CN107481955A - 应用于半导体设备的组装装置 - Google Patents

应用于半导体设备的组装装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107481955A
CN107481955A CN201710419905.6A CN201710419905A CN107481955A CN 107481955 A CN107481955 A CN 107481955A CN 201710419905 A CN201710419905 A CN 201710419905A CN 107481955 A CN107481955 A CN 107481955A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ceiling
support bar
top cover
reative cell
assembling device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710419905.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107481955B (zh
Inventor
黄灿华
黄建宝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hermes Epitek Corp
Original Assignee
Hermes Epitek Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hermes Epitek Corp filed Critical Hermes Epitek Corp
Publication of CN107481955A publication Critical patent/CN107481955A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107481955B publication Critical patent/CN107481955B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
    • B23P21/00—Machines for assembling a multiplicity of different parts to compose units, with or without preceding or subsequent working of such parts, e.g. with programme control
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

一种应用于半导体设备的组装装置包含反应室顶盖、顶棚、悬吊部及驱动部。顶棚位于反应室顶盖下方。悬吊部设置穿透于反应室顶盖，并用以扣接顶棚。驱动部设置于反应室顶盖上方并连接悬吊部，并用以驱动悬吊部，使顶棚与反应室顶盖相结合或分离，其中驱动部包含升降单元及旋转单元。升降单元及旋转单元分别用以升降及旋转悬吊部。

Description

应用于半导体设备的组装装置
技术领域
本发明是有关一种组装装置，特别是关于一种应用于半导体设备的自动化组装装置。
背景技术
在薄膜沉积制造过程中，薄膜的生长过程是借由在反应腔内利用喷射器将气源气体水平喷射至承载板(susceptor)之上进行混合，再利用加热所引起的物理或化学反应，从而在晶圆上沉积薄膜。
其中，承载板对相面须装置顶棚(ceiling)，其功能主要为导流和控温。导流功能的目的是减缓乱流的形成，并导引乱流发生于成长区之后；而控温功能的目的是防止制造过程副产物(如：脏污颗粒)沉积附着于顶棚表面上，因为倘若顶棚温度控制不良时，将使得附着于顶棚的表面上的沉积副产物掉落于晶圆上。换言之，当顶棚温度控制良好，则沉积副产物会较少形成于顶棚表面上，也相对不易掉落于晶圆之上，从而可提升制造过程晶圆的良率。
请参照图1A及图1B，其分别绘示一般传统半导体设备中的顶棚与反应室顶盖(chamber lid)的配置结构立体图与侧视图。如图所示的传统半导体设备100，目前习用的技术是手动方式将顶棚110锁接固定于反应室顶盖120上。更具体地说，顶棚110是借由手动上索的方式将中心固定器130锁固至反应室顶盖120的中心螺孔内。此外，由于顶棚110与反应室顶盖120之间必须具有间隙(Gap)，而间隙大小一般是根据反应气体的组成与流量予以对应调整，来调控反应室中的制造过程温度，因此顶棚110的边缘处是借由抵接至间隙环140，予以固定至反应室顶盖120上。其中，间隙环140的厚度是用以决定顶棚110与反应室顶盖120之间的间隙大小。
