JP7055031B2 - クリーニング方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
一実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成例について図面を参照しながら説明する。
一実施形態にかかるプラズマ処理装置は、下部電極と上部電極とを対向配置した平行平板型のプラズマ処理装置(容量結合型プラズマ処理装置)である。ここでは、プラズマ処理装置として、1つの電極(下部電極)に例えば40MHzの比較的高い周波数を有する第1高周波電力と、例えば13.56MHzの比較的低い周波数を有する第2高周波電力を重畳して印加して、ウエハ上に形成された被エッチング膜のエッチングを行うプラズマ処理装置を例に挙げて説明する。図1は、本実施形態にかかるプラズマ処理装置100の概略構成を示す断面図である。
図2は、一実施形態にかかるプラズマ処理装置100によるクリーニング処理の一例を示すフローチャートである。図2に示すクリーニング処理は、載置台110の載置面にウエハWが載置されていない状態で、実行される。図2に示すように、プラズマ処理装置100の制御部160は、処理ガス供給部122を制御して、処理容器102内に処理ガスを供給する(ステップS101)。処理ガスは、例えば、フッ素含有ガスと酸素含有ガスとを含む混合ガスである。フッ素含有ガスは、例えば、NF3、SF6及びCF4の少なくともいずれか一つである。酸素含有ガスは、例えば、O2である。また、混合ガスには、更に、希ガスが添加されても良い。希ガスは、例えば、Arである。
処理容器102内の圧力:30~400mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力(バイアス電力):600~2400/0~200W
処理ガス及び流量:NF3/O2/Ar=300~560/30~560/0~560sccm 又はSF6/O2/Ar=300~560/30~560/0~560sccm 又はCF4/O2/Ar=300~560/30~560/0~560sccm
処理容器102内の圧力:30~400mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力(バイアス電力):1500/100W
処理ガス及び流量:NF3/O2/Ar=430/(混合ガスの総流量が600~1120sccmとなる流量)/0sccm
処理容器102内の圧力:400mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力(バイアス電力):1500/100W
処理ガス及び流量:NF3/O2/Ar=430/(NF3の流量に対するO2の流量の比が0.1~1.0となる流量)/0sccm
処理容器102内の圧力:200~400mTorr
第1高周波電力/第2高周波電力(バイアス電力):1500/100W
処理ガス及び流量:NF3/O2/Ar=430/(混合ガスの総流量が200~1200sccmとなる流量)/0sccm
以上、一実施形態に係るクリーニング方法及びプラズマ処理装置について説明したが、これに限定されるものではない。以下では、他の実施形態について説明する。
102 処理容器
110 載置台
111 下部電極
112 静電チャック
120 上部電極
122 処理ガス供給部
140 電力供給装置
142 第1高周波電力供給機構
152 第2高周波電力供給機構
160 制御部
162 操作部
164 記憶部
Claims (9)
- プラズマ処理装置の処理容器内に設けられ、表面に保護膜としてのシリコン酸化膜が形成された部材からプラズマにより前記シリコン酸化膜を除去するクリーニング方法であって、
前記処理容器内で被処理基板をエッチングするエッチング工程と、
エッチング後の前記被処理基板が前記処理容器から搬出された後に、前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給工程と、
前記処理容器内に供給された前記処理ガスからプラズマを生成するプラズマ生成工程と、
前記処理ガスのプラズマにおけるイオンを引き込むバイアス電力を前記部材に印加するバイアス電力印加工程と、
を含み、
前記プラズマ生成工程及び前記バイアス電力印加工程における前記処理容器内の圧力に対する前記バイアス電力の値の比は、1.0W/mTorr以下であることを特徴とするクリーニング方法。 - 前記処理容器内の圧力は、250~400mTorrの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載のクリーニング方法。
- 前記処理ガスは、フッ素含有ガスと酸素含有ガスとを含む混合ガスであり、
前記混合ガスにおいて、前記フッ素含有ガスの流量に対する前記酸素含有ガスの流量の比は、0.7以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載のクリーニング方法。 - 前記混合ガスの総流量は、前記処理容器内の圧力が250mTorrである場合、710sccm以下であることを特徴とする請求項3に記載のクリーニング方法。
- 前記混合ガスの総流量は、前記処理容器内の圧力が300mTorrである場合、860sccm以下であることを特徴とする請求項3に記載のクリーニング方法。
- 前記混合ガスの総流量は、前記処理容器内の圧力が350mTorrである場合、1000sccm以下であることを特徴とする請求項3に記載のクリーニング方法。
- 前記混合ガスの総流量は、前記処理容器内の圧力が400mTorrである場合、1140sccm以下であることを特徴とする請求項3に記載のクリーニング方法。
- 前記部材は、被処理基板が載置される載置面を有する載置台であり、
前記シリコン酸化膜は、前記載置台の載置面に形成され、
前記ガス供給工程、前記プラズマ生成工程及び前記バイアス電力印加工程は、前記載置台の載置面に被処理基板が載置されていない状態で、実行されることを特徴とする請求項1~7のいずれか一つに記載のクリーニング方法。 - 処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、表面にシリコン酸化膜が形成された部材と、
前記処理容器内に前記処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器内に供給される前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、
請求項1~8のいずれか一つに記載のクリーニング方法を実行する制御部と
を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018025594A JP7055031B2 (ja) | 2018-02-16 | 2018-02-16 | クリーニング方法及びプラズマ処理装置 |
KR1020190016701A KR20190099131A (ko) | 2018-02-16 | 2019-02-13 | 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
US16/275,848 US11594399B2 (en) | 2018-02-16 | 2019-02-14 | Cleaning method and plasma processing apparatus |
TW108105055A TWI799512B (zh) | 2018-02-16 | 2019-02-15 | 清洗方法及電漿處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018025594A JP7055031B2 (ja) | 2018-02-16 | 2018-02-16 | クリーニング方法及びプラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019145540A JP2019145540A (ja) | 2019-08-29 |
JP7055031B2 true JP7055031B2 (ja) | 2022-04-15 |
Family
ID=67618079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018025594A Active JP7055031B2 (ja) | 2018-02-16 | 2018-02-16 | クリーニング方法及びプラズマ処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11594399B2 (ja) |
JP (1) | JP7055031B2 (ja) |
KR (1) | KR20190099131A (ja) |
TW (1) | TWI799512B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110690097B (zh) * | 2019-09-26 | 2022-06-24 | 深圳市金奥兰科技有限公司 | 一种等离子刻蚀机用尘埃消除装置 |
CN111530851B (zh) * | 2020-05-15 | 2021-08-06 | 聚束科技(北京)有限公司 | 一种粒子束显微镜的样品除污方法 |
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JP4052477B2 (ja) | 2004-02-25 | 2008-02-27 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ処理装置のクリーニング方法 |
US20170287791A1 (en) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Tokyo Electron Limited | Controlling dry etch process characteristics using waferless dry clean optical emission spectroscopy |
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-
2018
- 2018-02-16 JP JP2018025594A patent/JP7055031B2/ja active Active
-
2019
- 2019-02-13 KR KR1020190016701A patent/KR20190099131A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-02-14 US US16/275,848 patent/US11594399B2/en active Active
- 2019-02-15 TW TW108105055A patent/TWI799512B/zh active
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JP2016207915A (ja) | 2015-04-27 | 2016-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190099131A (ko) | 2019-08-26 |
US20190259578A1 (en) | 2019-08-22 |
JP2019145540A (ja) | 2019-08-29 |
TW201937597A (zh) | 2019-09-16 |
TWI799512B (zh) | 2023-04-21 |
US11594399B2 (en) | 2023-02-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200910 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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