JPH0794462A - パーティクル除去方法 - Google Patents
パーティクル除去方法Info
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- JPH0794462A JPH0794462A JP23395293A JP23395293A JPH0794462A JP H0794462 A JPH0794462 A JP H0794462A JP 23395293 A JP23395293 A JP 23395293A JP 23395293 A JP23395293 A JP 23395293A JP H0794462 A JPH0794462 A JP H0794462A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ表面に大きな機械的な力を加えること
なく表面に付着したパーティクルを効果的に除去するパ
ーティクル除去方法を提供することである。 【構成】 半導体ウエハ表面に形成した皮膜をエッチン
グする工程、半導体ウエハ表面に塗布したレジスト膜を
剥離する工程、または半導体ウエハ表面に皮膜を形成す
る工程のいずれかの工程の後に、前記半導体ウエハを回
転させながら濃度０．５〜５０重量％の水酸化２−オキ
シエチルトリメチルアンモニウム水溶液を塗布する工程
と、前記半導体ウエハを回転させながら、該半導体ウエ
ハ表面に純水またはアルコールを供給し前記水酸化２−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液を洗い流す
工程とを含む。
なく表面に付着したパーティクルを効果的に除去するパ
ーティクル除去方法を提供することである。 【構成】 半導体ウエハ表面に形成した皮膜をエッチン
グする工程、半導体ウエハ表面に塗布したレジスト膜を
剥離する工程、または半導体ウエハ表面に皮膜を形成す
る工程のいずれかの工程の後に、前記半導体ウエハを回
転させながら濃度０．５〜５０重量％の水酸化２−オキ
シエチルトリメチルアンモニウム水溶液を塗布する工程
と、前記半導体ウエハを回転させながら、該半導体ウエ
ハ表面に純水またはアルコールを供給し前記水酸化２−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液を洗い流す
工程とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パーティクル除去方法
に関し、特に半導体装置の製造プロセスにおけるウエハ
表面のパーティクル除去方法に関する。
に関し、特に半導体装置の製造プロセスにおけるウエハ
表面のパーティクル除去方法に関する。
【０００２】近年、半導体装置の高集積化、高密度化が
ますます進み、ウエハ表面に形成されるパターンがより
微細化してきた。これに伴い、より微細なパーティクル
までもが障害の原因となることになり、高い歩留りを得
るには、製造プロセスにおけるパーティクルの低減及び
除去が重要な課題となってきている。
ますます進み、ウエハ表面に形成されるパターンがより
微細化してきた。これに伴い、より微細なパーティクル
までもが障害の原因となることになり、高い歩留りを得
るには、製造プロセスにおけるパーティクルの低減及び
除去が重要な課題となってきている。
【０００３】
【従来の技術】従来のパーティクル除去方法において
は、３０〜５０ｋｇ／ｃｍ2 の高圧力の純水を、回転す
るウエハに噴射し、機械的な力によりパーティクルを除
去する方法が一般的であった。この技術を用いたものと
して、ハイプレッシャスクラバ（ＨＰＳ）、またはハイ
プレッシャクリーナ（ＨＰＣ）と呼ばれるものがある。
は、３０〜５０ｋｇ／ｃｍ2 の高圧力の純水を、回転す
るウエハに噴射し、機械的な力によりパーティクルを除
去する方法が一般的であった。この技術を用いたものと
して、ハイプレッシャスクラバ（ＨＰＳ）、またはハイ
プレッシャクリーナ（ＨＰＣ）と呼ばれるものがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のように
機械的な力でパーティクルを除去する方法では、外部か
ら加えられる力よりも大きな力でウエハ表面に付着して
いるパーティクルを除去することはできない。パーティ
クルが小さくなれば、外部から大きな力を加えることは
困難になるため、パーティクルの除去が困難になる。パ
ーティクルを除去するために、より大きな力を加えよう
とすれば、ウエハ表面に形成されたパターンが破壊され
ることもある。
機械的な力でパーティクルを除去する方法では、外部か
ら加えられる力よりも大きな力でウエハ表面に付着して
いるパーティクルを除去することはできない。パーティ
クルが小さくなれば、外部から大きな力を加えることは
困難になるため、パーティクルの除去が困難になる。パ
ーティクルを除去するために、より大きな力を加えよう
とすれば、ウエハ表面に形成されたパターンが破壊され
