JPS59940A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS59940A JPS59940A JP10853282A JP10853282A JPS59940A JP S59940 A JPS59940 A JP S59940A JP 10853282 A JP10853282 A JP 10853282A JP 10853282 A JP10853282 A JP 10853282A JP S59940 A JPS59940 A JP S59940A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductor layer
- opening
- conductor
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−（２発明の技術分野）
’Ｊｒ、、１．１
（背景技術とその問題点）
半導体装置が高集積化し、かつ微細化が進行してくると
、従来のように半導体基板の表面又はその近傍にだけに
素子を形成した、いわゆる２次元装置にかわって、素子
を何層にも重ねて立体的に構成する３次元装置が用いら
れるようになってくる。
、従来のように半導体基板の表面又はその近傍にだけに
素子を形成した、いわゆる２次元装置にかわって、素子
を何層にも重ねて立体的に構成する３次元装置が用いら
れるようになってくる。
３次元装置においては、層状に形成した素子間・を絶縁
する絶縁層を０５μｍから２１１ｍ程度にまで厚く）シ
て素子間の相互作用を減少させる必要がある。
する絶縁層を０５μｍから２１１ｍ程度にまで厚く）シ
て素子間の相互作用を減少させる必要がある。
しかし、このように厚い絶縁層を形成すると、素子間の
電気的接続が困難になるという問題がある。
電気的接続が困難になるという問題がある。
即ち、厚い絶縁層に開口部をもうけて、下層にある素子
との電気的接続を金属導体によシ行なおうとした場合に
は、絶縁層上に被着した金属導体が、開口部で段切れを
起こしてしまって電気的接続がなさ゛れないという問題
が発生する。
との電気的接続を金属導体によシ行なおうとした場合に
は、絶縁層上に被着した金属導体が、開口部で段切れを
起こしてしまって電気的接続がなさ゛れないという問題
が発生する。
、（発明の目的）
この発明の目的は、素子間分離に厚い絶縁層を−いても
、後続の工程で前述した段切れを起こすことなく素子間
の電気的接続を可能とする半導体装置の製造方法を提供
するにある。
、後続の工程で前述した段切れを起こすことなく素子間
の電気的接続を可能とする半導体装置の製造方法を提供
するにある。
（発明の概要）
この発明は、上記目的を達成するために、半導体基板表
面に絶縁層を被着し、所望の位置に開口部を設ける第１
の工程と、この開口部を埋めて導体層を被着した後に前
記開口部にはこの導体層を、残、して他の導体層を除去
する第２の工程とをそな゛１猟ト前記第１の工程と第２
の工程とを所望の回数１１呻繰返し実施した後に配線層
を被着するようにｄたもので、以下図面に基づいてその
実施例を詳細に説明する。
面に絶縁層を被着し、所望の位置に開口部を設ける第１
の工程と、この開口部を埋めて導体層を被着した後に前
記開口部にはこの導体層を、残、して他の導体層を除去
する第２の工程とをそな゛１猟ト前記第１の工程と第２
の工程とを所望の回数１１呻繰返し実施した後に配線層
を被着するようにｄたもので、以下図面に基づいてその
実施例を詳細に説明する。
（発明の実施例）
第１図は、この発明の実施の態様を示す工程説明図であ
る。
る。
まず第１図（荀に示すように、半導体基板１０の表面に
絶縁層２１を被着する。その後周知の写真蝕刻技術を用
いて電気的接続部を形成すべき場所に、開口部３１を形
成する。ここまでの工程を便宜上第１の工程と呼ぶこと
にする。次に、第１図（ｂ）に示すようにこの開口部３
１を埋めるようにしながら絶縁層２１の表面に導体層４
１を全面蒸着し１、その後に開口部３ノの部分にこの導
体層４ノを残し他の部分の導体層は除去する。この工程
を以下、第２の工程と第１の工程とを絶縁層の厚さが所
望の厚さに達するまで繰返し実施する。
絶縁層２１を被着する。その後周知の写真蝕刻技術を用
いて電気的接続部を形成すべき場所に、開口部３１を形
成する。ここまでの工程を便宜上第１の工程と呼ぶこと
にする。次に、第１図（ｂ）に示すようにこの開口部３
１を埋めるようにしながら絶縁層２１の表面に導体層４
１を全面蒸着し１、その後に開口部３ノの部分にこの導
体層４ノを残し他の部分の導体層は除去する。この工程
を以下、第２の工程と第１の工程とを絶縁層の厚さが所
望の厚さに達するまで繰返し実施する。
第２図は、このようにして第１の工程と第２の工程とを
繰返し実施して、同一箇所に開口部を有する絶縁層２１
，２２．２３からなる絶縁層２０と、その開口部を埋め
る形で残存する導体層４ノ。
繰返し実施して、同一箇所に開口部を有する絶縁層２１
