KR960026400A - 반도체소자의 다결정실리콘 배선 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 다결정실리콘 배선 제조방법에 관한 것으로서, 필드산화막의 단차에 의해 버즈빅상에 다결정실리콘층이 식각되지 않고 남는 스트링거를 제거하기 위하여 패턴 식각 공정시 다량의 폴리머가 형성되는 HBr 가스를 식각가스에 혼합 사용하여 패턴들의 표면에 폴리머가 형성되도록한 후, 폴리머 및 스트링거 제거를 염소 및 SF6가스가 혼합된 식각가스를 사용하여 등방성식각하여 스트링거의 식각속도를 상대적으로 증가시켜 기판 손상을 방지하였으므로, 결함 증가에 다른 노설전류 증가 등과 같은 불량 발생을 방지하고, 식각공정의 효율성이 증가되어 공정수율 및 소자동작의 신뢰성이 증가된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 따른 반도체소자의 다결정실리콘 배선 제조 공정도.
Claims (4)
- 반도체기판에서 소자분리영역으로 예정되어 있는 부분상에 필드산화막을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 게이트산화막을 형성하는 공정과, 상기 게이트산화막상에 제1다결정실리콘층과 형성하는 공정과, 상기 제1다결정실리콘층상에 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 층간절연막상에 제2다결정실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 제2다결정실리콘층에서 패턴으로 예정되어 있는 부분상에 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴에 의해 노출되어 있는 제2다결정실리콘층에서 제1다결정실리콘층까지 순차적으로 이방성 식각하여 제1 및 제2다결정실리콘층 패턴을 형성하되, HBr 가스를 포함하는 식각가스를 사용하여 전표면에 폴리머가 도포되도록 하는 공정과, 상기 폴리머를 염소가스를 포함하는 식각가스를 사용하여 제거하되 등방성식각하여 다결정실리콘 스트링거를 제거하는 공정을 구비하는 반도체소자의 다결정실리콘 배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 층간절연막이 산화막 또는 질화막의 단일층이나 산화막-질화막-산화막의 적층구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다결정 실리콘 배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리머 및 스트링거 제거공정을 100∼800mTorr의 식각가스 압력에서, 100∼400W의 식각 파워로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다결정 실리콘 배선 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리머 및 스트링거 제거공정을 SF6가스를 포함하는 식각가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다결정 실리콘 배선 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039050A KR100281275B1 (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체 소자의 다결정 실리콘 배선 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039050A KR100281275B1 (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체 소자의 다결정 실리콘 배선 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026400A true KR960026400A (ko) | 1996-07-22 |
| KR100281275B1 KR100281275B1 (ko) | 2001-03-02 |
Family
ID=66647486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039050A KR100281275B1 (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체 소자의 다결정 실리콘 배선 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100281275B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100268935B1 (ko) * | 1997-12-17 | 2000-12-01 | 김영환 | 반도체소자의 플러그 형성방법 |
| KR100520140B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-12-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의캐패시터제조방법 |
-
1994
- 1994-12-29 KR KR1019940039050A patent/KR100281275B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100268935B1 (ko) * | 1997-12-17 | 2000-12-01 | 김영환 | 반도체소자의 플러그 형성방법 |
| KR100520140B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-12-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의캐패시터제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100281275B1 (ko) | 2001-03-02 |
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