JPS6046023A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6046023A JPS6046023A JP15387483A JP15387483A JPS6046023A JP S6046023 A JPS6046023 A JP S6046023A JP 15387483 A JP15387483 A JP 15387483A JP 15387483 A JP15387483 A JP 15387483A JP S6046023 A JPS6046023 A JP S6046023A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製法に関し、電極層形成の改良に
関するものである。
関するものである。
半導体素子形成時には、一般的に拡散層形成時の絶縁膜
として酸化膜が使用されている。しかしながら、品物性
安定化のために電極金属形成前に酸化膜上に窒化膜を形
成する方法が採用されている。窒化膜は安定な性質を有
しておシ、耐薬品性及び耐不純物性に優れている。しか
しながら加工性が酸化膜に比べて悪く又製造丁稚も複雑
になる等の弊害がある。
として酸化膜が使用されている。しかしながら、品物性
安定化のために電極金属形成前に酸化膜上に窒化膜を形
成する方法が採用されている。窒化膜は安定な性質を有
しておシ、耐薬品性及び耐不純物性に優れている。しか
しながら加工性が酸化膜に比べて悪く又製造丁稚も複雑
になる等の弊害がある。
これに比べ、窒化膜を電解液中で陽極酸化をおこなうこ
とによシ半導体基板上の窒化膜のみが酸化されて酸化膜
に変化する。また酸化膜上の窒化膜はそのままであシ選
択的に陽極酸化が施される。
とによシ半導体基板上の窒化膜のみが酸化されて酸化膜
に変化する。また酸化膜上の窒化膜はそのままであシ選
択的に陽極酸化が施される。
前述のように窒化膜は耐薬品性があり、従って陽極酸化
された領域の酸化膜のみを薬品で選択的に除去すること
娘容易である。しかしながら、このことは、拡散工程で
使用された酸化膜をも蝕刻する。この結果、蝕刻後の断
面はオーパーツ・ングしたいわゆるアンダーエッチ状態
になる。これによシ、拡散接合部が露出した場合はこの
後形成する金属層によシ特性短絡いわゆるショートにな
る。
された領域の酸化膜のみを薬品で選択的に除去すること
娘容易である。しかしながら、このことは、拡散工程で
使用された酸化膜をも蝕刻する。この結果、蝕刻後の断
面はオーパーツ・ングしたいわゆるアンダーエッチ状態
になる。これによシ、拡散接合部が露出した場合はこの
後形成する金属層によシ特性短絡いわゆるショートにな
る。
これを解決するため、例えは、酸化膜の蝕刻時間の一定
化及び蝕刻液の混合比の管理化が考えられるが、酸化膜
厚のバシッキ等にょシ完全に解決することは困難であっ
た。
化及び蝕刻液の混合比の管理化が考えられるが、酸化膜
厚のバシッキ等にょシ完全に解決することは困難であっ
た。
本発明の目的は上記欠点を解決するためになされたもの
で、拡散工程で形成される酸化膜に段差を生じさせるこ
とにょシ、陽極酸化にょル窒化膜が変化した酸化膜の蝕
刻によるアンダーエッチを防止して拡散接合部を露出し
ないようにしたことを％徴とする。
で、拡散工程で形成される酸化膜に段差を生じさせるこ
とにょシ、陽極酸化にょル窒化膜が変化した酸化膜の蝕
刻によるアンダーエッチを防止して拡散接合部を露出し
ないようにしたことを％徴とする。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳しく説明す
る。
る。
第１図乃至第８図は本発明の一実施例を工程順に沿って
示したものである。まず、第１図に示すように拡散接合
部２が形成された半導体基板１上に絶縁膜３を形成する
。本実施例では酸化膜を形成した。その後、第２図のよ
うに、感光性樹脂４を用いて、接合部２に近接して所望
部のみ選択的に開口部５を設け、これをマスクとして開
口部５の酸化膜３のみを選択的に蝕刻して半導体基板面
１を露出する。
示したものである。まず、第１図に示すように拡散接合
部２が形成された半導体基板１上に絶縁膜３を形成する
。本実施例では酸化膜を形成した。その後、第２図のよ
うに、感光性樹脂４を用いて、接合部２に近接して所望
部のみ選択的に開口部５を設け、これをマスクとして開
口部５の酸化膜３のみを選択的に蝕刻して半導体基板面
１を露出する。
しかるのち、第３図に示すように、開口部５をと
含磨かつそれよシも大きな開口部５′を有する感光性樹
脂４′を形成する。しかるのち、開口部５′をマスクと
して酸化膜３を蝕刻するが、この場合酸化膜３を全面蝕
刻せず、途中で蝕刻を中止する。本実施例では、弗酸系
の蝕刻液を使用して約８分間を要した。これに対して鵡
１の開口部５をマスクとした蝕刻時間は約１０分間であ
る、これによシ、第４図に示す様な段差をもった酸化膜
３が得られる。
脂４′を形成する。しかるのち、開口部５′をマスクと
して酸化膜３を蝕刻するが、この場合酸化膜３を全面蝕
刻せず、途中で蝕刻を中止する。本実施例では、弗酸系
の蝕刻液を使用して約８分間を要した。これに対して鵡
１の開口部５をマスクとした蝕刻時間は約１０分間であ
る、これによシ、第４図に示す様な段差をもった酸化膜
３が得られる。
しかるのち、第５図に示すように、窒化膜６を例えば０
