KR950033669A - 산화물, 규화물 및 실리콘에 대하여 선택성을 갖는 질화물 식각공정 - Google Patents
산화물, 규화물 및 실리콘에 대하여 선택성을 갖는 질화물 식각공정 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 직접회로 구조물을 제조하는데 사용하기 위한 질화 실리콘의 플라즈마 식각 공정을 제공하려는 것이다. 질화 실리콘의 플라즈마 식각 공정은 산화 실리콘, 규화 금속 및 실리코니에 대한 선택성 즉, 질화 실리콘을 우선적으로 식각시키는 특성을 나타낸다. 본 발명에 대한 플라즈마 식각 공정은 화학식 CHXF4-X(X는 2내지 3, 바람직하게는 3)을 갖는 하이드로플루오로카본 가스 및 이들의 혼합물, 및 산소, 일산화탄소, 이산화탄소 또는 이들의 혼합물(바람직하게는 일산화탄소 또는 이산화탄소)과의 혼합물을 사용하여, 플라즈마 식각 챔버내에서 플라즈마를 형성시키는 단계를 포함하며, 식각될 재료를 고정시키는 음극지지대상에서 200mm직경의 원형 기판에 대하여 약 100와트 내지 500와트의 낮은 전력 바이어스를 유지시키는 단계를 포함한다. 플라즈마 식각 공정은 산화실리콘 대 질화실리콘에 대하여 적어도 4 : 1의 선택성을 나타내며, 규화금속이나 규화 실리콘 대 질화 실리콘에 대하여 적어도 50 : 1의 선택성을 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 접촉 개구부를 형성하기 위해서 포토레지스트 마스크를 이용하여 산화물층을 식각하도록 종래기술에 따라서 처리된 집적회로 구조물의 부분 수직 단면도, 제2도는 포토레지스트 마스크가 제거됨으로써 그 아래 의 산화물 층이 노출된 제1도의 집적회로 구조물의 부분 수직 단면도, 제3도는 본 발명에 따른 질화물 플라즈마 식각이 집적회로 구조물상에 수행되고 아래에 놓인 규화물 층에서 질화물 플라즈마 식각이 중지된 상태를 보여주는 제2도의 집적회로 구조물의 부분 수직 단면도, 제4도는 본 발며에 따른 질화물 플라즈마 식각 공정의 흐름도.
Claims (21)
- 질화 실리콘의 플라즈마 식각공정으로서, 화학실 CHXF4-X(X는 2내지 3)을 갖는 하이드로플루오로카본가스 및 이들의 혼합물과 산소함유 가스와의 혼합물을 사용하여 플라즈마 식각 챔버내에서 플라즈마를 형성하는 단계와, 그리고 산화 실리콘, 규화 금속 또는 실리콘의 존재하에서 상기 플라즈마가 상기 질화 실리콘을 우선적으로 식각하도록 충분히 낮은 전력 바이어스를 선택하는 간계로 구성되는 플라즈마 식각공정.
- 제1항에 있어서, 상기 하이드로플루오로카본 가스가, 화학실CH3F 를 갖는 메틸 플루오라이드로 이루어지는 플라즈마 식각공정.
- 제1항에 있어서, 상기 하이드로플루오로카본 가스가, 화학실 CH2F2를 갖는 디플루오로메탄으로 이루어지는 플라즈마 식각공정.
- 제1항에 있어서, 상기 산소함유 가스는 산소, 일산화탄소, 이산화탄소 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 플라즈마 식각공정.
- 제1항에 있어서, 상기 산소 함유 가스는 산소, 일산화탄소, 이산화탄소 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 플라즈마 식각공정.
- 제1항에 있어서, 상기 산소함유 가스는 이산화탄소로 구성되는 플라즈마 식각공정.
- 제1항에 있어서, 상기 음극 지지대상의 바이어스 전력수준을 산화물 대질화물에 대한 상기 식각공정의 선택도가 적어도 4:1이 되고 규화물이나 실리콘 대질화물에 대한 상기 식각공정의 선택도가 적어도 50:1이 되도록 충분히 낮게 유지되는 플라즈마 식각공정.
