KR950021192A - 반도체 소자의 입자제거 방법 - Google Patents

반도체 소자의 입자제거 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 입자제거 방법에 관한 것으로, HF 세척욕조의 HF 및 공기 계면을 HF, H2O막 및 공기층으로 형성하여 웨이퍼를 꺼낼때 HF 및 H2O막의 계면을 통과하게 하므로써 각종 입자들의 흡착을 방지할 수 있는 반도체 소자의 입자제거 방법에 관해 기술된다.

Description

반도체 소자의 입자제거 방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 입자제거 방법을 설명하기 위한 세정장치의 구조도.

Claims (2)

  1. 반도체 소자의 입자제거 방법에 있어서 HF화학 용액으로 부터 웨이퍼가 공기중에 노출될 때 흡착되는 각종 입자들을 제거하기 위하여 HF세척욕조(1)내의 HF화학 용액에서 세척공정을 실시한 후 상기 HF세척욕조(1) 상부의 DIW(순수) 분사노즐(2)로 부터 설정된 시간동안 DIW(순수)를 HF화학 용액위에 분사하고 상기 HF세척욕조(1)로 부터 웨이퍼를 꺼내는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 입자제거 방법
  2. 제1항에 있어서 상기 DIW(순수) 분사시 DIW(순수)가 HF가 혼합되기전에 HF위에 H2O막이 일시적으로 생성되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 입자제거 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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