然而，于上述一般传统手动上锁的装载固定方式，操作期间必须至少两位操作员同时进行作业，方能稳固地将顶棚110锁接固定于反应室顶盖120；反之亦然，当欲将顶棚110自反应室顶盖120卸下清洗时，亦同时需要至少两位操作员进行手动反向卸载作业。如此一来，在顶棚110的装载及卸载作业中，皆需要耗用相当多的人力与时间，而且当进行制造过程中，其仅有中心固定器130于中央一处固定抵住顶棚110用以提供支撑。
因此，亟需发展出一种应用于半导体设备的自动化组装装置，以提供顶棚于装卸操作上的效率及便利性。
发明内容
鉴于上述，本发明实施例的目的之一在于提出一种应用于半导体设备的自动化组装装置，来降低操作繁复度及人力成本，而可有效大幅提升使用效率及便利性。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。
根据本发明实施例，一种应用于半导体设备的组装装置，其包含反应室顶盖(chamber lid)、顶棚(ceiling)、悬吊部及驱动部。顶棚位于反应室顶盖下方。悬吊部是设置穿透于反应室顶盖，且用以扣接顶棚。驱动部设置于反应室顶盖上方并连接悬吊部，并用以驱动悬吊部，使顶棚与反应室顶盖相结合或分离。驱动部包含升降单元及旋转单元。升降单元用以升降悬吊部，旋转单元则用以旋转悬吊部。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于：其中当该驱动部驱动该悬吊部，使该顶棚与该反应室顶盖相结合时，该升降单元下降该悬吊部穿越该顶棚至该顶棚下方，接着该旋转单元旋转该悬吊部，致使该悬吊部扣接该顶棚，接着该升降单元上升该悬吊部，以抬升该顶棚并定位于该反应室顶盖的下表面。
前述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于，其中该悬吊部包含多个第一悬吊组件，设置于该顶棚的表面上方，且每一所述第一悬吊组件包含：第一支撑杆；及第一钩扣件，设置于该第一支撑杆的一端；其中每一该第一钩扣件形成具有T字型外观，且该顶棚具有多个穿孔，分别设置以对应所述第一悬吊组件。
前述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于：其中当该驱动部驱动该悬吊部使该顶棚与该反应室顶盖相结合时，该升降单元下降所述第一支撑杆至该顶棚下方，该旋转单元即旋转所述第一支撑杆，致使所述第一钩扣件扣接该顶棚，接着该升降单元上升所述第一支撑杆，以抬升该顶棚并定位于该反应室顶盖的下表面。
前述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于：其中当该升降单元下降每一所述第一支撑杆，使每一所述第一钩扣件对应穿越过每一所述穿孔后，该旋转单元旋转每一所述第一支撑杆，致使每一所述第一钩扣件扣接该顶棚。
前述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于：其中该顶棚的每一所述穿孔更包含旋转沟槽，当该旋转单元旋转所述第一支撑杆时，每一所述第一钩扣件对应旋转于旋转沟槽内，以扣接于每一所述旋转沟槽的顶面。
前述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于：其中该顶棚更包含多个垫件，设置于该顶棚的上表面，并且每一所述垫件是对应连接所述旋转沟槽其中之一。
前述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于：其中该悬吊部包含多个第二悬吊组件，设置于该顶棚的表面边缘上方，且每一所述第二悬吊组件包含：第二支撑杆；及第二钩扣件，设置于该第二支撑杆的一端；其中每一所述第二支撑杆与每一所述第二钩扣件形成具有L字型外观，且其中每一所述第二悬吊组件是从该顶棚的边缘处，予以扣接抬升。
前述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于：其中每一所述第一支撑杆的另一端具有第一缓冲件，用以当抬升该顶棚以定位于该反应室顶盖的下表面时，缓冲减低该顶棚所受到的冲击力。
前述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于其中该升降单元，包含：升降基板，设置于该反应室顶盖上方，其中每一所述第一支撑杆的另一端是固定连接于该升降基板；至少二个皮带轮，设置于该升降基板上；传动皮带，绕设于该至少二个皮带轮之间；及驱动马达，设置于该升降基板上，用以通过该传动皮带驱动该至少二个皮带轮，进而使该升降基板及所述第一支撑杆上升或下降。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1A及图1B是绘示一般传统半导体设备中的顶棚与反应室顶盖的配置结构立体图及侧视图。
图2A与图2B是绘示本发明一实施例的一种应用于半导体设备的组装装置，其进行组装顶棚至反应室顶盖的示意结构剖面图。
图2C是绘示图2A及图2B中的组装装置的顶棚与悬吊部的示意局部图。
图2D是绘示本发明另一实施例的悬吊部的局部结构示意剖面图。
图2E是绘示本发明另一实施例的顶棚与悬吊部的组接示意局部图。
