JPS59201478A - ジヨセフソン素子集積回路の製造方法 - Google Patents
ジヨセフソン素子集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPS59201478A JPS59201478A JP58076618A JP7661883A JPS59201478A JP S59201478 A JPS59201478 A JP S59201478A JP 58076618 A JP58076618 A JP 58076618A JP 7661883 A JP7661883 A JP 7661883A JP S59201478 A JPS59201478 A JP S59201478A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting conductor
- conductor
- integrated circuit
- insulator
- element integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明に、ジョセフソン素子集積回路の製造方法に関
するものでりる。
するものでりる。
従来のジョセフソン素子集積回路を第１図に示す。図に
おいて、１１１はたとえばＳｉエクなる基板、＋２１に
たとえばＮｂよＶなる下部超電導導体、（３）は薄い絶
縁膜で、たとえば、下部超電導導体（２）の一部を酸化
して得た酸化膜でるる。＋４１ｒｌｃたとえばＰｂ又は
Ｎｂ工りなる上部超電導導体、＋５１に絶縁体で、下部
超電導導体（２）と上部超電導導体（３）を酸化して得
られたもの、（６）に電極導体、（７）にスルーホール
である。
おいて、１１１はたとえばＳｉエクなる基板、＋２１に
たとえばＮｂよＶなる下部超電導導体、（３）は薄い絶
縁膜で、たとえば、下部超電導導体（２）の一部を酸化
して得た酸化膜でるる。＋４１ｒｌｃたとえばＰｂ又は
Ｎｂ工りなる上部超電導導体、＋５１に絶縁体で、下部
超電導導体（２）と上部超電導導体（３）を酸化して得
られたもの、（６）に電極導体、（７）にスルーホール
である。
次に第１図に示す一ジョセフノン素子集積回路の製造方
法について説明する。第２図に示すように、基板ｔｌｌ
上に下部超電導導体（２）全積層し、この下部超電導導
体（２）の表面全酸化して薄い絶縁膜（３）全形成し、
さらに絶縁膜（３）の上に上部超電導導体１４１全積層
する・この仮、たとえば写真！＃版投技術用いる１ｉｌ
！−により、上部超電導導体１４＋と下部超電導導体（
２）の一部を酸化して第３図に示す絶縁体＋５１を得る
。
法について説明する。第２図に示すように、基板ｔｌｌ
上に下部超電導導体（２）全積層し、この下部超電導導
体（２）の表面全酸化して薄い絶縁膜（３）全形成し、
さらに絶縁膜（３）の上に上部超電導導体１４１全積層
する・この仮、たとえば写真！＃版投技術用いる１ｉｌ
！−により、上部超電導導体１４＋と下部超電導導体（
２）の一部を酸化して第３図に示す絶縁体＋５１を得る
。
吾らに第４図に示す工うに上部層′亀導導坏（４）の、
一部全酸化して、絶縁体（５）を形成する。次に、第５
図に示すように下部超電導導体＋２＋上の絶縁体（５１
の−Ｓにスルーホール（７）をあけた後、下部超電導導
体＋２１及び上部超電導導体（４）にそれぞれ電極導体
（６１全形成し、第６図に示すジョセフソン素子集積回
路を得る。
一部全酸化して、絶縁体（５）を形成する。次に、第５
図に示すように下部超電導導体＋２＋上の絶縁体（５１
の−Ｓにスルーホール（７）をあけた後、下部超電導導
体＋２１及び上部超電導導体（４）にそれぞれ電極導体
（６１全形成し、第６図に示すジョセフソン素子集積回
路を得る。
従来のジョセフソン素子集積回路の製造方法に以上のよ
うな工程を施すため、スルーホール（７）全形成する必
要がるり、多くの工程全必要とするという欠点がろった
０ この発明は上記のよ′）な従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、基板上に下部超電導導体を積層
する工程、この下部超電導導体上に絶縁膜を介在させて
上部超電導導体を積層する工程、下部ｆＰｆｉ電冴導体
が共通となるように絶縁体で上部超電導導体全分離する
工程、分離はれた下部超電導導体にそれぞれ電極導体を
形成する工程を７Ｍして、スルーホールが不安となり、
製造が簡単なジョセフソン素子集積回路の製造方法全提
供することを目的としている〇 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第７
囚に、この発明の製造方法によって得られたジョセフソ
ン素子集積回路を示す。従来と同様に、第３図に示すジ
ョセフソン接合？得た後、下部超電導導体（２）が共通
な状態で、上部超電導導体（４１が分離されるＬうに絶
縁体（８）を形成する。この絶縁体（８）はたとえば上
部超電導導体１４１の一部を酸化して形成したものであ
る。この後に、分離された上部超電導導体ｔ４１にそれ
ぞれ電極導体（６１を形成して、２個のジョセフソン接
合を直列に有するジョセフソン素子集積回路を得ること
ができる。
うな工程を施すため、スルーホール（７）全形成する必
要がるり、多くの工程全必要とするという欠点がろった
０ この発明は上記のよ′）な従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、基板上に下部超電導導体を積層
する工程、この下部超電導導体上に絶縁膜を介在させて
上部超電導導体を積層する工程、下部ｆＰｆｉ電冴導体
が共通となるように絶縁体で上部超電導導体全分離する
工程、分離はれた下部超電導導体にそれぞれ電極導体を
形成する工程を７Ｍして、スルーホールが不安となり、
製造が簡単なジョセフソン素子集積回路の製造方法全提
供することを目的としている〇 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第７
囚に、この発明の製造方法によって得られたジョセフソ
ン素子集積回路を示す。従来と同様に、第３図に示すジ
ョセフソン接合？得た後、下部超電導導体（２）が共通
な状態で、上部超電導導体（４１が分離されるＬうに絶
縁体（８）を形成する。この絶縁体（８）はたとえば上
部超電導導体１４１の一部を酸化して形成したものであ
る。この後に、分離された上部超電導導体ｔ４１にそれ
ぞれ電極導体（６１を形成して、２個のジョセフソン接
合を直列に有するジョセフソン素子集積回路を得ること
ができる。
この発明における集積回路においてぼ、スルーホールＴ
ｈｉける必要がなく、製造工程が簡単ＶＣなった。
ｈｉける必要がなく、製造工程が簡単ＶＣなった。
なお、上記実施例においてに、絶縁膜（３）又に絶縁体
（５）、及び絶縁体（８）を上、下層電導導体１２１．
１４１１ｊＨ酸化して得る例を示したが、他の絶縁体又
は絶縁膜をそう人したりして形成しても、同様の効果が
める０ 以上のように、この発明に工り、ば、ジョセフソン素子
集積回路を、基板上に下部超電導導体全積層する工程、
この下部超電導導体上に絶縁膜を介在させて上部超電導
導体を積層する工程、下部超電導導体が共通となるよう
に絶縁体で上部超電導導体を分離する工程、分離された
上部超電導導体にそれぞれ電極導体全形厄する工程を施
して製造し、ジョセフソン接合ヲ直列に接続して使用で
きるよりＫなっているので、スルーホールをもうける工
程が必要でなくなるため、製造カニ簡単になるという効
果がめる。
（５）、及び絶縁体（８）を上、下層電導導体１２１．
１４１１ｊＨ酸化して得る例を示したが、他の絶縁体又
は絶縁膜をそう人したりして形成しても、同様の効果が
