CN113439323A - 气相成长装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供即使无法使用载具也能够执行处理的气相成长装置。在第1机器人(121)的手的末端装配的第1叶片(123)具有支承载具(C)的第1凹部(124)、能够支承晶圆(WF)的第2凹部(125)，在装载锁定室(13)设置有支承载具(C)并且能够支承晶圆(WF)的架(17)。

Description

气相成长装置
技术领域
本发明涉及用于外延晶圆的制造等的气相成长装置。
背景技术
在用于外延晶圆的制造等的气相成长装置中，为使对硅晶圆背面的损伤为最小限度，提出在将硅晶圆搭载于环状的载具的状态下在从装载锁定室至反应室的工序中搬运(专利文献1)。
这种气相成长装置中，在装载锁定室中待机的环状的载具搭载处理前的晶圆，另一方面，处理后的晶圆在搭载于环状的载具的状态下被从反应室向装载锁定室搬运。
专利文献1:美国专利申请公开2017/0110352号公报。
用上述环状的载具搬运晶圆的以往的气相成长装置中有如下问题：若为载具破损或故障而无法使用的状况，则气相成长装置也无法使用。
发明内容
本发明所要解决的问题是，提供不使用载具也能够执行CVD处理的气相成长装置。
本发明的气相成长装置具备支承晶圆的外边缘的环状的载具，使用多个该载具，将多个处理前的晶圆从晶圆收纳容器经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向反应室顺次搬运，并且将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室及前述工厂接口向前述晶圆收纳容器顺次搬运，其特征在于，前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，前述晶圆移载室经由闸门阀与在前述晶圆形成CVD膜的前述反应室连通，在前述晶圆移载室设置有第1机器人，前述第1机器人将被向前述装载锁定室搬运来的处理前的晶圆在搭载于载具的状态下投入前述反应室，并且将在前述反应室中结束处理的处理后的晶圆在搭载于载具的状态下从前述反应室取出，向前述装载锁定室搬运，在前述工厂接口设置有第2机器人，前述第2机器人将处理前的晶圆从晶圆收纳容器取出，搭载于在前述装载锁定室待机的载具，并且将被向前述装载锁定室搬运来的搭载于载具的处理后的晶圆收纳于晶圆收纳容器，前述装载锁定室设置有支承载具的架，在前述气相成长装置中具有第1叶片、第1凹部、第2凹部，前述第1叶片被在前述第1机器人的手的末端装配，前述第1凹部支承前述载具，前述第2凹部形成于前述第1凹部的底面，能够支承前述晶圆。
在本发明中，更优选的是，前述第1凹部是与前述载具的外周侧壁面的一部分对应的凹部，前述第2凹部是与前述晶圆的外形的一部分对应的凹部。
在本发明中，更优选的是，前述第1凹部和前述第2凹部形成为同心圆状。
本发明的气相成长装置具备支承晶圆的外边缘的环状的载具，使用多个该载具，将多个处理前的晶圆从晶圆收纳容器经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向反应室顺次搬运，并且将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室及前述工厂接口向前述晶圆收纳容器顺次搬运，其特征在于，前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，前述晶圆移载室经由闸门阀与在前述晶圆形成CVD膜的前述反应室连通，在前述晶圆移载室设置有第1机器人，前述第1机器人将被向前述装载锁定室搬运来的处理前的晶圆在搭载于载具的状态下投入前述反应室，并且将在前述反应室中结束处理的处理后的晶圆在搭载于载具的状态下从前述反应室取出，向前述装载锁定室搬运，在前述工厂接口设置有第2机器人，前述第2机器人将处理前的晶圆从晶圆收纳容器取出，搭载于在前述装载锁定室待机的载具，并且将被向前述装载锁定室搬运来的搭载于载具的处理后的晶圆收纳于晶圆收纳容器，在前述气相成长装置中，设置有支承前述载具并且能够支承前述晶圆的架。
在本发明中，更优选的是，前述架具备支承前述载具的载具用架和支承前述晶圆的晶圆用架。
在本发明中，更优选的是，前述载具用架将前述载具在左右分别以至少2点支承，前述晶圆用架将前述晶圆在左右分别以至少2点支承，借助前述晶圆用架将前述晶圆的左右分别支承的点与借助前述载具用架将前述载具的左右分别支承的点相比被靠外侧设定。
在本发明中，更优选的是，具有第1叶片、第1凹部、第2凹部，前述第1叶片被在前述第1机器人的手的末端装配，前述第1凹部支承前述载具，前述第2凹部形成于前述第1凹部的底面，能够支承前述晶圆。
本发明的气相成长装置具备支承晶圆的外边缘的环状的载具，使用多个该载具，将多个处理前的晶圆从晶圆收纳容器经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向反应室顺次搬运，并且将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室及前述工厂接口向前述晶圆收纳容器顺次搬运，其特征在于，前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，前述晶圆移载室经由闸门阀与在前述晶圆形成CVD膜的前述反应室连通，在前述晶圆移载室设置有第1机器人，前述第1机器人将被向前述装载锁定室搬运来的处理前的晶圆在搭载于载具的状态下投入前述反应室，并且将在前述反应室中结束处理的处理后的晶圆在搭载于载具的状态下从前述反应室取出，向前述装载锁定室搬运，在前述工厂接口设置有第2机器人，前述第2机器人将处理前的晶圆从晶圆收纳容器取出，搭载于在前述装载锁定室待机的载具，并且将被向前述装载锁定室搬运来的搭载于载具的处理后的晶圆收纳于晶圆收纳容器，在前述装载锁定室，设置有支承载具的架，在前述气相成长装置中，在前述反应室设置有支承基座而借助旋转驱动部旋转的支承轴、相对于前述支承轴借助升降驱动部升降的升降轴，在前述升降轴形成有能够装配载具升降销的第1装配部、能够装配晶圆升降销的第2装配部，在前述支承轴，形成有装配于前述第1装配部的载具升降销能够贯通的第1贯通孔、装配于前述第2装配部的晶圆升降销能够贯通的第2贯通孔。