图2F是绘示图2A及图2B中的组装装置的驱动部的立体结构图。
图3A及图3B是绘示本发明另一实施例的一种应用于半导体设备的组装装置，其进行卸载顶棚的示意图。
图3C与图3D是绘示本发明另一实施例的一种应用于半导体设备的组装装置于进行自动化更替顶棚的示意图。
【主要元件符号说明】
100：传统半导体设备 110：顶棚
120：反应室顶盖 130：中心固定器
140：间隙环 200：组装装置
210：反应室顶盖 220：顶棚
222：穿孔 224：垫件
225：旋转沟槽 230：悬吊部
231：第一悬吊组件 231a：第一支撑杆
231b：第一钩扣件 231c：第一缓冲件
232：第二悬吊组件 232a：第二支撑杆
232b：第二钩扣件 232c：第二缓冲件
240：驱动部 241：升降单元
242：升降基板 243：皮带轮
244：传动皮带 245：驱动马达
246：旋转单元 247：气动缸
248：中心轴 250：承载基座
260：反应室 262：门阀
270A：第一机械手臂 270B：第二机械手臂
200A：顶棚 200B：顶棚
300：制造过程反应区 400：备位区
500：置放区
具体实施方式
请参考图2A及图2B，其中图2A与图2B显示本发明一实施例的一种应用于半导体设备的组装装置，其进行组装顶棚至反应室顶盖的示意结构剖面图。如图所示，一种应用于半导体设备的组装装置200，其包含反应室顶盖210、顶棚220、悬吊部230及驱动部240。顶棚220位于反应室顶盖210下方。悬吊部230是设置穿透于反应室顶盖210，并且用以扣接顶棚。驱动部240设置于反应室顶盖210上方并连接悬吊部230，且驱动部240用以驱动悬吊部230，使顶棚220与反应室顶盖210相结合或分离。其中，驱动部240包含升降单元241及旋转单元246。升降单元241用以升降悬吊部230，而旋转单元246则用以旋转悬吊部230。
更进一步地说，当驱动部240驱动悬吊部230，使顶棚220与反应室顶盖210相结合时，升降单元241是先下降悬吊部230以穿越顶棚220至顶棚220下方，而旋转单元246则即对应旋转悬吊部230，致使悬吊部230扣接于顶棚220，接着升降单元241上升悬吊部230，以抬升顶棚220并使其定位于反应室顶盖210的下表面。
于本实施例中，悬吊部230包含多个第一悬吊组件231，分别设置于顶棚220的表面上方。每一第一悬吊组件231包含第一支撑杆231a及第一钩扣件231b，且第一钩扣件231b是设置于第一支撑杆231a的一端。再者，如图所示，每一第一钩扣件231b可形成具有T字型外观，其中每一第一钩扣件231b的一端是对应设置连接于每一第一支撑杆231a的一端，并且第一钩扣件231b的另一端是朝向顶棚220。
接着，请同步参照图2A至图2C，其中图2C是绘示图2A及图2B的组装装置200的顶棚220与悬吊部230的局部图。如图所示，于本实施例中，顶棚220的表面可具有多个穿孔222，分别设置以对应第一悬吊组件231。然而，借由第一钩扣件231b的T字型外观及顶棚220的穿孔222的对应配置，当驱动部240驱动悬吊部230使顶棚220与反应室顶盖210相结合时，升降单元241下降第一支撑杆231a至顶棚220下方，使得每一第一钩扣件231b穿越过每一对应穿孔222后，旋转单元246则可旋转第一支撑杆231a，而让第一钩扣件231b扣接至顶棚220，接着升降单元241即可上升第一支撑杆231a，从而让第一钩扣件231b得以抬升顶棚220，并予以定位于反应室顶盖210的下表面。
再者，顶棚220的每一穿孔222可更对应包含旋转沟槽225，使得当旋转单元246旋转第一支撑杆231a时，第一钩扣件231b则可对应旋转于旋转沟槽225内，并且扣接于旋转沟槽225的顶面。
然而，当第一钩扣件231b对应扣接于每一旋转沟槽225的顶面时，第一钩扣件231b的厚度可小于或等于旋转沟槽225的深度，因此当组接升降顶棚220至反应室顶盖210过程中，第一钩扣件231b的底面是与顶棚210的下表面可为同一平面，或第一钩扣件231b的底面是隐没于顶棚210的下表面，从而让第一钩扣件231b不会凸设于顶棚210的下表面外。
接着，请继续参照图2A至图2C，其中顶棚220亦可更包含多个垫件224，而每一垫件224是嵌设形成于顶棚220的上表面，并且每一垫件224是分别对应连接旋转沟槽225其中之一。而且，于本实施例中，垫件224是设置以对应围设于穿孔222。如此一来，当驱动部240将顶棚220定位至反应室顶盖210的下表面时，每一垫件224的顶面将抵接至反应室顶盖210的下表面，从而让顶棚220与反应室顶盖210之间产生间隙。
