JPH01125831A - エッチング液及びエッチング方法 - Google Patents
エッチング液及びエッチング方法Info
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- JPH01125831A JPH01125831A JP28386287A JP28386287A JPH01125831A JP H01125831 A JPH01125831 A JP H01125831A JP 28386287 A JP28386287 A JP 28386287A JP 28386287 A JP28386287 A JP 28386287A JP H01125831 A JPH01125831 A JP H01125831A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、アルミニウム配線上に形成されたシリコン酸
化膜又はシリゲートガラス膜をエツチングするためのエ
ツチング液及びエツチング方法に関するものであり、集
積回路の製造や多層配線の製造に用いられるものである
。
化膜又はシリゲートガラス膜をエツチングするためのエ
ツチング液及びエツチング方法に関するものであり、集
積回路の製造や多層配線の製造に用いられるものである
。
（従来の技術）
従来、集積回路の表面にアルミニウム配線を施した後、
表面安定化のために、酸化シリコン（ＳｉＯ２）やリン
珪酸ガラス（ＰＳＧ）よりなるパッシベーション膜をＣ
ＶＤ法にて形成することが広く行われている。これらの
パッシベーション膜には、エツチングによりポンディン
グパッド部を形成して、下地のアルミニウム配線にボン
ディングワイヤーを接続できるようにする必要がある。
表面安定化のために、酸化シリコン（ＳｉＯ２）やリン
珪酸ガラス（ＰＳＧ）よりなるパッシベーション膜をＣ
ＶＤ法にて形成することが広く行われている。これらの
パッシベーション膜には、エツチングによりポンディン
グパッド部を形成して、下地のアルミニウム配線にボン
ディングワイヤーを接続できるようにする必要がある。
酸化シリコンのエツチング液としては、従来、弗酸（Ｈ
Ｆ）と弗化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とを１：４乃至１
・８の割合で混合したエツチング液が、良く知られてい
る。このエツチング液は、弱酸とその塩とを混合した液
であるので、桜街作用があり、緩衝エツチング液と呼ば
れる。桜街エツチンダ液は、その成分として弗酸を含む
ことからガラスその他の珪素化合物を侵す性質があり、
リン珪酸ガラスのエツチングにも使用される。ところが
、このエツチング液は、アルミニウムを侵す性質がある
ので、パッシベーション膜をエツチングした後、露出し
たアルミニウム配線が黒化したり、溶解して薄くなると
いうＩ′？？１題があった。
Ｆ）と弗化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とを１：４乃至１
・８の割合で混合したエツチング液が、良く知られてい
る。このエツチング液は、弱酸とその塩とを混合した液
であるので、桜街作用があり、緩衝エツチング液と呼ば
れる。桜街エツチンダ液は、その成分として弗酸を含む
ことからガラスその他の珪素化合物を侵す性質があり、
リン珪酸ガラスのエツチングにも使用される。ところが
、このエツチング液は、アルミニウムを侵す性質がある
ので、パッシベーション膜をエツチングした後、露出し
たアルミニウム配線が黒化したり、溶解して薄くなると
いうＩ′？？１題があった。
そこで、アルミニウム＼の溶解を低減するなめに、Ｍ街
エツチング液にエチレングリコールあるいは酢酸を添加
したエツチング液を用いることが提案されている（超微
細加工・プロセス技術総合資料集、ソフト技術出版部列
）。この文献においては、緩衝エツチング液にエチレン
グリコール或いは酢酸を添加すれば、アルミニウムの溶
解が低減される傾向のあることが一般的に示唆されてい
るに過ぎず、エチレングリコールの混合割合により顕著
な効果の違いが生じることについては開示されていない
。
エツチング液にエチレングリコールあるいは酢酸を添加
したエツチング液を用いることが提案されている（超微
細加工・プロセス技術総合資料集、ソフト技術出版部列
）。この文献においては、緩衝エツチング液にエチレン
