JPH01161731A - 超電導配線の形成方法 - Google Patents
超電導配線の形成方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910003097 YBa2Cu3O7−δ Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、酸化物超電導薄膜を用いた超電導配線とその
形成方法に関する。
形成方法に関する。
(従来の技術)
最近、ペロブスカイト型酸化物で液体窒素温度程度以上
の臨界温度を示す高温超電導体が注目されている。これ
らの高温超電導体は、ジョセフソン素子等の所謂超電導
素子の他、半導体素子等の各種電子素子の配線としての
用途も注目される。
の臨界温度を示す高温超電導体が注目されている。これ
らの高温超電導体は、ジョセフソン素子等の所謂超電導
素子の他、半導体素子等の各種電子素子の配線としての
用途も注目される。
超電導配線を形成するには、所定の基板上に超電導薄膜
を形成し、これをアニールして超電導膜とした後、配線
パターンに加工することが一般に考えられる。配線パタ
ーンの加工は、例えばフォトレジストを用いたエツチン
グによればよい。
を形成し、これをアニールして超電導膜とした後、配線
パターンに加工することが一般に考えられる。配線パタ
ーンの加工は、例えばフォトレジストを用いたエツチン
グによればよい。
しかしこれまでのところ、酸化物超電導薄膜はシリコン
(Sl)基板やその表面のシリコン酸化膜(Si02膜
)上では所望の超電導特性が得られていない。僅かに、
酸化マグネシウム(Mg O)やチタン酸ストロチウム
(Sr Ti 03 )などの基板上で超電導特性が確
認されているの過ぎない。
(Sl)基板やその表面のシリコン酸化膜(Si02膜
)上では所望の超電導特性が得られていない。僅かに、
酸化マグネシウム(Mg O)やチタン酸ストロチウム
(Sr Ti 03 )などの基板上で超電導特性が確
認されているの過ぎない。
これは、基板と超電導材料膜との格子定数や熱膨張率等
の相違によりて、任意の基板上に良好な結晶性の超電導
薄膜を形成することが困難であることに起因する。超電
導配線を半導体素子その他の電子素子に広く利用するた
めには、任意の基板上に超電導薄膜を形成できることが
望まれる。
の相違によりて、任意の基板上に良好な結晶性の超電導
薄膜を形成することが困難であることに起因する。超電
導配線を半導体素子その他の電子素子に広く利用するた
めには、任意の基板上に超電導薄膜を形成できることが
望まれる。
また超電導材料薄膜の選択エツチングにより超電導配線
を形成することは、エツチングのダメージが大きい、段
差が形成されてその後の工程を難しくする、等の問題も
ある。
を形成することは、エツチングのダメージが大きい、段
差が形成されてその後の工程を難しくする、等の問題も
ある。
一方、酸化物超電導体に、酸素やヒ素をイオン注入する
ことにより、超電導性が破壊されること、これを利用し
て超電導領域とそうでない領域を区分することができる
ことが報告されている(高温超伝導体シンポジウム、
1987年MRS 春季会議)。この方法を用いれば
、酸化物超電導薄膜を形成し、その平坦性を保持しなが
ら、選択的に超電導配線を形成することが可能になる。
ことにより、超電導性が破壊されること、これを利用し
て超電導領域とそうでない領域を区分することができる
ことが報告されている(高温超伝導体シンポジウム、
1987年MRS 春季会議)。この方法を用いれば
、酸化物超電導薄膜を形成し、その平坦性を保持しなが
ら、選択的に超電導配線を形成することが可能になる。
しかし、上記の方法では、超電導体の結晶構造を壊すこ
とにより超電導性を壊しているため、その後のアニール
によって結晶構造が回復して再度超電導性が現われる可
能性がある。従って超電導配線形成法としては、信頼性
が十分でない。
とにより超電導性を壊しているため、その後のアニール
によって結晶構造が回復して再度超電導性が現われる可
能性がある。従って超電導配線形成法としては、信頼性
が十分でない。
(発明が解決しようとする問題点)
以上のように、酸化物超電導配線を素子或いは回路に適
用する場合、任意の基板上に良好な超電導特性を示す膜
を形成することが難しく、また選択エツチング法で配線
パターンを形成することはダメージの影響や段差の発生
があるため問題であり、非配線領域にイオン注入する方
法はアニールにより超電導特性が回復してしまう、とい
う問題があった。
用する場合、任意の基板上に良好な超電導特性を示す膜
を形成することが難しく、また選択エツチング法で配線
パターンを形成することはダメージの影響や段差の発生
があるため問題であり、非配線領域にイオン注入する方
法はアニールにより超電導特性が回復してしまう、とい
う問題があった。
本発明は、この様な問題を解決した超電導配線とその形
成方法を提供することを目的とする。
成方法を提供することを目的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明による超電導配線は、基板上に酸化物超電導材料
薄膜が形成され、その配線領域の下地にはこれと格子定
