CN104538334A - 一种多功能等离子体腔室处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种多功能等离子体腔室处理系统，其特征在于，包括CCP设备、ICP设备和配气系统，所述配气系统与所述CCP设备和ICP设备连接，用于将所述CCP设备及ICP设备内抽成真空，同时还用于向所述CCP设备及ICP设备内通入混合气体，所述配气系统与所述CCP设备及ICP设备的连接处均设置有阀门。本发明提供的等离子处理系统，通过腔室结构变化可实现CCP和ICP两种放电模式，在一套设备中实现两种操作；通过改变CCP的上电极位置可以对等离子体的行程进行改变；通过更换ICP的线圈可实现对不同尺寸的晶片进行处理，且可以获得较均匀的等离子体分布；通过真空控制系统可实现对不同放电模式的操作。

Description

一种多功能等离子体腔室处理系统
技术领域
本发明涉及等离子体处理技术领域，特别是一种多功能等离子体腔室处理系统。
背景技术
等离子体设备作为集成电路制造技术中的一类设备占据着非常重要的地位，在集成电路制造工艺中有着非常广泛的应用。常用的等离子体设备主要包括两种，分别是：电容耦合等离子体(capacitively coupledplasma，CCP)设备和电感耦合等离子体(inductively coupled plasma，ICP)设备。
CCP设备通过两平行电极板连接RF射频电源，在电极板之间施加射频电能，在电极板中间区域形成电场，将进入电极板之间的气体电离产生等离子体。ICP设备通过对线圈电极连接RF射频电源，在线圈内产生变化的磁场，再感生出电场，将进入ICP设备中的气体电离产生等离子体。
目前通用的CCP设备和ICP设备都是单独工作，分别配备不同的真空系统。CCP设备的上电极都处于固定位置，不能进行调节，等离子体在腔室内的行程固定，ICP设备的上电极采用的布置方式在腔室内产生的电场分布不均匀，等离子体的分布不均匀，对晶片表面进行处理时往往不能取得均匀的效果。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种多功能等离子体腔室处理系统，以解决现有技术中的技术问题。
本发明提供一种多功能等离子体腔室处理系统，包括CCP设备、ICP设备和配气系统，所述配气系统与所述CCP设备和ICP设备连接，用于将所述CCP设备及ICP设备内抽成真空，同时还用于向所述CCP设备及ICP设备内通入混合气体，所述配气系统与所述CCP设备及ICP设备的连接处均设置有阀门。
优选地，所述CCP设备包括腔室主体、上电极、下电极、下电极安装座和上电极升降装置，所述上电极与下电极设置在所述腔室主体内，所述下电极通过所述下电极安装座固定在所述腔室主体底部；所述上电极位于所述下电极正上方，并与所述上电极升降装置连接；所述上电极升降装置位于所述腔室主体的外侧，并固定在所述腔室主体上。
优选地，所述上电极升降装置包括上固定板、升降板、下固定板、导向杆、螺杆、螺纹套、上电极连接杆、波纹管和电动机，所述上电极升降装置的所述上固定板与下固定板相对设置，所述导向杆及螺杆设置在所述上固定板与下固定板之间，且两端分别与所述上固定板及下固定板连接，所述螺杆的一端与所述电动机连接，所述升降板设置在所述上固定板与下固定板之间，所述导向杆及螺杆穿过所述升降板，且所述升降板上设置有与所述螺杆配合的所述螺纹套，所述螺纹套固定在所述升降板上，所述升降板上连接有所述上电极连接杆，所述上电极连接杆穿过所述下固定板及所述腔室主体的盖板与所述上电极连接，在所述上电极连接杆的外侧位于所述腔室主体外的部分套装有所述波纹管，所述波纹管与所述升降板及下固定板连接。
优选地，所述上电极升降装置中的电动机还可用旋转手柄代替。
优选地，所述ICP设备包括腔室主体、屏蔽罩、内石英耦合窗、外石英耦合窗、第一布气盘、第二布气盘、下电极和下电极安装座，所述腔室主体包括壳体和盖板，所述外石英耦合窗设置在所述盖板上，所述内石英耦合窗设置在所述外石英耦合窗上；所述屏蔽罩设置在所述盖板上，且所述外石英耦合窗及内石英耦合窗罩在所述屏蔽罩内部；所述第一布气盘和第二布气盘均设置在所述壳体内部上端的位置；所述下电极安装座设置在所述壳体内侧底部，所述下电极安装在所述下电极安装座上。
优选地，所述外石英耦合窗主体为圆形板，在其边缘设置有卡合边，所述外石英耦合窗的中间位置设置有圆形槽。
优选地，所述内石英耦合窗为圆形凸台，其纵向截面为倒置的“凸”形。
优选地，所述外石英耦合窗及内石英耦合窗上还设置有散热槽。
优选地，在所述外石英耦合窗及内石英耦合窗上分别设置有外ICP线圈及内ICP线圈，且所述外ICP线圈可与所述内ICP线圈并联。
