JPS6349371B2 - - Google Patents
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- JPS6349371B2 JPS6349371B2 JP53103541A JP10354178A JPS6349371B2 JP S6349371 B2 JPS6349371 B2 JP S6349371B2 JP 53103541 A JP53103541 A JP 53103541A JP 10354178 A JP10354178 A JP 10354178A JP S6349371 B2 JPS6349371 B2 JP S6349371B2
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- Japan
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- aluminum
- etching
- hydrofluoric acid
- oxide film
- film
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- Expired
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法にかかり、更に
詳しくいえば単体の半導体装置、半導体集積回路
装置、更にこれらと薄膜回路装置、厚膜回路装
置、薄膜集積回路装置、厚膜集積回路装置等を組
み合わせて成る混成集積回路装置及び以上の各装
置の大規模集積回路装置等を含む広義の半導体装
置の製法、特にそれらの装置の写真蝕刻法に関す
るものである。
詳しくいえば単体の半導体装置、半導体集積回路
装置、更にこれらと薄膜回路装置、厚膜回路装
置、薄膜集積回路装置、厚膜集積回路装置等を組
み合わせて成る混成集積回路装置及び以上の各装
置の大規模集積回路装置等を含む広義の半導体装
置の製法、特にそれらの装置の写真蝕刻法に関す
るものである。
従来、アルミナのエツチングには弗酸系水溶液
が用いられている。しかし、たとえば、１：50の
弗酸水溶液を用いてシリコン基板１上に被着した
アルミニウム３上に形成したアルミナ４を選択エ
ツチングする場合（第１図ａ）アルミニウム−シ
リコン及びエツチング液による局部電池形成が行
なわれ、アルミニウムの溶解が生じる（第１図
ｂ）。このためエツチング時間、エツチング液温
度、エツチング液組成、エツチング後の水洗処理
等は、非常にきびしい管理下で行なわれているの
が現状である。また、１：６のバツフアード弗酸
を用いた場合は、マスクのエツヂ付近が深くエツ
チングされ、中央部がエツチングされにくいとい
う特異なエツチングプロフアイルを示す（第１図
ｃ）。このようなプロフアイルはアルミニウム−
シリコン及びエツチング液による局部電池形成が
関与していることは明らかである。このため二層
配線のスルホール形成時にアルミニウムの溶解に
よる二層目配線の断線やアルミナが残つたための
スルホール導通不良等の不良を起こしやすく、歩
留の低下、信頼性低下の主要因となつている。
が用いられている。しかし、たとえば、１：50の
弗酸水溶液を用いてシリコン基板１上に被着した
アルミニウム３上に形成したアルミナ４を選択エ
ツチングする場合（第１図ａ）アルミニウム−シ
リコン及びエツチング液による局部電池形成が行
なわれ、アルミニウムの溶解が生じる（第１図
ｂ）。このためエツチング時間、エツチング液温
度、エツチング液組成、エツチング後の水洗処理
等は、非常にきびしい管理下で行なわれているの
が現状である。また、１：６のバツフアード弗酸
を用いた場合は、マスクのエツヂ付近が深くエツ
チングされ、中央部がエツチングされにくいとい
う特異なエツチングプロフアイルを示す（第１図
ｃ）。このようなプロフアイルはアルミニウム−
シリコン及びエツチング液による局部電池形成が
関与していることは明らかである。このため二層
配線のスルホール形成時にアルミニウムの溶解に
よる二層目配線の断線やアルミナが残つたための
スルホール導通不良等の不良を起こしやすく、歩
留の低下、信頼性低下の主要因となつている。
本発明の目的は、上記の事情に鑑みてアルミ溶
解が無くアルミナだけを安定して容易にしかも再
現性良くエツチングできる半導体装置の製造方法
を提供することにある。
解が無くアルミナだけを安定して容易にしかも再
現性良くエツチングできる半導体装置の製造方法
を提供することにある。
本発明は基板上のアルミニウム酸化膜（アルミ
ナ）を選択エツチングするエツチング工程におい
てエツチング液としてエチレングリコールと弗酸
の混合液を使用することを特徴とする。この場合
エチレングリコールと弗酸との重量比は100：１
から５：１が有効である。
ナ）を選択エツチングするエツチング工程におい
てエツチング液としてエチレングリコールと弗酸
の混合液を使用することを特徴とする。この場合
エチレングリコールと弗酸との重量比は100：１
から５：１が有効である。
次に本発明の一実施例を第２図を用いて説明す
る。まず、所定のPN接合を有するケイ素などの
半導体基板１上にアルミニウムを被着し、陽極酸
化法によつて配線形成をする（第２図ａ）。ここ
で、アルミ配線３上のアルミナ４は、陽極酸化す
る際、フオトレジスト５と基板１の密着性を保つ
為には必要不可欠のものである。次にスルホール
開孔のためのフオトレジスト５によるパターニン
グを行なう（第２図ｂ）。アルミナの選択エツチ
ングには、例えば弗酸（10％）、エチレングリコ
ール（90％）の割合の混合液を用いて室温にて数
分間エツチングする（第２図ｃ）。このとき、弗
酸−エチレングリコール混合液は、アルミナ４だ
けをエツチングし、アルミニウム３はほとんどエ
ツチングしないため、多少長くエツチングをして
も、また、多少エツチング液温が変動しても、エ
ツチング深さは変らない。そのため、エツチング
作業条件はかなり幅を持たせることが可能とな
り、さらにスルホール導通不良の危険性の少ない
スルホールが再現性良く形成される。
る。まず、所定のPN接合を有するケイ素などの
半導体基板１上にアルミニウムを被着し、陽極酸
化法によつて配線形成をする（第２図ａ）。ここ
で、アルミ配線３上のアルミナ４は、陽極酸化す
る際、フオトレジスト５と基板１の密着性を保つ
為には必要不可欠のものである。次にスルホール
開孔のためのフオトレジスト５によるパターニン
グを行なう（第２図ｂ）。アルミナの選択エツチ