数の近い絶縁体膜が選択的に配設されていて、この絶縁
体膜に接する部分のみが格子の整合性の結果として超電
導特性を示すようになっていることを特徴とする。
薄膜が形成され、その配線領域の下地にはこれと格子定
数の近い絶縁体膜が選択的に配設されていて、この絶縁
体膜に接する部分のみが格子の整合性の結果として超電
導特性を示すようになっていることを特徴とする。
本発明の方法は、基板上に先ず、超電導配線を形成すべ
き領域に所定の絶縁体膜を配設し、この絶縁体膜が配設
された基板上に絶縁体膜と格子定数が近い酸化物超電導
材料薄膜を全面形成して、その絶縁体膜に接する部分の
みに格子整合による良好な結晶性を与え、超電導特性を
付与するようにしたことを特徴とする。
き領域に所定の絶縁体膜を配設し、この絶縁体膜が配設
された基板上に絶縁体膜と格子定数が近い酸化物超電導
材料薄膜を全面形成して、その絶縁体膜に接する部分の
みに格子整合による良好な結晶性を与え、超電導特性を
付与するようにしたことを特徴とする。
(作用)
本発明によれば、任意の基板上に酸化物超電導材料膜を
全面形成するだけで、配線領域の下地に格子整合がとれ
やすい絶縁体膜パターンを予め形成しておくことにより
、超電導配線を得ることができる。また本発明の方法に
よれば、超電導材料膜の選択エツチングを行う必要がな
いから、エツチングによるダメージがない。更に絶縁体
膜を基板表面が平坦になるように埋設しておけば、超電
導配線を形成した後の基板表面も平坦にすることができ
、その後の工程が容易になる。
全面形成するだけで、配線領域の下地に格子整合がとれ
やすい絶縁体膜パターンを予め形成しておくことにより
、超電導配線を得ることができる。また本発明の方法に
よれば、超電導材料膜の選択エツチングを行う必要がな
いから、エツチングによるダメージがない。更に絶縁体
膜を基板表面が平坦になるように埋設しておけば、超電
導配線を形成した後の基板表面も平坦にすることができ
、その後の工程が容易になる。
(実施例)
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は、本発明の一実施例の超電導配線構造を示す断
面図である。この実施例では、シリコン基板1上をシリ
コン酸化膜2で覆い、この上に全面YBa Cu O膜
5を形成している。酸化237−δ 膜2には、その配線領域に沿って溝3が形成されて、こ
の溝3にMg O膜4が表面が平坦になるように埋め込
まれている。Mg O膜4は、YBa Cu O膜5と
格子定数が近く、また熱287−δ 膨張係数も近い。このため、全面に形成されたYBa
Cu O膜5は、そのMg O膜4に接す237−δ る部分の・み良好な結晶性の超電導体の配線領域51と
なり、それ以外の部分は高抵抗の非配線領域5□となっ
ている。
面図である。この実施例では、シリコン基板1上をシリ
コン酸化膜2で覆い、この上に全面YBa Cu O膜
5を形成している。酸化237−δ 膜2には、その配線領域に沿って溝3が形成されて、こ
の溝3にMg O膜4が表面が平坦になるように埋め込
まれている。Mg O膜4は、YBa Cu O膜5と
格子定数が近く、また熱287−δ 膨張係数も近い。このため、全面に形成されたYBa
Cu O膜5は、そのMg O膜4に接す237−δ る部分の・み良好な結晶性の超電導体の配線領域51と
なり、それ以外の部分は高抵抗の非配線領域5□となっ
ている。
第2図(a)〜(d)は、この様な超電導配線の形成工
程を示す断面図である。(a)に示すように、シリコン
基板1を覆うシリコン酸化膜(Si02膜)2を形成し
た後、この上にフォトレジスト・マスク6を形成し、5
i02膜2をエツチングして配線領域に溝3を形成する
。エツチングには例えば反応性イオンエツチングを利用
し、溝3の深さは1100nとする。その後フォトレジ
スト・マスク6を除去し、(b)に示すように全面にM
g O膜4をスパッタ法により形成する。このとき、M
g O膜4は表面がほぼ平坦になるように十分な厚みを
持って形成する。そしてこのMg O膜4を湿式エツチ
ングにより全面エツチングして、(C)に示すように溝
3内にのみ埋め込まれた状態でMg O膜4を残す。こ
の後(d)に示すように、全面にY B a2 Cua
O7−δ膜5をスパッタ法または蒸着法により形成す
る。このYBa Cu O膜5の形成に際し、基板内の
素2 3 7−δ 子に影響がなければ、基板を600℃程度に設定する。
程を示す断面図である。(a)に示すように、シリコン
基板1を覆うシリコン酸化膜(Si02膜)2を形成し
た後、この上にフォトレジスト・マスク6を形成し、5
i02膜2をエツチングして配線領域に溝3を形成する
。エツチングには例えば反応性イオンエツチングを利用
し、溝3の深さは1100nとする。その後フォトレジ
スト・マスク6を除去し、(b)に示すように全面にM
g O膜4をスパッタ法により形成する。このとき、M
g O膜4は表面がほぼ平坦になるように十分な厚みを
持って形成する。そしてこのMg O膜4を湿式エツチ
ングにより全面エツチングして、(C)に示すように溝
3内にのみ埋め込まれた状態でMg O膜4を残す。こ
の後(d)に示すように、全面にY B a2 Cua
