JPS6190460A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6190460A
JPS6190460A JP21285384A JP21285384A JPS6190460A JP S6190460 A JPS6190460 A JP S6190460A JP 21285384 A JP21285384 A JP 21285384A JP 21285384 A JP21285384 A JP 21285384A JP S6190460 A JPS6190460 A JP S6190460A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
layer
contact aperture
aperture part
insulation layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21285384A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Hizaki
桧崎　浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6190460A publication Critical patent/JPS6190460A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は特に、半導体層上に設けらＡ７’（コアタクト
穴の構造に関する。
（従来の技術） 従来の半導体装置における半導体素子領域と配線層との
接続は、第２図に示すように、半導体層４内に例えば抵
抗として形成された拡散層２の一部を露出するように絶
縁層３にコアタクト穴を設け、これを介して配線ｌを接
続しているが、絶縁層３が厚く、コンタクト開口部は一
段構造である。
（発明が解決しようとする問題点） このように、コンタクト開口部が一段構造であり、絶縁
層３の厚さが厚いと、配線ｌが第１図の様に段切れを生
じ易くなり、配線１の電気的寿命が低下する原因となる
。
（問題点を解決する九めの手段） 本発明はコンタクト開口部の絶縁層を同一材質で階段構
造としたことを特徴とする。
（作用） コンタクト開口部の絶縁層を同一材質で階段構造とする
事により、コンタクト開口部の配線がなだらかになり、
段切れを生じなくなる。
（冥流側） 第１図に基づき本発明の一実施例について説明する。
半導体層１０に例えば抵抗として拡散層６が形成されて
おり、同層６と配線５とを接続するためのコンタクト開
口部は、複数の絶ｉ層７．ｓ、９で形成され、第１絶縁
層９から第３絶縁層７と順にコンタクト開口部の大きさ
を広げる事で階段構造を形成する。各絶縁層７，８．９
は同一材質、例えばシリコン酸化膜でなる。
この例では、層？、８．９ｆｔ順々に積層して階段状の
コンタクト穴を形成したが、所定厚さのシリコン酸化膜
をまず形成し、その後、最初大きく途中迄開口し、順に
小さく開口して拡散層６迄開口する事で階段構造を形成
してもよい。
上記の方法等によりコンタクト開口部の絶縁層を階段構
造とする事によりコンタクト開口部の配線５がなだらか
になる。これにより配線５０段切れを生じなくなる。
（発明の効果） 以上のとおり、配線の段切れを生じなくなる為、従来の
半導体装置よりもコンタクト開口部の配線強度が向上す
る。
本発明は、拡散層とのコンタクト部のみでなく、多層配
線における層間絶縁膜に対しても適用でき。
層間配線の強度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の断面図、
第２図は従来例を示す半導体装置の断面図である。 ｌ・・・・・・配線（Ａｎ、２・・・・・・拡散層（抵
抗）、３・・・・・・絶縁層、４・・・・・・拡散層、
５・・・用配線（人１）、６・・・・・・拡散層（抵抗
）、７・・・・・・第３シリコン酸化層、８・・・・・
・第２シリコン酸化層、９・・・・・・第１シリコノ酸
化層％　１０・・・・・・拡散層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体層上を覆う同一材質の絶縁層に階段構造のコン
    タクト開口部が設けられている事を特徴とする半導体装
    置。
JP21285384A 1984-10-11 1984-10-11 半導体装置 Pending JPS6190460A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0358414A (ja) * 1989-07-26 1991-03-13 Nec Yamagata Ltd 半導体装置の製造方法
JP2006126255A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Mitsubishi Electric Corp 電気光学装置、液晶表示装置及びそれらの製造方法

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JPH0358414A (ja) * 1989-07-26 1991-03-13 Nec Yamagata Ltd 半導体装置の製造方法
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