JPH0794462A - パーティクル除去方法 - Google Patents
パーティクル除去方法Info
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- JPH0794462A JPH0794462A JP23395293A JP23395293A JPH0794462A JP H0794462 A JPH0794462 A JP H0794462A JP 23395293 A JP23395293 A JP 23395293A JP 23395293 A JP23395293 A JP 23395293A JP H0794462 A JPH0794462 A JP H0794462A
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- JP
- Japan
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- wafer
- aqueous solution
- particles
- oxyethyltrimethylammonium
- semiconductor wafer
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ表面に大きな機械的な力を加えること
なく表面に付着したパーティクルを効果的に除去するパ
ーティクル除去方法を提供することである。 【構成】 半導体ウエハ表面に形成した皮膜をエッチン
グする工程、半導体ウエハ表面に塗布したレジスト膜を
剥離する工程、または半導体ウエハ表面に皮膜を形成す
る工程のいずれかの工程の後に、前記半導体ウエハを回
転させながら濃度0.5〜50重量%の水酸化2−オキ
シエチルトリメチルアンモニウム水溶液を塗布する工程
と、前記半導体ウエハを回転させながら、該半導体ウエ
ハ表面に純水またはアルコールを供給し前記水酸化2−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液を洗い流す
工程とを含む。
なく表面に付着したパーティクルを効果的に除去するパ
ーティクル除去方法を提供することである。 【構成】 半導体ウエハ表面に形成した皮膜をエッチン
グする工程、半導体ウエハ表面に塗布したレジスト膜を
剥離する工程、または半導体ウエハ表面に皮膜を形成す
る工程のいずれかの工程の後に、前記半導体ウエハを回
転させながら濃度0.5〜50重量%の水酸化2−オキ
シエチルトリメチルアンモニウム水溶液を塗布する工程
と、前記半導体ウエハを回転させながら、該半導体ウエ
ハ表面に純水またはアルコールを供給し前記水酸化2−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液を洗い流す
工程とを含む。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、パーティクル除去方法
に関し、特に半導体装置の製造プロセスにおけるウエハ
表面のパーティクル除去方法に関する。
に関し、特に半導体装置の製造プロセスにおけるウエハ
表面のパーティクル除去方法に関する。
【0002】近年、半導体装置の高集積化、高密度化が
ますます進み、ウエハ表面に形成されるパターンがより
微細化してきた。これに伴い、より微細なパーティクル
までもが障害の原因となることになり、高い歩留りを得
るには、製造プロセスにおけるパーティクルの低減及び
除去が重要な課題となってきている。
ますます進み、ウエハ表面に形成されるパターンがより
微細化してきた。これに伴い、より微細なパーティクル
までもが障害の原因となることになり、高い歩留りを得
るには、製造プロセスにおけるパーティクルの低減及び
除去が重要な課題となってきている。
【0003】
【従来の技術】従来のパーティクル除去方法において
は、30〜50kg/cm2 の高圧力の純水を、回転す
るウエハに噴射し、機械的な力によりパーティクルを除
去する方法が一般的であった。この技術を用いたものと
して、ハイプレッシャスクラバ(HPS)、またはハイ
プレッシャクリーナ(HPC)と呼ばれるものがある。
は、30〜50kg/cm2 の高圧力の純水を、回転す
るウエハに噴射し、機械的な力によりパーティクルを除
去する方法が一般的であった。この技術を用いたものと
して、ハイプレッシャスクラバ(HPS)、またはハイ
プレッシャクリーナ(HPC)と呼ばれるものがある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のように
機械的な力でパーティクルを除去する方法では、外部か
ら加えられる力よりも大きな力でウエハ表面に付着して
いるパーティクルを除去することはできない。パーティ
クルが小さくなれば、外部から大きな力を加えることは
困難になるため、パーティクルの除去が困難になる。パ
ーティクルを除去するために、より大きな力を加えよう
とすれば、ウエハ表面に形成されたパターンが破壊され