然而，垫件224与顶棚220是可依据实际设计或制造过程需求，而调整选用垫件224的整体厚度，使得垫件224的顶面是高于或等高于顶棚220的上表面，且垫件224亦可选择为一体成形或组合式构造。更进一步地说当垫件224的顶面是高于顶棚220的上表面时，垫件224的顶面与顶棚220的上表面的间距则可介于约0.1厘米(mm)至约0.3厘米(mm)，而其可依据不同制造过程条件或反映气体，而予以调整适切的间距高度。举例而言，当在磷化砷(AsP)半导体制造过程中，垫件224的顶面与顶棚220的上表面的间距为约0.3厘米，使得顶棚220的上表面与反应室顶盖210的下表面两者于制造过程中的间隙可以维持为0.3厘米，而当在氮化物(Nitride)半导体制造过程中，垫件224的顶面与顶棚220的上表面的间距则为约0.1厘米，使得顶棚220的上表面与反应室顶盖210的下表面两者于制造过程中的间隙可以维持为0.1厘米。
虽然图2A及图2B所示本案的组装装置200，其是以四个第一悬吊组件231、四个对应穿孔222及四个对应垫件224作为示例，然而熟悉本领域技艺者可轻易理解到本案不以此为限，组装装置200所搭配使用的悬吊部230所包含的第一悬吊组件231、穿孔222及垫件224的数量是可为至少两个以上，并且彼此间均衡设置，从而避免顶棚220于升降过程中产生水平位移或转动。
接着，请参照图2D，其绘示本发明另一实施例的悬吊部的局部结构示意剖面图。如图所示，每一第一悬吊组件231可更包含第一缓冲件231c，设置套接于第一支撑杆231a的另一端，用以当驱动部240驱动第一支撑杆231a及第一钩扣件231b抬升顶棚220，并予以固定至反应室顶盖210的下表面时，第一缓冲件231c可以大幅有效缓冲减少第一钩扣件231b急遽对顶棚220给予过多的冲击应力，从而避免顶棚220于抬升固定过程中产生破裂。然而，于一实施例中，第一缓冲件231c可为弹簧。
请参照图2E，其绘示本发明另一实施例的顶棚220与悬吊部230的第二悬吊组件232的组接局部图。如图所示，悬吊部230可包含多个第二悬吊组件232，其中每一第二悬吊组件232包含第二支撑杆232a与第二钩扣件232b，且第二支撑杆232a与第二钩扣件232b可形成具有L字型外观，其中第二钩扣件232b是设置位于第二支撑杆232a的一端，并且第二钩扣件232b是朝向顶棚220。如此一来，悬吊部230的第二悬吊组件232可借由驱动部240的升降与旋转驱动操作，进而可从顶棚220的边缘处，予以钩接、抬升并固定至反应室顶盖210的下表面。同样地，顶棚220的边缘处亦可对应具有旋转沟槽225，用以当升降单元241下降第二支撑杆232a至顶棚220时，旋转单元246可旋转第二支撑杆232a时，使第二钩扣件232b旋转至顶棚220下方，进而可对应扣接于旋转沟槽225的顶面，以避免对制造过程区产生影响。此外，每一第二支撑杆232a的另一端亦可具有第二缓冲件232c，用以当抬升顶棚220以定位于反应室顶盖210的下表面时，缓冲减低顶棚220所受到的冲击力。再者，关于本发明所揭示的悬吊部230，其是可根据实际制造过程设计需求，而予以分别选择第一悬吊组件231与第二悬吊组件232其中之一并独立配置使用，抑或将第一悬吊组件231与第二悬吊组件232相互搭配组合使用。
请参照图2F，其绘示图2A及图2B中的组装装置200的驱动部240的立体结构图。如图所示，升降单元241是设置以升降第一悬吊组件231，其中升降单元241可包含升降基板242、至少二个皮带轮243、传动皮带244及驱动马达245。升降基板242设置于反应室顶盖210上方，其中第一悬吊组件231中的每一第一支撑杆231a的另一端是固定连接于升降基板242。更具体地说，第一支撑杆231a是穿设于反应室顶盖210，并与升降基板242同步连动升降。皮带轮243是分别对称设置于升降基板242上。其中，于一实施例中，皮带轮243的中心轴248是穿接于升降基板242，且皮带轮243的中心轴248的一端亦可是穿伸于反应室顶盖210，并可与反应室顶盖210相螺合。传动皮带244则是绕设于两皮带轮243之间。驱动马达245是设置于升降基板242上，用以通过传动皮带244驱动二个皮带轮243，予以升降基板242及驱动第一支撑杆231a的上升或下降作动。
请继续参照图2F，旋转单元246可包含至少三个气动缸247，其中每一气动缸247对应设置于每一第一支撑杆231a的另一端上方，用以转动每一第一支撑杆231a及第一钩扣件231b。然而，虽然上述实施例是以第一悬吊组件231作为示例，惟本发明不以此为限，于本发明其他实施例中，第二悬吊组件232亦可对应适用，甚至可依实际需求而将第一悬吊组件231与第二悬吊组件232予以组合搭配置应用。
请参照图3A及图3B，其绘示本发明另一实施例的一种应用于半导体设备的组装装置，其进行卸载顶棚的示意图。其中，驱动部240亦可用以驱动悬吊部230，使得顶棚220自反应室顶盖210分离。更具体地说，升降单元241可借由驱动马达245及传动皮带244驱动皮带轮243以下降升降基板242，进而连动下降第一支撑杆231a，致使顶棚220得以自反应室顶盖210分离并下移至承载板(susceptor)250的上表面后，接着旋转单元246则可通过气动缸247，予以旋转第一支撑杆231a，致使每一第一钩扣件231b自旋转沟槽225转出以对应于穿孔222，接着升降单元241则可再通过驱动马达245抬升第一支撑杆231a，并让第一钩扣件231b得以穿离穿孔222。
