器,所述压力检测器比所述控制阀靠近所述反应器。
进一步地,所述进气管上设有气体流量控制器。
进一步地,所述波导管选用方形波导管。
进一步地,所述耦合变换器依次包括传输段、过渡段和实现段,所述传输段与所述波导管连接并且两者的截面相同,所述实现段与所述耦合隔离器连接,并且所述实现段的截面与所述反应器的截面相同,所述过渡段为截面渐变的波导,所述过渡段的截面由与所述传输段相同的截面渐变为与所述实现段相同的截面。
进一步地,所述过渡段长度L1=5cm~65cm,所述实现段长度L2=2cm~5cm,所述反应器的高度为6cm~40cm,所述实现段截面直径与所述反应器底面直径相等,直径D=10cm~30cm。
进一步地,所述耦合隔离器为石英或无极性陶瓷中的一种。
进一步地,所述反应器上设有等离子体检测端口和观察窗,所述观察窗采用玻璃或石英。
本实用新型提供一种表面波等离子体发生装置,去掉了缝隙板,通过改变耦合变换器的结构,使微波在反应器内激发,形成高密度、大面积的均匀等离子体。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型公开的表面波等离子体发生装置结构示意图;
图2为本实用新型中耦合变换器的结构示意图;
图3为本实用新型中耦合变换器和反应器的剖视结构示意图。
图中:1、微波源;2、环形隔离器;3、匹配调节器;4、波导管;5、耦合变换器;6、耦合隔离器;7、气体流量控制器;8、等离子体检测端口;9、观察窗;10、气压调节装置;11、压力传感器;12、压力检测器;13、反应器;14、进气管;15、通气管。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示,一种表面波等离子体发生装置,包括依次连接的微波源1、环形隔离器2、匹配调节器3、波导管4、耦合变换器5、耦合隔离器6和反应器13,反应器13为上底敞开、下底密封的圆柱形筒体,反应器13的上底与耦合隔离器6的一面固定连接,耦合隔离器6的另一面与耦合变换器5固定连接,反应器上设有进气管14和气压调节装置10,气压调节装置10用于维持反应器13中的低气压环境。
由微波源1发出的微波,经过环形隔离器2、匹配调节器3,然后由波导管4传输到耦合变换器5,耦合变换器5直接通过耦合隔离器将微波注入反应器中,起到耦合作用,本实施例中,反应器采用不锈钢、铝或镍铜合金中的一种,微波从耦合变换器5的下开口注入反应器13,比现有技术中,通过缝隙渗透微波,效率要高,微波的通过量增大,激发的等离子体的密度也会提高。
气压调节装置采用真空泵,在启动微波源之前,利用气压调节装置将反应器中气体抽出,然后通入需要的气体,如氦气、氮气等,至需要的压力,并由气压调节装置维持压力。
进一步地,反应器13上设有通气管15,通气管15上设置控制阀11和压力检测器12,压力检测器12比控制阀11靠近反应器。控制阀11在装置工作结束前处于关闭状态,由压力检测器12对反应器13内的压力实时监测。装置工作结束后,打开控制阀11,平衡反应器13内外气压。
进一步地,进气管14上设有气体流量控制器7,可以精确控制通入反应器13内气体的流量。
进一步地,波导管4选用方形波导管。微波源发出的微波功率较大,采用方形波导管,有利于大功率微波的传输。
进一步地,如图2、图3所示,耦合变换器5依次包括传输段51、过渡段52和实现段53,传输段51与波导管4连接并且两者的截面相同,实现段53与耦合隔离器6连接,并且实现段53的截面与反应器13的截面相同,过渡段52为截面渐变的波导,过渡段52的截面由与传输段51相同的截面渐变为与实现段53相同的截面。除了从方形到圆形的形状变换外,耦合变换器5直接通过耦合隔离器将微波注入进反应器,起到耦合作用,耦合变换器5下开口可以通过更大量的微波,使生成的等离子体密度更大。
进一步地,过渡段长度L1=5cm~65cm,实现段(53)长度L2=2cm~5cm,反应器(13)的高度为6cm~40cm,实现段53截面直径与反应器13底面直径相等,直径D=10cm~30cm。微波在传输过程中,振幅和位相时刻都在发生变化,将耦合变换器和反应器按所述尺寸设计制作,使微波在耦合点处达到较强电场(耦合点,即耦合隔离器处),利用微波产生的较强电场,实现去掉滤波板后的多模耦合。由于去掉了滤波板,使微波以多模耦合入反应器,在同等功率下产生较强电场,使生成等离子体密度更大。
进一步地,耦合隔离器6为石英或无极性陶瓷中的一种。