O7−δ膜5をスパッタ法または蒸着法により形成す
る。このYBa Cu O膜5の形成に際し、基板内の
素2 3 7−δ 子に影響がなければ、基板を600℃程度に設定する。
これにより、形成されたYBa2Cu307−δ膜5は
、Mg O膜4に接する配線領域51が格子整合により
良好な結晶性を持ち、超電導転移温度90に程度の超電
導特性が付与される。5i02膜2に接する非配線領域
52は、超電導特性を示さない。基板温度をスパッタ時
に上げられない場合は、室温でスパッタリングを行い、
その後、酸素プラズマ中、約300℃でアニールす゛る
。
、Mg O膜4に接する配線領域51が格子整合により
良好な結晶性を持ち、超電導転移温度90に程度の超電
導特性が付与される。5i02膜2に接する非配線領域
52は、超電導特性を示さない。基板温度をスパッタ時
に上げられない場合は、室温でスパッタリングを行い、
その後、酸素プラズマ中、約300℃でアニールす゛る
。
これによりやはり、YBa Cu O膜5のうち237
−δ MgO膜4に接する配線領域51が選択的に超電導特性
を有するようになる。
−δ MgO膜4に接する配線領域51が選択的に超電導特性
を有するようになる。
こうしてこの実施例によれば、従来できなかった基板上
であっても、格子整合をとるための膜を予め下地に選択
的に形成しておくことにより、基板上に形成した酸化物
超電導材料膜に選択的に超電導特性を付与して、平坦構
造の超電導配線を実現することができる。また選択エツ
チングを用いないから、エツチングによるダメージもな
く、この点でも優れた超電導配線が得られる。
であっても、格子整合をとるための膜を予め下地に選択
的に形成しておくことにより、基板上に形成した酸化物
超電導材料膜に選択的に超電導特性を付与して、平坦構
造の超電導配線を実現することができる。また選択エツ
チングを用いないから、エツチングによるダメージもな
く、この点でも優れた超電導配線が得られる。
本発明は、上記実施例に限られるものではない。
上記実施例では平坦構造の超電導配線を形成したが、第
3図に示すようにMg O膜4が基板上に凸型に形成さ
れた場合にも本発明は有効である。この様な基板上にY
B a2Cuao 7.膜5を形成して、やはりMg
O膜4の上の部分のみを超電導特性を示す配線領域5
1とすることができる。また溝をフォトレジストとりソ
グラフイにより形成する場合、−旦3i02膜上にSi
3N4膜を形成し、これをリソグラフィにより溝部を形
成した後、更にその溝側壁に5i3N41Aを形成して
溝を狭くすれば、リソグラフィに律速されない微細配線
を形成することができる。また酸化物超電導材料薄膜と
して、一般にABa Cu O(Aは、Y。
3図に示すようにMg O膜4が基板上に凸型に形成さ
れた場合にも本発明は有効である。この様な基板上にY
B a2Cuao 7.膜5を形成して、やはりMg
O膜4の上の部分のみを超電導特性を示す配線領域5
1とすることができる。また溝をフォトレジストとりソ
グラフイにより形成する場合、−旦3i02膜上にSi
3N4膜を形成し、これをリソグラフィにより溝部を形
成した後、更にその溝側壁に5i3N41Aを形成して
溝を狭くすれば、リソグラフィに律速されない微細配線
を形成することができる。また酸化物超電導材料薄膜と
して、一般にABa Cu O(Aは、Y。
237−δ
Yb、Ho、Dy、Eu、Er、Tll1.Luから選
ばれた一種)で表わされるペロブスカイト型酸化物を用
いることができる。酸化物超電導材料薄膜の配線領域の
下地に形成する絶縁体膜としては、Mg Oの他、チタ
ン酸ストロンチウム、酸化ジルコニウム、サファイア等
を用いることができる。
ばれた一種)で表わされるペロブスカイト型酸化物を用
いることができる。酸化物超電導材料薄膜の配線領域の
下地に形成する絶縁体膜としては、Mg Oの他、チタ
ン酸ストロンチウム、酸化ジルコニウム、サファイア等
を用いることができる。
その池水発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
して実施することができる。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、酸化物超電導材料薄
膜の超電導配線として必要な領域の下地に所定の絶縁体
膜を配設しておくことにより、信頼性の高い超電導配線
を実現することができる。
膜の超電導配線として必要な領域の下地に所定の絶縁体
膜を配設しておくことにより、信頼性の高い超電導配線
を実現することができる。
また本発明の方法によれば、任意の基板上に酸化物超電
導配線を容易に形成することができ、酸化物超電導薄膜
は選択エツチングも必要ないので、ダメージも少なく、
良好な超電導特性が得られる。
導配線を容易に形成することができ、酸化物超電導薄膜
は選択エツチングも必要ないので、ダメージも少なく、
良好な超電導特性が得られる。
第1図は本発明の一実施例の超電導配線構造を示す断面
図、第2図(a)〜(d)はその超電導配線の形成工程
を示す断面図、第3図は他の実施例の超電導配線を示す
断面図である。 1・・・シリコン基板、2・・・5i02膜、3・・・
溝、4・MgO膜、5・YBa2Cu3O7−δ膜、5