在本发明中，更优选的是，前述支承轴的轴部被插入前述升降轴的轴部，前述升降轴与前述支承轴一同旋转且升降。
在本发明中，更优选的是，具有第1叶片、第1凹部、第2凹部，前述第1叶片被在前述第1机器人的手的末端装配，前述第1凹部支承前述载具，前述第2凹部形成于前述第1凹部的底面，能够支承前述晶圆。
在本发明中，更优选的是，在前述装载锁定室，设置有支承前述载具并且能够支承前述晶圆的架。
发明效果
根据本发明，在第1机器人的手的末端装配的第1叶片具有支承晶圆的第2凹部，或在装载锁定室设有支承晶圆的架，或在支承轴形成有晶圆升降销能够贯通的第2贯通孔，设有能够仅搬运晶圆来进行CVD处理。结果，不使用载具也能够执行气相成长处理。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的气相成长装置的框图。
图2A是表示本发明的实施方式的载具的俯视图。
图2B是包括晶圆及反应炉的基座的载具的剖视图。
图3A是表示设置于装载锁定室的架的俯视图。
图3B是包括图3A的晶圆及载具的架的剖视图。
图3C是表示设置于装载锁定室的架的其他例的俯视图。
图3D是包括图3C的晶圆及载具的架的剖视图。
图4是表示装载锁定室的晶圆及载具的移载流程的俯视图及剖视图。
图5是表示反应室内的晶圆及载具的移载流程的俯视图及剖视图。
图6的图6(A)是表示在第2机器人的手的末端装配的第2叶片的一例的俯视图，图6(B)是包括载具及晶圆的第2叶片的剖视图。
图7的图7(A)是表示在第1机器人的手的末端装配的第1叶片的一例的俯视图，图7(B)是包括载具及晶圆的第1叶片的剖视图。
图8A是表示用载具搬运晶圆的情况的基座的要部剖视图。
图8B是表示不用载具搬运晶圆的情况的基座的要部剖视图。
图9是表示本实施方式的气相成长装置的晶圆及载具的处置流程的图(其1)。
图10是表示本实施方式的气相成长装置的晶圆及载具的处置流程的图(其2)。
图11是表示本实施方式的气相成长装置的晶圆及载具的处置流程的图(其3)。
图12是表示本实施方式的气相成长装置的晶圆及载具的处置流程的图(其4)。
图13是表示本实施方式的气相成长装置的不使用载具的晶圆的处置流程的图(其1)。
图14是表示本实施方式的气相成长装置的不使用载具的晶圆的处置流程的图(其2)。
图15是表示本实施方式的气相成长装置的不使用载具的晶圆的处置流程的图(其3)。
图16是表示本实施方式的气相成长装置的不使用载具的晶圆的处置流程的图(其4)。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式进行说明。图1是表示本发明的实施方式的气相成长装置1的框图，中央所示的气相成长装置1的主体由俯视图表示。本实施方式的气相成长装置1是所谓的CVD装置，具备一对反应炉11、11、设置有处理单晶硅晶圆等的晶圆WF的第1机器人121的晶圆移载室12、一对装载锁定室13、设置有处理晶圆WF的第2机器人141的工厂接口14、设置收纳着多张晶圆WF的晶圆收纳容器15(卡式盒)的装载端口。
工厂接口14是与载置晶圆收纳容器15的清洁室大气氛围相同的区域。在该工厂接口14设置有第2机器人141，前述第2机器人141将收纳于晶圆收纳容器15的处理前的晶圆WF取出来向装载锁定室13投入，另一方面，将向装载锁定室13搬运来的处理后的晶圆WF向晶圆收纳容器15收纳。第2机器人141被第2机器人控制器142控制，装配于机器人手的末端的第2叶片143沿预先学习的既定的轨迹移动。
在装载锁定室13和工厂接口14之间，设置有具有气密性的能够开闭的第1门131，在装载锁定室13和晶圆移载室12之间，同样设置有具有气密性的能够开闭的第2门132。并且，装载锁定室13在为非活性气体氛围的晶圆移载室12和为大气氛围的工厂接口14之间作为置换氛围气体的空间发挥功能。因此，设置有将装载锁定室13的内部真空排气的排气装置、向装载锁定室13供给非活性气体的供给装置。
例如，从晶圆收纳容器15将处理前的晶圆WF向晶圆移载室12搬运的情况下，关闭工厂接口14侧的第1门131，关闭晶圆移载室12侧的第2门132，在使装载锁定室13为非活性气体氛围的状态下，用第2机器人141取出晶圆收纳容器15的晶圆WF，打开工厂接口14侧的第1门131，将晶圆WF向装载锁定室13搬运。接着，关闭工厂接口14侧的第1门131，使该装载锁定室13再次为非活性气体氛围后，打开晶圆移载室12侧的第2门132，用第1机器人121将该晶圆WF向晶圆移载室12搬运。
反之，将处理后的晶圆WF从晶圆移载室12向晶圆收纳容器15搬运的情况下，关闭工厂接口14侧的第1门131，关闭晶圆移载室12侧的第2门132，在使装载锁定室13为非活性气体氛围的状态下，打开晶圆移载室12侧的第2门132，用第1机器人121将晶圆移载室12的晶圆WF向装载锁定室13搬运。接着，关闭晶圆移载室12侧的第2门132，再次使该装载锁定室13为非活性气体氛围后，打开工厂接口14侧的第1门131，用第2机器人141将该晶圆WF向晶圆收纳容器15搬运。