ることもある。
機械的な力でパーティクルを除去する方法では、外部か
ら加えられる力よりも大きな力でウエハ表面に付着して
いるパーティクルを除去することはできない。パーティ
クルが小さくなれば、外部から大きな力を加えることは
困難になるため、パーティクルの除去が困難になる。パ
ーティクルを除去するために、より大きな力を加えよう
とすれば、ウエハ表面に形成されたパターンが破壊され
ることもある。
【0005】また、絶縁物表面では、静電気によるパー
ティクルの再付着、及び素子の破壊といった問題もあ
る。本発明の目的は、ウエハ表面に大きな機械的な力を
加えることなく表面に付着したパーティクルを効果的に
除去するパーティクル除去方法を提供することである。
ティクルの再付着、及び素子の破壊といった問題もあ
る。本発明の目的は、ウエハ表面に大きな機械的な力を
加えることなく表面に付着したパーティクルを効果的に
除去するパーティクル除去方法を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のパーティクル除
去方法は、半導体ウエハ表面に形成した皮膜をエッチン
グする工程、半導体ウエハ表面に塗布したレジスト膜を
剥離する工程、または半導体ウエハ表面に皮膜を形成す
る工程のいずれかの工程の後に、前記半導体ウエハを回
転させながら濃度0.5〜50重量%の水酸化2−オキ
シエチルトリメチルアンモニウム水溶液を塗布する工程
と、前記半導体ウエハを回転させながら、該半導体ウエ
ハ表面に純水またはアルコールを供給し前記水酸化2−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液を洗い流す
工程とを含む。
去方法は、半導体ウエハ表面に形成した皮膜をエッチン
グする工程、半導体ウエハ表面に塗布したレジスト膜を
剥離する工程、または半導体ウエハ表面に皮膜を形成す
る工程のいずれかの工程の後に、前記半導体ウエハを回
転させながら濃度0.5〜50重量%の水酸化2−オキ
シエチルトリメチルアンモニウム水溶液を塗布する工程
と、前記半導体ウエハを回転させながら、該半導体ウエ
ハ表面に純水またはアルコールを供給し前記水酸化2−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液を洗い流す
工程とを含む。
【0007】また、本発明の他のパーティクル除去方法
は、半導体ウエハ表面に形成した皮膜をエッチングする
工程、半導体ウエハ表面に塗布したレジスト膜を剥離す
る工程、または半導体ウエハ表面に皮膜を形成する工程
のいずれかの工程の後に、前記半導体ウエハを、濃度
0.5〜50重量%の水酸化2−オキシエチルトリメチ
ルアンモニウム水溶液に浸漬する工程と、前記半導体ウ
エハを純水またはアルコールに浸漬し、前記水酸化2−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液を洗い流す
工程とを含む。
は、半導体ウエハ表面に形成した皮膜をエッチングする
工程、半導体ウエハ表面に塗布したレジスト膜を剥離す
る工程、または半導体ウエハ表面に皮膜を形成する工程
のいずれかの工程の後に、前記半導体ウエハを、濃度
0.5〜50重量%の水酸化2−オキシエチルトリメチ
ルアンモニウム水溶液に浸漬する工程と、前記半導体ウ
エハを純水またはアルコールに浸漬し、前記水酸化2−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液を洗い流す
工程とを含む。
【0008】なお、上述の「いずれかの工程の後」と
は、必ずしも処理の直後に限らない。例えば、半導体ウ
エハをウエハホルダに保持したまま所定期間保管した後
に、次の工程に進む場合等を含む。
は、必ずしも処理の直後に限らない。例えば、半導体ウ
エハをウエハホルダに保持したまま所定期間保管した後
に、次の工程に進む場合等を含む。
【0009】
【作用】ウエハ表面の皮膜除去等の製造プロセス後に、
水酸化2−オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液
(β−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド水溶液)で、ウエハ表面を洗浄することに
より、HPCでは除去困難であるパーティクルも効果的
に除去することができる。
水酸化2−オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液
(β−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド水溶液)で、ウエハ表面を洗浄することに
より、HPCでは除去困難であるパーティクルも効果的
に除去することができる。
【0010】
【実施例】図1は、本発明の実施例によるパーティクル
除去方法の各工程の概念図を示す。半導体ウエハ1をそ
の中心軸の回りに回転させながら、ノズル2からウエハ
1表面に約5.1重量%の水酸化2−オキシエチルトリ