请同步参照图3C与图3D，其是绘示本发明另一实施例的一种应用于半导体设备的组装装置于进行自动化更替顶棚的示意图。如图所示，组装装置200是配置于制造过程反应区300，其中反应室顶盖210是设置于反应室260的顶部，而且组装装置200可更包含第一机械手臂270A及第二机械手臂270B。然而，反应室260可更具有门阀262，其中当反应室260中所进行的半导体制造过程完成后，且顶棚220A自反应室顶盖210下移卸载至承载基座250之后，即可通过开启门阀262，而让第一机械手臂270A将顶棚220A移出至置放区500进行清洁。接着，再经由第二机械手臂270B将暂存于备位区400中的顶棚220B，传送至反应室260的承载基座250上，进而让悬吊部230将顶棚220B组装至反应室顶盖210，并同时关闭门阀262，以进行另一梯次的半导体制造过程。如此一来，借由上述自动化的顶棚组装及更替机制，即可大幅有效地降低组装人力，及节省反应室降温的等待时间。此外，虽然上述实施例及其对应图示图3A-图3D皆是以第一悬吊组件231作为示例，惟本发明不以此为限，于其他实施例中，第二悬吊组件232亦可对应适用，甚至可依实际需求而将第一悬吊组件231与第二悬吊组件232予以组合搭配置应用。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种应用于半导体设备的组装装置，其特征在于包含：
反应室顶盖；
顶棚，位于该反应室顶盖下方；
悬吊部，设置穿透于该反应室顶盖，用以扣接该顶棚；及
驱动部，设置于该反应室顶盖上方并连接该悬吊部，用以驱动该悬吊部，使该顶棚与该反应室顶盖相结合或分离，其中该驱动部包含：
升降单元，用以升降该悬吊部；及
旋转单元，用以旋转该悬吊部。
2.根据权利要求1所述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于：其中当该驱动部驱动该悬吊部，使该顶棚与该反应室顶盖相结合时，该升降单元下降该悬吊部穿越该顶棚至该顶棚下方，接着该旋转单元旋转该悬吊部，致使该悬吊部扣接该顶棚，接着该升降单元上升该悬吊部，以抬升该顶棚并定位于该反应室顶盖的下表面。
3.根据权利要求1所述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于，其中该悬吊部包含多个第一悬吊组件，设置于该顶棚的表面上方，且每一所述第一悬吊组件包含：
第一支撑杆；及
第一钩扣件，设置于该第一支撑杆的一端；
其中每一该第一钩扣件形成具有T字型外观，且该顶棚具有多个穿孔，分别设置以对应所述第一悬吊组件。
4.根据权利要求3所述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于：其中当该驱动部驱动该悬吊部使该顶棚与该反应室顶盖相结合时，该升降单元下降所述第一支撑杆至该顶棚下方，该旋转单元即旋转所述第一支撑杆，致使所述第一钩扣件扣接该顶棚，接着该升降单元上升所述第一支撑杆，以抬升该顶棚并定位于该反应室顶盖的下表面。
5.根据权利要求3所述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于：其中当该升降单元下降每一所述第一支撑杆，使每一所述第一钩扣件对应穿越过每一所述穿孔后，该旋转单元旋转每一所述第一支撑杆，致使每一所述第一钩扣件扣接该顶棚。
6.根据权利要求3所述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于：其中该顶棚的每一所述穿孔更包含旋转沟槽，当该旋转单元旋转所述第一支撑杆时，每一所述第一钩扣件对应旋转于旋转沟槽内，以扣接于每一所述旋转沟槽的顶面。
7.根据权利要求3所述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于：其中该顶棚更包含多个垫件，设置于该顶棚的上表面，并且每一所述垫件是对应连接所述旋转沟槽其中之一。
8.根据权利要求1所述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于：其中该悬吊部包含多个第二悬吊组件，设置于该顶棚的表面边缘上方，且每一所述第二悬吊组件包含：
第二支撑杆；及
第二钩扣件，设置于该第二支撑杆的一端；
其中每一所述第二支撑杆与每一所述第二钩扣件形成具有L字型外观，且其中每一所述第二悬吊组件是从该顶棚的边缘处，予以扣接抬升。
9.根据权利要求3所述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于：其中每一所述第一支撑杆的另一端具有第一缓冲件，用以当抬升该顶棚以定位于该反应室顶盖的下表面时，缓冲减低该顶棚所受到的冲击力。
10.根据权利要求3所述的应用于半导体设备的组装装置，其特征在于其中该升降单元，包含：
升降基板，设置于该反应室顶盖上方，其中每一所述第一支撑杆的另一端是固定连接于该升降基板；