本发明提供的等离子处理系统，通过腔室结构变化可实现CCP和ICP两种放电模式，在一套设备中实现两种操作；通过改变CCP的上电极位置可以对等离子体的行程进行改变；通过更换ICP的线圈可实现对不同尺寸的晶片进行处理，且可以获得较均匀的等离子体分布；通过真空控制系统可实现对不同放电模式的操作。
附图说明
通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
图1为本发明多功能等离子体腔室处理系统示意图；
图2为CCP设备示意图；
图3为ICP设备示意图；
图4为内石英耦合窗及外石英耦合窗安装示意图；
图5为第一布气盘示意图；
图6为图1中A处示意图；
图7为图1中B处示意图。
具体实施方式
以下将参照附图更详细地描述本发明的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。
如图1所示，本发明提供的多功能等离子体腔室处理系统包括CCP设备1、ICP设备2和配气系统3，所述配气系统3与所述CCP设备1和ICP设备2连接，用于将所述CCP设备1及ICP设备2内抽成真空，同时还向所述CCP设备1及ICP设备2内通入混合气体。所述配气系统3与所述CCP设备1及ICP设备2的连接处均设置有阀门4，优选地，所述阀门4为插板阀门。
如图2所示，所述CCP设备1包括腔室主体11、上电极12、下电极13、下电极安装座14和上电极升降装置15，所述腔室主体11包括壳体111和盖板112，所述壳体111上设置有进料口113、出气口114、外接设备口115和进气口(图中未示出)；所述上电极12与下电极13设置在所述腔室主体11内，所述下电极13通过所述下电极安装座14固定在所述腔室主体11底部；所述上电极12位于所述下电极13正上方，并与所述上电极升降装置15连接，且所述上电极12通过所述上电极升降装置15调节其与所述下电极13之间的距离；所述上电极升降装置15位于所述腔室主体11的外侧，并固定在所述腔室主体11的盖板112上。所述上电极升降装置15包括上固定板151、升降板152、下固定板153、导向杆154、螺杆155、螺纹套156、上电极连接杆157、波纹管158和电动机159，所述上固定板151与下固定板153相对设置，所述导向杆154及螺杆155设置在所述上固定板151与下固定板153之间，且两端分别与所述上固定板151及下固定板153连接，所述螺杆155可转动，所述螺杆155的一端与所述电动机159连接，优选地，所述电动机159还可用旋转手柄代替(图中未示出)，所述升降板152设置在所述上固定板151与下固定板153之间，所述导向杆154及螺杆155穿过所述升降板152，且所述升降板152上设置有与所述螺杆155配合的所述螺纹套156，所述螺纹套156固定在所述升降板152上，所述升降板152上连接有所述上电极连接杆157，所述上电极连接杆157穿过所述下固定板153及所述腔室主体11的盖板112与所述上电极12连接，在所述上电极连接杆157的外侧位于所述腔室主体11外的部分套装有所述波纹管158，所述波纹管158与所述升降板152及下固定板153连接。
所述进料口113与传输腔室5连接，且所述进料口113与所述传输腔室5连接处设置有所述阀门4，待处理晶片通过所述传输腔室5送至所述CCP设备1中。
如图3所示，所述ICP设备2包括腔室主体21、屏蔽罩22、内石英耦合窗23、外石英耦合窗24、第一布气盘25、第二布气盘26、下电极27和下电极安装座28，所述腔室主体21包括壳体211和盖板212，所述壳体211上设置有进气口2111、外接设备连接口2112和出气口2113，所述盖板212为圆环形板，所述外石英耦合窗24设置在所述盖板212上的孔内；如图4所示，所述外石英耦合窗24主体为圆形板，所述外石英耦合窗24的主体直径等于或略小于所述盖板212的内径，在其边缘设置有卡合边241，所述卡合边241的外径大于所述盖板212的内径，所述外石英耦合窗24通过所述卡合边241安装在所述盖板212上，所述外石英耦合窗24的中心位置还设置有圆形槽242，所述内石英耦合窗23为圆形凸台，其纵向截面为倒置的“凸”形，其小端外径与所述外石英耦合窗24上的圆形槽242配合，放置在所述圆形槽242内，优选地，还可在所述外石英耦合窗24及内石英耦合窗23上设置散热槽(图中未示出)，用以避免所述外石英耦合窗24及内石英耦合窗23温度过高；所述外石英耦合窗24及内石英耦合窗23上分别设置有外ICP线圈243和内ICP线圈231。