グリコール或いは酢酸を添加すれば、アルミニウムの溶
解が低減される傾向のあることが一般的に示唆されてい
るに過ぎず、エチレングリコールの混合割合により顕著
な効果の違いが生じることについては開示されていない
。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明者は、上記の文献通りに、）Ｊｆ％エッチンダ液
にエチレングリコール或いは酢酸を添加したエツチング
液を用いて、アルミニウム配線上のリン珪酸ガラス膜の
ウェットエツチングを試みたところ、アルミニウムの溶
解を低減する効果が殆ど得られなかったり、かえって逆
効果となったりすることが多いことを発見した。そこで
、本発明者は、エチレングリコール或いは酢酸の添加量
を、添加物としての常識を超えるほど多量にしてみたと
ころ、エチレングリコールの場合については、４０％以
上の混合割合とすれば、アルミニウムがほとんど溶解さ
れないことを発見した。
にエチレングリコール或いは酢酸を添加したエツチング
液を用いて、アルミニウム配線上のリン珪酸ガラス膜の
ウェットエツチングを試みたところ、アルミニウムの溶
解を低減する効果が殆ど得られなかったり、かえって逆
効果となったりすることが多いことを発見した。そこで
、本発明者は、エチレングリコール或いは酢酸の添加量
を、添加物としての常識を超えるほど多量にしてみたと
ころ、エチレングリコールの場合については、４０％以
上の混合割合とすれば、アルミニウムがほとんど溶解さ
れないことを発見した。
本発明はこの発見に基づいてなされたものであり、その
目的とするところは、アルミニウム配線上に形成された
シリコン酸化膜又はシリケートガラス膜を、アルミニウ
ム配線が溶解しないようにエツチングできるエツチング
液及びエツチング方法を提供するにある。
目的とするところは、アルミニウム配線上に形成された
シリコン酸化膜又はシリケートガラス膜を、アルミニウ
ム配線が溶解しないようにエツチングできるエツチング
液及びエツチング方法を提供するにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明に係るエツチング液にあっては、上記の目的を達
成するために、弗酸（ＨＦ）と弗化アンモニウム（Ｎ
Ｈ、Ｆ ）とを組成比で１：４乃至１：８の割合で混合
した緩衝エツチング液に、組成比で４０乃至５０％のエ
チレングリコール（ＣＨ２０ＨＣＨ２０１−１）を混合
して成るものである。
成するために、弗酸（ＨＦ）と弗化アンモニウム（Ｎ
Ｈ、Ｆ ）とを組成比で１：４乃至１：８の割合で混合
した緩衝エツチング液に、組成比で４０乃至５０％のエ
チレングリコール（ＣＨ２０ＨＣＨ２０１−１）を混合
して成るものである。
また、併合発明に係るエツチング方法にあっては、アル
ミニウム配線上に形成されたシリコン酸化膜又はシリク
−１−ガラス膜をウェットエツチングする方法において
、上記組成のエツチング液を用いることを特徴とするも
のである。
ミニウム配線上に形成されたシリコン酸化膜又はシリク
−１−ガラス膜をウェットエツチングする方法において
、上記組成のエツチング液を用いることを特徴とするも
のである。
（作用）
本発明の作用を第１図により説明する。第１図は、弗酸
と弗化アンモニウムとを組成比で１：５の割合で混合し
た緩衝エツチング液に、エチレングリコールを混合した
エツチング液について、エチレングリコールの濃度を変
えて、各濃度の場合におけるアルミニウムの溶解速度を
実際に測定した結果を示す図である。エチレングリコー
ルの濃度が０％、１０％、３３％、４５％、５０％の場
合について、それぞれエツチング液を作成し、アルミニ
ウムの溶解速度を測定した。この図に示すように、緩衝
エツチング液中のエチレングリコールの濃度によってア
ルミニウムの溶解の低減効果が顕著に異なり、０〜２０
％の範囲では殆ど効果がなく、２０％以上にすれば効果
が現れ、４０％以上では殆どアルミニウムの溶解は確認
されない、ただし、エチレングリコールの濃度を余り高
ぐすると、緩衝エツチング液の濃度が低くなり、エツチ
ング速度が遅くなるので、エチレングリコールの濃度は
、４０〜５０％の範囲とすることが好ましい、このエツ
チング液を用いて、アルミニウム配線上に形成されたシ
リコン酸化膜又はシリケートガラス膜をウェットエツチ
ングすれば、シリコン酸化膜又はシリケートガラス膜は