ることもある。
【０００５】また、絶縁物表面では、静電気によるパー
ティクルの再付着、及び素子の破壊といった問題もあ
る。本発明の目的は、ウエハ表面に大きな機械的な力を
加えることなく表面に付着したパーティクルを効果的に
除去するパーティクル除去方法を提供することである。
ティクルの再付着、及び素子の破壊といった問題もあ
る。本発明の目的は、ウエハ表面に大きな機械的な力を
加えることなく表面に付着したパーティクルを効果的に
除去するパーティクル除去方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のパーティクル除
去方法は、半導体ウエハ表面に形成した皮膜をエッチン
グする工程、半導体ウエハ表面に塗布したレジスト膜を
剥離する工程、または半導体ウエハ表面に皮膜を形成す
る工程のいずれかの工程の後に、前記半導体ウエハを回
転させながら濃度０．５〜５０重量％の水酸化２−オキ
シエチルトリメチルアンモニウム水溶液を塗布する工程
と、前記半導体ウエハを回転させながら、該半導体ウエ
ハ表面に純水またはアルコールを供給し前記水酸化２−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液を洗い流す
工程とを含む。
去方法は、半導体ウエハ表面に形成した皮膜をエッチン
グする工程、半導体ウエハ表面に塗布したレジスト膜を
剥離する工程、または半導体ウエハ表面に皮膜を形成す
る工程のいずれかの工程の後に、前記半導体ウエハを回
転させながら濃度０．５〜５０重量％の水酸化２−オキ
シエチルトリメチルアンモニウム水溶液を塗布する工程
と、前記半導体ウエハを回転させながら、該半導体ウエ
ハ表面に純水またはアルコールを供給し前記水酸化２−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液を洗い流す
工程とを含む。
【０００７】また、本発明の他のパーティクル除去方法
は、半導体ウエハ表面に形成した皮膜をエッチングする
工程、半導体ウエハ表面に塗布したレジスト膜を剥離す
る工程、または半導体ウエハ表面に皮膜を形成する工程
のいずれかの工程の後に、前記半導体ウエハを、濃度
０．５〜５０重量％の水酸化２−オキシエチルトリメチ
ルアンモニウム水溶液に浸漬する工程と、前記半導体ウ
エハを純水またはアルコールに浸漬し、前記水酸化２−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液を洗い流す
工程とを含む。
は、半導体ウエハ表面に形成した皮膜をエッチングする
工程、半導体ウエハ表面に塗布したレジスト膜を剥離す
る工程、または半導体ウエハ表面に皮膜を形成する工程
のいずれかの工程の後に、前記半導体ウエハを、濃度
０．５〜５０重量％の水酸化２−オキシエチルトリメチ
ルアンモニウム水溶液に浸漬する工程と、前記半導体ウ
エハを純水またはアルコールに浸漬し、前記水酸化２−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液を洗い流す
工程とを含む。
【０００８】なお、上述の「いずれかの工程の後」と
は、必ずしも処理の直後に限らない。例えば、半導体ウ
エハをウエハホルダに保持したまま所定期間保管した後
に、次の工程に進む場合等を含む。
は、必ずしも処理の直後に限らない。例えば、半導体ウ
エハをウエハホルダに保持したまま所定期間保管した後
に、次の工程に進む場合等を含む。
【０００９】
【作用】ウエハ表面の皮膜除去等の製造プロセス後に、
水酸化２−オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液
（β−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド水溶液）で、ウエハ表面を洗浄することに
より、ＨＰＣでは除去困難であるパーティクルも効果的
に除去することができる。
水酸化２−オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液
（β−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド水溶液）で、ウエハ表面を洗浄することに
より、ＨＰＣでは除去困難であるパーティクルも効果的
に除去することができる。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明の実施例によるパーティクル
除去方法の各工程の概念図を示す。半導体ウエハ１をそ
の中心軸の回りに回転させながら、ノズル２からウエハ
１表面に約５．１重量％の水酸化２−オキシエチルトリ
メチルアンモニウム水溶液３（〔（ＣＨ3 ）3 Ｎ（ＣＨ
2 ）2 ＯＨ〕+ ＯＨ- ）（日本ゼオン株式会社製品名Ｚ
ＣＯＬ１００）を供給し、塗布する（図１（Ａ））。
除去方法の各工程の概念図を示す。半導体ウエハ１をそ
