SU608850A1 - Раствор дл избирательного травлени - Google Patents
Раствор дл избирательного травлениInfo
- Publication number
- SU608850A1 SU608850A1 SU762411535A SU2411535A SU608850A1 SU 608850 A1 SU608850 A1 SU 608850A1 SU 762411535 A SU762411535 A SU 762411535A SU 2411535 A SU2411535 A SU 2411535A SU 608850 A1 SU608850 A1 SU 608850A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- solution
- etching
- selective etching
- photoresist
- hydrofluoric
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
(54) РАСТВОР ДЛЯ ИЗБИРАТЕЛЬНОГО ТРАВЛЕНИЯ
1
Изобретение относитс к области микроэлектроники и может быть использовано дл получени микросхем методом фотолитографии .
Известен раствор дл избирательного травлени , содержащий компоненты в следующих количествах, л:
Плавикова кислота0,1-0,2
Азотна кислота0,05-0,1
Фтористый натрий
(насыщенный раствор) 0,01-0,02. Селективное травление тонких пленок, имеющих в качестве защитного сло позитивные фоторезисты на основе нафтохинондиазидов следует проводить в кислотных травител х при температурах, не превышающих 40- 50°С 1.
Однако применение вышеуказанного травител снижает качество получаемых микросхем , так как вход щий в состав травильного раствора фтористый натрий при гидролизе образует гидроокись натри , что приводит к растворению фоторезистов па основе нафтохинондиазидов .
Вход ща в состав травител азотна кислота пассивирует хром, в результате этого резистивиый слой трудно поддаетс травлению при температуре 20-40°С.
Увеличение температуры травлени приводит к очень быстрому растрескиванию фоторезиста , а следовательно, к нарушению целостности схемы.
Известен раствор дл избирательного травлени , преимущественно рсзнстивных пленок, с использование фоторезиста на основе нафтохинондназидов , содержащий плавиковую и сол ную кислоты и воду 2.
Однако известный раствор достаточно агрессивен но отношению к фоторезисту и имеет недостаточно высокую равномерность травлени .
Цель изобретени - снижение агрессивности раствора по отношению к фоторезисту и повышение равномерности травлени достигаетс тем, что раствор, содержащий плавиковую и сол ную кислоты, дополнительно содержит двууглекислый аммоний и поверхностно-актнвпое вещество ОП-7 при следующем количественном соотношении компонентов, вес. %:
Плавикова кислота5-15
Двууглекислый аммоний2-10
Сол на кислота10-30
ОП-71-5
ЯодаОстальное
Пример. Дл получени схемного рисунка провод т химическое травление тонкой пленки резистивного сплава, содержащего хром, никель, кремний, толщиной около
1000 А.
В качестве защитного сло примен етс фоторезист ФП-ПР-7 и травильный раствор, содержащий ингредиенты в следующих соотношени х , в вес. %:
Плавикова кислота12
Двууглекислый аммоний8
Сол на кислота25
ОП-72
ВодаОстальное.
Травление пленок резистивного сплава в данном растворе пронзвод т следующим образом: подложку помещают в травильный раствор, нагретый до 25-30°С; врем травлени - 15-30 с. После травлени подложки тщательно отмывают.
При использовании предлагаемого раствора осуществл етс полное стравливание металлической пленки и повышаетс равномерность травлени , что приводит к увеличению выхода годных схем.
Claims (2)
1.ОСТ ЧГО 054028, ред. 2-74 «Микросхемы интегральные гибридные тонкопленочные специализированные I и П степеней интеграции ТТП.
2.Авторское свидетельство СССР №272635, кл. С 23F 1/08, 1968.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU762411535A SU608850A1 (ru) | 1976-10-15 | 1976-10-15 | Раствор дл избирательного травлени |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU762411535A SU608850A1 (ru) | 1976-10-15 | 1976-10-15 | Раствор дл избирательного травлени |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU608850A1 true SU608850A1 (ru) | 1978-05-30 |
Family
ID=20679677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU762411535A SU608850A1 (ru) | 1976-10-15 | 1976-10-15 | Раствор дл избирательного травлени |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU608850A1 (ru) |
-
1976
- 1976-10-15 SU SU762411535A patent/SU608850A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4220706A (en) | Etchant solution containing HF-HnO3 -H2 SO4 -H2 O2 | |
| US4345969A (en) | Metal etch solution and method | |
| CA1166130A (en) | Etchant composition and use thereof | |
| US3539408A (en) | Methods of etching chromium patterns and photolithographic masks so produced | |
| SU608850A1 (ru) | Раствор дл избирательного травлени | |
| US4160691A (en) | Etch process for chromium | |
| JPS5784135A (en) | Manufacture of semiconductor element | |
| DE2738493A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen | |
| JPS62125633A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CA1163540A (en) | Process for etching chrome and composition as suitable therefore | |
| US3953266A (en) | Process for fabricating a semiconductor device | |
| JPH0298133A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH0311093B2 (ru) | ||
| JP2804543B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH0722383A (ja) | 無機薄膜のエッチング方法 | |
| SU816983A1 (ru) | Травильный раствор | |
| JPS5832498B2 (ja) | ハンドウタイソウチ ノ セイゾウホウホウ | |
| RU2016915C1 (ru) | Раствор для травления тугоплавких металлов | |
| KR820002036B1 (ko) | 반도체소자의 전극변색 방지를 위한 식각방법 | |
| JPS5527659A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JPH0837233A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01125831A (ja) | エッチング液及びエッチング方法 | |
| JPS5797629A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0867993A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の検査方法 | |
| JPS59154022A (ja) | 半導体装置の製造方法 |