，２２．２３からなる絶縁層２０と、その開口部を埋め
る形で残存する導体層４ノ。
４２からなる導体層４０と、配線層５０とを形成した例
を示したものである。導体層４０と配線層５０には通常
金属が用いられるが、この際ＭｏやＷなどの高融点金属
を用いれば後続の絶縁層の形成を比較的高温で行うこと
が出来る。また金属以外にも不純物をドープした多結晶
シリコンなども同様に使用可能である。
を示したものである。導体層４０と配線層５０には通常
金属が用いられるが、この際ＭｏやＷなどの高融点金属
を用いれば後続の絶縁層の形成を比較的高温で行うこと
が出来る。また金属以外にも不純物をドープした多結晶
シリコンなども同様に使用可能である。
１１１ｉ僧１ト萌の効果）
、”ｒ傾□Ｑ発明では、素子間分離用の厚い絶縁膜を何
Ｊｌ！Ｐ！１．ｐ憔わけて積層し、その都度導体層を被
着するようにしたので、厚い絶縁膜を用いても配線層の
形成時に段切れを起こすこと電気的接続が可能となると
いう利点がある。特に３次元装置の層間接続に用いて有
効である。
Ｊｌ！Ｐ！１．ｐ憔わけて積層し、その都度導体層を被
着するようにしたので、厚い絶縁膜を用いても配線層の
形成時に段切れを起こすこと電気的接続が可能となると
いう利点がある。特に３次元装置の層間接続に用いて有
効である。
第１図はこの発明の一実施例を示す工程別説明図、第２
図はこの発明を実施して出来た半導体装置の断面図であ
る。 １０・・・半導体基板、２０，２１，２２．２３・・・
絶縁層、３１．３２・・・開口部、４０，４１．４２・
・・導体層、５０・・・配線層。
図はこの発明を実施して出来た半導体装置の断面図であ
る。 １０・・・半導体基板、２０，２１，２２．２３・・・
絶縁層、３１．３２・・・開口部、４０，４１．４２・
・・導体層、５０・・・配線層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板表面に形成された絶縁層に開口部を設け、こ
の開口部を埋める導体を介して前記半導体基板と前記絶
縁層表面に被着した配線層とを電気的に接続する半導体
装置の製造方法において、前記半導体基板表面に絶縁層
を被着し、所望の位置に開口部を設ける第１の工程と、
この開口部を埋めて導体層を被着した後に前記開口部に
はこの導体層を残して他の導体層を除去する第２の工程
とをそなえ、前記第１の工程と第２の工程とを所望の回
数だけ繰返し実施した後に前記配線層を７着することを
特徴とする 導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10853282A JPS59940A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10853282A JPS59940A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59940A true JPS59940A (ja) | 1984-01-06 |
Family
ID=14487189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10853282A Pending JPS59940A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59940A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009085842A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Horiba Ltd | 定容量希釈サンプリング装置用バッグ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5555546A (en) * | 1978-10-19 | 1980-04-23 | Toshiba Corp | Method of wiring semiconductor device |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP10853282A patent/JPS59940A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5555546A (en) * | 1978-10-19 | 1980-04-23 | Toshiba Corp | Method of wiring semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009085842A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Horiba Ltd | 定容量希釈サンプリング装置用バッグ |
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