- 제1항에 있어서, 상기 음극 지지대상의 바이어스 전력수준은 200mm직경의 원형 기판에 대하여 100와트 내지 500와트와 동등한 범위내에서 유지되는 플라즈마 식각공정.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 전력수단은 1200와트 내지 3킬로와트의 범이내에서 유지디는 플라즈마 식각공정.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 식각 챔버내에서 상기 플라즈마를 형성하는 단계가, 상기 하이드로플루오로카본 가스를 5sccm내지 100sccm의 유량으로 22리터의 상기 식각 챔버내로 유동시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 식각 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 식각 챔버내에서 상기 플라즈마를 형성하는 단계가, 상기 산소함유 가스를 5sccm내지 300sccm의 유량으로 22리터의 식각챔버내로 유동시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 식각공정.
- 질화 실리콘의 플라즈마 식각공정으로서, 화학실 CH3F를 갖는 하이드로플루오로카본 가스, 및 산소, 일산화탄소, 이산화탄소 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택된 산소함유 가스를 플라즈마 식각 챔버내로 유동시키는 단계와, 상기플라즈마 식각 챔버내에서 플라즈마를 점화시키는 단계와, 그리고, 산화 실리콘, 규화 금속 또는 실리콘의 존재하에서 상기 플라즈마 상기 질화 실리콘을 우선적으로 식각하도록 충분히 낮은 전력 바이어스를 선택하는 단계로 구성되는 플라즈마 식각공정.
- 제12항에 있어서, 상기 산소함유 가스는 일산화탄소, 이산화탄소 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로 부터 선택되는 플라즈마 식각공정.
- 제12항에 있어서,상기 산소함유 가스는 이산화탄소로 구성된 그룹으로부터 선택되는 플라즈마 식각공정.
- 제12항에 있어서, 상기 음극 지지대상의 바이어스 전력수준은 산화물 실리콘 대 질화 실리콘에 대한상기 식각공정의 선택도가 적어도 4:1이 되고 규화금속이나 실리콘 대 질화실리콘에 대한 상기 식각공정의 선택도가 적어도 50:1이 되도록 충분히 낮게 유지되는 플라즈마 식각공정.
- 제12항에 있어서, 상기 음극 지지대상의 바이어스 전력수준은 200mm직경의 원형 기판에 대하여 100와트 내지 500와트와 동등한 범위내에서 유지되는 플라즈마 식각공정.
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- 제12항에 있어서, 상기 플라즈마 식각 챔버내에서 상기 플라즈마를 형성하는 단계가, 상기 하이드로플루오로카본 가스를 20sccm내지 60sccm의 유량으로 22리터의 상기 식각 챔버내로 유동시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 식각공정.
- 제12항에 있어서, 상기 플라즈마 식각 챔버내에서 상기 플라즈마를 형성하는 단계가, 상기 산소함유가스를 20sccm내지 150sccm의 유량으로 22리터의 상기 식각챔버내로 유동시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 식각공정.
- 산화 실리콘, 규화 금속 또는 실리콘의 존재하에서 질화 실리콘을 우선적으로 식각할 수 있는 질화 실리콘의 플라즈마 식각공정으로서, 화학식 CH3F를 갖는 하이드로플루오로카본 가스, 및 일산화탄소, 이산화탄소와 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택된 산소함유 가스를 플라즈마 식각 챔버내로 유동시키는 단계와, 상기 플라즈마 식각 챔버내에서 플라즈마를 점화시키는 단계와, 그리고 식각될 재료를 포함하고 있는 상기 플라즈마 식각 챔버내에서 200mm직경의 원형기판에 대하여 100와트 내지 500와트의 낮은 전력 바이어스를 음극 지지대상에 유지시키는 단계로 구성되는 플라즈마 식각공정.
- 제20항에 있어서, 상기 산소 함유가스는 이산화탄소로 이루어지는 플라즈마식각공정.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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