KR970060425A - 반도체 장치의 세정액 및 이를 이용한 세정방법 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract 27
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract 16
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 21
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical group O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims 9
- HTKIMWYSDZQQBP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl nitrate Chemical group OCCO[N+]([O-])=O HTKIMWYSDZQQBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
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Abstract
본 발명은 반도체기판상에 형성된 금속층상에 접촉창을 갖는 절연막 패턴을 형성하는 공정에서 발생한 폴리머 및 불순물입자를 제거할 수 있는 반도체 장치의 세정액 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것으로, 반도체기판상에 형성된 금속층상에 절연막이 형성되고, 상기 절연막상에 형성된 포토 레지스터 패턴을 마스크로 사용하여 상기 절연막이 접촉창을 갖도록 패터닝하는 공정에서 발생한 폴리머 및 불순물입자들이 상기 금속층과 접촉창상에 부착되어 있는 반도체기판을 세정하는 방법에 있어서, 질산 에틸렌글리콜, 순수의 조성으로 구성된 세정액을 사용하여 세정하는 공정을 포함하여 상기 금속층을 부식시키지 않고 상기 폴리머 및 불순물입자를 세정한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (11)
- 반도체기판상에 형성된 금속층상에 접촉창을 갖는 절연막 패턴을 형성하는 공정에서 발생한 폴리머 및 불순물입자를 세정하기 위한 세정액에 있어서, 상기 세정액은 질산, 에틸렌글리콜, 순수의 조성으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정액.
- 제1항에 있어서, 상기 세정액의 상기 에틸렌글리콜은 상기 질산에 비해 상대적으로 큰 부피비를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정액.
- 제2항에 있어서, 상기 에틸렌글리콜은 상기 질산의 약 1-50배 정도의 부피비를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정액.
- 제1항에 있어서, 상기 세정액의 상기 순수는 상기 질산의 약 0.1-50배 정도의 부피비를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정액.
- 제1항에 있어서, 상기 세정액의 질산, 에틸렌글리콜, 순수의 바람직한 부피비는 1:5:20인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정액.
- 반도체기판상에 형성된 금속층상에 절연막이 형성되고, 상기 절연막 상에 형성된 포토레지스트 패턴을마스크로 사용하여 상기 절연막이 접촉창을 갖도록 패터닝하는 공정에서 발생한 폴리머 및 불순물입자들이 상기 금속층과 접촉창상에 부착되어 있는 반도체기판을 세정하는 방법에 있어서, 질산, 에틸렌글리콜, 순수의 조성으로 구성된 세정액을 사용하여 세정하는 공정을 포함하여 상기 금속층을 부식시키지 않고 상기 폴리머 및 불순물입자를 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 세정액의 에틸렌글리콜은 상기 질산의 약 1-50배 정도의 부피비를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 세정액의 상기 순수는 상기 질산의 약 0.1-50배 정도의 부피비를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 질산, 에틸렌글리콜, 순수의 부피비는 1:5:20인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 세정공정은 약 20℃ 내지 100℃ 정도의 온도범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법.
- 제6항에 있어서, 세정공정은 약 1분 내지 20분 정도의 시간범위내에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960001677A KR970060425A (ko) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 반도체 장치의 세정액 및 이를 이용한 세정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960001677A KR970060425A (ko) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 반도체 장치의 세정액 및 이를 이용한 세정방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970060425A true KR970060425A (ko) | 1997-08-12 |
Family
ID=66218648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960001677A KR970060425A (ko) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 반도체 장치의 세정액 및 이를 이용한 세정방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970060425A (ko) |
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1996
- 1996-01-26 KR KR1019960001677A patent/KR970060425A/ko not_active Application Discontinuation
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