メチルアンモニウム水溶液3(〔(CH3 )3 N(CH
2 )2 OH〕+ OH- )(日本ゼオン株式会社製品名Z
COL100)を供給し、塗布する(図1(A))。
除去方法の各工程の概念図を示す。半導体ウエハ1をそ
の中心軸の回りに回転させながら、ノズル2からウエハ
1表面に約5.1重量%の水酸化2−オキシエチルトリ
メチルアンモニウム水溶液3(〔(CH3 )3 N(CH
2 )2 OH〕+ OH- )(日本ゼオン株式会社製品名Z
COL100)を供給し、塗布する(図1(A))。
【0011】引き続き、ウエハ1を回転させたまま、ノ
ズル4から純水5を供給し、水酸化2−オキシエチルト
リメチルアンモニウム水溶液3を洗い流す(図1
(B))。最後に、ウエハ1の回転数を上昇し、水酸化
2−オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液3と純
水5を飛散させる(図1(C))。
ズル4から純水5を供給し、水酸化2−オキシエチルト
リメチルアンモニウム水溶液3を洗い流す(図1
(B))。最後に、ウエハ1の回転数を上昇し、水酸化
2−オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液3と純
水5を飛散させる(図1(C))。
【0012】図2は、本発明の実施例で使用したパーテ
ィクル除去装置の概略を示す。ウエハ1は、真空チャッ
ク等によりウエハ固定治具6に固定され、回転すること
ができる。ウエハ表面上部には、水酸化2−オキシエチ
ルトリメチルアンモニウム水溶液を供給するためのノズ
ル2a、2b、及び純水を供給するためのノズル4aが
配置されている。
ィクル除去装置の概略を示す。ウエハ1は、真空チャッ
ク等によりウエハ固定治具6に固定され、回転すること
ができる。ウエハ表面上部には、水酸化2−オキシエチ
ルトリメチルアンモニウム水溶液を供給するためのノズ
ル2a、2b、及び純水を供給するためのノズル4aが
配置されている。
【0013】図2では、水酸化2−オキシエチルトリメ
チルアンモニウム水溶液を供給するためのノズルを2本
配置した場合を示しているが、ウエハ表面の全面に塗布
することができれば、1本または3本以上でもよい。
チルアンモニウム水溶液を供給するためのノズルを2本
配置した場合を示しているが、ウエハ表面の全面に塗布
することができれば、1本または3本以上でもよい。
【0014】以下に、パーティクル除去方法について、
各工程毎に説明する。パーティクル除去の効果を確認す
るため、4インチのベアシリコンウエハ及び表面に酸化
膜を形成したシリコンウエハを、エッチング装置に搬
入、搬出しパーティクルを付着させる。実施例では、後
にパーティクル数を計数するために実際にはエッチング
を行わなかったが、エッチング装置及びその搬送系によ
るパーティクルの付着状況は実際の製造プロセスとほぼ
同等と考えられる。
各工程毎に説明する。パーティクル除去の効果を確認す
るため、4インチのベアシリコンウエハ及び表面に酸化
膜を形成したシリコンウエハを、エッチング装置に搬
入、搬出しパーティクルを付着させる。実施例では、後
にパーティクル数を計数するために実際にはエッチング
を行わなかったが、エッチング装置及びその搬送系によ
るパーティクルの付着状況は実際の製造プロセスとほぼ
同等と考えられる。
【0015】シリコンウエハ1を、ウエハ固定治具6に
固定し、950rpmで回転させながら、濃度約5.1
重量%の水酸化2−オキシエチルトリメチルアンモニウ
ム水溶液をノズル2a、2bから供給し、ウエハ表面に
塗布する。この際、回転数は、水酸化2−オキシエチル
トリメチルアンモニウム水溶液を全面にほぼ均一に塗布
できればよく、950rpmに限らない。
固定し、950rpmで回転させながら、濃度約5.1
重量%の水酸化2−オキシエチルトリメチルアンモニウ
ム水溶液をノズル2a、2bから供給し、ウエハ表面に
塗布する。この際、回転数は、水酸化2−オキシエチル
トリメチルアンモニウム水溶液を全面にほぼ均一に塗布
できればよく、950rpmに限らない。
【0016】水酸化2−オキシエチルトリメチルアンモ
ニウム水溶液をノズル2a、2bから約10秒間供給し
た後、ウエハの回転及び水酸化2−オキシエチルトリメ
チルアンモニウム水溶液の供給を停止し、約10秒間放
置する。
ニウム水溶液をノズル2a、2bから約10秒間供給し
た後、ウエハの回転及び水酸化2−オキシエチルトリメ
チルアンモニウム水溶液の供給を停止し、約10秒間放
置する。
【0017】次に、再度ウエハを950rpmで回転さ
せながらノズル4aから純水を約25秒間供給する。こ
のとき、ウエハ表面の水酸化2−オキシエチルトリメチ
ルアンモニウム水溶液は、純水によって洗い流される。
せながらノズル4aから純水を約25秒間供給する。こ
のとき、ウエハ表面の水酸化2−オキシエチルトリメチ
ルアンモニウム水溶液は、純水によって洗い流される。
【0018】引き続きウエハの回転数を4800rpm
に上昇し、約10秒間回転する。これにより、ウエハ表