晶圆移载室12由密闭的腔构成，一方与装载锁定室13经由能够开闭的具有气密性的第2门132连接，另一方经由具有气密性的能够开闭的闸门阀114连接。在晶圆移载室12设置有第1机器人121，前述第1机器人121将处理前的晶圆WF从装载锁定室13向反应室111搬运，并且将处理后的晶圆WF从反应室111向装载锁定室13搬运。第1机器人121被第1机器人控制器122控制，装配于机器人手的末端的第1叶片123沿预先学习的动作轨迹移动。
总管气相成长装置1的整体的控制的总管控制器16、第1机器人控制器122、第2机器人控制器142相互接受发送控制信号。并且，来自总管控制器16的动作指令信号被向第1机器人控制器122传送时，第1机器人控制器122控制第1机器人121的动作，该第1机器人121的动作结果被从第1机器人控制器122向总管控制器16传送。由此，总管控制器16识别第1机器人121的动作状态。同样地，来自总管控制器16的动作指令信号被向第2机器人控制器142传送时，第2机器人控制器142控制第2机器人141的动作，该第2机器人141的动作结果被从第2机器人控制器142向总管控制器16传送。由此，总管控制器16识别第2机器人141的动作状态。
非活性气体从未图示的非活性气体供给装置向晶圆移载室12供给，晶圆移载室12的气体被与排气口连接的洗涤器(洗涤集尘装置)净化后向系统外放出。这种洗涤器省略详细的图示，例如能够用以往公知的加压水式洗涤器。
反应炉11是用于通过CVD法在晶圆WF的表面生成外延膜的装置，具备反应室111，在该反应室111内设置有载置晶圆WF而旋转的基座112，此外在反应室111设置有供给氢气及用于生成CVD膜的原料气体(CVD膜为硅外延膜的情况下例如是四氯化硅SiCl 4、三氯硅烷SiHCl 3等)的气体供给装置113。此外，虽省略图示，但在反应室111的周围设置有用于将晶圆WF升温至既定温度的加热灯。进而，在反应室111和晶圆移载室12之间设置有闸门阀114，通过关闭闸门阀114，确保反应室111和晶圆移载室12的气密性。这些反应炉11的基座112的驱动、气体供给装置113进行的气体的供给・停止、加热灯的开启/关闭、闸门阀114的开闭动作的各控制被来自总管控制器16的指令信号控制。另外，图1所示的气相成长装置1表示设置有一对反应炉11、11的例子，但也可以设置一个反应炉11，也可以是三个以上的反应炉。
在反应炉11也设置有具有与晶圆移载室12相同的结构的洗涤器(洗涤集尘装置)。即，从气体供给装置113供给的氢气或原料气体被与设置于反应室111的排气口连接的洗涤器净化后，被向系统外放出。关于该洗涤器，例如也能够使用以往公知的加压水式洗涤器。
本实施方式的气相成长装置1中，将晶圆WF用支承该晶圆WF的整周外边缘的环状的载具C在装载锁定室13和反应室111之间搬运。图2A是表示载具C的俯视图，图2B是包括晶圆WF及反应炉11的基座112的载具C的剖视图，图5是表示反应室111内的晶圆WF及载具C的移载流程的俯视图及剖视图。
本实施方式的载具C例如由SiC等材料构成，形成为无端的环状，具有载置于图2B所示的基座112的上表面的底面C11、接触晶圆WF的背面的外边缘整周来支承的上表面C12、外周侧壁面C13、内周侧壁面C14。并且，支承于载具C的晶圆WF被搬入反应室111内的情况下，如图5(A)的俯视图所示，在第1机器人121的第1叶片123载置有载具C的状态下，如同图(B)所示地搬运至基座112的上部，如同图(C)所示地借助相对于基座112能够上下移动地设置的三个以上的载具升降销115暂时抬起载具C，如同图(D)所示地使第1叶片123后退后，如同图(E)所示地使基座112上升，由此将载具C载置于基座112的上表面。
反之，将在反应室111结束处理的晶圆WF以搭载于载具C的状态取出的情况下，从如图5(E)所示的状态，如同图(D)所示地使基座112下降，仅借助载具升降销115支承载具C，如同图(C)所示，使第1叶片123向载具C和基座112之间前进，之后如同图(B)所示地使三个载具升降销115下降，将第1叶片123载置于载具C，使第1机器人121的手动作。由此，能够将结束处理后的晶圆WF以搭载于载具C的状态取出。
此外，在本实施方式的气相成长装置1，为了将载具C在从装载锁定室13至反应室111的工序间搬运，在装载锁定室13，将处理前的晶圆WF载置于载具C，将处理后的晶圆WF从载具C取出。因此，在装载锁定室13，设置有将载具C在上下2层支承的架17。图3A是表示在装载锁定室13设置的架17的一例的俯视图，图3B是包括图3A的晶圆WF的架17的剖视图。本实施方式的架17设置有被固定的架基部171、能够相对于该架基部171上下升降地设置的将两个载具C上下两层支承的第1架172及第2架173、能够相对于架基部171上下升降地设置的三个晶圆升降销174。
第1架172及第2架173(图3A的俯视图中，第2架173由于第1架172而隐藏，所以仅图示第1架172。)具有用于将载具C在4点支承的突起，在第1架172载置一个载具C，在第2架173也载置一个载具C。另外，在第2架173载置的载具C被插入第1架172和第2架173之的间的间隙。特别地本实施方式的第1架172及第2架173如图3B所示，彼此相向的第1架172的末端及第2架173的末端的间隔L形成为比晶圆WF的直径小，使得不仅支承载具C，也能够支承晶圆WF。由此，即使不使用载具，也能够借助装载锁定室13的架17处置晶圆WF的，互换性变高。