の中心軸の回りに回転させながら、ノズル２からウエハ
１表面に約５．１重量％の水酸化２−オキシエチルトリ
メチルアンモニウム水溶液３（〔（ＣＨ3 ）3 Ｎ（ＣＨ
2 ）2 ＯＨ〕+ ＯＨ- ）（日本ゼオン株式会社製品名Ｚ
ＣＯＬ１００）を供給し、塗布する（図１（Ａ））。
【００１１】引き続き、ウエハ１を回転させたまま、ノ
ズル４から純水５を供給し、水酸化２−オキシエチルト
リメチルアンモニウム水溶液３を洗い流す（図１
（Ｂ））。最後に、ウエハ１の回転数を上昇し、水酸化
２−オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液３と純
水５を飛散させる（図１（Ｃ））。
ズル４から純水５を供給し、水酸化２−オキシエチルト
リメチルアンモニウム水溶液３を洗い流す（図１
（Ｂ））。最後に、ウエハ１の回転数を上昇し、水酸化
２−オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液３と純
水５を飛散させる（図１（Ｃ））。
【００１２】図２は、本発明の実施例で使用したパーテ
ィクル除去装置の概略を示す。ウエハ１は、真空チャッ
ク等によりウエハ固定治具６に固定され、回転すること
ができる。ウエハ表面上部には、水酸化２−オキシエチ
ルトリメチルアンモニウム水溶液を供給するためのノズ
ル２ａ、２ｂ、及び純水を供給するためのノズル４ａが
配置されている。
ィクル除去装置の概略を示す。ウエハ１は、真空チャッ
ク等によりウエハ固定治具６に固定され、回転すること
ができる。ウエハ表面上部には、水酸化２−オキシエチ
ルトリメチルアンモニウム水溶液を供給するためのノズ
ル２ａ、２ｂ、及び純水を供給するためのノズル４ａが
配置されている。
【００１３】図２では、水酸化２−オキシエチルトリメ
チルアンモニウム水溶液を供給するためのノズルを２本
配置した場合を示しているが、ウエハ表面の全面に塗布
することができれば、１本または３本以上でもよい。
チルアンモニウム水溶液を供給するためのノズルを２本
配置した場合を示しているが、ウエハ表面の全面に塗布
することができれば、１本または３本以上でもよい。
【００１４】以下に、パーティクル除去方法について、
各工程毎に説明する。パーティクル除去の効果を確認す
るため、４インチのベアシリコンウエハ及び表面に酸化
膜を形成したシリコンウエハを、エッチング装置に搬
入、搬出しパーティクルを付着させる。実施例では、後
にパーティクル数を計数するために実際にはエッチング
を行わなかったが、エッチング装置及びその搬送系によ
るパーティクルの付着状況は実際の製造プロセスとほぼ
同等と考えられる。
各工程毎に説明する。パーティクル除去の効果を確認す
るため、４インチのベアシリコンウエハ及び表面に酸化
膜を形成したシリコンウエハを、エッチング装置に搬
入、搬出しパーティクルを付着させる。実施例では、後
にパーティクル数を計数するために実際にはエッチング
を行わなかったが、エッチング装置及びその搬送系によ
るパーティクルの付着状況は実際の製造プロセスとほぼ
同等と考えられる。
【００１５】シリコンウエハ１を、ウエハ固定治具６に
固定し、９５０ｒｐｍで回転させながら、濃度約５．１
重量％の水酸化２−オキシエチルトリメチルアンモニウ
ム水溶液をノズル２ａ、２ｂから供給し、ウエハ表面に
塗布する。この際、回転数は、水酸化２−オキシエチル
トリメチルアンモニウム水溶液を全面にほぼ均一に塗布
できればよく、９５０ｒｐｍに限らない。
固定し、９５０ｒｐｍで回転させながら、濃度約５．１
重量％の水酸化２−オキシエチルトリメチルアンモニウ
ム水溶液をノズル２ａ、２ｂから供給し、ウエハ表面に
塗布する。この際、回転数は、水酸化２−オキシエチル
トリメチルアンモニウム水溶液を全面にほぼ均一に塗布
できればよく、９５０ｒｐｍに限らない。
【００１６】水酸化２−オキシエチルトリメチルアンモ
ニウム水溶液をノズル２ａ、２ｂから約１０秒間供給し
た後、ウエハの回転及び水酸化２−オキシエチルトリメ
チルアンモニウム水溶液の供給を停止し、約１０秒間放
置する。
ニウム水溶液をノズル２ａ、２ｂから約１０秒間供給し
た後、ウエハの回転及び水酸化２−オキシエチルトリメ
チルアンモニウム水溶液の供給を停止し、約１０秒間放
置する。
【００１７】次に、再度ウエハを９５０ｒｐｍで回転さ
せながらノズル４ａから純水を約２５秒間供給する。こ
のとき、ウエハ表面の水酸化２−オキシエチルトリメチ
ルアンモニウム水溶液は、純水によって洗い流される。
せながらノズル４ａから純水を約２５秒間供給する。こ
のとき、ウエハ表面の水酸化２−オキシエチルトリメチ
ルアンモニウム水溶液は、純水によって洗い流される。
【００１８】引き続きウエハの回転数を４８００ｒｐｍ
に上昇し、約１０秒間回転する。これにより、ウエハ表
面に残っていた水酸化２−オキシエチルトリメチルアン
モニウム水溶液及び純水は、遠心力により飛散する。
に上昇し、約１０秒間回転する。これにより、ウエハ表