当被处理晶片尺寸较小时，可仅使用内ICP线圈231；当被处理晶片尺寸较大时，可将所述内ICP线圈231与所述外ICP线圈243并联使用，同时还可将所述内ICP线圈231与电容串联，以使产生的电场分布均匀。所述屏蔽罩22为圆形罩，所述屏蔽罩22设置在所述盖板212上，且所述外石英耦合窗24及内石英耦合窗23罩在所述屏蔽罩22内部，所述屏蔽罩22对所述内ICP线圈231及外ICP线圈243产生的电场起屏蔽作用，使所述屏蔽罩22外侧没有电场。所述第一布气盘25和第二布气盘26均设置在所述壳体内部靠近上端的位置，且均位于所述壳体211上的所述进气口2111下侧、所述外接设备口2112上侧，所述第一布气盘25位于所述第二布气盘26上方，且所述第一布气盘25与第二布气盘26相距一定的距离设置。如图5所示，所述第一布气盘25上设置有通孔251，所述通孔251均匀的分布在以所述第一布气盘25的圆心为圆心的不同直径的同心圆上，所述第二布气盘26上的通孔261的分布与所述通孔251相同，所述第一布气盘25与所述第二布气盘26安装时使所述通孔251与通孔261相互错开，以使布气均匀。优选地，为了使气体分布更加均匀，将所述通孔251做成进气端即位于所述第一布气盘25上底面的一端设置圆锥面，如图6所示；将所述通孔261的两端均设置圆锥面，如图7所示。所述下电极安装座28设置在所述壳体211内侧底部，所述下电极27安装在所述下电极安装座28上。
所述配气系统3包括抽真空系统与输气系统，所述抽真空系统分别与所述CCP设备1的出气口114及所述ICP设备2的出气口2113连接，用于将所述CCP设备1及ICP设备2内抽成真空。所述输气系统分别与所述CCP设备1的进气口及所述ICP设备2的进气口2111连接，用于向所述CCP设备1及ICP设备2内输入反应气体，所述配气系统3可通过所述抽真空系统对所述CCP设备1及ICP设备2同时进行抽真空操作，也可单独对所述CCP设备1或ICP设备2进行抽真空操作；同样，所述输气系统也可以同时向所述CCP设备1及ICP设备2内输入反应气体，或单独向所述CCP设备1或ICP设备2内输入反应气体。
本发明提供的多功能等离子体腔室处理系统的工作流程为：
将待处理晶片根据所需处理类型分别放至所述CCP设备1中或ICP设备2中，所述CCP设备1中的上电极12根据需要调整好其与所述下电极13的距离；所述ICP设备2的内石英耦合窗23根据需要选择大小，还可选择是单独连接所述内ICP线圈231或将所述内ICP线圈231与外ICP线圈243并联使用。所述配气系统3同时对所述CCP设备1及ICP设备2进行抽真空操作，待所述CCP设备1及ICP设备2内均为真空状态后，关闭所述出气口114及出气口2113与所述抽真空系统连接处的所述阀门4。然后，通过所述输气系统向所述CCP设备1及ICP设备2内通入反应气体。
若需单独使用所述CCP设备1或ICP设备2则只需控制所述配气系统3单独对所述CCP设备1或ICP设备2进行操作即可。
应当说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (9)

1.一种多功能等离子体腔室处理系统，其特征在于，包括CCP设备、ICP设备和配气系统，所述配气系统与所述CCP设备和ICP设备连接，用于将所述CCP设备及ICP设备内抽成真空，同时还用于向所述CCP设备及ICP设备内通入混合气体，所述配气系统与所述CCP设备及ICP设备的连接处均设置有阀门。
2.根据权利要求1所述的多功能等离子体腔室处理系统，其特征在于，所述CCP设备包括腔室主体、上电极、下电极、下电极安装座和上电极升降装置，所述上电极与下电极设置在所述腔室主体内，所述下电极通过所述下电极安装座固定在所述腔室主体底部；所述上电极位于所述下电极正上方，并与所述上电极升降装置连接；所述上电极升降装置位于所述腔室主体的外侧，并固定在所述腔室主体上。
3.根据权利要求2所述的多功能等离子体腔室处理系统，其特征在于，所述上电极升降装置包括上固定板、升降板、下固定板、导向杆、螺杆、螺纹套、上电极连接杆、波纹管和电动机，所述上电极升降装置的所述上固定板与下固定板相对设置，所述导向杆及螺杆设置在所述上固定板与下固定板之间，且两端分别与所述上固定板及下固定板连接，所述螺杆的一端与所述电动机连接，所述升降板设置在所述上固定板与下固定板之间，所述导向杆及螺杆穿过所述升降板，且所述升降板上设置有与所述螺杆配合的所述螺纹套，所述螺纹套固定在所述升降板上，所述升降板上连接有所述上电极连接杆，所述上电极连接杆穿过所述下固定板及所述腔室主体的盖板与所述上电极连接，在所述上电极连接杆的外侧位于所述腔室主体外的部分套装有所述波纹管，所述波纹管与所述升降板及下固定板连接。