面に残っていた水酸化2−オキシエチルトリメチルアン
モニウム水溶液及び純水は、遠心力により飛散する。
に上昇し、約10秒間回転する。これにより、ウエハ表
面に残っていた水酸化2−オキシエチルトリメチルアン
モニウム水溶液及び純水は、遠心力により飛散する。
【0019】最後に、100〜120℃で約50秒間乾
燥する。図3は、上記実施例によって、パーティクルを
除去した場合の効果を示す。図3(A)は、ベアシリコ
ンウエハ、図3(B)は、表面に酸化膜を形成したシリ
コンウエハの例を示す。
燥する。図3は、上記実施例によって、パーティクルを
除去した場合の効果を示す。図3(A)は、ベアシリコ
ンウエハ、図3(B)は、表面に酸化膜を形成したシリ
コンウエハの例を示す。
【0020】両者とも、横軸は各サンプルを表す。グラ
フの左側の2サンプルについては、SiO2 膜をエッチ
ングするためのリアクティブイオンビームエッチング
(RIE)装置、右側の2サンプルについては、アルミ
ニウムをエッチングするためのRIE装置に搬入、搬出
してパーティクルが付着した場合を示す。両者で特に有
為な差は見られない。
フの左側の2サンプルについては、SiO2 膜をエッチ
ングするためのリアクティブイオンビームエッチング
(RIE)装置、右側の2サンプルについては、アルミ
ニウムをエッチングするためのRIE装置に搬入、搬出
してパーティクルが付着した場合を示す。両者で特に有
為な差は見られない。
【0021】縦軸は、1ウエハ当たりの0.2μm以上
の大きさのパーティクルの数を表す。記号○はRIE装
置に搬入する前のウエハ、記号●は、RIE装置から搬
出した後のウエハ、記号▲は、本実施例によってパーテ
ィクルを除去した後のウエハを表す。
の大きさのパーティクルの数を表す。記号○はRIE装
置に搬入する前のウエハ、記号●は、RIE装置から搬
出した後のウエハ、記号▲は、本実施例によってパーテ
ィクルを除去した後のウエハを表す。
【0022】ベアシリコンウエハの場合は、RIE装置
から搬出後は、パーティクルの数は約一桁またはそれ以
上増加している。その後、本実施例の方法でパーティク
ルを除去すると、RIE装置に搬入前と同等またはそれ
以下に、パーティクル数が減少していることがわかる。
から搬出後は、パーティクルの数は約一桁またはそれ以
上増加している。その後、本実施例の方法でパーティク
ルを除去すると、RIE装置に搬入前と同等またはそれ
以下に、パーティクル数が減少していることがわかる。
【0023】また、SiO2 膜を形成したシリコンウエ
ハの場合は、ベアシリコンウエハのように顕著な効果は
見られないが、本実施例の方法でパーティクルを除去す
ることにより、RIE装置に搬入前と同等またはそれ以
下に、パーティクル数が減少していることがわかる。
ハの場合は、ベアシリコンウエハのように顕著な効果は
見られないが、本実施例の方法でパーティクルを除去す
ることにより、RIE装置に搬入前と同等またはそれ以
下に、パーティクル数が減少していることがわかる。
【0024】これは、パーティクル自体が水酸化2−オ
キシエチルトリメチルアンモニウム水溶液中に溶解、ま
たはウエハとの結合を切られて水溶液中に浮遊したため
と考えられる。
キシエチルトリメチルアンモニウム水溶液中に溶解、ま
たはウエハとの結合を切られて水溶液中に浮遊したため
と考えられる。
【0025】比較のために、図4にHPCによるパーテ
ィクル除去を行った場合を示す。図4(A)、(B)は
それぞれベアシリコンウエハ、SiO2 膜付きシリコン
ウエハの場合を示す。縦軸、横軸及び図中の記号は、図
3の場合と同様である。
ィクル除去を行った場合を示す。図4(A)、(B)は
それぞれベアシリコンウエハ、SiO2 膜付きシリコン
ウエハの場合を示す。縦軸、横軸及び図中の記号は、図
3の場合と同様である。
【0026】ベアシリコンウエハ、及びSiO2 膜付き
シリコンウエハの場合、共にHPCによるパーティクル
除去を行うと却ってパーティクル数が増加している。こ
れは、HPCにより何らかのパーティクルが付着したた
めと考えられる。一例として、HPCによってパーティ
クル除去を行った後のウエハ表面の化学分析を行うと、
表面の鉄(Fe)の濃度の増加が観測される。
シリコンウエハの場合、共にHPCによるパーティクル
除去を行うと却ってパーティクル数が増加している。こ
れは、HPCにより何らかのパーティクルが付着したた
めと考えられる。一例として、HPCによってパーティ
クル除去を行った後のウエハ表面の化学分析を行うと、
表面の鉄(Fe)の濃度の増加が観測される。
【0027】図3、図4を比較すると、本実施例による
パーティクル除去方法は、従来のHPCに比べてパーテ
ィクル除去効果が著しく高いことがわかる。さらに、H
PCによる方法では、純水の圧力を高くしすぎると、表
面に形成された配線が機械的力によりダメージを受け不
良の原因になる。本実施例の方法では、パーティクル除
去に機械的な力を必要としないため、配線にダメージを