面に残っていた水酸化２−オキシエチルトリメチルアン
モニウム水溶液及び純水は、遠心力により飛散する。
【００１９】最後に、１００〜１２０℃で約５０秒間乾
燥する。図３は、上記実施例によって、パーティクルを
除去した場合の効果を示す。図３（Ａ）は、ベアシリコ
ンウエハ、図３（Ｂ）は、表面に酸化膜を形成したシリ
コンウエハの例を示す。
燥する。図３は、上記実施例によって、パーティクルを
除去した場合の効果を示す。図３（Ａ）は、ベアシリコ
ンウエハ、図３（Ｂ）は、表面に酸化膜を形成したシリ
コンウエハの例を示す。
【００２０】両者とも、横軸は各サンプルを表す。グラ
フの左側の２サンプルについては、ＳｉＯ2 膜をエッチ
ングするためのリアクティブイオンビームエッチング
（ＲＩＥ）装置、右側の２サンプルについては、アルミ
ニウムをエッチングするためのＲＩＥ装置に搬入、搬出
してパーティクルが付着した場合を示す。両者で特に有
為な差は見られない。
フの左側の２サンプルについては、ＳｉＯ2 膜をエッチ
ングするためのリアクティブイオンビームエッチング
（ＲＩＥ）装置、右側の２サンプルについては、アルミ
ニウムをエッチングするためのＲＩＥ装置に搬入、搬出
してパーティクルが付着した場合を示す。両者で特に有
為な差は見られない。
【００２１】縦軸は、１ウエハ当たりの０．２μｍ以上
の大きさのパーティクルの数を表す。記号○はＲＩＥ装
置に搬入する前のウエハ、記号●は、ＲＩＥ装置から搬
出した後のウエハ、記号▲は、本実施例によってパーテ
ィクルを除去した後のウエハを表す。
の大きさのパーティクルの数を表す。記号○はＲＩＥ装
置に搬入する前のウエハ、記号●は、ＲＩＥ装置から搬
出した後のウエハ、記号▲は、本実施例によってパーテ
ィクルを除去した後のウエハを表す。
【００２２】ベアシリコンウエハの場合は、ＲＩＥ装置
から搬出後は、パーティクルの数は約一桁またはそれ以
上増加している。その後、本実施例の方法でパーティク
ルを除去すると、ＲＩＥ装置に搬入前と同等またはそれ
以下に、パーティクル数が減少していることがわかる。
から搬出後は、パーティクルの数は約一桁またはそれ以
上増加している。その後、本実施例の方法でパーティク
ルを除去すると、ＲＩＥ装置に搬入前と同等またはそれ
以下に、パーティクル数が減少していることがわかる。
【００２３】また、ＳｉＯ2 膜を形成したシリコンウエ
ハの場合は、ベアシリコンウエハのように顕著な効果は
見られないが、本実施例の方法でパーティクルを除去す
ることにより、ＲＩＥ装置に搬入前と同等またはそれ以
下に、パーティクル数が減少していることがわかる。
ハの場合は、ベアシリコンウエハのように顕著な効果は
見られないが、本実施例の方法でパーティクルを除去す
ることにより、ＲＩＥ装置に搬入前と同等またはそれ以
下に、パーティクル数が減少していることがわかる。
【００２４】これは、パーティクル自体が水酸化２−オ
キシエチルトリメチルアンモニウム水溶液中に溶解、ま
たはウエハとの結合を切られて水溶液中に浮遊したため
と考えられる。
キシエチルトリメチルアンモニウム水溶液中に溶解、ま
たはウエハとの結合を切られて水溶液中に浮遊したため
と考えられる。
【００２５】比較のために、図４にＨＰＣによるパーテ
ィクル除去を行った場合を示す。図４（Ａ）、（Ｂ）は
それぞれベアシリコンウエハ、ＳｉＯ2 膜付きシリコン
ウエハの場合を示す。縦軸、横軸及び図中の記号は、図
３の場合と同様である。
ィクル除去を行った場合を示す。図４（Ａ）、（Ｂ）は
それぞれベアシリコンウエハ、ＳｉＯ2 膜付きシリコン
ウエハの場合を示す。縦軸、横軸及び図中の記号は、図
３の場合と同様である。
【００２６】ベアシリコンウエハ、及びＳｉＯ2 膜付き
シリコンウエハの場合、共にＨＰＣによるパーティクル
除去を行うと却ってパーティクル数が増加している。こ
れは、ＨＰＣにより何らかのパーティクルが付着したた
めと考えられる。一例として、ＨＰＣによってパーティ
クル除去を行った後のウエハ表面の化学分析を行うと、
表面の鉄（Ｆｅ）の濃度の増加が観測される。
シリコンウエハの場合、共にＨＰＣによるパーティクル
除去を行うと却ってパーティクル数が増加している。こ
れは、ＨＰＣにより何らかのパーティクルが付着したた
めと考えられる。一例として、ＨＰＣによってパーティ
クル除去を行った後のウエハ表面の化学分析を行うと、
表面の鉄（Ｆｅ）の濃度の増加が観測される。
【００２７】図３、図４を比較すると、本実施例による
パーティクル除去方法は、従来のＨＰＣに比べてパーテ
ィクル除去効果が著しく高いことがわかる。さらに、Ｈ
ＰＣによる方法では、純水の圧力を高くしすぎると、表
面に形成された配線が機械的力によりダメージを受け不
良の原因になる。本実施例の方法では、パーティクル除
去に機械的な力を必要としないため、配線にダメージを
与えることなくパーティクルを除去することができる。
パーティクル除去方法は、従来のＨＰＣに比べてパーテ