ングには、例えば弗酸（10％）、エチレングリコ
ール（90％）の割合の混合液を用いて室温にて数
分間エツチングする（第２図ｃ）。このとき、弗
酸−エチレングリコール混合液は、アルミナ４だ
けをエツチングし、アルミニウム３はほとんどエ
ツチングしないため、多少長くエツチングをして
も、また、多少エツチング液温が変動しても、エ
ツチング深さは変らない。そのため、エツチング
作業条件はかなり幅を持たせることが可能とな
り、さらにスルホール導通不良の危険性の少ない
スルホールが再現性良く形成される。
以上の実施例においては、弗酸（10％）、エチ
レングリコール（90％）の混合液を用いた場合に
ついて述べているが本発明の技術的範囲は、上記
実施例に限定されるものではなくエチレングリコ
ールと弗酸の混合液を重量比100：１から５：１
まで及ぶものである。
レングリコール（90％）の混合液を用いた場合に
ついて述べているが本発明の技術的範囲は、上記
実施例に限定されるものではなくエチレングリコ
ールと弗酸の混合液を重量比100：１から５：１
まで及ぶものである。
第１図ａおよび第１図ｂ、ならびに第１図ａお
よび第１図ｃはそれぞれ従来技術の半導体装置の
製造方法を示す断面図である。第２図ａ乃至第２
図ｃは本発明の一実施例を工程順に示す断面図で
ある。 尚、図において、１……半導体基板、２……シ
リコン酸化膜、３……アルミニウム、４……アル
ミニウム酸化膜（アルミナ）、５……フオトレジ
ストである。
よび第１図ｃはそれぞれ従来技術の半導体装置の
製造方法を示す断面図である。第２図ａ乃至第２
図ｃは本発明の一実施例を工程順に示す断面図で
ある。 尚、図において、１……半導体基板、２……シ
リコン酸化膜、３……アルミニウム、４……アル
ミニウム酸化膜（アルミナ）、５……フオトレジ
ストである。
Claims (1)
- １ 半導体もしくは絶縁体の基板に設けられたア
ルミニウム膜上のアルミニウム酸化膜に選択エツ
チングを行い該アルミニウム膜の表面に達する開
孔を該アルミニウム酸化膜に形成するに際して、
アルミニウム酸化膜を優勢的にエツチングしかつ
アルミニウム膜をほとんどエツチングしない液と
してエチレングリコールと弗酸との重量比が
100：１から５：１の液をエツチング液として用
いて前記選択エツチングを行うことを特徴とする
半動体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10354178A JPS5530826A (en) | 1978-08-24 | 1978-08-24 | Method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10354178A JPS5530826A (en) | 1978-08-24 | 1978-08-24 | Method of manufacturing semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5530826A JPS5530826A (en) | 1980-03-04 |
| JPS6349371B2 true JPS6349371B2 (ja) | 1988-10-04 |
Family
ID=14356694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10354178A Granted JPS5530826A (en) | 1978-08-24 | 1978-08-24 | Method of manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5530826A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03114784U (ja) * | 1990-03-08 | 1991-11-26 | ||
| JPH07112754A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-05-02 | Aroinsu Keshohin:Kk | 流動物抽出容器 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088839B2 (ja) * | 1990-07-25 | 1996-01-31 | フジッコ株式会社 | 納豆の製法 |
| US5820770A (en) | 1992-07-21 | 1998-10-13 | Seagate Technology, Inc. | Thin film magnetic head including vias formed in alumina layer and process for making the same |
| US5326429A (en) * | 1992-07-21 | 1994-07-05 | Seagate Technology, Inc. | Process for making studless thin film magnetic head |
| DE19935446A1 (de) | 1999-07-28 | 2001-02-01 | Merck Patent Gmbh | Ätzlösung, Flußsäure enthaltend |
| TWI282814B (en) * | 2002-09-13 | 2007-06-21 | Daikin Ind Ltd | Etchant and etching method |
-
1978
- 1978-08-24 JP JP10354178A patent/JPS5530826A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03114784U (ja) * | 1990-03-08 | 1991-11-26 | ||
| JPH07112754A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-05-02 | Aroinsu Keshohin:Kk | 流動物抽出容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5530826A (en) | 1980-03-04 |
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