JPH0366124A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JPH0366124A JPH0366124A JP20299789A JP20299789A JPH0366124A JP H0366124 A JPH0366124 A JP H0366124A JP 20299789 A JP20299789 A JP 20299789A JP 20299789 A JP20299789 A JP 20299789A JP H0366124 A JPH0366124 A JP H0366124A
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- cleaning tank
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
ウェハ、マスクあるいはレチクルの洗浄装置に関し、
パーティクルの発生源となるホルダーを使用することな
くウェハ等の被洗浄物を洗浄することを目的とし、 ウェハ、マスク若しくはレチクルにてなる被洗［産業上
の利用分野］ この発明はウェハ、マスクあるいはレチクルの洗浄装置
に関するものである。
くウェハ等の被洗浄物を洗浄することを目的とし、 ウェハ、マスク若しくはレチクルにてなる被洗［産業上
の利用分野］ この発明はウェハ、マスクあるいはレチクルの洗浄装置
に関するものである。
近年の高集積化された半導体装置ではその製造過程にお
いてウェハ上に描画されるパターンが益々微細化され、
これにともなって従来では問題とならなかった微細なパ
ーティクルが洗浄時にウェハやマスクあるいはレチクル
に付着してもこれらに基いて形成される半導体装置の歩
留りや信頼性を低下させる原因となる。
いてウェハ上に描画されるパターンが益々微細化され、
これにともなって従来では問題とならなかった微細なパ
ーティクルが洗浄時にウェハやマスクあるいはレチクル
に付着してもこれらに基いて形成される半導体装置の歩
留りや信頼性を低下させる原因となる。
［従来の技術］
半導体装置の製造工程中にはウェハの洗浄工程が多数回
合まれ、ウェハをパターニングするマスクやレチクルも
その製造工程中に多数回洗浄される。例えばウェハの洗
浄二［程では、まずウェハの水濡れ性を向上させるため
に純水により洗浄され、次いでフッ酸等の薬品により洗
浄された後その薬品を落とすために水で洗浄され、さら
に純水を吹き付けるスプレー洗浄が行なわれた後、乾燥
される。
合まれ、ウェハをパターニングするマスクやレチクルも
その製造工程中に多数回洗浄される。例えばウェハの洗
浄二［程では、まずウェハの水濡れ性を向上させるため
に純水により洗浄され、次いでフッ酸等の薬品により洗
浄された後その薬品を落とすために水で洗浄され、さら
に純水を吹き付けるスプレー洗浄が行なわれた後、乾燥
される。
［発明が解決しようとする課肋］
上記のような洗浄工程ではウェハをホルダに収容した状
態でそのホルダが搬送装置により各洗浄槽内に搬送され
、各洗浄槽内ではウェハとともにホルダも洗浄される。
態でそのホルダが搬送装置により各洗浄槽内に搬送され
、各洗浄槽内ではウェハとともにホルダも洗浄される。
ところが、このボルダは通常テフロンで形成されている
ため薬品洗浄槽内においてホルダが薬品により浸蝕され
てパーティクルを発生させたり、あるいはスプレー洗浄
槽内ではホルダ表面の小孔内に詰まっていたパーティク
ルが吹き付Ｉｆられた水により飛び出してウェハや洗浄
槽内を汚染することがある。従って、ホルダ自身がパー
ティクルの発生源となるため充分な洗浄効果を得ること
ができず、そのウェハから形成される半導体装置の歩留
りを低下させるという問題点があった。
ため薬品洗浄槽内においてホルダが薬品により浸蝕され
てパーティクルを発生させたり、あるいはスプレー洗浄
槽内ではホルダ表面の小孔内に詰まっていたパーティク
ルが吹き付Ｉｆられた水により飛び出してウェハや洗浄
槽内を汚染することがある。従って、ホルダ自身がパー
ティクルの発生源となるため充分な洗浄効果を得ること
ができず、そのウェハから形成される半導体装置の歩留
りを低下させるという問題点があった。
この発明の目的は、パーティクルの発生源となるホルダ
ーを使用することなくウェハ等の被洗浄物を洗浄可能と
する洗浄装置を提供するにある。
ーを使用することなくウェハ等の被洗浄物を洗浄可能と
する洗浄装置を提供するにある。
［課題を解決するための手段］
第１図は本発明の原理説明図である。すなわちウェハ、
マスク若しくはレチクルにてなる被洗浄槽Ｐ！Ｉ６を垂
立状態に保持する保持装置３，４が洗浄槽ｌ内に形成さ
れ、その保持装置３，４は洗浄槽１と同材質で形成され
ている。
マスク若しくはレチクルにてなる被洗浄槽Ｐ！Ｉ６を垂
立状態に保持する保持装置３，４が洗浄槽ｌ内に形成さ
れ、その保持装置３，４は洗浄槽１と同材質で形成され
ている。
［作用］
保持装Ｍ３，４は洗浄＃１１と同一材質で形成されてい
るので、被洗浄物６の洗浄時に保持装置３゜４からパー
ティクルが発生することはない。
るので、被洗浄物６の洗浄時に保持装置３゜４からパー
ティクルが発生することはない。
「実施例］
以下、この発明をウェハを被洗浄物とした洗浄装置に具
体化した一実施例を第２図に従って説明する。
体化した一実施例を第２図に従って説明する。
洗浄槽１は純水洗浄槽では塩化ビニルで形成され、薬品
洗浄槽では石英で形成される。この洗浄槽１の底面には
上方へ開口する保持？ＩＩ２を備えた下部保持装置３が
洗浄１ｉ！ｖｉと同一材質で形成されている。また、洗
浄槽１の上部には板状の上部保持装置４が洗浄Ｉｌｌと
同一材質で形成され、その上部保持装置４には前記保持
溝２の上方にスリット５が形成されている。なお、スリ
ット５の幅はウェハ６の厚みよりＩＩＩＩＩＩ程ｔＸｔ
ムいものとなっている。
洗浄槽では石英で形成される。この洗浄槽１の底面には
上方へ開口する保持？ＩＩ２を備えた下部保持装置３が
洗浄１ｉ！ｖｉと同一材質で形成されている。また、洗
浄槽１の上部には板状の上部保持装置４が洗浄Ｉｌｌと
同一材質で形成され、その上部保持装置４には前記保持
溝２の上方にスリット５が形成されている。なお、スリ
ット５の幅はウェハ６の厚みよりＩＩＩＩＩＩ程ｔＸｔ
ムいものとなっている。