图3C是表示设置于装载锁定室13的架17的其他例的俯视图，图3D是包括图3C的晶圆WF的架17的剖视图。本实施方式的架17具备被固定的架基部171、相对于该架基部171能够上下升降地设置的将两个载具C在上下两层支承的作为载具用架的第1架172及第2架173、相对于架基部171能够上下升降的三个晶圆升降销174，作为载具用架的第1架172及第2架173具备将两个晶圆WF在上下两层支承的作为晶圆用架的第1晶圆架172a及第2晶圆架173a。
作为载具用架的第1架172仅将载具C以4点支承，在第1架172载置一个载具C。此外作为载具用架的第2架173也将载具C以4点支承，在第2架173载置一个载具C。此外，在图3C，第1架172及第2架173将载具C以4点支承，但第1架172及第2架173支承载具C的点也可以是4点以上。
与之相对，作为晶圆用架的第1晶圆架172a仅将晶圆WF在4点支承，在第1晶圆架172a载置一张晶圆WF。此外，作为晶圆用架的第2晶圆架173a也仅将晶圆WF在4点支承，在第2晶圆架173a载置一张晶圆WF。此外，图3C中第1晶圆架172a及第2晶圆架173a将晶圆WF在4点支承，但第1晶圆架172a及第2晶圆架173a将晶圆WF支承的点也可以是4点以上。
如图3C所示，第1架172及第2架173可以将载具C分别在左右至少2点支承，第1晶圆架172a及第2晶圆架173a也可以将晶圆WF分别在左右至少2点支承。此外，第1晶圆架172a及第2晶圆架173a将晶圆WF在左右分别支承的点也可以比第1架172及第2架173将载具C在左右分别支承的点靠外侧地设定。通过将晶圆用架支承晶圆WF的点更靠外侧地设定，即将左右各自的2点的间距设为较宽，支承晶圆WF的点接近等配，晶圆WF的支承稳定。
图4是表示装载锁定室13的晶圆WF及载具C的移载流程的俯视图及剖视图，同图(B)所示地表示在第1架172支承有载具C的状态下在该载具C搭载处理前的晶圆WF的流程。即，设置于工厂接口14的第2机器人141将收纳于晶圆收纳容器15的一张晶圆WF载置于第2叶片143，经由装载锁定室13的第1门131，如同图(B)所示地搬运至架17的上部。接着，如同图(C)所示，相对于架基部171使三个晶圆升降销174上升，暂时抬起晶圆WF，如同图(D)所示地使第2叶片143后退。另外，三个晶圆升降销174如同图(A)的俯视图所示，设置于不与第2叶片143干涉的位置。接着，如同图(D)及(E)所示，使三个晶圆升降销174下降且使第1架172及第2架173上升，由此在载具C搭载晶圆WF。
反之，将载置于载具C的状态下向装载锁定室13搬运来的处理后的晶圆WF向晶圆收纳容器15搬运的情况下，从图4(E)所示的状态，如同图(D)所示地使三个晶圆升降销174上升且使第1架172及第2架173下降，仅借助晶圆升降销174支承晶圆WF，如同图(C)所示地使第2叶片143向载具C和晶圆WF之间前进后，如同图(B)所示地使三个晶圆升降销174下降，将晶圆WF载置于第2叶片143，使第2机器人141的手动作。由此，能够将结束处理的晶圆WF从载具C向晶圆收纳容器15取出。另外，图4(E)所示的状态下结束处理的晶圆WF在搭载于载具C的搭载的状态下被向第1架172搬运，但被向第2架173搬运的情况也能够以同样的流程，将晶圆WF从载具C向晶圆收纳容器15取出。
图6(A)是表示装配于第2机器人141的手的末端的第2叶片143的一例的俯视图，图6(B)是包括晶圆WF的第2叶片143的剖视图。本实施方式的第2叶片143在短边板状的主体的一面形成有与晶圆WF对应的直径的第1凹部144。第1凹部144的直径形成为比晶圆WF的直径稍大。并且，第2机器人141在从晶圆收纳容器15取出晶圆WF的情况及向晶圆收纳容器15收纳晶圆WF的情况下，将晶圆WF载置于第1凹部144。
图7(A)是表示在第1机器人121的手的末端装配的第1叶片123的一例的俯视图，图7(B)是包括载具C及晶圆WF的第1叶片123的剖视图。本实施方式的第1叶片123在短边板状的主体的一面的与载具C的外周侧壁面C13对应的直径的第1凹部124、在该第1凹部124的底面的与晶圆WF的外形对应的直径的第2凹部125被同心圆状地形成。第1凹部124的直径形成为比载具C的外周侧壁面C13的直径稍大，第2凹部125的直径形成为比晶圆WF的外形稍大。
并且，第1机器人121搬运载置有晶圆WF的载具C的情况下，将载具C载置于第1凹部124，但不使用载具C地仅搬运晶圆WF的情况下，能够将晶圆WF载置于第2凹部125。这样，借助一个第1叶片123，能够将载具C及晶圆WF切实地支承，所以将用载具C执行处理的情况和不用载具C执行处理的情况切换时，无需更换第1叶片123或在第1机器人121设置两个手而互换性变高。
本实施方式的气相成长装置1为了抑制在反应室111的基座112设置的晶圆升降销与晶圆WF的背面接触从而产生的损伤、凹凸而用载具C搬运晶圆WF，但由于某些原因而载具C不足的情况、与订货变动对应的情况下等，有欲不用载具C地搬运晶圆WF的情况。因此，如上所述，关于装载锁定室13的架17，构成为不仅能够支承载具C还能够支承晶圆WF，此外，关于第1叶片123，也构成为不仅能够支承载具C还能够支承晶圆WF。进而，在它们的基础上，关于反应炉11的基座112，也构成为能够将用载具C执行处理的情况和不用载具C执行处理的情况容易地切换。
图8A是表示用载具C搬运晶圆WF的情况的基座112的周边构造的要部剖视图。基座112被在借助旋转驱动部119a而旋转的支承轴116的上端固定而被支承。此外，支承轴116的轴部被插入升降轴117的轴部，在该升降轴117的上端，形成有装配使载具C升降的载具升降销115的第1装配部1171。升降轴117与支承轴116一同旋转，并且借助升降驱动部119b在上升位置和下降位置之间升降。进而，在升降轴117的第1装配部1171装配有载具升降销115的情况下，在贯通支承轴116的位置形成有第1贯通孔1161。
