JPS59114839A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はアルミニウムの金属配線に関するものである。

第１図（ａ）〜（ｄ）は従来方法におけるアルミニーラ
ム金属配線の断面図である。半導体基板１を酸化処理す
ることによって生じる酸化膜２を有する半導体装置を（
ｂ）においてアルミニュウム薄膜３を真空蒸着法等で形
成する。ｔｃ＋においてホトレジストを塗布し１．所望
の大きさＷｌを有するホトレジスト膜４をホトリソグラ
フィ技術で形成する。ｔｄ）においてアルミニュウムの
エツチング液９例えばりん酸を主体とする溶液に浸漬す
るとホトレジスト膜４に被覆されない部分がエツチング
されるためホトレジスト膜４の直下にアルミニュウムの
島５が形成できる。

上記方法によると、エツチング溶液中に浸漬するためエ
ツチング機能は等方性となりＷ１幅を有するレジスト膜
の下のアルミニュウムもエツチングされる。（一般にサ
イドエツチングと呼ばれる）そのため所望の大きさＷｌ
がＷ２となる（　Ｗ２　＞　Ｗ、　）。

その結果アルミニュウムの電流容量が減少し２発熱等の
弊害を起す。

本発明はアルミニュウムのエツチング液を使用しないこ
とを特徴とし、その目的は所望のアルミニュウム線幅を
確保するにある。

第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明による実施例の断面図で
ある。（ａ）は第１図（ａ）と同じである。ｔｂ）にお
いてホトレジスト膜４を作成後ホトリソグラフィ技術に
て所望の大きさＷｌを有する六６を形成する。ｔｃ）に
おいて真空蒸着法によって、アルミニーラムの薄膜３を
形成する。この時穴６の壁面７にもアルミニーラムが付
着することがあるが、アルミニュウム薄膜３の厚さに比
べると１／１００−１／１０００のオーダである。（ｄ
）においてホトレジスト膜４を除去すればＷｌの大きさ
を有するアルミニュウムの島８を形成することができる
。ホトレジスト膜４を除去する方法としては、一般にプ
ラズマアッシャと呼ばれるドライエツチング法やアルミ
ニュウムを侵すことなく、ホトレジスト膜４だけを除去
する有機溶液に浸漬するとよい。もし壁面７にアルミニ
ュウムが付着し、上記方法にてホトレジスト膜４が除去
されない場合は、上記方法の前に軽くアルミニュウムの
エツチング液中に放置するとよい。

このようにして形成したアルミニュウムの島８はサイド
エツチングの現象が発生しないため、所望のＷｌを有す
るアルミニュウムの島が形成できる。

仮に壁面７にアルミニーラムが付着した場合、その厚み
は１／１００〜１／１０００であるため、アルミニュウ
ムが付着した場合、その厚みは１／１００−Ｌ／１００
０であるため、アルミニーラムのエツチング液中に浸漬
しても、サイドエツチング現象は発生しない。

そのため電流容量が変化しないので２発熱等の弊害を起
すことはない。

以上説明したごとく２本発明によれば、アルミニュウム
のサイドエツチング現象が防止できるため、アルミニー
ラム配線の細りゃ断線が無くなる。

その結果として、電流容量が確保できるため、信頼性に
関しても充分対処できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）は従来方法による断面図、第２図
（ａ）〜ｔｄ）は本発明による実施例の断面図。 に半導体基板、２二酸化膜、３：アルミニュウム薄膜、
４：ホトレジスト膜、５．８：アルミニュウムの島。 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上にアルミニュウムの金属配線を形成する工
   程において、基板上にホトレジスト膜を塗布する工程と
   、所望の大きさの穴を形成する工程と、アルミニュウム
   薄膜を蒸着する工程と、ホトレジスト膜を除去する工程
   を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。