与えることなくパーティクルを除去することができる。
パーティクル除去方法は、従来のHPCに比べてパーテ
ィクル除去効果が著しく高いことがわかる。さらに、H
PCによる方法では、純水の圧力を高くしすぎると、表
面に形成された配線が機械的力によりダメージを受け不
良の原因になる。本実施例の方法では、パーティクル除
去に機械的な力を必要としないため、配線にダメージを
与えることなくパーティクルを除去することができる。
【0028】上記実施例では、水酸化2−オキシエチル
トリメチルアンモニウム水溶液を使用した場合について
説明したが、ウエハを侵さず、パーティクルを溶解等さ
せる性質を有するものであれば、他の溶媒でもよい。例
えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
(〔(CH3 )4 N〕+ OH- )等の他のアンモニウム
塩を含むアルカリ溶液を使用してもよい。
トリメチルアンモニウム水溶液を使用した場合について
説明したが、ウエハを侵さず、パーティクルを溶解等さ
せる性質を有するものであれば、他の溶媒でもよい。例
えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
(〔(CH3 )4 N〕+ OH- )等の他のアンモニウム
塩を含むアルカリ溶液を使用してもよい。
【0029】また、水酸化2−オキシエチルトリメチル
アンモニウム水溶液を塗布後、洗い流すために純水を使
用した例について説明したが、水酸化2−オキシエチル
トリメチルアンモニウム水溶液を洗い流すことができれ
ば、他の液体でもよい。例えばアルコール等を使用して
もよい。
アンモニウム水溶液を塗布後、洗い流すために純水を使
用した例について説明したが、水酸化2−オキシエチル
トリメチルアンモニウム水溶液を洗い流すことができれ
ば、他の液体でもよい。例えばアルコール等を使用して
もよい。
【0030】本実施例で使用した水酸化2−オキシエチ
ルトリメチルアンモニウム水溶液の濃度は、約5.1重
量%のものであるが、パーティクルを除去する効果があ
ればその他の濃度にしてもよい。例えば、濃度が0.5
〜50重量%の範囲でも効果があるであろう。
ルトリメチルアンモニウム水溶液の濃度は、約5.1重
量%のものであるが、パーティクルを除去する効果があ
ればその他の濃度にしてもよい。例えば、濃度が0.5
〜50重量%の範囲でも効果があるであろう。
【0031】また、上記実施例は、ベアシリコン表面及
びSiO2 膜表面に付着したパーティクルの除去につい
て説明したが、パーティクル除去の効果は水酸化2−オ
キシエチルトリメチルアンモニウム水溶液とパーティク
ルとの化学的作用のためと考えられるため、アルミニウ
ム配線等がされているウエハ表面上でも同等の効果が得
られるであろう。さらに、シリコンウエハ以外の半導体
ウエハでも同等の効果が得られるであろう。
びSiO2 膜表面に付着したパーティクルの除去につい
て説明したが、パーティクル除去の効果は水酸化2−オ
キシエチルトリメチルアンモニウム水溶液とパーティク
ルとの化学的作用のためと考えられるため、アルミニウ
ム配線等がされているウエハ表面上でも同等の効果が得
られるであろう。さらに、シリコンウエハ以外の半導体
ウエハでも同等の効果が得られるであろう。
【0032】また、上記実施例では、ウエハを回転させ
ながら水酸化2−オキシエチルトリメチルアンモニウム
水溶液を塗布し、続いて純水によって洗い流す場合につ
いて説明したが、パーティクル除去は化学的作用による
ものと考えられるため、ウエハを回転せず、水酸化2−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液に浸漬して
もよい。この方法では、ウエハのバッチ処理が可能にな
るため、生産性向上が期待できる。
ながら水酸化2−オキシエチルトリメチルアンモニウム
水溶液を塗布し、続いて純水によって洗い流す場合につ
いて説明したが、パーティクル除去は化学的作用による
ものと考えられるため、ウエハを回転せず、水酸化2−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液に浸漬して
もよい。この方法では、ウエハのバッチ処理が可能にな
るため、生産性向上が期待できる。
【0033】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエハ表面に付着したパーティクルを効果的に除去する
ことができる。これにより、ウエハ表面に形成した半導
体装置の歩留りを向上することができる。
ウエハ表面に付着したパーティクルを効果的に除去する
ことができる。これにより、ウエハ表面に形成した半導
体装置の歩留りを向上することができる。
【図1】本発明の実施例の各工程を示す概念図である。
【図2】本発明の実施例で使用したパーティクル除去装
置の概略図である。
置の概略図である。
【図3】本発明の実施例による方法でパーティクルを除
去した場合の、パーティクル数の除去効果を示すための
グラフである。