并且，在反应室111形成CVD膜的情况下，如图8A所示，借助升降驱动部119b使载具升降销115下降至下降位置的状态下，借助旋转驱动部119a使支承轴116旋转。另一方面，将搭载有晶圆WF的载具C载置于基座112的情况、将载置于基座112的载具C搬出的情况下，借助升降驱动部119b使升降轴117向搬运位置移动，借助载具升降销115将载具C接收来抬起。
特别地，在本实施方式的升降轴117，设想不用载具C地使晶圆WF搬运的情况，形成有能够装配使晶圆WF升降的晶圆升降销118的第2装配部1172。进而，在升降轴117的第2装配部1172装配有晶圆升降销118的情况下，在贯通支承轴116的位置形成有第2贯通孔1162。图8B是表示不用载具C地搬运晶圆WF的情况的基座112的周边构造的要部剖视图。不用载具C地搬运晶圆WF的情况下，基座112更换成专用零件，拆下载具升降销115来将晶圆升降销118装配于第2装配部1172。此时，在支承轴116预先形成第2贯通孔1162，在升降轴117预先形成第2装配部1172，所以这些支承轴116及升降轴117能够共用。
并且，反应室111中形成CVD膜的情况下，如图8B所示，借助升降驱动部119b使晶圆升降销118下降至下降位置的状态下，借助旋转驱动部119a使支承轴116旋转。另一方面，将晶圆WF载置于基座112的情况、将载置于基座112的晶圆WF搬出的情况下，借助升降驱动部119b使基座112移动至搬运位置，借助晶圆升降销118接收晶圆WF。
接着，说明将本实施方式的气相成长装置1的、外延膜的生成前(以下也仅称作处理前)及外延膜的生成后(以下也仅称作处理后)的晶圆WF、载具C处置的流程。图9~图12是表示本实施方式的气相成长装置1的晶圆WF及载具C的处置流程的示意图，与图1的一侧的晶圆收纳容器15、装载锁定室13及反应炉11对应，在晶圆收纳容器15收纳多张晶圆W1，W2，W3…(例如合计25张)，以该顺序开始处理。图9~图12表示用载具C搬运晶圆WF的情况。
图9的工序S0表示从此用气相成长装置1开始处理的等待状态，在晶圆收纳容器15收纳多张晶圆W1，W2，W3…(例如合计25张)，在装载锁定室13的第1架172支承空的载具C1，在第2架173支承空的载具C2，装载锁定室13呈非活性气体氛围。
下一工序S1中，第2机器人141将收纳于晶圆收纳容器15的晶圆W1载置于第2叶片143，经由装载锁定室13的第1门131向支承于第1架172的载具C1移载。该移载的流程如参照图4所作说明。
下一工序S2中，关闭装载锁定室13的第1门131也关闭第2门132的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。并且，打开第2门132，在第1机器人121的第1叶片123载置载具C1，打开反应炉11的闸门阀114，经由该闸门阀114将搭载有晶圆W1的载具C1向基座112移载。该移载的流程如参照图5所作说明。工序S2~S4中，反应炉11中进行相对于晶圆W1的CVD膜的生成处理。
即，将搭载着处理前的晶圆W1的载具C1向反应室111的基座112移载，关闭闸门阀114，待机既定时间后，借助气体供给装置113向反应室111供给氢气，使反应室111为氢气氛围。接着，借助加热灯使反应室111的晶圆W1升温至既定温度，根据需要实施蚀刻、热处理等的前处理后，借助气体供给装置113将原料气体在控制流量及/或供给时间的同时供给。由此，在晶圆W1的表面生成CVD膜。形成CVD膜后，借助气体供给装置113向反应室111再次供给氢气来将反应室111置换成氢气氛围后，待机既定时间。
这样在工序S2~S4中，借助反应炉11对晶圆W1进行处理的期间，第2机器人141从晶圆收纳容器15取出下一晶圆W2，准备下一处理。在此之前，在本实施方式中，工序S3中，关闭装载锁定室13的第2门132也关闭第1门131的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。并且，打开第2门132，借助第1机器人121，将支承于第2架173的载具C2移载至第1架172。接着，在工序S4中，第2机器人141将收纳于晶圆收纳容器15的晶圆W2载置于第2叶片143，打开第1门131，向支承于装载锁定室13的第1架172的载具C2移载。
这样在本实施方式中，追加工序S3，收纳于晶圆收纳容器15的处理前的晶圆WF搭载于作为装载锁定室13的架17的最上层的架的第1架172。这是由于以下的理由。即，如工序S2所示，搭载下一晶圆W2的空的载具C2支承于第2架173的情况下，在其上搭载晶圆W2时，有处理后的晶圆W1被向第1架172移载的可能性。本实施方式的气相成长装置1的载具C被搬运至反应室111，所以载具C成为颗粒的发生要因，在处理前的晶圆W2的上部支承载具C1时，有尘埃落下至处理前的晶圆W2的可能。因此，追加工序S3，将空的载具C2向第1架172移载，使得处理前的晶圆WF搭载于装载锁定室13的架17的最上层的架(第1架172)。
工序S5中，关闭装载锁定室13的第1门131也关闭第2门132的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。并且，打开反应炉11的闸门阀114，将第1机器人121的第1叶片123插入反应室111，移载搭载有处理后的晶圆W1的载具C1，从反应室111取出，关闭闸门阀114后，打开第2门132，向装载锁定室13的第2架173移载。接着，向第1机器人121的第1叶片123载置支承于第1架172的载具C2，将搭载有该处理前的晶圆W2的载具C2如工序S6所示，经由晶圆移载室12，打开闸门阀114来向反应炉11的基座112移载。