ィクル除去効果が著しく高いことがわかる。さらに、Ｈ
ＰＣによる方法では、純水の圧力を高くしすぎると、表
面に形成された配線が機械的力によりダメージを受け不
良の原因になる。本実施例の方法では、パーティクル除
去に機械的な力を必要としないため、配線にダメージを
与えることなくパーティクルを除去することができる。
【００２８】上記実施例では、水酸化２−オキシエチル
トリメチルアンモニウム水溶液を使用した場合について
説明したが、ウエハを侵さず、パーティクルを溶解等さ
せる性質を有するものであれば、他の溶媒でもよい。例
えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
（〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕+ ＯＨ- ）等の他のアンモニウム
塩を含むアルカリ溶液を使用してもよい。
トリメチルアンモニウム水溶液を使用した場合について
説明したが、ウエハを侵さず、パーティクルを溶解等さ
せる性質を有するものであれば、他の溶媒でもよい。例
えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
（〔（ＣＨ3 ）4 Ｎ〕+ ＯＨ- ）等の他のアンモニウム
塩を含むアルカリ溶液を使用してもよい。
【００２９】また、水酸化２−オキシエチルトリメチル
アンモニウム水溶液を塗布後、洗い流すために純水を使
用した例について説明したが、水酸化２−オキシエチル
トリメチルアンモニウム水溶液を洗い流すことができれ
ば、他の液体でもよい。例えばアルコール等を使用して
もよい。
アンモニウム水溶液を塗布後、洗い流すために純水を使
用した例について説明したが、水酸化２−オキシエチル
トリメチルアンモニウム水溶液を洗い流すことができれ
ば、他の液体でもよい。例えばアルコール等を使用して
もよい。
【００３０】本実施例で使用した水酸化２−オキシエチ
ルトリメチルアンモニウム水溶液の濃度は、約５．１重
量％のものであるが、パーティクルを除去する効果があ
ればその他の濃度にしてもよい。例えば、濃度が０．５
〜５０重量％の範囲でも効果があるであろう。
ルトリメチルアンモニウム水溶液の濃度は、約５．１重
量％のものであるが、パーティクルを除去する効果があ
ればその他の濃度にしてもよい。例えば、濃度が０．５
〜５０重量％の範囲でも効果があるであろう。
【００３１】また、上記実施例は、ベアシリコン表面及
びＳｉＯ2 膜表面に付着したパーティクルの除去につい
て説明したが、パーティクル除去の効果は水酸化２−オ
キシエチルトリメチルアンモニウム水溶液とパーティク
ルとの化学的作用のためと考えられるため、アルミニウ
ム配線等がされているウエハ表面上でも同等の効果が得
られるであろう。さらに、シリコンウエハ以外の半導体
ウエハでも同等の効果が得られるであろう。
びＳｉＯ2 膜表面に付着したパーティクルの除去につい
て説明したが、パーティクル除去の効果は水酸化２−オ
キシエチルトリメチルアンモニウム水溶液とパーティク
ルとの化学的作用のためと考えられるため、アルミニウ
ム配線等がされているウエハ表面上でも同等の効果が得
られるであろう。さらに、シリコンウエハ以外の半導体
ウエハでも同等の効果が得られるであろう。
【００３２】また、上記実施例では、ウエハを回転させ
ながら水酸化２−オキシエチルトリメチルアンモニウム
水溶液を塗布し、続いて純水によって洗い流す場合につ
いて説明したが、パーティクル除去は化学的作用による
ものと考えられるため、ウエハを回転せず、水酸化２−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液に浸漬して
もよい。この方法では、ウエハのバッチ処理が可能にな
るため、生産性向上が期待できる。
ながら水酸化２−オキシエチルトリメチルアンモニウム
水溶液を塗布し、続いて純水によって洗い流す場合につ
いて説明したが、パーティクル除去は化学的作用による
ものと考えられるため、ウエハを回転せず、水酸化２−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液に浸漬して
もよい。この方法では、ウエハのバッチ処理が可能にな
るため、生産性向上が期待できる。
【００３３】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエハ表面に付着したパーティクルを効果的に除去する
ことができる。これにより、ウエハ表面に形成した半導
体装置の歩留りを向上することができる。
ウエハ表面に付着したパーティクルを効果的に除去する
ことができる。これにより、ウエハ表面に形成した半導
体装置の歩留りを向上することができる。
【図１】本発明の実施例の各工程を示す概念図である。
【図２】本発明の実施例で使用したパーティクル除去装
置の概略図である。
置の概略図である。
【図３】本発明の実施例による方法でパーティクルを除