溶解されるが、下地のアルミニウム配線は殆ど溶解され
ない。
と弗化アンモニウムとを組成比で１：５の割合で混合し
た緩衝エツチング液に、エチレングリコールを混合した
エツチング液について、エチレングリコールの濃度を変
えて、各濃度の場合におけるアルミニウムの溶解速度を
実際に測定した結果を示す図である。エチレングリコー
ルの濃度が０％、１０％、３３％、４５％、５０％の場
合について、それぞれエツチング液を作成し、アルミニ
ウムの溶解速度を測定した。この図に示すように、緩衝
エツチング液中のエチレングリコールの濃度によってア
ルミニウムの溶解の低減効果が顕著に異なり、０〜２０
％の範囲では殆ど効果がなく、２０％以上にすれば効果
が現れ、４０％以上では殆どアルミニウムの溶解は確認
されない、ただし、エチレングリコールの濃度を余り高
ぐすると、緩衝エツチング液の濃度が低くなり、エツチ
ング速度が遅くなるので、エチレングリコールの濃度は
、４０〜５０％の範囲とすることが好ましい、このエツ
チング液を用いて、アルミニウム配線上に形成されたシ
リコン酸化膜又はシリケートガラス膜をウェットエツチ
ングすれば、シリコン酸化膜又はシリケートガラス膜は
溶解されるが、下地のアルミニウム配線は殆ど溶解され
ない。
（実施例１）
第２図は集積回路の製造プロセスにおいて、本発明を適
用した実施例を示しており、同図（ａ）はエツチング前
、同図（ｂ）はエツチング後の集積回路の断面図である
。
用した実施例を示しており、同図（ａ）はエツチング前
、同図（ｂ）はエツチング後の集積回路の断面図である
。
まず、図示された集積回路の製造プロセスを簡単に説明
する。シリコン基板１上には、周知の半導体プロセス技
術を用いて半導体集積回路が形成された後、熱酸化法や
ＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜２よりなる絶縁膜が形
成される。シリコン酸化膜２には、フォトエツチング法
により配線用の窓部を所定位置に形成された後、アルミ
ニウム配線３を蒸着される。アルミニウム配線３はフォ
トエツチング法によりパターニングされる。その後、Ｃ
ＶＤ法によりリン珪酸ガラス膜４よりなるパッシベーシ
ョン膜が形成される。このリン珪酸ガラス［４には、フ
ォトエツチング法により、ポンディングパッド部５を形
成される。ポンディングパッド部５には、ボンディング
ワイヤー（図示せず）の一端がボンディングされ、ボン
ディングワイヤーの他端は外部引出電極となる。
する。シリコン基板１上には、周知の半導体プロセス技
術を用いて半導体集積回路が形成された後、熱酸化法や
ＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜２よりなる絶縁膜が形
成される。シリコン酸化膜２には、フォトエツチング法
により配線用の窓部を所定位置に形成された後、アルミ
ニウム配線３を蒸着される。アルミニウム配線３はフォ
トエツチング法によりパターニングされる。その後、Ｃ
ＶＤ法によりリン珪酸ガラス膜４よりなるパッシベーシ
ョン膜が形成される。このリン珪酸ガラス［４には、フ
ォトエツチング法により、ポンディングパッド部５を形
成される。ポンディングパッド部５には、ボンディング
ワイヤー（図示せず）の一端がボンディングされ、ボン
ディングワイヤーの他端は外部引出電極となる。
ここで、第２図し）に示すエツチング前の状態から、同
図（ｂ）に示すエツチング後の状態に至るまでの工程を
詳説する。リン珪酸ガラス１１！４の表面にはフォトレ
ジストが塗布され、プリベークされた後、フォトマスク
を介して選択的に露光を施される。フ才Ｉ・レジストを
現像しエツチングして、ポンディングパッド部５のフォ
トレジストのみを除去し、残ったフォトレジストをポス
トベークする。その後、リン珪酸ガラスｌｌ５ｊ４を溶
解させるエツチング液中に浸漬して、ウェットエツチン
グを行い、エツチング完了後、フォＩ・レジスＩ−を’
ｔ、ＩＩ ＩＩしで、リンスし、キュアして、第２図（
ｂ）の状πに至るものである。
図（ｂ）に示すエツチング後の状態に至るまでの工程を
詳説する。リン珪酸ガラス１１！４の表面にはフォトレ
ジストが塗布され、プリベークされた後、フォトマスク
を介して選択的に露光を施される。フ才Ｉ・レジストを
現像しエツチングして、ポンディングパッド部５のフォ
トレジストのみを除去し、残ったフォトレジストをポス