去した場合の、パーティクル数の除去効果を示すための
グラフである。
【図4】従来のHPCによる方法でパーティクルを除去
した場合の、パーティクル数の除去効果を示すためのグ
ラフである。
した場合の、パーティクル数の除去効果を示すためのグ
ラフである。
1 ウエハ 2、2a、2b、4、4a ノズル 3 水酸化2−オキシエチルトリメチルアンモニウム
水溶液 5 純水 6 ウエハ固定治具
水溶液 5 純水 6 ウエハ固定治具
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/304 341 L 21/308 E
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体ウエハ表面に形成した皮膜をエッ
チングする工程、半導体ウエハ表面に塗布したレジスト
膜を剥離する工程、または半導体ウエハ表面に皮膜を形
成する工程のいずれかの工程の後に、前記半導体ウエハ
を回転させながら濃度0.5〜50重量%の水酸化2−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液を塗布する
工程と、 前記半導体ウエハを回転させながら、該半導体ウエハ表
面に純水またはアルコールを供給し前記水酸化2−オキ
シエチルトリメチルアンモニウム水溶液を洗い流す工程
とを含むパーティクル除去方法。 - 【請求項2】 半導体ウエハ表面に形成した皮膜をエッ
チングする工程、半導体ウエハ表面に塗布したレジスト
膜を剥離する工程、または半導体ウエハ表面に皮膜を形
成する工程のいずれかの工程の後に、前記半導体ウエハ
を、濃度0.5〜50重量%の水酸化2−オキシエチル
トリメチルアンモニウム水溶液に浸漬する工程と、 前記半導体ウエハを純水またはアルコールに浸漬し、前
記水酸化2−オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶
液を洗い流す工程とを含むパーティクル除去方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23395293A JPH0794462A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | パーティクル除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23395293A JPH0794462A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | パーティクル除去方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0794462A true JPH0794462A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16963202
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP23395293A Withdrawn JPH0794462A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | パーティクル除去方法 |
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JP (1) | JPH0794462A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007007731A1 (ja) | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Creative Technology Corporation | 基板の異物除去装置及び基板の異物除去方法 |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP23395293A patent/JPH0794462A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007007731A1 (ja) | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Creative Technology Corporation | 基板の異物除去装置及び基板の異物除去方法 |
US8196594B2 (en) | 2005-07-12 | 2012-06-12 | Creative Technology Corporation | Apparatus for removing foreign material from substrate and method for removing foreign material from substrate |
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