至少二个皮带轮，设置于该升降基板上；
传动皮带，绕设于该至少二个皮带轮之间；及
驱动马达，设置于该升降基板上，用以通过该传动皮带驱动该至少二个皮带轮，进而使该升降基板及所述第一支撑杆上升或下降。
CN201710419905.6A 2016-06-08 2017-06-06 应用于半导体设备的组装装置 Active CN107481955B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW105118226A TWI596692B (zh) 2016-06-08 2016-06-08 應用於半導體設備之組裝裝置
TW105118226 2016-06-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107481955A true CN107481955A (zh) 2017-12-15
CN107481955B CN107481955B (zh) 2020-03-13

Family

ID=60189041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710419905.6A Active CN107481955B (zh) 2016-06-08 2017-06-06 应用于半导体设备的组装装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20170358463A1 (zh)
KR (1) KR20200001634A (zh)
CN (1) CN107481955B (zh)
TW (1) TWI596692B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10418264B2 (en) * 2016-06-08 2019-09-17 Hermes-Epitek Corporation Assembling device used for semiconductor equipment
TWI663674B (zh) * 2017-07-25 2019-06-21 漢民科技股份有限公司 用於半導體製程之腔體蓋與頂板之組合體及成膜裝置
KR102371550B1 (ko) * 2020-08-31 2022-03-07 주식회사 엔이아이디 반도체 제조를 지원하는 제어 시스템을 조립하는 방법 및 시스템
KR102641278B1 (ko) * 2021-07-07 2024-02-27 세메스 주식회사 트레이 이송을 위한 승강 장치 및 이를 포함하는 테스트 핸들러

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040211924A1 (en) * 2003-04-10 2004-10-28 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Substrate processing apparatus and maintenance method therefor
CN200964630Y (zh) * 2006-10-23 2007-10-24 张金华 轻钢结构住宅与农用温室大棚联体结构
CN101170053A (zh) * 2006-10-27 2008-04-30 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法以及存储介质
CN101615571A (zh) * 2008-06-24 2009-12-30 周星工程股份有限公司 处理基板用的真空腔室及包含该真空腔室的设备
CN103579054A (zh) * 2012-08-09 2014-02-12 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
CN104538334A (zh) * 2014-12-17 2015-04-22 中国地质大学（北京） 一种多功能等离子体腔室处理系统

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4432728B2 (ja) * 2004-10-29 2010-03-17 株式会社島津製作所 真空処理装置
JP5595202B2 (ja) * 2010-09-28 2014-09-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置およびそのメンテナンス方法
KR101295791B1 (ko) * 2011-05-31 2013-08-09 세메스 주식회사 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법
KR101512560B1 (ko) * 2012-08-31 2015-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치