このように形成された洗浄槽１には第２図（ａ）に示す
ようにウェハ６端部を把持するハンガー７で同ウェハ６
がスリット５から洗浄槽１内に挿入され、第２図（ｂ）
に示ずようにウェハ６下端部を保持溝２に挿入した状態
でハンガー７が後退するとウェハ６は保持溝２とスリッ
ト５により垂立状態に保持される。そして、ウェハ６に
薬品処理を施すための洗浄槽１では同洗浄楕１内に所定
の薬品による洗浄液が満たされていてその洗浄液により
ウェハ６が洗浄され、スプレー洗浄のための洗浄槽１で
は垂立状態に保持されたウェハ６に純水が吹きト目つら
れて洗浄される。
ようにウェハ６端部を把持するハンガー７で同ウェハ６
がスリット５から洗浄槽１内に挿入され、第２図（ｂ）
に示ずようにウェハ６下端部を保持溝２に挿入した状態
でハンガー７が後退するとウェハ６は保持溝２とスリッ
ト５により垂立状態に保持される。そして、ウェハ６に
薬品処理を施すための洗浄槽１では同洗浄楕１内に所定
の薬品による洗浄液が満たされていてその洗浄液により
ウェハ６が洗浄され、スプレー洗浄のための洗浄槽１で
は垂立状態に保持されたウェハ６に純水が吹きト目つら
れて洗浄される。
以上のように、この洗浄装置では洗浄槽１内でウェハ６
を垂立状態に保持する下部保持装置３及び上部保持装置
４が同洗浄槽１と同一材質で形成されているので、同保
持装置３．４からパーティクルが発生することはない。
を垂立状態に保持する下部保持装置３及び上部保持装置
４が同洗浄槽１と同一材質で形成されているので、同保
持装置３．４からパーティクルが発生することはない。
従って、ウェハ６の洗浄効果を向上させることができ、
このウェハ６から製造される半導体装置の歩留りを向上
させることができる。
このウェハ６から製造される半導体装置の歩留りを向上
させることができる。
なお、この発明はマスクやレチクルの洗浄装置にも同様
に実施することができる。
に実施することができる。
［発明の効果］
以上詳述したように、この発明の洗浄装置はパティクル
の発生源となるホルダーを使用することなくウェハ等の
被洗浄物を洗浄することができる優れた効果を発揮する
。
の発生源となるホルダーを使用することなくウェハ等の
被洗浄物を洗浄することができる優れた効果を発揮する
。
４
第１図は本発明の原理説明図、
第２図（ａ＞（ｂ）４１木発明を具体化した洗浄装置の
概略図である。 図中、 １は洗浄槽、 ３．４は保持装置、 ６喰被洗浄物（ウェハ） である。 第１図 本発明の詳細な説明図 代 理 人 弁理＝１ 井桁 貞− 第２図 ＄発明の実７！例を示すＩＩ略図
概略図である。 図中、 １は洗浄槽、 ３．４は保持装置、 ６喰被洗浄物（ウェハ） である。 第１図 本発明の詳細な説明図 代 理 人 弁理＝１ 井桁 貞− 第２図 ＄発明の実７！例を示すＩＩ略図
Claims (1)
- １、ウェハ、マスク若しくはレチクルにてなる被洗浄物
（６）を垂立状態に保持する保持装置（３、４）が洗浄
槽（１）内に設けられるとともに、該保持装置（３、４
）は洗浄槽（１）と同材質であることを特徴とする洗浄
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20299789A JPH0366124A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20299789A JPH0366124A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0366124A true JPH0366124A (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16466623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20299789A Pending JPH0366124A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0366124A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6240938B1 (en) * | 1996-05-29 | 2001-06-05 | Steag Microtech Gmbh | Device for treating substrates in a fluid container |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5261481A (en) * | 1975-11-14 | 1977-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | Production of semiconductor device |
| JPS62254429A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Sony Corp | シリコンウエフアの洗浄方法 |
-
1989
- 1989-08-04 JP JP20299789A patent/JPH0366124A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5261481A (en) * | 1975-11-14 | 1977-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | Production of semiconductor device |
| JPS62254429A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Sony Corp | シリコンウエフアの洗浄方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6240938B1 (en) * | 1996-05-29 | 2001-06-05 | Steag Microtech Gmbh | Device for treating substrates in a fluid container |
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