JPH0358414A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0358414A JPH0358414A JP19501189A JP19501189A JPH0358414A JP H0358414 A JPH0358414 A JP H0358414A JP 19501189 A JP19501189 A JP 19501189A JP 19501189 A JP19501189 A JP 19501189A JP H0358414 A JPH0358414 A JP H0358414A
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に電極引き出
し部におけるコンタクト開口部の形成方法に関する． 〔従来の技術〕 従来の宇宙衛星等に用いられる半導体装置の製造方法に
ついて第３図を用いて説明する。
し部におけるコンタクト開口部の形成方法に関する． 〔従来の技術〕 従来の宇宙衛星等に用いられる半導体装置の製造方法に
ついて第３図を用いて説明する。
まず第３図（ａ）に示すように、半導体基板１に素子形
成用の拡散層２を形成したのち熱酸化し、全面に薄い熱
酸化Ｍ３を形成する．その後ＣＶＤ法で窒化ケイ素ＪＩ
ｌ４を戒長させた後に熱酸化膜３と窒化ケイ素膜４とを
エッチングし、拡散層２とＡ１電極とのコンタクト用の
第１の開口部１６を形成する． 次に第３図（ｂ）に示すように、必要十分なフィールド
膜厚を有するように、適当な膜厚の酸化Ｗｊ４５をＣＶ
Ｄ法で或長させる． 次に第３図（ｃ）に示すように、酸化膜５をバターニン
グし、第１の開口部１６上に第２の開口部ｌ７を形成す
る。以下全面にＡｎ膜を形成後、パターニングして拡散
層２に接続するＡ１電極を形成する． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の半導体装置の製造方法においては、拡散
層２が形成された半導体基板上の薄い熱酸化膜３とＣＶ
Ｄ法で形戒された窒化ケイ素膜４とを各々エッチングし
て第１の開口部１６を形成し、その後ＣＶＤ法により形
成された酸化膜をエッチングして第２の開口部１７を形
成し、これらの開口部内にＡｆｆｌ膜を埋め、拡散層と
アルミ電極とのコンタクトを確保してきたが、第２の開
口部形成時に、第３図（ｃ）に示したように、第１の開
口部内の熱酸化膜３の一部分がサイドエッチングにより
広くなり、ＣＶＤ法で戒長した窒化ケイ素膜の下にす１
０が形成される。このため、このす１０の部分にエッチ
ング液等が残留し、組立て工程での熱処理工程において
、その残留物が気化する為に体積が膨張し、コンタクト
部分での外観異常と信頼性上の問題を引き起すという欠
点があった。
成用の拡散層２を形成したのち熱酸化し、全面に薄い熱
酸化Ｍ３を形成する．その後ＣＶＤ法で窒化ケイ素ＪＩ
ｌ４を戒長させた後に熱酸化膜３と窒化ケイ素膜４とを
エッチングし、拡散層２とＡ１電極とのコンタクト用の
第１の開口部１６を形成する． 次に第３図（ｂ）に示すように、必要十分なフィールド
膜厚を有するように、適当な膜厚の酸化Ｗｊ４５をＣＶ
Ｄ法で或長させる． 次に第３図（ｃ）に示すように、酸化膜５をバターニン
グし、第１の開口部１６上に第２の開口部ｌ７を形成す
る。以下全面にＡｎ膜を形成後、パターニングして拡散
層２に接続するＡ１電極を形成する． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の半導体装置の製造方法においては、拡散
層２が形成された半導体基板上の薄い熱酸化膜３とＣＶ
Ｄ法で形戒された窒化ケイ素膜４とを各々エッチングし
て第１の開口部１６を形成し、その後ＣＶＤ法により形
成された酸化膜をエッチングして第２の開口部１７を形
成し、これらの開口部内にＡｆｆｌ膜を埋め、拡散層と
アルミ電極とのコンタクトを確保してきたが、第２の開
口部形成時に、第３図（ｃ）に示したように、第１の開
口部内の熱酸化膜３の一部分がサイドエッチングにより
広くなり、ＣＶＤ法で戒長した窒化ケイ素膜の下にす１
０が形成される。このため、このす１０の部分にエッチ
ング液等が残留し、組立て工程での熱処理工程において
、その残留物が気化する為に体積が膨張し、コンタクト
部分での外観異常と信頼性上の問題を引き起すという欠
点があった。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に拡散層
を形成する工程と、前記拡散層を含む全面に第１，第２
及び第３の絶縁膜を順次形成する工程と、拡散層上部の
前記第３の絶縁膜をエッチングして第１の開口部を形戊
する工程と、前記第１の開口部内の前記第２及び第１の
絶縁膜をエッチングし前記拡散層を露出するか、もしく
は前記第１の開口部内の前記第２の絶縁膜をエッチング
して第１の開口部より面積の小さい第２の開口部を形威
し次で第２の開口部内の前記第１の絶縁膜をエッチング
し第２の開口部より面積の小さい第３の開口部を形成し
前記拡散層を露出する工程とを含んで構成される。