工序S6~S9中，在反应炉11，进行相对于晶圆W2的CVD膜的生成处理。即，将搭载有处理前的晶圆W2的载具C2向反应室111的基座112移载，关闭闸门阀114，待机既定时间后，借助气体供给装置113向反应室111供给氢气，使反应室111为氢气氛围。接着，借助加热灯使反应室111的晶圆W2升温至既定温度，根据需要实施蚀刻、热处理等的前处理后，借助气体供给装置113将原料气体在控制流量及/或供给时间的同时供给。由此，在晶圆W2的表面生成CVD膜。形成CVD膜后，借助气体供给装置113再次反应室111供给氢气，将反应室111置换成氢气氛围后，待机既定时间。
这样工序S6~S9中，借助反应炉11对晶圆W2进行处理的期间，第2机器人141将处理后的晶圆W1收纳于晶圆收纳容器15，并且从晶圆收纳容器15取出下一晶圆W3，准备下一处理。即，工序S7中，关闭装载锁定室13的第2门132也关闭第1门131的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。并且，打开第1门131，借助第2机器人141，将处理后的晶圆W1从支承于第2架173的载具C1载置于第2叶片143，如工序S8所示地将该处理后的晶圆W1收纳于晶圆收纳容器15。接着，与上述的工序S3同样地，在工序S7中，借助第1机器人121，将支承于第2架173的载具C1向第1架172移载。
接着，工序S8中，借助第2机器人141，将收纳于晶圆收纳容器15的晶圆W3载置于第2叶片143，如工序S9所示，打开第1门131，向在装载锁定室13的第1架172支承的载具C1移载。
工序S10中，与上述的工序S5同样地，关闭装载锁定室13的第1门131也关闭第2门132的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。并且，打开反应炉11的闸门阀114，将第1机器人121的第1叶片123插入反应室111，载置搭载有处理后的晶圆W2的载具C2，关闭闸门阀114后，打开第2门132，从反应室111向装载锁定室13的第2架173移载。接着，在第1机器人121的第1叶片123载置支承于第1架172的载具C1，将搭载有该处理前的晶圆W3的载具C1如工序S11所示，经由晶圆移载室12向反应炉11的基座112移载。
工序S10中，与上述的工序S7同样地，关闭装载锁定室13的第2门132也关闭第1门131的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。并且，打开第1门131，借助第2机器人141，将处理后的晶圆W2从支承于第2架173的载具C2向第2叶片143移载，如工序S11所示地将该处理后的晶圆W2收纳于晶圆收纳容器15。以下，重复以上的工序，直至收纳于晶圆收纳容器15的所有处理前的晶圆WF的处理结束。
如上所述，在本实施方式的气相成长装置1中，借助反应炉11进行处理的期间，将下一处理前的晶圆WF从晶圆收纳容器15取出来准备，或将处理后的晶圆WF收纳于晶圆收纳容器15，由此，能够使仅搬运所花的时间变为极少。该情况下，如本实施方式的架17所示，若将装载锁定室13的载具C的待机数设定成2个以上，则仅搬运所花的时间的缩短自由度进一步变高。并且，若考虑装载锁定室13的专有空间，则与将多个载具C左右排列相比，上下排列成多层的话，气相成长装置1的整体的专有空间变小。但是，将多个载具C上下排列多层时，有在处理前的晶圆WF的上部支承载具C的情况，有尘埃落下至处理前的晶圆WF的可能。然而，本实施方式的气相成长装置1中，处理前的晶圆WF以搭载于装载锁定室13的架17的最上层的架(第1架172)的方式，追加工序S3、S8，将空的载具C2向第1架172移载，由此，处理前的晶圆WF被搭载于最上层的载具C。结果，能够抑制由载具C引起的颗粒附着于晶圆WF，能够提高LPD品质。
并且，本实施方式的气相成长装置1中，也能够不使用载具C地搬运晶圆WF。图13~图16是表示本实施方式的气相成长装置1的晶圆WF的处置流程的示意图，与图1的一侧的晶圆收纳容器15、装载锁定室13及反应炉11对应，在晶圆收纳容器15收纳多张晶圆W1，W2，W3…(例如合计25张)，以该顺序开始处理。图13~图16表示不使用载具C搬运晶圆WF的情况。
图13的工序S20表示从此使用气相成长装置1开始处理的等待状态，在晶圆收纳容器15收纳多张晶圆W1，W2，W3…(例如合计25张)，装载锁定室13的第1架172及第2架173为空的状态，装载锁定室13为非活性气体氛围。如上所述，第1架172及第2架173均构成为也能够支承晶圆WF。
下一工序S21中，第2机器人141将收纳于晶圆收纳容器15的晶圆W1载置于第2叶片143的第1凹部144，经由装载锁定室13的第1门131向第1架172移载。
下一工序S22中，关闭装载锁定室13的第1门131也关闭第2门132的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，打开第2门132，在第1机器人121的第1叶片123的第2凹部125载置晶圆W1，打开反应炉11的闸门阀114，经由该闸门阀114将晶圆W1移载至基座112。另外，该情况的基座112的周边构造被如图8B所示地更换。