１μ程度通常の方法で形成する。本実施例ではＬＰｃＶ
Ｄを用いて形成した。この状態で、電解液（本実施例で
はエチレングリコールとホウ酸アンモニウムの混合液）
中で陽極酸化をおこなう。電圧は約１００Ｖで、酸化時
間は約４０分である。これにより、第６図に示すように
、半導体基板１上に形成された窒化膜領域のみが酸化さ
れ酸化膜６′となる。この酸化膜６′は容易に薬品で蝕
１刻される。本実施例では弗酸及び弗化アンモニウム
が１対６の混合液を使用し、２分間の蝕刻をおこなった
。これにょシ、陽極酸化された酸化膜６′のみが蝕刻さ
れ第７図に示す構造となる。
１μ程度通常の方法で形成する。本実施例ではＬＰｃＶ
Ｄを用いて形成した。この状態で、電解液（本実施例で
はエチレングリコールとホウ酸アンモニウムの混合液）
中で陽極酸化をおこなう。電圧は約１００Ｖで、酸化時
間は約４０分である。これにより、第６図に示すように
、半導体基板１上に形成された窒化膜領域のみが酸化さ
れ酸化膜６′となる。この酸化膜６′は容易に薬品で蝕
１刻される。本実施例では弗酸及び弗化アンモニウム
が１対６の混合液を使用し、２分間の蝕刻をおこなった
。これにょシ、陽極酸化された酸化膜６′のみが蝕刻さ
れ第７図に示す構造となる。
しかるのち１例えば蒸着法等を用いて金ｊ＃ｇ層を形成
し、感光性樹脂を使用してｐＪＴ望のパターン形成を施
して電極部７を形成したものが第８図である。
し、感光性樹脂を使用してｐＪＴ望のパターン形成を施
して電極部７を形成したものが第８図である。
本方法を採用することにょシ、前述した拡散接合部２の
露出を防止することができ、特性の大幅改善を期待する
ことができる。
露出を防止することができ、特性の大幅改善を期待する
ことができる。
なお、本実施例では、酸化膜の蝕刻を弗酸系の液を所用
して実施したが、これに限らず例えばプラズマを用いた
いわゆるドライ法で蝕刻をおこなっても十分ｉ」能であ
る。
して実施したが、これに限らず例えばプラズマを用いた
いわゆるドライ法で蝕刻をおこなっても十分ｉ」能であ
る。
第１図乃至第８図は本発明の一実施例を説明するための
各工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・拡散接合部
、３・・・・・・酸化膜、４・・・・・・感光性樹脂、
５．５’・川・・開口部、６・・・・・・窒化膜、６′
・・・・・・陽極酸化された窒化膜（二酸化膜）、７・
・・・・・電極全域。
各工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・拡散接合部
、３・・・・・・酸化膜、４・・・・・・感光性樹脂、
５．５’・川・・開口部、６・・・・・・窒化膜、６′
・・・・・・陽極酸化された窒化膜（二酸化膜）、７・
・・・・・電極全域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体上に形成された該半導体の酸化膜を選択的に除去
して前記半導体の一部を露出する工程と。 その露出した部分の面積よりも大きな面積の開口をマス
クにして前記酸化膜をその途中まで除去する工程と、前
記半導体の窒化膜を前記酸化膜および前記露出する半導
体上に形成する工程と、前記半導体の無出部分上にある
窒化膜を酸化膜に変換する工程とを有することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15387483A JPS6046023A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15387483A JPS6046023A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046023A true JPS6046023A (ja) | 1985-03-12 |
Family
ID=15571995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15387483A Pending JPS6046023A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046023A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9838907B2 (en) | 2011-12-30 | 2017-12-05 | Xi'an Zhongxing New Software Co. Ltd. | Methods and devices for transmitting frame in network |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP15387483A patent/JPS6046023A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9838907B2 (en) | 2011-12-30 | 2017-12-05 | Xi'an Zhongxing New Software Co. Ltd. | Methods and devices for transmitting frame in network |
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