を形成する工程と、前記拡散層を含む全面に第１，第２
及び第３の絶縁膜を順次形成する工程と、拡散層上部の
前記第３の絶縁膜をエッチングして第１の開口部を形戊
する工程と、前記第１の開口部内の前記第２及び第１の
絶縁膜をエッチングし前記拡散層を露出するか、もしく
は前記第１の開口部内の前記第２の絶縁膜をエッチング
して第１の開口部より面積の小さい第２の開口部を形威
し次で第２の開口部内の前記第１の絶縁膜をエッチング
し第２の開口部より面積の小さい第３の開口部を形成し
前記拡散層を露出する工程とを含んで構成される。
以下図面を参照して本発明を説明する。
第ｌ図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための半導体チップの断面図である． まず第１図（ａ）に示すように、シリコン等からなる半
導体基板１に拡散層２がらなる素子を形成したのち、熱
酸化によりその表面に薄い熱酸化Ｍ３を１００〜３００
Ａの厚さに成長する．次に第１図（ｂ）に示すように、
その上にＣＶＤ法により窒化ケイ素膜４を約１００ＯＡ
の厚さに或長させ、次で第１図（ｃ）に示す様に、必要
十分なフィールド膜厚を有するように適当な膜厚、例え
ば約５ ０ ０ ＯＡの酸化膜５をＣＶＤ法にて成長さ
せる． 次に第１図（ｄ）に示す様に、酸化膜５をエッチングし
て第１の開口部６を形成し窒化ケイ素膜４を露出させる
。最後に第１図（，ｅ）に示す様に、第１の開口部６内
の窒化ケイ素膜４と熱酸化ＪＩＳ ３を異方性エッチン
グ法により同時にツチングし、拡散層２を露出させコン
タクト開口部の形成が完了する。
るための半導体チップの断面図である． まず第１図（ａ）に示すように、シリコン等からなる半
導体基板１に拡散層２がらなる素子を形成したのち、熱
酸化によりその表面に薄い熱酸化Ｍ３を１００〜３００
Ａの厚さに成長する．次に第１図（ｂ）に示すように、
その上にＣＶＤ法により窒化ケイ素膜４を約１００ＯＡ
の厚さに或長させ、次で第１図（ｃ）に示す様に、必要
十分なフィールド膜厚を有するように適当な膜厚、例え
ば約５ ０ ０ ＯＡの酸化膜５をＣＶＤ法にて成長さ
せる． 次に第１図（ｄ）に示す様に、酸化膜５をエッチングし
て第１の開口部６を形成し窒化ケイ素膜４を露出させる
。最後に第１図（，ｅ）に示す様に、第１の開口部６内
の窒化ケイ素膜４と熱酸化ＪＩＳ ３を異方性エッチン
グ法により同時にツチングし、拡散層２を露出させコン
タクト開口部の形成が完了する。
このように第１の本実施例によれば、窒化ケイ素ＩＩＩ
４と熱酸化膜３を同時にエッチングするため、従来の
ようにすが形成されることはない。
４と熱酸化膜３を同時にエッチングするため、従来の
ようにすが形成されることはない。
第２図は本発明の第２の実施例を説明するための半導体
チップの断面図である． この第２の実施例においては、前工程が第１図（ａ）〜
（ｄ）と同一である。すなわちＣＶＤ法による酸化膜５
に第１の開口部６を形戒したのち、この第１の開口部６
内の窒化ケイ素膜４をエッチングして第１の開口部より
面積の小さい第２の開口部７Ａを形成し、次にこの第２
開口部７Ａ内の熱酸化膜３をエッチングし第２の開口部
７Ａより面積の小さい第３の開口部８を形成する。
チップの断面図である． この第２の実施例においては、前工程が第１図（ａ）〜
（ｄ）と同一である。すなわちＣＶＤ法による酸化膜５
に第１の開口部６を形戒したのち、この第１の開口部６
内の窒化ケイ素膜４をエッチングして第１の開口部より
面積の小さい第２の開口部７Ａを形成し、次にこの第２
開口部７Ａ内の熱酸化膜３をエッチングし第２の開口部
７Ａより面積の小さい第３の開口部８を形成する。
このように第２の実施例によれば、コンタクト用の開口
部が階段状に形成されるため、この内に形成されるＡｆ
ｆｌ膜のカバレッジが良好になるという利点がある． 〔発明の効果〕 以上説明した様に本発明は、第３の絶縁膜に第１の開口
部を形成したのち、この第１の開口部内の第２及び第１
の絶縁膜を同時にエッチングし第２の開口部を形成する
か、又は各絶縁膜を別々にエッチングし階段状の開口部
を形成することにより、従来例のようにすが発生するこ
とがないため、組立て工程で熱処理を行なっていてもコ
ンタクト部分での外観異常が防止でき、信頼性も向上ず
るという効果がある。
部が階段状に形成されるため、この内に形成されるＡｆ
ｆｌ膜のカバレッジが良好になるという利点がある． 〔発明の効果〕 以上説明した様に本発明は、第３の絶縁膜に第１の開口
部を形成したのち、この第１の開口部内の第２及び第１
の絶縁膜を同時にエッチングし第２の開口部を形成する
か、又は各絶縁膜を別々にエッチングし階段状の開口部
を形成することにより、従来例のようにすが発生するこ
とがないため、組立て工程で熱処理を行なっていてもコ
ンタクト部分での外観異常が防止でき、信頼性も向上ず
るという効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）及び第２図は本発明の第１及び第
２の実施例を説明するための半導体チップの断面図、第