即，将处理前的晶圆W1向反应室111的基座112移载，关闭闸门阀114，待机既定时间后，借助气体供给装置113向反应室111供给氢气，使反应室111为氢气氛围。接着，借助加热灯使反应室111的晶圆W1升温至既定温度，根据需要实施蚀刻、热处理等的前处理后，借助气体供给装置113将原料气体控制流量及/或供给时间的同时供给。由此，在晶圆W1的表面生成CVD膜。CVD膜形成后，借助气体供给装置113再次向反应室111供给氢气，将反应室111置换成氢气氛围后，待机既定时间。
这样在工序S22~S23中，在借助反应炉11对晶圆W1进行处理的期间，第2机器人141从晶圆收纳容器15取出下一晶圆W2，准备下一处理。即，工序S23中，关闭装载锁定室13的第2门132也关闭第1门131的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，第2机器人141将收纳于晶圆收纳容器15的晶圆W2载置于第2叶片143的第1凹部144，打开第1门131，向装载锁定室13的第1架172移载。
工序S24中，在关闭装载锁定室13的第1门131也关闭第2门132的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，打开反应炉11的闸门阀114，将第1机器人121的第1叶片123插入反应室111，将处理后的晶圆W1载置于第2凹部125，从反应室111取出而关闭闸门阀114后，打开第2门132，向装载锁定室13的第2架173移载。接着，在第1机器人121的第1叶片123的第2凹部125载置支承于第1架172的晶圆W2，将该处理前的晶圆W2如工序S24~S25所示，经由晶圆移载室12向反应炉11的基座112移载。
工序S25~S27中，在反应炉11进行相对于晶圆W2的CVD膜的生成处理。即，将处理前的晶圆W2向反应室111的基座112移载来关闭闸门阀114，待机既定时间后，借助气体供给装置113向反应室111供给氢气来使反应室111为氢气氛围。接着，借助加热灯使反应室111的晶圆W2升温至既定温度，根据需要实施蚀刻、热处理等的前处理后，借助气体供给装置113将原料气体控制流量及/或供给时间的同时供给。由此，在晶圆W2的表面生成CVD膜。CVD膜形成后，借助气体供给装置113再次向反应室111供给氢气，将反应室111置换成氢气氛围后，待机既定时间。
这样工序S25~S27中，借助反应炉11对晶圆W2进行处理的期间，第2机器人141将处理后的晶圆W1收纳于晶圆收纳容器15，并且从晶圆收纳容器15取出下一晶圆W3，准备下一处理。即，工序S26中，关闭装载锁定室13的第2门132也关闭第1门131的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，打开第1门131，借助第2机器人141，将支承于第2架173的处理后的晶圆W1载置于第2叶片143的第1凹部144，如工序S27所示地将该处理后的晶圆W1收纳于晶圆收纳容器15。接着，工序S27中，借助第2机器人141，将收纳于晶圆收纳容器15的晶圆W3载置于第2叶片143的第1凹部144，经由打开的第1门131，向装载锁定室13的第1架172移载。
在工序S28中，关闭装载锁定室13的第1门131也关闭第2门132的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，打开反应炉11的闸门阀114，将第1机器人121的第1叶片123插入反应室111，将处理后的晶圆W2载置于第2凹部125，从反应室111向装载锁定室13的第2架173移载。接着，在第1机器人121的第1叶片123的第2凹部125载置支承于第1架172的晶圆W3，将该处理前的晶圆W3如工序S28~S29所示，经由晶圆移载室12向反应炉11的基座112移载。
工序S29中，关闭装载锁定室13的第2门132也关闭第1门131的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，打开第1门131，借助第2机器人141将支承于第2架173的处理后的晶圆W2载置于第2叶片143的第1凹部144，将该处理后的晶圆W2收纳于晶圆收纳容器15。以下，重复以上的工序，直至收纳于晶圆收纳容器15的全部处理前的晶圆WF的处理结束。
如上所述，本实施方式的气相成长装置1中，能够根据需要，将用载具C搬运晶圆WF的情况和不用载具C搬运晶圆WF的情况通过进行最小限度的步骤容易地切换。
附图标记说明
1…气相成长装置
11…反应炉
111…反应室
112…基座
113…气体供给装置
114…闸门阀
115…载具升降销
116…支承轴
1161…第1贯通孔
1162…第2贯通孔
117…升降轴
1171…第1装配部
1172…第2装配部
118…晶圆升降销
119a…旋转驱动部
119b…升降驱动部
12…晶圆移载室
121…第1机器人
122…第1机器人控制器
123…第1叶片
124…第1凹部
125…第2凹部
13…装载锁定室
131…第1门
132…第2门
14…工厂接口
141…第2机器人
142…第2机器人控制器
143…第2叶片
144…第1凹部
15…晶圆收纳容器
16…总管控制器
17…架
171…架基部
172…第1架
172a…第1晶圆架
173…第2架
173a…第2晶圆架
174…晶圆升降销
C…载具
C11…底面
C12…上表面
C13…外周侧壁面
C14…内周侧壁面
WF…晶圆。

Claims (11)

1.一种气相成长装置，前述气相成长装置具备支承晶圆的外边缘的环状的载具，使用多个该载具，将多个处理前的晶圆从晶圆收纳容器经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向反应室顺次搬运，并且将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室及前述工厂接口向前述晶圆收纳容器顺次搬运，其特征在于，