トベークする。その後、リン珪酸ガラスｌｌ５ｊ４を溶
解させるエツチング液中に浸漬して、ウェットエツチン
グを行い、エツチング完了後、フォＩ・レジスＩ−を’
ｔ、ＩＩ ＩＩしで、リンスし、キュアして、第２図（
ｂ）の状πに至るものである。
リン珪酸ガラス膜４を溶解させるエツチング液としては
、弗酸（ＨＦ）と弗化アンモニウム（ＮＨ。
、弗酸（ＨＦ）と弗化アンモニウム（ＮＨ。
Ｆ）とを１：４乃至１：８の割合で混合しｆ、： 緩Ｉ
Ｆｒエツチング液を用いるものであるが、上述のように
、このままの組成では、下地のアルミニウム配線３をも
溶解させてしまうので、組成比で４０〜５０％のエチレ
ングリコール（Ｐ、 Ｇ ）を混合する。特に、ＣＶＤ
法により形成されたリン珪酸ガラス膜４を溶解させる場
合については、ＨＦ：ＮＨ，Ｆ：ＥＧ＝ １ ：５ 二
４の混合割合とするのが最も好ましく、この混合割合に
おいては、リン珪酸ガラス膜４のエツチング速度も速く
、且つ、アルミニウム配線３の溶解も殆ど生じない。
Ｆｒエツチング液を用いるものであるが、上述のように
、このままの組成では、下地のアルミニウム配線３をも
溶解させてしまうので、組成比で４０〜５０％のエチレ
ングリコール（Ｐ、 Ｇ ）を混合する。特に、ＣＶＤ
法により形成されたリン珪酸ガラス膜４を溶解させる場
合については、ＨＦ：ＮＨ，Ｆ：ＥＧ＝ １ ：５ 二
４の混合割合とするのが最も好ましく、この混合割合に
おいては、リン珪酸ガラス膜４のエツチング速度も速く
、且つ、アルミニウム配線３の溶解も殆ど生じない。
したがって、本実施例にあっては、リン珪酸ガラス膜４
のエツチング工程において、アルミニウム配線３の溶解
が生じることはなくなり、均一な膜厚のアルミニウム配
線３を露出させることができ、ボンディング性が良くな
るものである。
のエツチング工程において、アルミニウム配線３の溶解
が生じることはなくなり、均一な膜厚のアルミニウム配
線３を露出させることができ、ボンディング性が良くな
るものである。
また、本実施例にあっては、第１図に示すように、溶解
速度が２０〜４０人／ｍｉｎ程度の極めて小さな溶解効
果が残っているが、この程度の溶解速度では、アルミニ
ウムの表面が化学的に研磨され、活性化されて、かえっ
てボンディング性が良くなるものである。
速度が２０〜４０人／ｍｉｎ程度の極めて小さな溶解効
果が残っているが、この程度の溶解速度では、アルミニ
ウムの表面が化学的に研磨され、活性化されて、かえっ
てボンディング性が良くなるものである。
さらに、本発明では、リン珪酸ガラス膜４のエツチング
時に、ある程度のオーバーエツチングが許容できるので
、リン珪酸ガラス膜４の膜厚にムラがあっても、アルミ
ニウム配線２上のリン珪酸ガラスｙ１１４を残らずエツ
チングできるものであり、この点でもボンディング性の
向上に寄与するものである。
時に、ある程度のオーバーエツチングが許容できるので
、リン珪酸ガラス膜４の膜厚にムラがあっても、アルミ
ニウム配線２上のリン珪酸ガラスｙ１１４を残らずエツ
チングできるものであり、この点でもボンディング性の
向上に寄与するものである。
（実施例２）
第３図は多層配線の製造プロセスにおいて、本発明を適
用した実施例を示す断面図である。本実施例にあっては
、第１のアルミニウム配線１１が形成された基板１０上
に、リン珪酸ガラス膜１２よりなる眉間絶縁膜をＣＶＤ
法にて形成し、リン珪酸ガラス膜１２の一部をフォトエ
ッチ〉・グ法により選択的にエツチングして、スルーホ
ール部１４を形成した後、該スルーホール部１４を介し
て第１のアルミニウム配線１１と接続するように、第２
のアルミニウム配線１３を形成したものである。
用した実施例を示す断面図である。本実施例にあっては
、第１のアルミニウム配線１１が形成された基板１０上
に、リン珪酸ガラス膜１２よりなる眉間絶縁膜をＣＶＤ
法にて形成し、リン珪酸ガラス膜１２の一部をフォトエ
ッチ〉・グ法により選択的にエツチングして、スルーホ
ール部１４を形成した後、該スルーホール部１４を介し
て第１のアルミニウム配線１１と接続するように、第２
のアルミニウム配線１３を形成したものである。
このような多層配線においては、層間配線の接続性を良
好にするなめに、スルーホール部１４のリン珪酸ガラス
膜１２を残らずエツチングする必要があり、しかも、こ
のエツチングに際して、第１のアルミニウム配線１１の