t−237−δ 配線領域、52・・・非配線領域。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図
図、第2図(a)〜(d)はその超電導配線の形成工程
を示す断面図、第3図は他の実施例の超電導配線を示す
断面図である。 1・・・シリコン基板、2・・・5i02膜、3・・・
溝、4・MgO膜、5・YBa2Cu3O7−δ膜、5
t−237−δ 配線領域、52・・・非配線領域。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図
Claims (8)
- (1)基板上に酸化物超電導材料薄膜が形成され、前記
酸化物超電導材料薄膜は、所定の配線領域の下地に選択
的にこれと格子定数の近い絶縁体膜が配設されて、前記
配線領域のみが超電導特性を示すことを特徴とする超電
導配線。 - (2)前記酸化物超電導材料薄膜は、 ABa_2Cu_3O_7_−_δ膜(但し、AはY、
Yb、Ho、Dy、Eu、Er、Tm、Luから選ばれ
た一種)である特許請求の範囲第1項記載の超電導配線
。 - (3)前記絶縁体膜は前記基板に基板表面が平坦になる
ように埋設されている特許請求の範囲第1項記載の超電
導配線。 - (4)前記基板は半導体基板であり、前記絶縁体膜は前
記酸化物超電導材料薄膜と熱膨張係数が近い金属酸化物
膜である特許請求の範囲第1項記載の超電導配線。 - (5)基板上の超電導配線を形成すべき配線領域に選択
的に絶縁体膜を形成する工程と、前記絶縁体膜が形成さ
れた基板上全面に前記絶縁体膜と格子定数が近い酸化物
超電導材料薄膜を形成し、前記絶縁体膜上の部分に選択
的に超電導特性を付与する工程と、を有することを特徴
とする超電導配線の形成方法。 - (6)前記絶縁体膜は、前記基板の配線領域に基板表面
が平坦になるように埋設される特許請求の範囲第5項記
載の超電導配線の形成方法。 - (7)前記酸化物超電導材料薄膜は、 ABa_2Cu_3O_7_−_δ膜(但し、AはY、
Yb、Ho、Dy、Eu、Er、Tm、Luから選ばれ
た一種)である特許請求の範囲第5項記載の超電導配線
の形成方法。 - (8)前記基板は半導体基板であり、前記絶縁体膜は前
記酸化物超電導材料薄膜と熱膨張係数が近い金属酸化物
膜である特許請求の範囲第5項記載の超電導配線の形成
方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP62318778A JP2717094B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 超電導配線の形成方法 |
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JPH01161731A true JPH01161731A (ja) | 1989-06-26 |
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JP (1) | JP2717094B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0244783A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Canon Inc | 超伝導パターンの形成方法 |
JPH04282877A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 集積化が容易な超電導素子およびその作製方法 |
JPH04282878A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 集積化が容易な超電導素子の作製方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01157580A (ja) * | 1987-09-14 | 1989-06-20 | Fuji Electric Co Ltd | 超電導回路の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP62318778A patent/JP2717094B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH01157580A (ja) * | 1987-09-14 | 1989-06-20 | Fuji Electric Co Ltd | 超電導回路の製造方法 |
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JPH0244783A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Canon Inc | 超伝導パターンの形成方法 |
JPH04282877A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 集積化が容易な超電導素子およびその作製方法 |
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