进一步地,反应器10上设有等离子体检测端口8和观察窗9,观察窗9采用玻璃或石英。等离子体检测端口8可以连接检测仪器,用于检测等离子体密度、反应器内温度等。通过观察窗9可观察到反应器内部等离子体的状况。
一种表面波等离子体发生方法如下:
启动气压调节装置10,将反应器13抽真空,然后从进气管14通入气体,并利用气压调节装置10维持反应器13中的气压范围为0.1~2000Pa,利用气体流量控制器7控制通入气体的流量为0-10L/min;
启动微波源1,利用微波源1输出微波,微波的功率为200W-5000W,微波的频率为2450MHz±20MHz,微波经过环形隔离器2传输至匹配调节器3,经匹配调节器3调节后,通过波导管4传输到耦合变换器5并进一步传输到耦合隔离器6,微波穿过耦合隔离器6注入到反应器13中,耦合隔离器6处于反应器13内的一侧电离气体形成表面波等离子体。
本实用新型中公开的表面波等离子体发生装置,使用两种气体进行考察,过程如下:
1、打开气压调节装置10,去除反应器13内杂质气体,压力达到1×10-3Pa,然后将纯氩气气体经过气体流量控制器7进入反应器13中,通气流量为500ml/min,启动微波源1,功率设置为755W,经环形隔离器2、匹配调节器3、波导管4、耦合变换器5和耦合隔离器6,将产生的微波输入反应器13中并形成表面波;利用气压调节装置10使反应器13内的气压维持在100Pa,反应器13中的微波表面波激发并维持等离子,对氩气气体放电产生的等离子体密度达到8.1×1011/cm3,平均电子温度2.05eV。
2、打开气压调节装置10,去除反应器13内杂质气体,压力达到1×10-3Pa,然后将纯氦气气体经过气体流量控制器7进入反应器13中,通气流量为500ml/min,启动微波源1,功率设置为860W,经环形隔离器2、匹配调节器3、波导管4、耦合变换器5和耦合隔离器6,将产生的微波输入反应器13中并形成表面波;利用气压调节装置10使反应器13内的气压维持在500Pa,反应器13中的微波表面波激发并维持等离子,对氩气气体放电产生的等离子体密度达到2.9×1012/cm3,平均电子温度3.78eV。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种表面波等离子体发生装置,其特征在于,包括依次连接的微波源(1)、环形隔离器(2)、匹配调节器(3)、波导管(4)、耦合变换器(5)、耦合隔离器(6)和反应器(13),所述反应器(13)为上底敞开、下底密封的圆柱形筒体,所述反应器(13)的上底与所述耦合隔离器(6)的一面固定连接,所述耦合隔离器(6)的另一面与所述耦合变换器(5)固定连接,所述反应器的侧面设有进气管(14)和气压调节装置(10),所述气压调节装置(10)用于维持所述反应器(13)中的低气压环境。
2.根据权利要求1所述的一种表面波等离子体发生装置,其特征在于,所述反应器(13)上设有通气管(15),所述通气管(15)上设置控制阀(11)和压力检测器(12),所述压力检测器(12)比所述控制阀(11)靠近所述反应器。
3.根据权利要求1所述的一种表面波等离子体发生装置,其特征在于,所述进气管(14)上设有气体流量控制器(7)。
4.根据权利要求1所述的一种表面波等离子体发生装置,其特征在于,所述波导管(4)选用方形波导管。
5.根据权利要求1所述的一种表面波等离子体发生装置,其特征在于,所述耦合变换器(5)依次包括传输段(51)、过渡段(52)和实现段(53),所述传输段(51)与所述波导管(4)连接并且两者的截面相同,所述实现段(53)与所述耦合隔离器(6)连接,并且所述实现段(53)的截面与所述反应器(13)的截面相同,所述过渡段(52)为截面渐变的波导,所述过渡段(52)的截面由与所述传输段(51)相同的截面渐变为与所述实现段(53)相同的截面。
6.根据权利要求5所述的一种表面波等离子体发生装置,其特征在于,所述过渡段长度L1=5cm~65cm,所述实现段(53)长度L2=2cm~5cm,所述反应器(13)的高度为6cm~40cm,所述实现段(53)截面直径与所述反应器(13)底面直径相等,直径D=10cm~30cm。
7.根据权利要求1所述的一种表面波等离子体发生装置,其特征在于,所述耦合隔离器(6)为石英或无极性陶瓷中的一种。
8.根据权利要求1所述的一种表面波等离子体发生装置,其特征在于,所述反应器(13)上设有等离子体检测端口(8)和观察窗(9),所述观察窗(9)采用玻璃或石英。