める０ 以上のように、この発明に工り、ば、ジョセフソン素子
集積回路を、基板上に下部超電導導体全積層する工程、
この下部超電導導体上に絶縁膜を介在させて上部超電導
導体を積層する工程、下部超電導導体が共通となるよう
に絶縁体で上部超電導導体を分離する工程、分離された
上部超電導導体にそれぞれ電極導体全形厄する工程を施
して製造し、ジョセフソン接合ヲ直列に接続して使用で
きるよりＫなっているので、スルーホールをもうける工
程が必要でなくなるため、製造カニ簡単になるという効
果がめる。
第１図は従来の製造方法によって得られるジョセフソン
素子集積回路を示す断面図、第２図〜第６図に従来のジ
ョセフソン素子集積回路の製造工程を順に示す断面図、
第７図はこの発明の一実施例による製造方法によって得
られるジョセフソン素子集積回路を示す断面図でめる０ 図において、ｉｌ＋・基板、（２）・・・下部超′Ｉｋ
尋導体、（３）・・・絶縁膜、（４）・・・上部超電導
導体、（６）・・電極導体。 （８）・・・絶縁体を示す０ なシ、図中、同一符号は同−一部に相当部分を示す◎ 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 １ 第：３図 １
素子集積回路を示す断面図、第２図〜第６図に従来のジ
ョセフソン素子集積回路の製造工程を順に示す断面図、
第７図はこの発明の一実施例による製造方法によって得
られるジョセフソン素子集積回路を示す断面図でめる０ 図において、ｉｌ＋・基板、（２）・・・下部超′Ｉｋ
尋導体、（３）・・・絶縁膜、（４）・・・上部超電導
導体、（６）・・電極導体。 （８）・・・絶縁体を示す０ なシ、図中、同一符号は同−一部に相当部分を示す◎ 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 １ 第：３図 １
Claims (1)
- 基板上に下部超電導導体を積層する工程、この下部超電
導導体上に絶縁Ｍｔ−介在させて上部超電導導体を積層
する工程、下部超電導導体が共通となるように絶縁体で
上部超電導導体を分離する工程、分離された上部超電導
等体にそれぞれ電極導体を形成する工程を施すジョセフ
ソン素子集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58076618A JPS59201478A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | ジヨセフソン素子集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58076618A JPS59201478A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | ジヨセフソン素子集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201478A true JPS59201478A (ja) | 1984-11-15 |
Family
ID=13610334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58076618A Pending JPS59201478A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | ジヨセフソン素子集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59201478A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6279684A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-13 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン集積回路の製造方法 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58076618A patent/JPS59201478A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6279684A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-13 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン集積回路の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2084394A1 (en) | Superconducting Multilayer Interconnection Formed of Oxide Superconductor Material and Method for Manufacturing the Same | |
| KR900008665A (ko) | 고밀도 반도체 구조물 및 그의 제작방법 | |
| US5071832A (en) | Field effect type josephson transistor | |
| JPS59201478A (ja) | ジヨセフソン素子集積回路の製造方法 | |
| JPS6146081A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JPS6070743A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58213449A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH03142966A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6257263A (ja) | ジヨセフソン集積回路の製造方法 | |
| JPH0247862A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0290668A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6386455A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2989943B2 (ja) | 超電導集積回路の製造方法 | |
| JPS6347952A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63244756A (ja) | 多層配線構造 | |
| JPS5931216B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5885550A (ja) | 積層集積回路素子の製造方法 | |
| JPS6164178A (ja) | 超伝導回路の製法 | |
| JPS5889877A (ja) | 超伝導回路装置 | |
| JPS6024049A (ja) | 三次元集積回路装置 | |
| JPS6190460A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61230360A (ja) | Ｐｒｏｍ素子の製造方法 | |
| JPS61232672A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH01162358A (ja) | 積層構造ｍｉｓ型半導体装置形成方法 | |
| JPS5889875A (ja) | ジヨセフソン集積回路 |