膜厚が減らないようにする必要がある。このような場合
にも、本発明のエツチング液を用いれば、ある程度のオ
ーバーエツチングが許容できるので、第１のアルミニウ
ム配線１１の膜厚を減らすことなく、スルーポール部１
４のリン珪酸ガラス膜１２を残らずエツチングでき、眉
間配線の接続性を良好にすることができるものである。
好にするなめに、スルーホール部１４のリン珪酸ガラス
膜１２を残らずエツチングする必要があり、しかも、こ
のエツチングに際して、第１のアルミニウム配線１１の
膜厚が減らないようにする必要がある。このような場合
にも、本発明のエツチング液を用いれば、ある程度のオ
ーバーエツチングが許容できるので、第１のアルミニウ
ム配線１１の膜厚を減らすことなく、スルーポール部１
４のリン珪酸ガラス膜１２を残らずエツチングでき、眉
間配線の接続性を良好にすることができるものである。
なお、上記各実施例の説明においては、シリケートガラ
ス膜として、リン珪酸ガラス（ＰＳＧ）膜のみを例示し
たが、ｙＩ％エツチング液にて溶解できれば他のシリケ
ートガラス膜でも良く、例えば、ホウ珪酸ガラス（ＢＳ
Ｇ）ＪＩ！！やアルミノ珪酸ガラス（ＡＳＧ）膜であっ
ても良い。
ス膜として、リン珪酸ガラス（ＰＳＧ）膜のみを例示し
たが、ｙＩ％エツチング液にて溶解できれば他のシリケ
ートガラス膜でも良く、例えば、ホウ珪酸ガラス（ＢＳ
Ｇ）ＪＩ！！やアルミノ珪酸ガラス（ＡＳＧ）膜であっ
ても良い。
また、アルミニウム配線上のシリコン酸化膜又はシリケ
ートガラス膜はＣＶＤ法（化学的気相成長法）にて形成
されることを前提として説明したが、ＰＶＤ法く物理的
気相成長法）を用いて形成されていても良い。
ートガラス膜はＣＶＤ法（化学的気相成長法）にて形成
されることを前提として説明したが、ＰＶＤ法く物理的
気相成長法）を用いて形成されていても良い。
（発明の効果）
本発明に係るエツチング液は、弗酸と弗化アンモニウム
とを組成比で１＝４乃至１：８の割合で混合した緩衝エ
ツチング液に、組成比で４０乃至５０％のエチレングリ
コールを混合して成るものであるから、シリコン酸化膜
又はシリゲートガラス膜のエツチング時に、他の部分に
あるアルミニウムを溶解させることがないという効果が
ある。
とを組成比で１＝４乃至１：８の割合で混合した緩衝エ
ツチング液に、組成比で４０乃至５０％のエチレングリ
コールを混合して成るものであるから、シリコン酸化膜
又はシリゲートガラス膜のエツチング時に、他の部分に
あるアルミニウムを溶解させることがないという効果が
ある。
また、併合発明に係るエツチング方法にあっては、アル
ミニウム配線上に形成されたシリコン酸化膜又はシリケ
ートガラス膜をウェットエツチングする方法において、
上記組成のエツチング液を便用したものであるから、下
地となるアルミニウム配線が溶解されることがないとい
う効果がある。
ミニウム配線上に形成されたシリコン酸化膜又はシリケ
ートガラス膜をウェットエツチングする方法において、
上記組成のエツチング液を便用したものであるから、下
地となるアルミニウム配線が溶解されることがないとい
う効果がある。
したがって、例えば、集積回路のボンディング部の形成
や多層配線のスルーホール部の形成に用いれば、下地と
なるアルミニウム配線の膜厚減少を防止でき、良好な接
続性を確保できるものである。
や多層配線のスルーホール部の形成に用いれば、下地と
なるアルミニウム配線の膜厚減少を防止でき、良好な接
続性を確保できるものである。
第１図は本発明の数値限定の根拠となるエツチング特性
を示す図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は本発明を用いて
製造される集積回路の断面図、第３図は本発明を用いて
製造される多層配線の断面口である。 ３はアルミニウム配線、４はリン珪酸ガラス膜、５はポ
ンディングパッド部である。
を示す図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は本発明を用いて
製造される集積回路の断面図、第３図は本発明を用いて
製造される多層配線の断面口である。 ３はアルミニウム配線、４はリン珪酸ガラス膜、５はポ
ンディングパッド部である。
Claims (3)
- （１）弗酸と弗化アンモニウムとを組成比で１：４乃至
１：８の割合で混合した緩衝エッチング液に、組成比で
