KR970067664A - 반도체 장치의 세정액 및 이를 이용한 세정방법(a cleaning solution and a method of cleaning a semiconductor device suing the same) - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract 14
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract 1
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Abstract
본 발명은 반도체기판상에 형성된 금속층상에 접촉창을 갖는 절연막 패턴을 형성하는 공정에서 발생한 폴리머 및 불순물입자를 제거할 수 있는 반도체 장치의 세정액 및 이를 응용한 세정방법에 관한 것으로, 반도체기판상에 형성된 금속층상에 절연막이 형성되고, 상기 절연막상에 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 절연막이 접촉창을 갖도록 패터닝하는 공정에서 발생한 폴리머 및 불순물입자들이 상기 금속층과 접촉창에 부착되어 있는 반도체기판을 세정하는 방법에 있어서, 불화암모늄, 초산, 순수의 조성으로 구성된 세정액을 사용하여 세정하는 공정을 포함하여 상기 금속층을 부식시키지 않고 상기 폴리머 및 불순물입자를 세정한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (11)
- 반도체기판상에 형성된 금속층상에 접촉창을 갖는 절연막 패턴을 형성하는 공정에서 발생한 폴리머 및 불순물입자를 세정하기 위한 세정액에 있어서, 상기 세정액은 불화암모늄, 초산, 순수 조성으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액.
- 제1항에 있어서, 상기 세정액의 상기 초산은 상기 불화암모늄에 비해 상대적으로 큰 부피비를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액.
- 제2항에 있어서, 상기 초산은 불화암모늄의 약1-50배 정도의 부피비를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액.
- 제1항에 있어서, 상기 세정액의 상기 순수는 불화암모늄의 약0.1 - 50배 정도의 부피비를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액.
- 제1항에 있어서, 상기 세정액의 불화암모늄, 초산, 순수의 바람직한 부피비는 1 : 5 : 20인것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액.
- 반도체기판상에 형성된 금속층상에 절연막이 형성되고, 상기 절연막상에 형성된 포트레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 절연막이 접촉창을 갖도록 패터닝하는 공정에서 발생한 폴리머 및 불순물입자들이 상기 금속층과 접촉창상에 부착되어 있는 반도체기판을 세정하는 방법에 있어서, 불화암모늄, 초산, 순수의 조성으로 구성된 세정액을 사용하여 세정하는 공정을 포함하여 상기 금속층을 부식시키지 않고 상기 폴리머 및 불순물입자를 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 세정액의 초산은 상기 불화암모늄의 약 1 - 50배 정도의 부피비를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법.
- 제6항에 있어서, 상기 세정액의 상기 순수는 상기 불화암모늄의 약 0.1 - 50배 정도의 부피비를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 불화암모늄, 초산, 순수의 부피비는 1 : 5 : 30인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 세정공정은 약 20℃ 내지 100℃정도의 온도범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 세정공정은 약 1분내지 20분정도의 시간범위내에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960006295A KR970067664A (ko) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 반도체 장치의 세정액 및 이를 이용한 세정방법(a cleaning solution and a method of cleaning a semiconductor device suing the same) |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960006295A KR970067664A (ko) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 반도체 장치의 세정액 및 이를 이용한 세정방법(a cleaning solution and a method of cleaning a semiconductor device suing the same) |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970067664A true KR970067664A (ko) | 1997-10-13 |
Family
ID=66216083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960006295A KR970067664A (ko) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 반도체 장치의 세정액 및 이를 이용한 세정방법(a cleaning solution and a method of cleaning a semiconductor device suing the same) |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970067664A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100514167B1 (ko) * | 2002-06-24 | 2005-09-09 | 삼성전자주식회사 | 세정액 및 이를 사용한 세라믹 부품의 세정 방법 |
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1996
- 1996-03-11 KR KR1019960006295A patent/KR970067664A/ko not_active IP Right Cessation
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KR100514167B1 (ko) * | 2002-06-24 | 2005-09-09 | 삼성전자주식회사 | 세정액 및 이를 사용한 세라믹 부품의 세정 방법 |
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