前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，
前述晶圆移载室经由闸门阀与在前述晶圆形成CVD膜的前述反应室连通，
在前述晶圆移载室设置有第1机器人，前述第1机器人将被向前述装载锁定室搬运来的处理前的晶圆在搭载于载具的状态下投入前述反应室，并且将在前述反应室中结束处理的处理后的晶圆在搭载于载具的状态下从前述反应室取出，向前述装载锁定室搬运，
在前述工厂接口设置有第2机器人，前述第2机器人将处理前的晶圆从晶圆收纳容器取出，搭载于在前述装载锁定室待机的载具，并且将被向前述装载锁定室搬运来的搭载于载具的处理后的晶圆收纳于晶圆收纳容器，
在前述装载锁定室设置有支承载具的架，在前述气相成长装置中具有第1叶片、第1凹部、第2凹部，
前述第1叶片被在前述第1机器人的手的末端装配，
前述第1凹部支承前述载具，
前述第2凹部形成于前述第1凹部的底面，能够支承前述晶圆。
2.如权利要求1所述的气相成长装置，其特征在于，
前述第1凹部是与前述载具的外周侧壁面的一部分对应的凹部，前述第2凹部是与前述晶圆的外形的一部分对应的凹部。
3.如权利要求1或2所述的气相成长装置，其特征在于，
前述第1凹部和前述第2凹部形成为同心圆状。
4.一种气相成长装置，前述气相成长装置具备支承晶圆的外边缘的环状的载具，使用多个该载具，将多个处理前的晶圆从晶圆收纳容器经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向反应室顺次搬运，并且将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室及前述工厂接口向前述晶圆收纳容器顺次搬运，其特征在于，
前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，
前述晶圆移载室经由闸门阀与在前述晶圆形成CVD膜的前述反应室连通，
在前述晶圆移载室设置有第1机器人，前述第1机器人将被向前述装载锁定室搬运来的处理前的晶圆在搭载于载具的状态下投入前述反应室，并且将在前述反应室中结束处理的处理后的晶圆在搭载于载具的状态下从前述反应室取出，向前述装载锁定室搬运，
在前述工厂接口设置有第2机器人，前述第2机器人将处理前的晶圆从晶圆收纳容器取出，搭载于在前述装载锁定室待机的载具，并且将被向前述装载锁定室搬运来的搭载于载具的处理后的晶圆收纳于晶圆收纳容器，
在前述气相成长装置中，设置有支承前述载具并且能够支承前述晶圆的架。
5.如权利要求4所述的气相成长装置，其特征在于，
前述架具备支承前述载具的载具用架和支承前述晶圆的晶圆用架。
6.如权利要求5所述的气相成长装置，其特征在于，
前述载具用架将前述载具在左右分别以至少2点支承，
前述晶圆用架将前述晶圆在左右分别以至少2点支承，
借助前述晶圆用架将前述晶圆的左右分别支承的点与借助前述载具用架将前述载具的左右分别支承的点相比被靠外侧设定。
7.如权利要求4至6中任一项所述的气相成长装置，其特征在于，
具有第1叶片、第1凹部、第2凹部，
前述第1叶片被在前述第1机器人的手的末端装配，
前述第1凹部支承前述载具，
前述第2凹部形成于前述第1凹部的底面，能够支承前述晶圆。
8.一种气相成长装置，前述气相成长装置具备支承晶圆的外边缘的环状的载具，使用多个该载具，将多个处理前的晶圆从晶圆收纳容器经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向反应室顺次搬运，并且将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室及前述工厂接口向前述晶圆收纳容器顺次搬运，其特征在于，
前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，
前述晶圆移载室经由闸门阀与在前述晶圆形成CVD膜的前述反应室连通，
在前述晶圆移载室设置有第1机器人，前述第1机器人将被向前述装载锁定室搬运来的处理前的晶圆在搭载于载具的状态下投入前述反应室，并且将在前述反应室中结束处理的处理后的晶圆在搭载于载具的状态下从前述反应室取出，向前述装载锁定室搬运，
在前述工厂接口设置有第2机器人，前述第2机器人将处理前的晶圆从晶圆收纳容器取出，搭载于在前述装载锁定室待机的载具，并且将被向前述装载锁定室搬运来的搭载于载具的处理后的晶圆收纳于晶圆收纳容器，
在前述装载锁定室，设置有支承载具的架，
在前述气相成长装置中，在前述反应室设置有支承基座而借助旋转驱动部旋转的支承轴、相对于前述支承轴借助升降驱动部升降的升降轴，
在前述升降轴形成有能够装配载具升降销的第1装配部、能够装配晶圆升降销的第2装配部，
在前述支承轴，形成有装配于前述第1装配部的载具升降销能够贯通的第1贯通孔、装配于前述第2装配部的晶圆升降销能够贯通的第2贯通孔。
9.如权利要求8所述的气相成长装置，其特征在于，
前述支承轴的轴部被插入前述升降轴的轴部，前述升降轴与前述支承轴一同旋转且升降。
10.如权利要求8或9所述的气相成长装置，其特征在于，
具有第1叶片、第1凹部、第2凹部，
前述第1叶片被在前述第1机器人的手的末端装配，
前述第1凹部支承前述载具，
前述第2凹部形成于前述第1凹部的底面，能够支承前述晶圆。
11.如权利要求8至10中任一项所述的气相成长装置，其特征在于，
在前述装载锁定室，设置有支承前述载具并且能够支承前述晶圆的架。
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