4.根据权利要求3所述的多功能等离子体腔室处理系统，其特征在于，所述上电极升降装置中的电动机还可用旋转手柄代替。
5.根据权利要求1所述的多功能等离子体腔室处理系统，其特征在于，所述ICP设备包括腔室主体、屏蔽罩、内石英耦合窗、外石英耦合窗、第一布气盘、第二布气盘、下电极和下电极安装座，所述腔室主体包括壳体和盖板，所述外石英耦合窗设置在所述盖板上，所述内石英耦合窗设置在所述外石英耦合窗上；所述屏蔽罩设置在所述盖板上，且所述外石英耦合窗及内石英耦合窗罩在所述屏蔽罩内部；所述第一布气盘和第二布气盘均设置在所述壳体内部上端的位置；所述下电极安装座设置在所述壳体内侧底部，所述下电极安装在所述下电极安装座上。
6.根据权利要求5所述的多功能等离子体腔室处理系统，其特征在于，所述外石英耦合窗主体为圆形板，在其边缘设置有卡合边，所述外石英耦合窗的中间位置设置有圆形槽。
7.根据权利要求6所述的多功能等离子体腔室处理系统，其特征在于，所述内石英耦合窗为圆形凸台，其纵向截面为倒置的“凸”形。
8.根据权利要求7所述的多功能等离子体腔室处理系统，其特征在于，所述外石英耦合窗及内石英耦合窗上还设置有散热槽。
9.根据权利要求8所述的多功能等离子体腔室处理系统，其特征在于，在所述外石英耦合窗及内石英耦合窗上分别设置有外ICP线圈及内ICP线圈，且所述外ICP线圈可与所述内ICP线圈并联。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106525359A (zh) * 2016-10-27 2017-03-22 中国地质大学（北京） 一种等离子体放电腔体迷宫密封实验系统
CN107195519A (zh) * 2017-07-07 2017-09-22 桂林电子科技大学 一种高能带电粒子束从真空到大气的引出窗口
CN107481955A (zh) * 2016-06-08 2017-12-15 汉民科技股份有限公司 应用于半导体设备的组装装置
CN108346554A (zh) * 2018-04-24 2018-07-31 西南林业大学 一种等离子体刻蚀与沉积设备及方法
CN111146067A (zh) * 2019-12-24 2020-05-12 北京北方华创微电子装备有限公司 线圈组件及半导体设备
CN114171360A (zh) * 2021-12-07 2022-03-11 北京北方华创微电子装备有限公司 上电极装置及工艺腔室

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1630936A (zh) * 2002-02-08 2005-06-22 权光虎 产生电感耦合等离子体的设备及其方法
CN101083203A (zh) * 2006-05-31 2007-12-05 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置及其所使用的电极
CN101226894A (zh) * 2007-01-15 2008-07-23 东京毅力科创株式会社 基板保持机构和等离子体处理装置
CN101795528A (zh) * 2009-01-14 2010-08-04 东京毅力科创株式会社 感应耦合等离子体处理装置
US20110265951A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Twin chamber processing system
CN102299091A (zh) * 2010-05-20 2011-12-28 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置、基板保持机构和位置偏移检测方法
CN102737941A (zh) * 2011-03-29 2012-10-17 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN102741976A (zh) * 2010-04-30 2012-10-17 应用材料公司 具有共享真空泵的双腔室处理系统
CN103237405A (zh) * 2013-05-14 2013-08-07 哈尔滨工业大学 一体化等离子体发生装置
CN103348414A (zh) * 2011-02-15 2013-10-09 富士电机株式会社 带有放射性物质的树脂减容处理装置及其工作方法
CN103578904A (zh) * 2012-07-18 2014-02-12 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法