３図（ａ）〜（ｃ）は従来例を説明するための半導体チ
ップの断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・拡散層、３・・・熱酸化
膜、４・・・窒化ケイ素膜、５・・・酸化膜、６，１６
・・・第１の開口部、７．７Ａ，１７・・・第２の開口
部、８・・・第３の開口部、１０・・・す。
２の実施例を説明するための半導体チップの断面図、第
３図（ａ）〜（ｃ）は従来例を説明するための半導体チ
ップの断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・拡散層、３・・・熱酸化
膜、４・・・窒化ケイ素膜、５・・・酸化膜、６，１６
・・・第１の開口部、７．７Ａ，１７・・・第２の開口
部、８・・・第３の開口部、１０・・・す。
Claims (1)
- 半導体基板に拡散層を形成する工程と、前記拡散層を含
む全面に第１、第２及び第３の絶縁膜を順次形成する工
程と、拡散層上部の前記第３の絶縁膜をエッチングして
第１の開口部を形成する工程と、前記第１の開口部内の
前記第２及び第１の絶縁膜をエッチングし前記拡散層を
露出するか、もしくは前記第１の開口部内の前記第２の
絶縁膜をエッチングして第１の開口部より面積の小さい
第２の開口部を形成し次で第２の開口部内の前記第１の
絶縁膜をエッチングし第２の開口部より面積の小さい第
３の開口部を形成し前記拡散層を露出する工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19501189A JPH0358414A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19501189A JPH0358414A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0358414A true JPH0358414A (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=16334051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19501189A Pending JPH0358414A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0358414A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06185098A (ja) * | 1992-11-09 | 1994-07-05 | Takemura Seisakusho:Kk | 水道管凍結防止装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60192330A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-09-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6190460A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS622654A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0124861B2 (ja) * | 1981-04-30 | 1989-05-15 | Nippon Steel Corp |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP19501189A patent/JPH0358414A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0124861B2 (ja) * | 1981-04-30 | 1989-05-15 | Nippon Steel Corp | |
| JPS60192330A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-09-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6190460A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS622654A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06185098A (ja) * | 1992-11-09 | 1994-07-05 | Takemura Seisakusho:Kk | 水道管凍結防止装置 |
| JP2515677B2 (ja) * | 1992-11-09 | 1996-07-10 | 株式会社竹村製作所 | 水道管凍結防止装置 |
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