CN201921588683.1U 2019-09-23 2019-09-23 一种表面波等离子体发生装置 Active CN210537010U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201921588683.1U CN210537010U (zh) 2019-09-23 2019-09-23 一种表面波等离子体发生装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201921588683.1U CN210537010U (zh) 2019-09-23 2019-09-23 一种表面波等离子体发生装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN210537010U true CN210537010U (zh) 2020-05-15

Family

ID=70606333

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201921588683.1U Active CN210537010U (zh) 2019-09-23 2019-09-23 一种表面波等离子体发生装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN210537010U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110505746A (zh) * 2019-09-23 2019-11-26 大连海事大学 一种表面波等离子体发生装置和方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110505746A (zh) * 2019-09-23 2019-11-26 大连海事大学 一种表面波等离子体发生装置和方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100574003C (zh) 微波谐振腔体
KR100812829B1 (ko) 플라즈마 성막 장치 및 플라즈마 성막 방법
CN100476065C (zh) 纺织品和无纺布等离子体表面处理装置
CN103789748B (zh) 一种面向工艺腔室气流分布调节的cvd设备喷淋头
CN110049614B (zh) 微波等离子体装置及等离子体激发方法
CN101394705A (zh) 一种产生大气压微波辉光等离子体的装置
CN210537010U (zh) 一种表面波等离子体发生装置
CN104918402A (zh) 一种常压高压协同射频辉光射流放电的装置及其放电方法
CN103695868A (zh) 远程磁镜场约束线形等离子体增强化学气相沉积系统
CN106034371A (zh) 等离子体射流阵列协同机械旋转运动的材料处理装置
CN112410751A (zh) 一种卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置
CN210469842U (zh) 一种低温容性和感性复合耦合射频等离子体反应器
CN201766766U (zh) 一种大面积均匀产生等离子体的装置
CN109778138B (zh) 一种微波等离子体金刚石膜沉积设备
US20230260756A1 (en) Multi-port Phase Compensation Nested Microwave-plasma Apparatus for Diamond Film Deposition
CN210928112U (zh) 一种微波等离子体发生装置
CN113957522A (zh) 用于金刚石单晶生长的mpcvd装置
CN110139459B (zh) 一种基于旋转磁场高密度球形等离子体发生装置
CN116970922A (zh) Mpcvd装置及其应用
CN114892149A (zh) 用于金刚石材料生长的椭球形mpcvd装置
CN201114975Y (zh) 用于电子回旋共振等离子体源的谐振腔体装置
CN108190862A (zh) 利用微波气相沉积制备掺氮碳纳米管的方法及装置
CN108588821A (zh) 微波等离子体化学气相沉积装置和漏点检测方法
CN213880372U (zh) 阵列式矩形腔微波等离子发生器
CN115799793A (zh) 一种新型微波谐振腔及微波等离子体化学气相沉积装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant