JPS6064437A - 鉛系パツシベ−シヨンガラスのエツチング液 - Google Patents
鉛系パツシベ−シヨンガラスのエツチング液Info
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の九する技術分野〕
本発明ハ鉛系バッジベージロンガラスのエツチング液の
組成に関する。
組成に関する。
従来、半導体のＰｎ接合ｍｌを被覆保持する手法として
、ガラスを用いたパッシベーションが広く行なわれてい
る。このパッシベーションは耐圧上昇等の半導体素子の
性能向上及び信頼性向上に効果がある。
、ガラスを用いたパッシベーションが広く行なわれてい
る。このパッシベーションは耐圧上昇等の半導体素子の
性能向上及び信頼性向上に効果がある。
半導体パッジベージ日ン用のガラス材料には、Ｚｎ０−
Ｂ Ｏ−８ｉＯｆ、主成分とした所謂亜鉛系ガラス２３
２ と、 ＰｂＯ−８ｉＯ□を主成分とした所謂亜鉛系ガラ
スの２種が使われている。これらのうち鉛系ガラスは耐
薬品性が高いという長所を持っており、弗酸系エツチン
グ液以外には事実上１′フされない。しかしながら一方
、この’ＪＬは余分に付７ηしたガラスの除去やガラス
のパターンニング々どの場合には短所にもなる。何故な
ら、サイリスタやトランジスタなど、はとんどの素子ｔ
ま酸化珪素の絶縁膜も使用されており、ガラスのエツチ
ングの際にはこの８ｉＯ□層も侵食されてしまうためで
ある。鉛ガラスだけを選択的にエツチングできる手段が
あれ１１′、工程短縮や用途の拡大など利点が多い。
Ｂ Ｏ−８ｉＯｆ、主成分とした所謂亜鉛系ガラス２３
２ と、 ＰｂＯ−８ｉＯ□を主成分とした所謂亜鉛系ガラ
スの２種が使われている。これらのうち鉛系ガラスは耐
薬品性が高いという長所を持っており、弗酸系エツチン
グ液以外には事実上１′フされない。しかしながら一方
、この’ＪＬは余分に付７ηしたガラスの除去やガラス
のパターンニング々どの場合には短所にもなる。何故な
ら、サイリスタやトランジスタなど、はとんどの素子ｔ
ま酸化珪素の絶縁膜も使用されており、ガラスのエツチ
ングの際にはこの８ｉＯ□層も侵食されてしまうためで
ある。鉛ガラスだけを選択的にエツチングできる手段が
あれ１１′、工程短縮や用途の拡大など利点が多い。
本発明の目的は鉛系パッシベーションガラスをよくエツ
チングし、酸化珪素ヲニとんとエツチングしないエツチ
ング液の組成をｔ′ｆ供する事である。
チングし、酸化珪素ヲニとんとエツチングしないエツチ
ング液の組成をｔ′ｆ供する事である。
本発明にかかるエツチングｆ＜’ｉ、はｌ（ｌ”−ＨＣ
ｔ−酢酸−水系であって、５ｗｔ％以下のＩＮＦと、２
ＷＬチ以上のＨＣｌと、ｚｗｔチ以上の酢酸を含むもの
でろ２．０最適エツチング液組成を決めるに当り、最も
重要な点は、ガラスと酸化珪素膜に対するエツチング速
度の比である。実際の素子に使われるＳｉＯ□膜の厚さ
は高１２ミクロンである゛。一方パッシペーシ目ン膜と
して使用されるガラスの厚さは通常１０μ以上である。
ｔ−酢酸−水系であって、５ｗｔ％以下のＩＮＦと、２
ＷＬチ以上のＨＣｌと、ｚｗｔチ以上の酢酸を含むもの
でろ２．０最適エツチング液組成を決めるに当り、最も
重要な点は、ガラスと酸化珪素膜に対するエツチング速
度の比である。実際の素子に使われるＳｉＯ□膜の厚さ
は高１２ミクロンである゛。一方パッシペーシ目ン膜と
して使用されるガラスの厚さは通常１０μ以上である。
ガラスがエツチングされてもＳ ｉＯ２膜の大半が残っ
ていｉいと目的は達せられないから、少なくとも１０倍
以上ガラスのエツチング速度が大きい必要がある。この
他エツチングされた面に残渣等を残さない卓、又、エツ
チング速度の絶対値かで″きるだけ大きい事が要求され
る。このような要請を考慮して最適液組成を検討した結
果、上記の組成範囲が決定された。
ていｉいと目的は達せられないから、少なくとも１０倍
以上ガラスのエツチング速度が大きい必要がある。この
他エツチングされた面に残渣等を残さない卓、又、エツ
チング速度の絶対値かで″きるだけ大きい事が要求され
る。このような要請を考慮して最適液組成を検討した結
果、上記の組成範囲が決定された。
〔発明の実施例〕
以下本発明を実施例に基づき、詳細に説明する。
鉛系ガラスの組成例として、Ｓｉ０４７ｗｔ％、Ａｔ０
２ ２３ ２．５ｗｔチ、Ｂ２０３８５Ｗｔチ、 Ｐｂ０４２Ｗ
ｔチを選んだ。このガラスの表面を研麿した後衣面の一
部をワックスなどで被覆して保護した後にエツチングし
、保獲面とエツチング面との段差を干渉顕微鏡などで検
出する事によシ、エツチング速度をめた。またＳ ｒ
０２膜の例としては１×ｌＯ個／ｃｔｌ ’）ンを含む
化学蒸着膜（ＰＳＧＩＩ＠）、リンを含まない化学蒸着
膜（ＳｉＯ膜）、石英ガラスなどを用いた。エツチング
速ＩＷガラスの場合と同様の方法でめた。エツチング液
の出発原料としては試薬級のフッ酸（４９チＨＦ）、塩
酸（３５チトＩＣ４）及び氷酢酸を用い、必要ならば純
水を適具添加してエツチング液を調整した。液温は通常
室温である。
２ ２３ ２．５ｗｔチ、Ｂ２０３８５Ｗｔチ、 Ｐｂ０４２Ｗ
ｔチを選んだ。このガラスの表面を研麿した後衣面の一
部をワックスなどで被覆して保護した後にエツチングし
、保獲面とエツチング面との段差を干渉顕微鏡などで検
出する事によシ、エツチング速度をめた。またＳ ｒ
０２膜の例としては１×ｌＯ個／ｃｔｌ ’）ンを含む
化学蒸着膜（ＰＳＧＩＩ＠）、リンを含まない化学蒸着
膜（ＳｉＯ膜）、石英ガラスなどを用いた。エツチング
速ＩＷガラスの場合と同様の方法でめた。エツチング液
の出発原料としては試薬級のフッ酸（４９チＨＦ）、塩
酸（３５チトＩＣ４）及び氷酢酸を用い、必要ならば純
水を適具添加してエツチング液を調整した。液温は通常
室温である。
第１図は液中のＨＦ濃度と鉛ガラスのエツチング速度の
関係を異なる塩酸濃度（１ｗｔ係・・・Ａｒ １０ｗ
ｔ％・・・Ｂ。
関係を異なる塩酸濃度（１ｗｔ係・・・Ａｒ １０ｗ
ｔ％・・・Ｂ。
３０ｗｔ％・・・Ｃ）の場合について図示したものであ
る。
る。
塩酸（ＨＣｔ）濃度が１ｗｔ％に満だない場合はガラス
表面に残渣が残り、正確なエツチング；中度が決められ
なかった。即ちこの組成域はエツチング液としては不適
当であった。図に示したように、ＨＦ義度が増すとエツ
チング仲間は直線的に増加する。
表面に残渣が残り、正確なエツチング；中度が決められ
なかった。即ちこの組成域はエツチング液としては不適
当であった。図に示したように、ＨＦ義度が増すとエツ
チング仲間は直線的に増加する。
またＨＣｚの濃度が増すとエツチング速度がわずかなが
ら増す。しかしながら酢ＩＦのすべてを塩酸でおき替え
た場合にはやけＱ不溶性の残渣を生じ好ましくない事が
わかった。好ましい酢酸濃度は２ｗｔ％以上であった。
ら増す。しかしながら酢ＩＦのすべてを塩酸でおき替え
た場合にはやけＱ不溶性の残渣を生じ好ましくない事が
わかった。好ましい酢酸濃度は２ｗｔ％以上であった。
一方、ＳｉＯに対するエツチング速度は膜質などによっ
て異なり、エツチング速度は＝ ＰＳＧ ） Ｓ ｔ
Ｏ２膜〉石英ガラスの順に大きくなる。はとんどの場合
、石英ガラスはＰＳＧ膜の一桁程度エッチング速度が小
さく々るから、 ＰＳＧと鉛ガラスとのエツチング速度
比を問題にするだけで目的は達せられる。
て異なり、エツチング速度は＝ ＰＳＧ ） Ｓ ｔ
Ｏ２膜〉石英ガラスの順に大きくなる。はとんどの場合
、石英ガラスはＰＳＧ膜の一桁程度エッチング速度が小
さく々るから、 ＰＳＧと鉛ガラスとのエツチング速度
比を問題にするだけで目的は達せられる。
さてこのエツチング速度比は、ＨＦの濃度によって大き
く変る事がわかった。第２図はこのエツチング速度比−
ｉ ＨＦ’ ＃度に対してプロットしたものである。
く変る事がわかった。第２図はこのエツチング速度比−
ｉ ＨＦ’ ＃度に対してプロットしたものである。
ＨＦの濃度が５チを越えるとエツチング速度比が１０よ
シ小さくなシ、目的に合わなくなる事がわがる。またＨ
Ｃｚの種度が変って（１ｗｔ％・・・Ａ、ｌＱｗｔ％・
・Ｂ。
シ小さくなシ、目的に合わなくなる事がわがる。またＨ
Ｃｚの種度が変って（１ｗｔ％・・・Ａ、ｌＱｗｔ％・
・Ｂ。
３Ｑｗｔ％・・・Ｃも、この比に大きな変化はない。さ
て以上の結果から、鉛ガラスとＰＳＧとのエツチング差
を大きくするにはＨＦの濃度を小さくする必−要がある
事がわかる。しかし人から第１図でわかるように、その
結果鉛ガラスのエツチング速度そのものも小さくなる。
て以上の結果から、鉛ガラスとＰＳＧとのエツチング差
を大きくするにはＨＦの濃度を小さくする必−要がある
事がわかる。しかし人から第１図でわかるように、その
結果鉛ガラスのエツチング速度そのものも小さくなる。
しかじ液温を上昇させればエツチング速度を一桁以上上
昇させる事がｎＪ會ヒである。
昇させる事がｎＪ會ヒである。
第３図はＨＦ １ｗｔ擾、ＨＣｔ５ｗｔチ、ｌ−］ Ｑ
］５Ｗｔ凱観りが酢酸の液組成について、鉛ガラスに（
））及びＰＳＧ （Ｐ）のエツチング速度を液温゛に対
して示しである。液温を上昇させる事により、エツチン
グ速度比をあまり変化させずに速度そのものを一桁以上
上昇させる事ができる。
］５Ｗｔ凱観りが酢酸の液組成について、鉛ガラスに（
））及びＰＳＧ （Ｐ）のエツチング速度を液温゛に対
して示しである。液温を上昇させる事により、エツチン
グ速度比をあまり変化させずに速度そのものを一桁以上
上昇させる事ができる。
これまでの実、検測は前記の濃塩酸及び氷酢酸の組み合
せであった。従がって導入さ°れる水分は組み合せで決
まる一定値をとる。そこで水分濃度の影響ヲ調べるため
、ＨＦ １ｗｔ％ｌｒ、’ｉｊ弗０セ約２ｗｔ＄ ）
、 ＨＣｔｌ、７５ｗｔ％（濃塩酸約５ｗｔ％）と一定
にしておき、残分の氷酢酸を適宜水で置き替えてエツチ
ング速度を１調べた結果を第４図にポした。水分”１（
が増してもエツチング速度は殆んど亥ら女い事がわかる
。
せであった。従がって導入さ°れる水分は組み合せで決
まる一定値をとる。そこで水分濃度の影響ヲ調べるため
、ＨＦ １ｗｔ％ｌｒ、’ｉｊ弗０セ約２ｗｔ＄ ）
、 ＨＣｔｌ、７５ｗｔ％（濃塩酸約５ｗｔ％）と一定
にしておき、残分の氷酢酸を適宜水で置き替えてエツチ
ング速度を１調べた結果を第４図にポした。水分”１（
が増してもエツチング速度は殆んど亥ら女い事がわかる
。
鉛系パッシベー７ｇンガラスの他の組成例として、５ｉ
Ｏ４ｏ、Ａ１２０３１０．ＰｂＯ５０ｗｔ％ツガラスを
用い、第１図に示したと同様な実験を行なった所、同じ
ＨＦ濃度の場合、約２０チエツチングｉ中ＩＪ（が大き
くなる唐がわかった。
Ｏ４ｏ、Ａ１２０３１０．ＰｂＯ５０ｗｔ％ツガラスを
用い、第１図に示したと同様な実験を行なった所、同じ
ＨＦ濃度の場合、約２０チエツチングｉ中ＩＪ（が大き
くなる唐がわかった。
以上述べた如く１本発明にかかるエツチング液によれば
、鉛系パッシベーションガラスが１）ＳＧなどのＳｉＯ
□１１ハより一桁以上の速１〃でエツチングする事が可
能であるため、不必要なｊ゛：り分に付着したパッシベ
ーションガラスの除去などが１ｎｊ便に外り、素子の高
性能化、工程短縮或いはガラスパッジページ３ン法の応
用の拡大在どが達成できる。
、鉛系パッシベーションガラスが１）ＳＧなどのＳｉＯ
□１１ハより一桁以上の速１〃でエツチングする事が可
能であるため、不必要なｊ゛：り分に付着したパッシベ
ーションガラスの除去などが１ｎｊ便に外り、素子の高
性能化、工程短縮或いはガラスパッジページ３ン法の応
用の拡大在どが達成できる。
第１図は鉛系パッジベージ＝Ｉ／ガラスのエツチング速
度を液中のフッｆｆｉ ｉｉＪ度に対してプロットした
図、第２図は鉛系ガラスとＬ’ＳＧ申Ｊ−のエツチング
速度比とフッ酸ｍ１１１ｙとの関係を示す図、第３図は
鉛系ガラス及びＰＳＧのエツチング、ｉＪｉ度と液温と
の関係を示す図）ｉｌ’ｒ４図はエツチング液中の酢酸
と水との比が異る場合の鉛系ガラス及びＰＳＯのエツチ
ング速度の変化を示すし；１で・ｌ・）る。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ｅｌか１名）第３図 第４図 ｉ／Ｍ’／−Ｈｔ９；λ−
度を液中のフッｆｆｉ ｉｉＪ度に対してプロットした
図、第２図は鉛系ガラスとＬ’ＳＧ申Ｊ−のエツチング
速度比とフッ酸ｍ１１１ｙとの関係を示す図、第３図は
鉛系ガラス及びＰＳＧのエツチング、ｉＪｉ度と液温と
の関係を示す図）ｉｌ’ｒ４図はエツチング液中の酢酸
と水との比が異る場合の鉛系ガラス及びＰＳＯのエツチ
ング速度の変化を示すし；１で・ｌ・）る。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ｅｌか１名）第３図 第４図 ｉ／Ｍ’／−Ｈｔ９；λ−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＨＦ’ＨＣｔ−酢酸−水系であって、５ｗｔ％以下の掛
１と。 １ｗｔ％以上のＨＣｔと、２ｗｔ％以上の酢酸を含んで
いることを特徴とする鉛系パッシベーションガラスのエ
ツチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17219183A JPS6064437A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 鉛系パツシベ−シヨンガラスのエツチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17219183A JPS6064437A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 鉛系パツシベ−シヨンガラスのエツチング液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6064437A true JPS6064437A (ja) | 1985-04-13 |
| JPH0527249B2 JPH0527249B2 (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=15937259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17219183A Granted JPS6064437A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 鉛系パツシベ−シヨンガラスのエツチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6064437A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1150342A1 (en) * | 1998-11-24 | 2001-10-31 | Daikin Industries, Ltd. | Etching solution, etched article and method for etched article |
| JP2002151484A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-05-24 | Agilent Technol Inc | エッチング後の洗浄処理法 |
| WO2019002789A1 (fr) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | Technic France | Composition chimique de nettoyage pour le retrait d'une couche de passivation amorphe a la surface de matériaux cristallins |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP17219183A patent/JPS6064437A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1150342A1 (en) * | 1998-11-24 | 2001-10-31 | Daikin Industries, Ltd. | Etching solution, etched article and method for etched article |
| US7404910B1 (en) | 1998-11-24 | 2008-07-29 | Daikin Industries, Ltd. | Etching solution, etched article and method for etched article |
| JP2002151484A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-05-24 | Agilent Technol Inc | エッチング後の洗浄処理法 |
| WO2019002789A1 (fr) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | Technic France | Composition chimique de nettoyage pour le retrait d'une couche de passivation amorphe a la surface de matériaux cristallins |
| FR3068509A1 (fr) * | 2017-06-30 | 2019-01-04 | Technic France | Composition chimique de nettoyage pour le retrait d'une couche de passivation amorphe a la surface de materiaux cristallins |
| US11075073B2 (en) | 2017-06-30 | 2021-07-27 | Technic France | Cleaning chemical composition for the removal of an amorphous passivation layer at the surface of crystalline materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0527249B2 (ja) | 1993-04-20 |
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