KR101440307B1 (ko) * 2012-09-17 2014-09-18 주식회사 유진테크 기판처리장치
TWI473903B (zh) * 2013-02-23 2015-02-21 Hermes Epitek Corp 應用於半導體設備的噴射器與上蓋板總成

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040211924A1 (en) * 2003-04-10 2004-10-28 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Substrate processing apparatus and maintenance method therefor
CN200964630Y (zh) * 2006-10-23 2007-10-24 张金华 轻钢结构住宅与农用温室大棚联体结构
CN101170053A (zh) * 2006-10-27 2008-04-30 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法以及存储介质
CN101615571A (zh) * 2008-06-24 2009-12-30 周星工程股份有限公司 处理基板用的真空腔室及包含该真空腔室的设备
CN103579054A (zh) * 2012-08-09 2014-02-12 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
CN104538334A (zh) * 2014-12-17 2015-04-22 中国地质大学（北京） 一种多功能等离子体腔室处理系统

Also Published As

Publication number Publication date
TWI596692B (zh) 2017-08-21
US20170358463A1 (en) 2017-12-14
CN107481955B (zh) 2020-03-13
TW201743393A (zh) 2017-12-16
KR20200001634A (ko) 2020-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107481955A (zh) 应用于半导体设备的组装装置
KR102090588B1 (ko) 웨이퍼의 양면 연마 방법 및 이것을 이용한 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 그리고 에피택셜 웨이퍼
JP4630994B1 (ja) 真空用ゲートバルブ
TWI791014B (zh) 彈性膜、基板保持裝置、及研磨裝置
TW201230244A (en) Film deposition device and substrate processing system containing the same
JP2013502719A (ja) 両面研磨装置及びそのためのキャリア
JP6031560B2 (ja) 化学機械研磨装置
JP2003533359A (ja) 独立のリテーナリングと多領域圧力制御とを備えた空気圧ダイアフラムヘッドおよび該空気圧ダイアフラムヘッドを用いた方法
EP1918069A1 (en) Double side polishing method for wafer
TWI728241B (zh) 雙面研磨裝置
CN110071038A (zh) 一种半导体薄膜平坦度改善的方法
CN101584034A (zh) 基板输送方法
JP5432608B2 (ja) 半導体製造方法および半導体製造装置
JP5271648B2 (ja) 半導体製造方法および半導体製造装置
JP2016055421A (ja) ウエハ研磨装置
JP2013516332A (ja) ウェハ研磨装置
CN113544319A (zh) 气相成长装置及用于该气相成长装置的载具
US10418264B2 (en) Assembling device used for semiconductor equipment
JPWO2013073039A1 (ja) 真空用ゲートバルブ
KR102630065B1 (ko) 웨이퍼 랩핑 장치
KR20200116217A (ko) 연마 헤드용 격벽 멤브레인
CN113439323A (zh) 气相成长装置
TWI806530B (zh) 單晶爐
KR101596517B1 (ko) 가압조정모듈 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 헤드 어셈블리
CN220821524U (zh) 一种晶圆承载装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant