KR970023731A - 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 콘택홀 형성 공정중 잔사 처리 공정에서 사용되는 개스의 혼합비를 조절하여 절연막과 실리콘 기판이 고선택비를 갖는 콘택홀을 형성하는 방법에 관한 것으로, 기판상에 절연막 및 포토레지스트를 순차적으로 형성하는 공정과; 콘택홀이 형성될 영역을 한정하여 상기 포토레지스트를 패터닝하는 공정과; 상기 포토레지스트의 패턴을 마스크로 사용하여 상기 절연막은 1차로 습식식각하는 공정과; 상기 절연막을 2차로 건식식각하여 콘택홀을 형성하는 공정과; 플루오린계 혼합개스를 이용하여 상기 콘택홀의 저면에 잔류한 폴리머층을 제거하는 잔사처리 공정을 포함하고 있다. 이와같은 방법에 의해 잔사처리 공정에서 사용되는 플루로린계 개스, 특히 O2+CF4혼합개스가 갖는 등방성 식각의 특성으로 인해 기판이 등방성 식각의 특성으로 불량하게 식각되는 종래 반도체 장치의 콘택홀 형성의 문제점은 해결 가능하다. 아울러, 후속 알루미늄 배선 공정시 알루미늄 배선 특성에 영향을 주어 알루미늄 스파이크 현상을 유발하게 되고, 결국 반도체 장치의 리키지 현상을 발생시키는 문제점도 해결할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 콘택홀 형성 공정을 보여주는 공정도.
Claims (3)
- 기판(10)상에 절연막(12) 및 포토레지스트(14)를 순차적으로 형성하는 공정과; 콘택홀이 형성될 영역을 한정하여 상기 포토레지스트(14)를 패터닝하는 공정과 ; 상기 포토레지스트(14)의 패턴을 마스크로 사용하여 상기 절연막(12)을 1차 식각하는 공정과; 상기 절연막(12)을 2차 식각하여 콘택홀(16)을 형성하는 공정과; 상기 콘택홀(16)의 저면에 잔류한 폴리머층(18)을 CF4의 함량비가 전체 혼합개스량 대비 적어도 60%이하로 설정된 플루오린계 혼합개스를 이용하여 제거하는 잔사처리 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 플루오린계 혼합개스는 O2+CF4를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 플루오린계 혼합개스량은 약 40-200 SCCM의 범위내인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019950037143A KR0163086B1 (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 |
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| KR970023731A true KR970023731A (ko) | 1997-05-30 |
| KR0163086B1 KR0163086B1 (ko) | 1999-02-01 |
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ID=19431318
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019950037143A KR0163086B1 (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR0163086B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100346941B1 (ko) * | 1997-07-02 | 2003-02-19 | 엑손모빌 오일 코포레이션 | 디알킬나프탈렌의제조방법 |
| KR100611222B1 (ko) * | 2003-08-20 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전면발광 유기전계발광소자의 제조방법 |
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1995
- 1995-10-25 KR KR1019950037143A patent/KR0163086B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100346941B1 (ko) * | 1997-07-02 | 2003-02-19 | 엑손모빌 오일 코포레이션 | 디알킬나프탈렌의제조방법 |
| KR100611222B1 (ko) * | 2003-08-20 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전면발광 유기전계발광소자의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0163086B1 (ko) | 1999-02-01 |
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