４０乃至５０％のエチレングリコールを混合して成るエ
ッチング液。 - （２）アルミニウム配線上に形成されたシリコン酸化膜
又はシリケートガラス膜をウェットエッチングする方法
において、弗酸と弗化アンモニウムとを組成比で１：４
乃至１：８の割合で混合した緩衝エッチング液に、組成
比で４０乃至５０％のエチレングリコールを混合して成
るエッチング液を用いることを特徴とするエッチング方
法。 - （３）シリケートガラス膜は、ＣＶＤ法にて形成された
リン珪酸ガラス膜であることを特徴とする特許請求の範
囲第２項記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28386287A JPH01125831A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | エッチング液及びエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28386287A JPH01125831A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | エッチング液及びエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125831A true JPH01125831A (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=17671134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28386287A Pending JPH01125831A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | エッチング液及びエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01125831A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5281350A (en) * | 1992-08-14 | 1994-01-25 | Tae Hwan Kim | Glass etching composition |
| US5830280A (en) * | 1996-03-15 | 1998-11-03 | Tokyo Electron Limited | Washing liquid for post-polishing and polishing-cleaning method in semiconductor process |
| WO2001009935A1 (de) * | 1999-07-28 | 2001-02-08 | Merck Patent Gmbh | Ätzlösung, flusssäure enthaltend |
-
1987
- 1987-11-10 JP JP28386287A patent/JPH01125831A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5281350A (en) * | 1992-08-14 | 1994-01-25 | Tae Hwan Kim | Glass etching composition |
| US5830280A (en) * | 1996-03-15 | 1998-11-03 | Tokyo Electron Limited | Washing liquid for post-polishing and polishing-cleaning method in semiconductor process |
| WO2001009935A1 (de) * | 1999-07-28 | 2001-02-08 | Merck Patent Gmbh | Ätzlösung, flusssäure enthaltend |
| US7501072B2 (en) | 1999-07-28 | 2009-03-10 | Basf Aktiengesellschaft | Etching solution comprising hydrofluoric acid |
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