JPS63276243A - 酸化物超電導体配線構造 - Google Patents
酸化物超電導体配線構造Info
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- JPS63276243A JPS63276243A JP62110572A JP11057287A JPS63276243A JP S63276243 A JPS63276243 A JP S63276243A JP 62110572 A JP62110572 A JP 62110572A JP 11057287 A JP11057287 A JP 11057287A JP S63276243 A JPS63276243 A JP S63276243A
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- Japan
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- conductor
- insulating layer
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- wiring
- oxide superconducting
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- Pending
Links
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Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は酸化物超電導体を薄膜配線として用いた配線構
造に係り、特に、半導体素子の多層配線や多層配線基体
に好適な配線構造に関する。
造に係り、特に、半導体素子の多層配線や多層配線基体
に好適な配線構造に関する。
従来、半導体素子や多層配線基体の配線にはＡＱやＣｕ
などの金属が用いられているが、配線の微細化に伴って
配線抵抗が増加し、配線遅延がデバイス或いは装置全体
の高速化を阻げている。
などの金属が用いられているが、配線の微細化に伴って
配線抵抗が増加し、配線遅延がデバイス或いは装置全体
の高速化を阻げている。
これを解決する方法として配線材料に超電導体を用いる
ことが産業図書発行の「超電導とその応用」（昭６１−
５発行）の２１６２に記載されている。
ことが産業図書発行の「超電導とその応用」（昭６１−
５発行）の２１６２に記載されている。
上記に用いられる超電導材料としてペロブスカイト型金
属酸化物系超電導材料は臨界温度が高い事から有望視さ
れている。しかしながら、これらの材料を配線に用い様
とすると、組成が三成分系であるために微細加工が困難
であるという問題があった。
属酸化物系超電導材料は臨界温度が高い事から有望視さ
れている。しかしながら、これらの材料を配線に用い様
とすると、組成が三成分系であるために微細加工が困難
であるという問題があった。
上記目的は金属酸化物系超電導材料の導体以外の部分を
抵抗体或いは絶縁体に改質することにより達成される。
抵抗体或いは絶縁体に改質することにより達成される。
〔作用）
金属酸化物系超電導材料は同じ組成であっても結晶構造
がペロブスカイト型以外であれば超電導性を示さず抵抗
が増大する。さらに、超電導材料の主成分は同じであっ
ても、組成をずらしたり、他の元素をわずか添加するこ
とによっても超電導性を失ない抵抗が増大する。従って
、主成分が同じもので導体、抵抗体、絶縁体を構成する
ことができる。
がペロブスカイト型以外であれば超電導性を示さず抵抗
が増大する。さらに、超電導材料の主成分は同じであっ
ても、組成をずらしたり、他の元素をわずか添加するこ
とによっても超電導性を失ない抵抗が増大する。従って
、主成分が同じもので導体、抵抗体、絶縁体を構成する
ことができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。表面
にシリコン酸化膜２０が形成されたシリコン基体ｌｏ上
に酸化物系超電導材（Ｌａｔ−ｘＳｒｘ）ｚＣｕＯ４−
ｖの導体３ｏ及びこれにイオン注入により改質した絶縁
層４０が同一平面上に設けられている。絶縁層４ｏは導
体パターンをレジストで覆った後、これをマスクとして
バナジウム及び酸素をイオン注入することにより形成さ
れる。更にこの上に導体層間を絶縁分離するための酸化
膜２１が形成される。この酸化膜２１には配線間を結ぶ
接続孔６０が設けられている。更に、その上に酸化物超
電導材（Ｌ ａ １−Ｘ Ｓ ｒ ｘ）ｚｃ ｕ ０４
−Ｙの導体３１の配線及びこれにイオン注入により改質
した絶縁層４１及び抵抗層５０が設けられている。
にシリコン酸化膜２０が形成されたシリコン基体ｌｏ上
に酸化物系超電導材（Ｌａｔ−ｘＳｒｘ）ｚＣｕＯ４−
ｖの導体３ｏ及びこれにイオン注入により改質した絶縁
層４０が同一平面上に設けられている。絶縁層４ｏは導
体パターンをレジストで覆った後、これをマスクとして
バナジウム及び酸素をイオン注入することにより形成さ
れる。更にこの上に導体層間を絶縁分離するための酸化
膜２１が形成される。この酸化膜２１には配線間を結ぶ
接続孔６０が設けられている。更に、その上に酸化物超
電導材（Ｌ ａ １−Ｘ Ｓ ｒ ｘ）ｚｃ ｕ ０４
−Ｙの導体３１の配線及びこれにイオン注入により改質
した絶縁層４１及び抵抗層５０が設けられている。
絶縁層と抵抗層はパターン寸法の変更やドーズ量の違い
により可能である。最上面に絶縁層２２としてシリコン
酸化膜を形成し、接続孔６１を設ける。
により可能である。最上面に絶縁層２２としてシリコン
酸化膜を形成し、接続孔６１を設ける。
本実施例によれば平坦な微細パターンの低抵抗配線が可
能となり、素子の高速化、高信頼化が画られる。
能となり、素子の高速化、高信頼化が画られる。
上記例では先に酸化物超電導体を全面に形成した後、そ
れを改質して抵抗体或いは絶縁体とする方法について述
べたが、逆に、酸化物超電導体となりうる元素を有する
抵抗体を先に全面に形成した後、イオン注入とアニール
などによって後から配線パターンのみを超電導体として
も良い。
れを改質して抵抗体或いは絶縁体とする方法について述
べたが、逆に、酸化物超電導体となりうる元素を有する
抵抗体を先に全面に形成した後、イオン注入とアニール
などによって後から配線パターンのみを超電導体として
も良い。
また、第１図の実施例で半導体基体１０は接合を有する
半導体素子であっても良い。
半導体素子であっても良い。
本発明によれば平坦な微細パターン低抵抗配線が可能と
なるので、素子の高速化、高信頼化が画られる。
なるので、素子の高速化、高信頼化が画られる。
第１図は本発明の一実施例の配線構造の縦断面図である
。 １０・・・半導体基体、２０・・・絶縁膜、３０・・・
酸化物超電導体、４０・・・絶縁体、５０・・・抵抗体
、６ｏ・・・荊１図
。 １０・・・半導体基体、２０・・・絶縁膜、３０・・・
酸化物超電導体、４０・・・絶縁体、５０・・・抵抗体
、６ｏ・・・荊１図
Claims (1)
- １、酸化物超電導体を用いた酸線に於いて、絶縁膜を有
する半導体基体又は絶縁物基体上に酸化物超電導体から
なる導体、前記酸化物超電導体を改質した抵抗体、およ
び前記酸化物超電導体を改質した絶縁体なる群から選ば
れたる少なく共１者からなる層とその上に形成された絶
縁層からなることを特徴とする酸化物超電導体配線構造
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62110572A JPS63276243A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 酸化物超電導体配線構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62110572A JPS63276243A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 酸化物超電導体配線構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63276243A true JPS63276243A (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=14539234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62110572A Pending JPS63276243A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 酸化物超電導体配線構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63276243A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5140300A (en) * | 1988-10-24 | 1992-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Superconductive magneto-resistive device comprising laminated superconductive ceramic films |
| US5221660A (en) * | 1987-12-25 | 1993-06-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor substrate having a superconducting thin film |
-
1987
- 1987-05-08 JP JP62110572A patent/JPS63276243A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221660A (en) * | 1987-12-25 | 1993-06-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor substrate having a superconducting thin film |
| US5140300A (en) * | 1988-10-24 | 1992-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Superconductive magneto-resistive device comprising laminated superconductive ceramic films |
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