去した場合の、パーティクル数の除去効果を示すための
グラフである。
去した場合の、パーティクル数の除去効果を示すための
グラフである。
【図４】従来のＨＰＣによる方法でパーティクルを除去
した場合の、パーティクル数の除去効果を示すためのグ
ラフである。
した場合の、パーティクル数の除去効果を示すためのグ
ラフである。
１ ウエハ ２、２ａ、２ｂ、４、４ａ ノズル ３ 水酸化２−オキシエチルトリメチルアンモニウム
水溶液 ５ 純水 ６ ウエハ固定治具
水溶液 ５ 純水 ６ ウエハ固定治具
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１ Ｌ 21/308 Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハ表面に形成した皮膜をエッ
チングする工程、半導体ウエハ表面に塗布したレジスト
膜を剥離する工程、または半導体ウエハ表面に皮膜を形
成する工程のいずれかの工程の後に、前記半導体ウエハ
を回転させながら濃度０．５〜５０重量％の水酸化２−
オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶液を塗布する
工程と、 前記半導体ウエハを回転させながら、該半導体ウエハ表
面に純水またはアルコールを供給し前記水酸化２−オキ
シエチルトリメチルアンモニウム水溶液を洗い流す工程
とを含むパーティクル除去方法。 - 【請求項２】 半導体ウエハ表面に形成した皮膜をエッ
チングする工程、半導体ウエハ表面に塗布したレジスト
膜を剥離する工程、または半導体ウエハ表面に皮膜を形
成する工程のいずれかの工程の後に、前記半導体ウエハ
を、濃度０．５〜５０重量％の水酸化２−オキシエチル
トリメチルアンモニウム水溶液に浸漬する工程と、 前記半導体ウエハを純水またはアルコールに浸漬し、前
記水酸化２−オキシエチルトリメチルアンモニウム水溶
液を洗い流す工程とを含むパーティクル除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23395293A JPH0794462A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | パーティクル除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23395293A JPH0794462A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | パーティクル除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794462A true JPH0794462A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16963202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23395293A Withdrawn JPH0794462A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | パーティクル除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794462A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007007731A1 (ja) | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Creative Technology Corporation | 基板の異物除去装置及び基板の異物除去方法 |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP23395293A patent/JPH0794462A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007007731A1 (ja) | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Creative Technology Corporation | 基板の異物除去装置及び基板の異物除去方法 |
| US8196594B2 (en) | 2005-07-12 | 2012-06-12 | Creative Technology Corporation | Apparatus for removing foreign material from substrate and method for removing foreign material from substrate |
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