CN103972014A (zh) * 2014-05-22 2014-08-06 中国地质大学（北京） 离子体反应腔室电极间隙调整装置及离子体反应腔室

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1630936A (zh) * 2002-02-08 2005-06-22 权光虎 产生电感耦合等离子体的设备及其方法
CN101083203A (zh) * 2006-05-31 2007-12-05 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置及其所使用的电极
CN101226894A (zh) * 2007-01-15 2008-07-23 东京毅力科创株式会社 基板保持机构和等离子体处理装置
CN101795528A (zh) * 2009-01-14 2010-08-04 东京毅力科创株式会社 感应耦合等离子体处理装置
US20110265951A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Twin chamber processing system
CN102741976A (zh) * 2010-04-30 2012-10-17 应用材料公司 具有共享真空泵的双腔室处理系统
CN102299091A (zh) * 2010-05-20 2011-12-28 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置、基板保持机构和位置偏移检测方法
CN103348414A (zh) * 2011-02-15 2013-10-09 富士电机株式会社 带有放射性物质的树脂减容处理装置及其工作方法
CN102737941A (zh) * 2011-03-29 2012-10-17 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN103578904A (zh) * 2012-07-18 2014-02-12 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法
CN103237405A (zh) * 2013-05-14 2013-08-07 哈尔滨工业大学 一体化等离子体发生装置
CN103972014A (zh) * 2014-05-22 2014-08-06 中国地质大学（北京） 离子体反应腔室电极间隙调整装置及离子体反应腔室

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107481955A (zh) * 2016-06-08 2017-12-15 汉民科技股份有限公司 应用于半导体设备的组装装置
CN107481955B (zh) * 2016-06-08 2020-03-13 汉民科技股份有限公司 应用于半导体设备的组装装置
CN106525359A (zh) * 2016-10-27 2017-03-22 中国地质大学（北京） 一种等离子体放电腔体迷宫密封实验系统
CN106525359B (zh) * 2016-10-27 2018-12-25 中国地质大学（北京） 一种等离子体放电腔体迷宫密封实验系统
CN107195519A (zh) * 2017-07-07 2017-09-22 桂林电子科技大学 一种高能带电粒子束从真空到大气的引出窗口
CN107195519B (zh) * 2017-07-07 2023-07-11 桂林电子科技大学 一种高能带电粒子束从真空到大气的引出窗口
CN108346554A (zh) * 2018-04-24 2018-07-31 西南林业大学 一种等离子体刻蚀与沉积设备及方法
CN111146067A (zh) * 2019-12-24 2020-05-12 北京北方华创微电子装备有限公司 线圈组件及半导体设备
CN111146067B (zh) * 2019-12-24 2023-04-14 北京北方华创微电子装备有限公司 线圈组件及半导体设备
CN114171360A (zh) * 2021-12-07 2022-03-11 北京北方华创微电子装备有限公司 上电极装置及工艺腔室
CN114171360B (zh) * 2021-12-07 2023-11-14 北京北方华创微电子装备有限公司 上电极装置及工艺腔室

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